JP4450202B2 - 半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
この製造方法は、半導体結晶の転位密度の抑制と同時に、半導体結晶の製造コストの抑制に効果がある。
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的は、転位密度の低い良質な半導体結晶を製造する際の製造コストを抑制することである。
即ち、本発明の第1の手段は、III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させることにより半導体結晶を得る半導体の製造工程において、結晶成長基板の主面上にAlNから成る20nm以上300nm以下の膜厚のバッファ層をスパッタリングによって成膜するバッファ層成膜工程と、半導体の結晶成長を阻止する非晶質マスクをバッファ層の上面に直接積層するマスク工程と、バッファ層の側壁断面が露出する様に、非晶質マスクとバッファ層とを選択的にエッチングするエッチング工程と、スパッタリングにより成膜されたバッファ層の側壁断面を結晶成長核として、横方向成長によりInyAlxGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)から成る転位密度の低い半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを設けることである。
ただし、このバッファ層の膜厚は、20nm〜100nmの範囲に設定することが更に望ましい。
また、非晶質マスクの材料は、周知の材料の中から任意に選択することができるので、非晶質マスクの材料は、必ずしも絶縁体である必要はないが、例えば絶縁体材料としては、SiN,SiO2,SixNy,SixOy,TiO2,TixNy,TixOyなどを用いることができ、また、非晶質シリコン(Si)などを成膜しても良い。また、金属材料としては、タングステン(W)などを用いることができる。
また、上記のエッチング工程では、浸食部位が結晶成長基板の上面に至るまでエッチングを実施しても良いし、それよりも浅い段階、即ちバッファ層の途中の深さに達した段階でエッチングを完了しても良いし、結晶成長基板自身までをもエッチングしても良い。
また、形成するエッチングパターンは、例えば上記のストライプ状等に限らず、任意で良く、例えば、凸格子状、凹格子状、ドット状(島状)、ピット状(穴状)などでも良い。
ただし、このバッファ層の結晶成長温度は、より望ましくは、390℃〜450℃程度の範囲に設定すると良い。また、このバッファ層の結晶成長温度は、400℃〜440℃の範囲に設定することが更に望ましい。
ただし、この非晶質マスクの厚さは、用いる材料にも依るが、より望ましくは、50nm〜500nm程度の範囲に設定すると良い。また、この非晶質マスクの膜厚は、100nm〜300nmの範囲に設定することが更に望ましい。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
即ち、本発明の第1の手段によれば、結晶成長工程が複数の工程に分離されることがないため、若しくは、バッファ層をスパッタリングによって成膜することができるため、転位密度の低い良質な半導体結晶を従来よりも低コストで製造することができる。
また、上記の転位密度の低い半導体層の結晶品質を好適若しくは最適に確保することができる。上記のバッファ層の膜厚は平均値であるので、このバッファ層の膜厚が薄過ぎると、バッファ層の側壁断面に結晶成長核が無い部分が所々に現われるなどして、転位密度の低い半導体層の成長が阻害されたり或いはその半導体層の転位密度が抑制できなくなったりすることがある。また、このバッファ層の膜厚が厚過ぎると、所望の転位密度の低い半導体層と結晶成長基板とが近接作用できなくなるので、分子間力に基づく結晶成長基板上の配向情報が転位密度の低い半導体層に伝わり難くなり、よって、その半導体層の単結晶化が困難となる。
したがって、このバッファ層の膜厚は、20nm以上300nm以下の範囲に設定すると良い。また、このバッファ層の膜厚は、20nm〜100nmの範囲に設定することが更に望ましい。
このバッファ層の結晶成長温度は、より望ましくは、390℃〜450℃程度の範囲に設定すると良い。また、このバッファ層の結晶成長温度は、400℃〜440℃の範囲に設定することが更に望ましい。
この非晶質マスクの膜厚が薄過ぎると、マスク上から不要な結晶成長が開始される恐れを十分に払拭することができなくなる。また、この非晶質マスクの膜厚が厚過ぎると、マスクの上方で転位密度の低い半導体層を形成する各部がそれぞれ互いに繋がって一体化されるまでに要する時間が長くなる。
また、上記のn型の不純物(ドナー)としては、例えば、シリコン(Si)や、硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te)、或いはゲルマニウム(Ge)等の公知のn型不純物を添加することができる。
また、これらの不純物(アクセプター又はドナー)は、同時に2元素以上を添加しても良いし、同時に両型(p型とn型)を添加しても良い。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
まず、最初に、スパッタ装置を用いて、c面を主面とする厚さ500μmのサファイア基板1の主面上にAlNをスパッタリングすることにより、AlNから成る厚さ40nmのバッファ層2を成膜した(図1−A)。この時、スパッタ装置内の温度(基板温度)は約430℃とした。
〔スパッタリング条件〕
スパッタリングガス : Ar(8sccm)/N2(10sccm)
DCパワー : 0.5〔kW〕
電極面積 : 100〔cm2〕
次に、そのバッファ層2の上面に、PECVD法により200nmの膜厚でSiO2膜から成る非晶質マスク3を積層した。
その後、以下の(a)〜(c)の順にドライエッチングを実施した。
(a)まず、フォトリソグラフィーによって、上記の非晶質マスク3の上にストライプ状のレジストパターンを形成した。このストライプ状のレジストの幅とレジスト間の間隔はそれぞれ何れも20μm程度とした。これにより、40μm周期の凹凸断面を図1−Aの様に形成することが可能となる。
(c)次に、上記のレジストパターンを除去した。
以上の工程により、図1−Aの凹凸形状を断面とする積層状態の基板(1,2,3)を得た。
なお、ここでは、バッファ層2の側壁断面がその後の結晶成長における結晶成長核となる。
バッファ層2の側壁断面を結晶成長核とする結晶成長をMOCVD法に従って実施することにより、図1−B,−Cに図示する様に、GaNから成る転位密度の低い半導体層4を結晶成長させた。ただし、この結晶成長工程では、所望の方向の成長を促すために、以下の様に転位密度の低い半導体層4の結晶成長条件を途中で変更した。
結晶成長温度 : 990〔℃〕
結晶成長速度 : 0.8〔μm/min〕
結晶成長時間 : 50〔min〕
供給ガス流量比(V/III比): 5000
結晶成長温度 : 1050〔℃〕
結晶成長速度 : 0.6〔μm/min〕
結晶成長時間 : 150〔min〕
供給ガス流量比(V/III比): 50000
以上の実施例1の製造方法に従えば、従来から実施されてきた所謂PENDEO法で得られる半導体結晶と略同等レベルの転位密度の良質の半導体結晶(GaN結晶から成る転位密度の低い半導体層4)を1回の結晶成長工程によって得ることができる。したがって、本発明によれば、極めて良質の半導体結晶を従来よりも低コストで製造することができる。
