JP4449566B2 - 放電ランプ - Google Patents
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Description
本発明は、液晶プロジェクタ、映写機、半導体露光装置、液晶装置用ガラス基板露光装置および小型検査装置などの光源などとして好適に用いられる放電ランプに関し、更に詳しくは、放電容器を構成する封止管部の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有する超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプおよびキセノンランプに関する。
従来、放電ランプの或る種のものとしては、発光管部と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる封止管部とよりなる石英ガラス製の放電容器を備え、当該封止管部内にモリブデンよりなる導電性箔（以下、「モリブデン箔」ともいう。）が気密に埋設されて気密封止部が形成され、放電容器の内部にモリブデン箔の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる一対の電極が互いに対向するよう配置されてなる構成を有するものが知られている。
このような放電ランプは、放電容器内に封入されている発光物質の種類や点灯動作時における放電容器内の内部圧力の大きさから分類することができる。具体的に、発光物質の種類によっては、水銀を発光物質とする水銀ランプ、金属蒸気とハロゲン化物の解離生成物との混合物を発光物質とするメタルハライドランプ、キセノンガスを発光物質とするキセノンランプなどに分類することができ、また、内部圧力の大きさによっては、低圧放電ランプ、高圧放電ランプ、超高圧放電ランプなどに分類することができる。
放電ランプのうち、発光物質として点灯動作時における蒸気圧が１気圧以上となる量の水銀が封入されており、点灯動作時における放電容器内の内部圧力の大きさが１５０気圧以上とされる超高圧水銀ランプは、点光源を形成することができると共に、小型であるなどの利点を有するものであることから、液晶プロジェクタの光源として好適に用いられている。
しかしながら、近年、液晶プロジェクタの光源として用いられている超高圧水銀ランプにおいては、液晶プロジェクタに対する高照度化や小型化の要求に応じるため、水銀の封入量が増大されていると共に、超高圧水銀ランプの小型化が図られているが、このことから、超高圧水銀ランプにおいては、点灯動作時における放電容器内の内部圧力が非常に大きくなり、気密封止部において、放電容器の封止管部を形成する石英ガラスから、これに埋設されたモリブデン箔が剥離する界面剥離現象が発生し、これに起因して封止管部が破損してランプが破裂してしまい、長い使用寿命が得られない、という問題がある。
ここに、「界面剥離現象」とは、放電容器の封止管部を形成する石英ガラスと、これに埋設されたモリブデン箔との間で熱膨張率が異なるために長期の使用によって石英ガラスとモリブデン箔との界面に微小な空隙が形成され、この空隙に放電容器の内部に封入されている極めて高い圧力のガスが流れ込むことにより、当該石英ガラスとモリブデン箔とを剥離させる応力が発生する現象をいう。
このような問題を解決するための手段として、モリブデン箔の表面に酸化被膜が形成されてなる導電性箔を用いる技術（例えば、特許文献１参照。）が開示されているが、このような酸化被膜が形成されてなるモリブデン箔は当該酸化被膜における酸化物の含有割合が大きいことから、このモリブデン箔を超高圧水銀ランプに用いた場合には、気密封止部の形成工程においてモリブデン箔が高温にさらされることにより、当該モリブデン箔と放電容器の封止管部を形成する石英ガラスとの界面に、このモリブデン箔に含有されている酸化物が蒸発更に飛散することによって気泡が発生するため、気密封止部における密着強度が不十分となって界面剥離現象が発生し、最終的には封止管部が破損して長い使用寿命が得られないおそれがある、という問題があることが判明した。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、放電容器を構成する封止管部の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の気密封止部における気密の耐久性が高くて長い使用寿命が得られる放電ランプを提供することにある。
本発明の放電ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、０．１５ｍｇ／ｍｍ3 以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ａ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
前記放電容器の内部空間に、０．１５ｍｇ／ｍｍ3 以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ａ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
本発明の放電ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、０．１ｍｇ／ｃｍ3 以上であって１０ｍｇ／ｃｍ3 以下の水銀が封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｂ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
前記放電容器の内部空間に、０．１ｍｇ／ｃｍ3 以上であって１０ｍｇ／ｃｍ3 以下の水銀が封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｂ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
本発明の放電ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、キセノンガスが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｃ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
前記放電容器の内部空間に、キセノンガスが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｃ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする。
本発明の放電ランプによれば、放電容器における封止管部の内部に気密に埋設されている導電性箔がモリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有する構成の酸化処理箔であって、その特定の表層領域における酸化状態が制御されてなるものであることから、当該導電性箔が表面に大きな濡れ性を有するために封止管部を形成する石英ガラスとの高い密着性が得られると共に、気密封止部の形成工程中に、封止管部を形成する石英ガラスと導電性箔との界面において、当該導電性箔を構成するモリブデン酸化物が状態変化することに伴う気泡の発生が抑制されるため、導電性箔と封止管部を形成する石英ガラスとの間に高い密着強度が得られ、これにより、長期の使用により界面剥離現象が生じることが抑制されることから、この界面剥離現象に起因して生じる封止管部の破損によって放電ランプ自体が破裂することを防止することができる。
従って、本発明の放電ランプによれば、気密封止部における気密の耐久性が高くなり、長い使用寿命が得られる。
従って、本発明の放電ランプによれば、気密封止部における気密の耐久性が高くなり、長い使用寿命が得られる。
以下、本発明の放電ランプについて説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１は、本発明の請求項１に係る放電ランプである超高圧放電ランプの構成の一例を示す説明用断面図であり、図２は、図１の超高圧水銀ランプを構成する導電性箔の断面を示す説明図である。
この超高圧水銀ランプ１０は、例えば液晶プロジェクタの光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部１２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部１３とよりなる、石英ガラス製の放電容器１１を有してなり、当該封止管部１３の各々の内部には、導電性箔２０が気密に埋設されて気密封止部１８が形成されている。この放電容器１１の内部空間１１Ａには、導電性箔２０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒１４の先端部に金属コイル１５Ａが巻回されることにより形成された電極１５の一対が、互いに対向するよう配置されている。
この図において、１９は、導電性箔２０の外端部に電気的に接続された外部リード棒である。
図１は、本発明の請求項１に係る放電ランプである超高圧放電ランプの構成の一例を示す説明用断面図であり、図２は、図１の超高圧水銀ランプを構成する導電性箔の断面を示す説明図である。
この超高圧水銀ランプ１０は、例えば液晶プロジェクタの光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部１２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部１３とよりなる、石英ガラス製の放電容器１１を有してなり、当該封止管部１３の各々の内部には、導電性箔２０が気密に埋設されて気密封止部１８が形成されている。この放電容器１１の内部空間１１Ａには、導電性箔２０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒１４の先端部に金属コイル１５Ａが巻回されることにより形成された電極１５の一対が、互いに対向するよう配置されている。
この図において、１９は、導電性箔２０の外端部に電気的に接続された外部リード棒である。
放電容器１１の内部空間１１Ａには、０．１５ｍｇ／ｍｍ3 以上となる量の水銀、ハロゲンおよび、例えばアルゴンなどの希ガスよりなる封入ガスが封入されている。
この超高圧水銀ランプ１０においては、点灯動作時における内部圧力が１５ＭＰａ以上となる。
この超高圧水銀ランプ１０においては、点灯動作時における内部圧力が１５ＭＰａ以上となる。
ハロゲンとしては、臭素、塩素、沃素などを挙げることができ、放電容器１１の内部空間１１Ａに封入されるハロゲンの量は、２×１０-4μｍｏｌ／ｍｍ3 以上であることが好ましい。
放電容器１１における封止管部１３に埋設されている導電性箔２０は、その厚みｔ1 が、例えば２０〜３０μｍの薄い短冊状のものであって、その表面（図２における上面および下面）に酸化層Ｐが形成されてなる構成のモリブデンを基材とした酸化処理箔である。 図３に、導電性箔２０の一表面（図２における上面）における酸化状態を示す。ここに、導電性箔２０の他表面（図２における下面）も、図３に示されている一表面と同様の酸化状態とされている。
導電性箔２０において、酸化層Ｐの厚みｔ2 は、３ｎｍ以下であることが好ましい。 酸化層の厚みｔ2 が３ｎｍを超える場合には、気密封止部１８の形成工程において、導電性箔２０と放電容器１１の封止管部１３を形成する石英ガラスとの界面に気泡が発生して密着強度が不十分となり、長期の使用によって界面剥離現象が生じるおそれがある。
そして、導電性箔２０は、その表面における深さ３ｎｍの表層領域（以下、「特定表層領域」ともいう。）において、上記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比（以下、「モリブデン酸化物比」ともいう。）をａ（％）とし、上記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比（以下、「三酸化モリブデン比」ともいう。）をｂ（％）とするとき、上記式（Ａ）で示される条件を満たすものである。
この条件（Ａ）は、導電性箔２０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図４におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ロ）とで囲まれる領域内を示す。
この条件（Ａ）は、導電性箔２０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図４におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ロ）とで囲まれる領域内を示す。
ここに、上記式（１）において、「モリブデンのモル数ｍ1 」は、特定表層領域に存在するモリブデン（Ｍｏ）の割合をモル数によって示した値であり、「モリブデン酸化物のモル数ｍ2 」は、特定表層領域に存在する二酸化モリブデン（ＭｏＯ2 ）および三酸化モリブデン（ＭｏＯ3 ）と、それ以外のモリブデンの酸化物を含むすべてのモリブデン酸化物（ＭｏＯx ）の割合をモル数によって示した値である。
また、上記式（２）において、「二酸化モリブデンのモル数ｍ3 」は、特定表層領域に存在するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 中における二酸化モリブデンのモル数を示す値であり、「三酸化モリブデンのモル数ｍ4 」は、モリブデン酸化物のモル数ｍ2 中における二酸化モリブデンのモル数を示す値である。
また、上記式（２）において、「二酸化モリブデンのモル数ｍ3 」は、特定表層領域に存在するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 中における二酸化モリブデンのモル数を示す値であり、「三酸化モリブデンのモル数ｍ4 」は、モリブデン酸化物のモル数ｍ2 中における二酸化モリブデンのモル数を示す値である。
導電性箔２０の特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａ、二酸化モリブデンのモル数ｍ3 および三酸化モリブデンのモル数ｍ4 は、各々、超高圧放電ランプ１０の気密封止部１８の一部分を切り出したランプ断片を真空中で破断処理することによって導電性箔２０と封止管部１３を形成している石英ガラスとの界面を露出させたものを測定サンプルとし、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）装置（光電子分光装置）を用い、導電性箔２０における特定表層領域を測定対象として測定されたＥＳＣＡスペクトルのエリアレシオから算出される値である。