本実施例2では、バッファ層2AをGaNから形成し、その後、SiNから非晶質マスク3Aを形成した。
その後、サファイア基板1Bの主面(:c面)から下へのエッチングの深さhは約1μmとし、また、ストライプ溝の形成周期Dは、約20μmとした。
なお、転位密度の低い半導体層4Aは、GaNから形成されている。
例えばこの様な方法によっても、前述の本発明の作用により、転位密度の低い半導体結晶(:図2−Cの転位密度の低い半導体層4A)を従来よりも低コストで製造することができる。
本実施例3では、バッファ層2BをAl0.3Ga0.7Nから形成し、その後、タングステン(W)から非晶質マスク3Bを形成した。
その後、サファイア基板1Bの主面(:c面)から下へのエッチングの深さhは約2μmとし、また、ストライプ溝の形成周期Dは、約10μmとした。
なお、転位密度の低い半導体層4Bは、GaNから形成されている。
例えばこの様な方法によっても、前述の本発明の作用により、転位密度の低い半導体結晶(:図3−Cの転位密度の低い半導体層4B)を従来よりも低コストで製造することができる。
これらの方法によっても、前述の本発明の作用により、上記の各実施例の転位密度の低い半導体層4,4Aまたは4Bに略匹敵する程度に転位密度の低いAlGaNからなる半導体結晶(即ち、本発明の転位密度の低い半導体層)を従来よりも低コストで製造することができる。
2 : バッファ層(AlN)
3 : 非晶質マスク(SiO2)
4 : 転位密度の低い半導体層(GaN)
5 : 結晶接合部(高転位密度部)
Claims (5)
- III族窒化物系化合物半導体を結晶成長させることにより半導体結晶を得る半導体の製造方法であって、
結晶成長基板の主面上にAlNから成る20nm以上300nm以下の膜厚のバッファ層をスパッタリングによって成膜するバッファ層成膜工程と、
半導体の結晶成長を阻止する非晶質マスクを前記バッファ層の上面に直接積層するマスク工程と、
前記バッファ層の側壁断面が露出する様に、前記非晶質マスクと前記バッファ層とを選択的にエッチングするエッチング工程と、
スパッタリングにより成膜された前記バッファ層の前記側壁断面を結晶成長核として、横方向成長によりInyAlxGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)から成る転位密度の低い半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。 - 前記結晶成長基板をサファイア基板としたことを特徴とする請求項1に記載の半導体の製造方法。
- 前記バッファ層成膜工程において、前記バッファ層の結晶成長温度を370℃以上470℃以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体の製造方法。
- 前記マスク工程において、20nm以上1000nm以下の膜厚に前記非晶質マスクを積層することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の半導体の製造方法。
- 前記結晶成長工程をMOCVD法によって実施することを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306950A JP4450202B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004306950A JP4450202B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006120841A JP2006120841A (ja) | 2006-05-11 |
JP4450202B2 true JP4450202B2 (ja) | 2010-04-14 |
Family
ID=36538442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004306950A Active JP4450202B2 (ja) | 2004-10-21 | 2004-10-21 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4450202B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008124060A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008177525A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-31 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008177523A (ja) * | 2006-12-20 | 2008-07-31 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP4908381B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-04-04 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体層の製造方法、及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
US7692198B2 (en) * | 2007-02-19 | 2010-04-06 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Wide-bandgap semiconductor devices |
JP5557180B2 (ja) * | 2009-05-14 | 2014-07-23 | 国立大学法人山口大学 | 半導体発光素子の製造方法 |
KR101660732B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2016-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR101660735B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2016-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막 성장 방법 |
TWI562195B (en) * | 2010-04-27 | 2016-12-11 | Pilegrowth Tech S R L | Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication |
JP5548032B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-07-16 | 株式会社日立製作所 | 有機ハイドライド脱水素システム |
-
2004
- 2004-10-21 JP JP2004306950A patent/JP4450202B2/ja active Active
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---|---|
JP2006120841A (ja) | 2006-05-11 |
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