三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過小である場合、具体的には、図４における直線（ロ）の左側領域においては、導電性箔が表面の濡れ性の小さいものとなり、放電容器における封止管部を形成する石英ガラスに対して高い密着性が得られないことから、長期の使用によって界面剥離現象が生じることとなるため、超高圧水銀ランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、モリブデン酸化物の存在割合が小さく、しかも二酸化モリブデンよりも高い濡れ性を有するとされる三酸化モリブデンの存在割合が小さいため、導電性箔の表面に十分な濡れ性が得られないためと考えられる。
一方、三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過大である場合、具体的には、図４における直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において、導電性箔と放電容器の封止管部を形成する石英ガラスとの界面に、モリブデン酸化物が状態変化することに起因して多量の気泡が発生し、形成される気密封止部に十分な密着強度が得られずに界面剥離現象が生じることとなるため、超高圧水銀ランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、融点が低くて昇華しやすい特性を有する三酸化モリブデンの存在割合が大きいため、気密封止部の形成工程において、導電性箔が、例えば２０００℃以上の高温にさらされることにより、この三酸化モリブデンの蒸発に起因する気泡の発生率が実用上問題となるためと考えられる。
このような導電性箔２０は、例えば図５に示すように、モリブデンよりなる清浄な短冊状の材料金属箔２３を用意し、この材料金属箔２３を、酸素ガスとアルゴンガスとが混合されなる特定混合ガス（以下、「特定混合ガス」ともいう。）が充填されたアンプル管内に投入して当該アンプル管を封止することによって封止体２５を形成し、この封止体２５内の材料金属箔２３に対して、キセノンエキシマ光放射装置２６によって、例えば照度８．５ｍＷ／ｃｍ 2 の条件で３０分間キセノンエキシマ光を照射する工程を経ることにより、モリブデン製の材料金属箔２３の表面を酸化処理する手法によって作製することができる。
このような手法においては、封入体２５における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を制御することにより、得られる導電性箔２０の特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａおよび三酸化モリブデン比ｂを調整することにより、特定表層領域における酸化状態を制御することができる。
具体的には、特定混合ガス中の酸素ガス濃度を大きくするに従って得られる導電性箔２０の特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａを大きくすることができ、また、内部圧力を大きくするに従って三酸化モリブデン比ｂを大きくすることができる。
例えば、封止体２５に酸素ガス濃度が５％の特定混合ガスを２６．６ｋＰａ（２００Ｔｏｒｒ）封入した場合には、特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａが３３．４０％であり、三酸化モリブデン比ｂが３０．５０％である導電性箔２０が得られる。また、封止体２５に酸素ガス濃度が１０％の特定混合ガスを６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）封入した場合には、表層領域におけるモリブデン酸化物比ａが８５．３０％であり、三酸化モリブデン比ｂが６０．３０％である導電性箔２０が得られる。
例えば、封止体２５に酸素ガス濃度が５％の特定混合ガスを２６．６ｋＰａ（２００Ｔｏｒｒ）封入した場合には、特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａが３３．４０％であり、三酸化モリブデン比ｂが３０．５０％である導電性箔２０が得られる。また、封止体２５に酸素ガス濃度が１０％の特定混合ガスを６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）封入した場合には、表層領域におけるモリブデン酸化物比ａが８５．３０％であり、三酸化モリブデン比ｂが６０．３０％である導電性箔２０が得られる。
このような導電性箔２０は、気密封止部１８の形成工程において、当該導電性箔２０の酸化層Ｐを構成するモリブデン酸化物が蒸発更に飛散することを抑制して所望の表面状態を維持するために、内部リード棒１４および外部リード棒１９との接続部を除き、その表面の全部がシリカ（ＳｉＯ2 ）膜により被覆されている。
このシリカ膜は、内端部に内部リード棒１４が接続され、外端部に外部リード棒１９が接続された状態の導電性箔２０の全表面に、シリカを、例えばスパッタリング法などによって被着することによって形成することができる。
以上のような超高圧水銀ランプ１０によれば、放電容器１１における封止管部１３の内部に気密に埋設されている導電性箔２０がモリブデンよりなる基材の表面に酸化層Ｐを有する構成の酸化処理箔であって、特定表層領域における酸化状態が条件（Ａ）によって規定されて制御されてなるものであることから、この導電性箔２０が表面に大きな濡れ性を有するため、当該導電性箔２０自体に、封止管部１３を形成する石英ガラスとの高い密着性が得られると共に、気密封止部１８の形成工程中に、導電性箔２０が高温にさらされることによって封止管部１３を形成する石英ガラスとの界面において、当該導電性箔２０を構成するモリブデン酸化物が状態変化することに伴う気泡の発生が抑制される。その結果、気密封止部１８において、導電性箔２０と封止管部１３を形成する石英ガラスとの間に高い密着強度が得られるため、点灯動作時における内部圧力が極めて大きくなっても、長期の使用により界面剥離現象が生じることが抑制されることから、この界面剥離現象に起因して生じる封止管部１３の破損によって超高圧水銀ランプ１０自体が破裂することを防止ことができる。
従って、超高圧水銀ランプ１０によれば、気密封止部１８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
従って、超高圧水銀ランプ１０によれば、気密封止部１８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
以上、本発明の請求項１に係る実施の形態について具体的に説明したが、請求項１に係る発明は上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることが可能である。
例えば超高圧水銀ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定表層領域において条件（Ａ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
例えば超高圧水銀ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定表層領域において条件（Ａ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
＜第２の実施の形態＞
図６は、本発明の請求項２に係る放電ランプである高圧放電ランプの構成の一例を示す説明用断面図である。
この高圧水銀ランプ３０は、例えば半導体露光装置や液晶装置用ガラス基板露光装置の光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部３２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部３３とよりなる、石英ガラス製の放電容器３１を有してなり、当該封止管部３３の大径部３３Ａの内部には、複数（図の例においては５枚）の導電性箔４０の各々が、その両端の各々が金属ワッシャー４１、４２に電気的に接続された状態で気密に埋設されて気密封止部３８が形成されている。この放電容器３１の内部空間３１Ａには、複数の導電性箔４０の内端部に接続された一方（図６において右方）の金属ワッシャー４１から封止管部３３の小径部３３Ｂを介して管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒３４の先端部に形成された陰極３５と、他方（図６において左方）の金属ワッシャー４１から管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒３４の先端部に形成された陽極３６とが、互いに対向するよう配置されている。
この図において、３９は、導電性箔４０の外端部に接続された金属ワッシャー４２に電気的に接続された外部リード棒であり、４８は、接続部材４９を介して外部リード棒３９と電気的に接続されたリード線であり、４７は、放電容器３１における封止管部３３の端部に、例えば接着剤によって固定されて設けられた口金である。
図６は、本発明の請求項２に係る放電ランプである高圧放電ランプの構成の一例を示す説明用断面図である。
この高圧水銀ランプ３０は、例えば半導体露光装置や液晶装置用ガラス基板露光装置の光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部３２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部３３とよりなる、石英ガラス製の放電容器３１を有してなり、当該封止管部３３の大径部３３Ａの内部には、複数（図の例においては５枚）の導電性箔４０の各々が、その両端の各々が金属ワッシャー４１、４２に電気的に接続された状態で気密に埋設されて気密封止部３８が形成されている。この放電容器３１の内部空間３１Ａには、複数の導電性箔４０の内端部に接続された一方（図６において右方）の金属ワッシャー４１から封止管部３３の小径部３３Ｂを介して管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒３４の先端部に形成された陰極３５と、他方（図６において左方）の金属ワッシャー４１から管軸方向内方に突出して伸びる、タングステンよりなる内部リード棒３４の先端部に形成された陽極３６とが、互いに対向するよう配置されている。
この図において、３９は、導電性箔４０の外端部に接続された金属ワッシャー４２に電気的に接続された外部リード棒であり、４８は、接続部材４９を介して外部リード棒３９と電気的に接続されたリード線であり、４７は、放電容器３１における封止管部３３の端部に、例えば接着剤によって固定されて設けられた口金である。
放電容器３１の内部空間３１Ａには、０．１ｍｇ／ｃｍ3 以上であって１０ｍｇ／ｃｍ3 以下となる量の水銀よりなる封入ガスが封入されている。
この高圧水銀ランプ３０においては、点灯動作時における内部圧力が１〜５ＭＰａとなる。
この高圧水銀ランプ３０においては、点灯動作時における内部圧力が１〜５ＭＰａとなる。
そして、放電容器３１の封止管部３３に埋設されている導電性箔４０は、その表面に酸化層を有するモリブデンを基材とした酸化処理箔であって、超高圧水銀ランプ１０に係る導電性箔２０において、条件（Ａ）に代えて上記式（Ｂ）で表される条件（以下、「条件（Ｂ）」ともいう。）を満たすこと以外は導電性箔２０と同様の構成を有するものである。
この条件（Ｂ）は、導電性箔４０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図７におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ハ）とで囲まれる領域内を示す。
この条件（Ｂ）は、導電性箔４０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図７におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ハ）とで囲まれる領域内を示す。
三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過小である場合、具体的には、図７における直線（ハ）の左側領域においては、導電性箔が表面の濡れ性の小さいものとなり、放電容器における封止管部を形成する石英ガラスに対して高い密着性が得られないことから、長期の使用によって界面剥離現象が生じることとなるため、高圧水銀ランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、モリブデン酸化物の存在割合が小さく、しかも二酸化モリブデンよりも高い濡れ性を有するとされる三酸化モリブデンの存在割合が小さいため、導電性箔の表面に十分な濡れ性が得られないためと考えられる。
一方、三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過大である場合、具体的には、図７における直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において、導電性箔と放電容器の封止管部を形成する石英ガラスとの界面に、三酸化モリブデンが状態変化することに起因して気泡が発生し、形成される気密封止部に十分な密着強度が得られずに界面剥離現象が生じることとなるため、高圧水銀ランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、融点が低くて昇華しやすい特性を有する三酸化モリブデンの存在割合が大きいため、気密封止部の形成工程において、導電性箔が、例えば２０００℃以上の高温にさらされることにより、この三酸化モリブデンの蒸発に起因する気泡の発生率が実用上問題となるためと考えられる。
以上のような高圧水銀ランプ３０によれば、放電容器３１における封止管部３３の内部に気密に埋設されている導電性箔４０がモリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有する構成の酸化処理箔であって、特定表層領域における酸化状態が条件（Ｂ）によって規定されて制御されてなるものであることから、この導電性箔４０が表面に大きな濡れ性を有するため、当該導電性箔４０自体に、封止管部３３を形成する石英ガラスとの高い密着性が得られると共に、気密封止部３８の形成工程中に、導電性箔４０が高温にさらされることによって封止管部３３を形成する石英ガラスとの界面において、当該導電性箔４０を構成するモリブデン酸化物が状態変化することに伴う気泡の発生が抑制される。その結果、気密封止部３８において、導電性箔４０と封止管部３３を形成する石英ガラスとの間に高い密着強度が得られるため、長期の使用により界面剥離現象が生じることが抑制されることから、この界面剥離現象に起因して生じる封止管部３３の破損によって高圧水銀ランプ３０自体が破裂することを防止ことができる。
従って、高圧水銀ランプ３０によれば、気密封止部３８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
従って、高圧水銀ランプ３０によれば、気密封止部３８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
以上、本発明の請求項２に係る実施の形態について具体的に説明したが、請求項２に係る発明は上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることが可能である。
例えば高圧水銀ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定の表層領域において条件（Ｂ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
例えば高圧水銀ランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定の表層領域において条件（Ｂ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
＜第３の実施の形態＞
図８は、本発明の請求項３に係る放電ランプであるキセノンランプの構成の一例を示す説明用断面図である。
このキセノンランプ５０は、例えば小型の検査装置の光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部５２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部５３とよりなる、石英ガラス製の放電容器５１を有してなり、当該封止管部５３の各々の内部には、導電性箔６０が気密に埋設されて気密封止部５８が形成されている。この放電容器５１の内部空間５１Ａにおいては、一方（図において左方）の導電性箔６０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる内部リード棒５４の先端に形成された、例えばタングステンよりなる陰極５５Ａと、他方（図において右方）の導電性箔６０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる内部リード棒５４の先端に形成された、例えばタングステンよりなる陽極５５Ｂとが、互いに対向するよう配置されている。
この図において、導電性箔６０の外端部には、外部リード棒（図示せず）が電気的に接続されており、また、放電容器５１における封止管部５３の端部の各々には、口金６７が、例えば接着剤によって固定されて設けられている。
図８は、本発明の請求項３に係る放電ランプであるキセノンランプの構成の一例を示す説明用断面図である。
このキセノンランプ５０は、例えば小型の検査装置の光源などとして好適に用いられるものであり、楕円球状の発光管部５２と、その両端に連設されて管軸方向外方に伸びる直管状の封止管部５３とよりなる、石英ガラス製の放電容器５１を有してなり、当該封止管部５３の各々の内部には、導電性箔６０が気密に埋設されて気密封止部５８が形成されている。この放電容器５１の内部空間５１Ａにおいては、一方（図において左方）の導電性箔６０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる内部リード棒５４の先端に形成された、例えばタングステンよりなる陰極５５Ａと、他方（図において右方）の導電性箔６０の内端部から管軸方向内方に突出して伸びる内部リード棒５４の先端に形成された、例えばタングステンよりなる陽極５５Ｂとが、互いに対向するよう配置されている。
この図において、導電性箔６０の外端部には、外部リード棒（図示せず）が電気的に接続されており、また、放電容器５１における封止管部５３の端部の各々には、口金６７が、例えば接着剤によって固定されて設けられている。
放電容器５１の内部空間５１Ａには、キセノンガスが１．０ＭＰａ以上の封入圧（点灯動作時におけるキセノンガスの内部圧力が６〜１０．１ＭＰａ）で封入されており、実際上、キセノンガスの封入圧は１．２〜３．０ＭＰａであることが好ましい。
そして、放電容器５１の封止管部５３に埋設されている導電性箔６０は、その表面に酸化層を有するモリブデンを基材とした酸化処理箔であって、超高圧水銀ランプ１０に係る導電性箔２０において、条件（Ａ）に代えて下記式（Ｃ）で表される条件（以下、「条件（Ｃ）」ともいう。）を満たすこと以外は導電性箔２０と同様の構成を有するものである。
この条件（Ｃ）は、導電性箔６０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図９におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ニ）とで囲まれる領域内を示す。
この条件（Ｃ）は、導電性箔６０の特定表層領域における酸化状態を規定するための条件であり、図９におけるモリブデン酸化物比ａと三酸化モリブデン比ｂとの関係を表すグラフにおいて、直線（イ）と曲線（ニ）とで囲まれる領域内を示す。
三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過小である場合、具体的には、図９における直線（ニ）の左側領域においては、導電性箔が表面の濡れ性の小さいものとなり、放電容器における封止管部を形成する石英ガラスに対して高い密着性が得られないことから、長期の使用によって界面剥離現象が生じることとなるため、キセノンランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、モリブデン酸化物の存在割合が小さく、しかも二酸化モリブデンよりも高い濡れ性を有するとされる三酸化モリブデンの存在割合が小さいため、導電性箔の表面に十分な濡れ性が得られないためと考えられる。
一方、三酸化モリブデン比ｂがモリブデン酸化物比ａとの関係において過大である場合、具体的には、図９における直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において、導電性箔と放電容器の封止管部を形成する石英ガラスとの界面に、三酸化モリブデンが状態変化することに起因して気泡が発生し、形成される気密封止部に十分な密着強度が得られずに界面剥離現象が生じることとなるため、キセノンランプに長い使用寿命が得られなくなる。この理由は、特定表層領域において、融点が低くて昇華しやすい特性を有する三酸化モリブデンの存在割合が大きいため、気密封止部の形成工程において、導電性箔が、例えば２０００℃以上の高温にさらされることにより、この三酸化モリブデンの蒸発に起因する気泡の発生率が実用上問題となるためと考えられる。
以上のようなキセノンランプ５０によれば、放電容器５１における封止管部５３の内部に気密に埋設されている導電性箔６０がモリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有する構成の酸化処理箔であって、特定表層領域における酸化状態が条件（Ｃ）によって規定されて制御されてなるものであることから、この導電性箔６０が表面に大きな濡れ性を有するため、当該導電性箔６０自体に、封止管部５３を形成する石英ガラスとの高い密着性が得られると共に、気密封止部５８の形成工程中に、導電性箔６０が高温にさらされることによって封止管部５３を形成する石英ガラスとの界面において、当該導電性箔６０を構成するモリブデン酸化物が状態変化することに伴う気泡の発生が抑制される。その結果、気密封止部５８において、導電性箔６０と封止管部５３を形成する石英ガラスとの間に高い密着強度が得られるため、長期の使用により界面剥離現象が生じることが抑制されることから、この界面剥離現象に起因して生じる封止管部５３の破損によってキセノンランプ５０自体が破裂することを防止ことができる。
従って、キセノンランプ５０によれば、気密封止部５８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
従って、キセノンランプ５０によれば、気密封止部５８における気密の耐久性が高いことから、長い使用寿命が得られる。
以上、本発明の請求項３に係る実施の形態について具体的に説明したが、請求項３に係る発明は上記の例に限定されるものではなく、種々の変更を加えることが可能である。
例えばキセノンランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定の表層領域において条件（Ｃ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
例えばキセノンランプは、石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、放電容器の内部空間に所期の封入ガスが封入され、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成を有すると共に、モリブデンよりなる基材の表面に酸化層を有し、特定の表層領域において条件（Ｃ）を満たす導電性箔を備えてなるものであれば、その他の構成は特に限定されるものではない。
以下、本発明の作用効果を確認するために行った実験例を説明する。
（実験例１）
図５に示すように、モリブデンよりなる清浄な短冊状の材料金属箔を用意し、この材料金属箔を、酸素ガスとアルゴンガスとが混合されなる特定混合ガスが充填されたアンプル管内に投入して当該アンプル管を封止することによって封止体を形成し、この封止体内の材料金属箔に対して、キセノンエキシマ光放射装置によって、照度８．５ｍＷ／ｃｍ 2 の条件で３０分間キセノンエキシマ光を照射する工程を経ることにより、モリブデン製の材料金属箔の表面を酸化処理する手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）を作製した。
図５に示すように、モリブデンよりなる清浄な短冊状の材料金属箔を用意し、この材料金属箔を、酸素ガスとアルゴンガスとが混合されなる特定混合ガスが充填されたアンプル管内に投入して当該アンプル管を封止することによって封止体を形成し、この封止体内の材料金属箔に対して、キセノンエキシマ光放射装置によって、照度８．５ｍＷ／ｃｍ 2 の条件で３０分間キセノンエキシマ光を照射する工程を経ることにより、モリブデン製の材料金属箔の表面を酸化処理する手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）を作製した。
作製した酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）の各々を導電性箔として用い、図１に示す構成に従い、当該酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）の各々を備えてなる超高圧水銀ランプを作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１２ｍｍ、発光管部の外径が１２ｍｍ、発光管部の内径が７．４ｍｍ内部空間の容積が１２０ｍｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）の各々と、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に金属コイルが巻回されることにより形成された電極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物として水銀を０．１５ｍｇ／ｍｍ3 、ハロゲンである臭素（封入量３．０×１０-4μｍｏｌ／ｍｍ3 ）、希ガスであるアルゴンガス（封入時圧力１３．３ｋＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が２．５Ａであり、定格点灯電圧が８０Ｖであり、消費電力が２００Ｗであり、点灯動作時における内部圧力が２０．３ＭＰａである超高圧水銀ランプ（Ａ１）〜超高圧水銀ランプ（Ａ２９）を作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１２ｍｍ、発光管部の外径が１２ｍｍ、発光管部の内径が７．４ｍｍ内部空間の容積が１２０ｍｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）の各々と、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に金属コイルが巻回されることにより形成された電極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物として水銀を０．１５ｍｇ／ｍｍ3 、ハロゲンである臭素（封入量３．０×１０-4μｍｏｌ／ｍｍ3 ）、希ガスであるアルゴンガス（封入時圧力１３．３ｋＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が２．５Ａであり、定格点灯電圧が８０Ｖであり、消費電力が２００Ｗであり、点灯動作時における内部圧力が２０．３ＭＰａである超高圧水銀ランプ（Ａ１）〜超高圧水銀ランプ（Ａ２９）を作製した。
作製した超高圧水銀ランプ（Ａ１）〜超高圧水銀ランプ（Ａ２９）の各々について、気密封止部における気泡の発生の有無を目視により観察した。結果を表１に示す。
表１において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
表１において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
また、作製した超高圧水銀ランプ（Ａ１）〜超高圧水銀ランプ（Ａ２９）の各々において、これらを構成する各酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）について、式（１）で示される特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａ、および式（２）で表される三酸化モリブデン比ｂを確認した。結果を表１に示す。
ここに、モリブデン酸化物比ａは、超高圧放電ランプの気密封止部の一部分を切り出したランプ断片を真空中で破断処理することによって酸化処理箔と封止管部を形成している石英ガラスとの界面を露出させたものを測定サンプルとし、ＥＳＣＡ装置を用い、酸化処理箔における特定表層領域を測定対象として測定されたＥＳＣＡスペクトルのエリアレシオから算出し、また、三酸化モリブデン比ｂは、二酸化モリブデンのモル数ｍ3 および三酸化モリブデンのモル数ｍ4 を上述の手法によって算出し、これらの値を式（２）に代入することによって算出した。
更に、超高圧水銀ランプ（Ａ１）〜超高圧水銀ランプ（Ａ２９）のうち、気密封止部の形成工程において気泡の発生が確認されなかったランプの各々を１０００時間連続点灯し、点灯時間が１０００時間を経過した後に、気密封止部における界面剥離現象の発生の有無を目視により観察した。結果を表１に示す。
表１において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
表１において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
酸化処理箔（Ａ１）〜酸化処理箔（Ａ２９）に係る酸化状態を、モリブデン酸化物比ａおよび三酸化モリブデン比ｂの測定値に基づいて、図４のグラフ上にプロットして示したところ、直線（ロ）の左側領域においては、界面剥離現象が発生し、一方、直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において気泡が発生することが確認された。 図４において、「■（黒四角）」は、界面剥離現象および気泡の発生が確認されなかった場合を示し、「□（白四角）」は、界面剥離現象または気泡の発生が確認された場合を示す。
（実験例２）
実験例１と同様の手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）を作製した。
実験例１と同様の手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）を作製した。
作製した酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）の各々を導電性箔として用い、図６に示す構成に従い、当該酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）備えてなる高圧水銀ランプを作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１４２ｍｍ、発光管部の外径が１００ｍｍ、発光管部の内径が９５ｍｍ内部空間の容積が４００ｃｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）の各々と、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に形成された陰極および陽極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物として水銀を８ｍｇ／ｃｍ3 、希ガスであるキセノン（封入時圧力１００ｋＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が１００Ａであり、定格点灯電圧が８０Ｖであり、消費電力が８ｋＷであり、点灯動作時における内部圧力が４．０ＭＰａである高圧水銀ランプ（Ｂ１）〜高圧水銀ランプ（Ｂ１３）を作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１４２ｍｍ、発光管部の外径が１００ｍｍ、発光管部の内径が９５ｍｍ内部空間の容積が４００ｃｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）の各々と、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に形成された陰極および陽極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物として水銀を８ｍｇ／ｃｍ3 、希ガスであるキセノン（封入時圧力１００ｋＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が１００Ａであり、定格点灯電圧が８０Ｖであり、消費電力が８ｋＷであり、点灯動作時における内部圧力が４．０ＭＰａである高圧水銀ランプ（Ｂ１）〜高圧水銀ランプ（Ｂ１３）を作製した。
作製した高圧水銀ランプ（Ｂ１）〜高圧水銀ランプ（Ｂ１３）の各々について、気密封止部における気泡の発生の有無を目視により観察した。結果を表２に示す。
表２において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
表２において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
また、作製した高圧水銀ランプ（Ｂ１）〜高圧水銀ランプ（Ｂ１３）の各々において、これらを構成する各酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）について、実施例１と同様の手法により、式（１）で示される特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａ、および式（２）で表される三酸化モリブデン比ｂを確認した。結果を表２に示す。
更に、高圧水銀ランプ（Ｂ１）〜高圧水銀ランプ（Ｂ１３）のうち、気密封止部の形成工程において気泡の発生が確認されなかったランプの各々を１０００時間連続点灯し、点灯時間が１０００時間を経過後に、気密封止部における界面剥離現象の発生の有無を目視により観察した。結果を表２に示す。
表２において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
表２において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
酸化処理箔（Ｂ１）〜酸化処理箔（Ｂ１３）に係る酸化状態を、モリブデン酸化物比ａおよび三酸化モリブデン比ｂの測定値に基づいて、図７のグラフ上にプロットして示したところ、直線（ハ）の左側領域においては、界面剥離現象が発生し、一方、直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において気泡が発生することが確認された。 図７において、「●（黒丸）」は、界面剥離現象および気泡の発生が確認されなかった場合を示し、「○（白丸）」は、界面剥離現象または気泡の発生が確認された場合を示す。
（実験例３）
実験例１と同様の手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）を作製した。
実験例１と同様の手法を用い、封止体中における特定混合ガス中の酸素ガス濃度および内部圧力を調整することにより、酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）を作製した。
作製した酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）の各々を導電性箔として用い、図８に示す構成に従い、当該酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）の各々を備えてなるキセノンランプを作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１２ｍｍ、発光管部の外径が１２．５ｍｍ、発光管部の内径が８ｍｍ内部空間の容積が１３０ｍｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）の各々と、各々、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に形成されたタングステンよりなる陰極および陽極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物としてキセノン（封入時圧力１．２ＭＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が５．４Ａであり、定格点灯電圧が１４Ｖであり、消費電力が７５Ｗであり、点灯動作時における内部圧力が１０．１ＭＰａであるキセノンランプ（Ｃ１）〜キセノンランプ（Ｃ１３）を作製した。
すなわち、石英ガラスよりなり、内部空間の全長が１２ｍｍ、発光管部の外径が１２．５ｍｍ、発光管部の内径が８ｍｍ内部空間の容積が１３０ｍｍ3 である放電容器と、酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）の各々と、各々、タングステンよりなる内部リード棒の先端部に形成されたタングステンよりなる陰極および陽極と、タングステンよりなる外部リード棒とを用い、放電容器の内部空間に、封入物としてキセノン（封入時圧力１．２ＭＰａ）を充填すると共に、シュリンクシール方式によって気密封止部を形成することにより、定格点灯電流が５．４Ａであり、定格点灯電圧が１４Ｖであり、消費電力が７５Ｗであり、点灯動作時における内部圧力が１０．１ＭＰａであるキセノンランプ（Ｃ１）〜キセノンランプ（Ｃ１３）を作製した。
作製したキセノンランプ（Ｃ１）〜キセノンランプ（Ｃ１３）の各々について、気密封止部における気泡の発生の有無を目視により観察した。結果を表３に示す。
表３において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
表３において、気泡の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、気泡の発生が確認された場合には「×」と記した。
また、作製したキセノンランプ（Ｃ１）〜キセノンランプ（Ｃ１３）の各々において、これらを構成する各酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）について、実施例１と同様の手法により、式（１）で示される特定表層領域におけるモリブデン酸化物比ａ、および式（２）で表される三酸化モリブデン比ｂを確認した。結果を表３に示す。
更に、キセノンランプ（Ｃ１）〜キセノンランプ（Ｃ１３）のうち、気密封止部の形成工程において気泡の発生が確認されなかったランプの各々を１０００時間連続点灯し、点灯時間が１０００時間を経過後に、気密封止部における界面剥離現象の発生の有無を目視により観察した。結果を表３に示す。
表３において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
表３において、界面剥離現象の発生が確認されなかった場合を「○」と記し、界面剥離現象の発生が確認された場合には「×」と記した。
酸化処理箔（Ｃ１）〜酸化処理箔（Ｃ１３）に係る酸化状態を、モリブデン酸化物比ａおよび三酸化モリブデン比ｂの測定値に基づいて、図９のグラフ上にプロットして示したところ、直線（ニ）の左側領域においては、界面剥離現象が発生し、一方、直線（イ）の右側領域においては、気密封止部の形成工程において気泡が発生することが確認された。 図９において、「▲（黒三角）」は、界面剥離現象および気泡の発生が確認されなかった場合を示し、「△（白三角）」は、界面剥離現象または気泡の発生が確認された場合を示す。
以上の結果から、実験例１〜実験例３の各々において、導電性箔として、特定表層領域における酸化状態が特定の条件を満たす酸化処理箔を用いることにより、気密封止部の形成工程における気泡の発生、および界面剥離現象の発生が抑制され、その結果、気密封止部における気密の耐久性が高くなり、長い使用寿命が得られることが確認された。
１０ 超高圧水銀ランプ
１１ 放電容器
１１Ａ 内部空間
１２ 発光管部
１３ 封止管部
１４ 内部リード棒
１５ 電極
１５Ａ 金属コイル
１８ 気密封止部
１９ 外部リード棒
２０ 導電性箔
２３ 材料金属箔
２５ 封止体
２６ キセノンエキシマ光放射装置
３０ 高圧水銀ランプ
３１ 放電容器
３１Ａ 内部空間
３２ 発光管部
３３ 封止管部
３３Ａ 大径部
３３Ｂ 小径部
３４ 内部リード棒
３５ 陰極
３６ 陽極
３８ 気密封止部
３９ 外部リード棒
４０ 導電性箔
４１、４２ 金属ワッシャー
４７ 口金
４８ リード線
４９ 接続部材
５０ キセノンランプ
５１ 放電容器
５１Ａ 内部空間
５２ 発光管部
５３ 封止管部
５４ 内部リード棒
５５Ａ 陰極
５５Ｂ 陽極
５８ 気密封止部
６０ 導電性箔
６７ 口金
１１ 放電容器
１１Ａ 内部空間
１２ 発光管部
１３ 封止管部
１４ 内部リード棒
１５ 電極
１５Ａ 金属コイル
１８ 気密封止部
１９ 外部リード棒
２０ 導電性箔
２３ 材料金属箔
２５ 封止体
２６ キセノンエキシマ光放射装置
３０ 高圧水銀ランプ
３１ 放電容器
３１Ａ 内部空間
３２ 発光管部
３３ 封止管部
３３Ａ 大径部
３３Ｂ 小径部
３４ 内部リード棒
３５ 陰極
３６ 陽極
３８ 気密封止部
３９ 外部リード棒
４０ 導電性箔
４１、４２ 金属ワッシャー
４７ 口金
４８ リード線
４９ 接続部材
５０ キセノンランプ
５１ 放電容器
５１Ａ 内部空間
５２ 発光管部
５３ 封止管部
５４ 内部リード棒
５５Ａ 陰極
５５Ｂ 陽極
５８ 気密封止部
６０ 導電性箔
６７ 口金
Claims (3)
- 石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、０．１５ｍｇ／ｍｍ3 以上の水銀と、希ガスと、ハロゲンとが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ａ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする放電ランプ。
- 石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、０．１ｍｇ／ｃｍ3 以上であって１０ｍｇ／ｃｍ3 以下の水銀が封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｂ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする放電ランプ。
- 石英ガラスからなり、その内部に一対の電極が対向配置された発光管部と、当該発光管部の両端に連設された封止管部とを有する放電容器を備え、当該封止管部の各々の内部に導電性箔が気密に埋設されてなる構成の放電ランプにおいて、
前記放電容器の内部空間に、キセノンガスが封入されてなり、
前記導電性箔が、モリブデンよりなる基材の表面に厚み３ｎｍ以下の酸化層を有する酸化処理箔であり、その表面における深さ３ｎｍの表層領域に存在するモリブデンのモル数をｍ1 （モル）、およびモリブデン酸化物のモル数をｍ2 （モル）とし、当該モリブデン酸化物を構成する二酸化モリブデンのモル数をｍ3 （モル）、および三酸化モリブデンのモル数をｍ4 とすると共に、下記式（１）で示されるモリブデンのモル数ｍ1 とモリブデン酸化物のモル数ｍ2 との合計モル数に対するモリブデン酸化物のモル数ｍ2 の比をａ（％）とし、下記式（２）で表される二酸化モリブデンのモル数ｍ3 に対する三酸化モリブデンのモル数ｍ4 の比をｂ（％）とするとき、下記式（Ｃ）で示される条件を満たすものであることを特徴とする放電ランプ。
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