JP4437461B2

JP4437461B2 - 座標入力装置

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Publication number: JP4437461B2
Application number: JP2005156656A
Authority: JP
Inventors: 貴弘柏川; 文雄武井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2005-05-30
Filing date: 2005-05-30
Publication date: 2010-03-24
Anticipated expiration: 2025-05-30
Also published as: JP2006331243A

Description

本発明は、情報端末機器に利用されているタッチパネルを用いた座標入力装置に関するものである。

近年、携帯型情報機器の普及・発展に伴い、電子手帳、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）を中心に、携帯電話、ＰＨＳ、電卓、時計、ＧＰＳ（Global Positioning System）、銀行ＡＴＭシステム、自動販売機、ＰＯＳ（Point Of Sales）システム等のデータ入力において画像上をペン又は指で触れることにより情報を入力することができる、優れたマン−マシンインターフェース性能が採用され、多方面への応用が広がっている。これらの高機能デバイスは半導体素子の進歩により、製品の小型化・多機能化に大きく貢献している。特に、携帯電話、ＰＤＡ、ノートパソコン等の携帯情報端末における小型化が著しく、その入力素子又は表示素子の本体中に占める体積的割合が大きくなってきている。また、抵抗膜としてはＩｎ、Ｓｎを蒸着して得られるＩＴＯ（インジウム−ティン−オキサイド）を透明電極として用いているが、製造コストが高く、また、連続的な筆記により抵抗膜の抵抗が変化し座標位置の読み取り精度が低下しやすい不具合がある。この不具合を解決するために、例えば、製造しやすく、かつ、安価な有機系導電性材料を用いた抵抗膜の開発が行われている。

しかし、有機系導電材料を用いた導電膜の場合、長期間の紫外線照射により有機系導電材料の劣化が発生する。また、無機系導電材料を用いた導電膜を用いた場合でも長期間の紫外線照射により入力装置のリニアリティーが変化する。
このために、例えば、特許文献１では、透明絶縁基材として透明プラスチックを用い、外部表面に可視光未満の紫外線遮蔽層の酸化物粒子を設け、透明電極としてＩＴＯを用いるアナログ型透明タッチパネルが開示されている。また、特許文献２では、光屈折率材料としてＴｉＯ_２等を選択し、微量添加したタッチパネル用透明導電膜積層体が開示されている。また、特許文献３では、透明導電層の片側に、１又は２以上の層からなると共に、波長４１０〜７００ｎｍの可視光については７０％以上の透過率を維持しつつ、波長３１０〜３４０ｎｍの紫外線については１０％以下の透過率に低減する保護層を有することで、屋外使用にても誤動作を発生しにくく、高分解能型のタッチパネルの形成も可能とする透明導電層の保護構造が開示されている。

特開平０２−００８９２６号公報特開平０５−３４６８３５号公報特開２０００−１４９６６４号公報

しかしながら、特許文献１ないし３のいずれの開示技術も、紫外線を吸収又は遮蔽することが記載されているが、この紫外線を吸収した場合に導電材料が劣化し、表面の導電率が時間経過とともに変化することが記載されていない。したがって、上記特許文献１ないし３の開示技術を用いた場合であっても、電極の透明基材の樹脂フィルムに、紫外線吸収能を付与した場合に、紫外線照射に伴い炭素ラジカル、無機系紫外線吸収剤でも励起状態になり、特に、有機系紫外線吸収剤から酸化作用のある電子が発生し、この炭素ラジカル等が酸化剤として透明有機系導電材料を酸化し、表面抵抗率を上昇させて、入力座標の位置精度が悪くなるという問題がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、紫外線によって透明電極における表面抵抗率の上昇を抑え、かつ、全光線透明性の低下を抑えることができる座標表示装置を提供することである。

上記課題を解決する手段である本発明の特徴を以下に挙げる。
そこで、紫外線吸収剤を含有する透明基材と導電膜との間に、紫外線を受けたときに還元反応を示す酸化チタン等の光触媒を含有させることによって、紫外線吸収剤から発生した炭素ラジカルを酸化チタンで還元し、下層の透明有機系導電材料等による導電膜が破壊されない構造とすることで、座標入力装置の透明電極の劣化を防ぐことができる。なお、上記緩衝層は、可視光に影響を与えない範囲で薄い方が望ましい。

本発明は、上記解決するための手段によって、紫外線吸収能を付与した透明電極による座標入力装置であっても、長期にわたって使用しても座標位置の読み取り精度が低下しない座標入力装置を提供することができる。

以下に、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。なお、いわゆる当業者は特許請求の範囲内における本発明を変更・修正をして他の実施形態をなすことは容易であり、これらの変更・修正はこの特許請求の範囲に含まれるものであり、以下の説明はこの発明における最良の形態の例であって、この特許請求の範囲を限定するものではない。

本発明の座標入力装置１は、抵抗膜方式の座標入力装置であって、透明絶縁基材１１と透導電膜１３との間に、透明絶縁基材１１と透明導電膜１３との直接の接触を妨げる緩衝層１２を備えている。
図１は、本発明の座標入力装置における電極の構成を示す概略図である。図２は、本発明の座標入力装置の構成を示す概略図である。図３は、本発明の座標入力装置の動作を説明するための模式図である。
図１に示すように、透明で可撓性のある透明電極１０と透明電極２０とが、透明電極１０、２０の縁部に設けられる透明絶縁体のスペーサ３０を介して平行に対向して配置されている。これによって、透明電極１０、２０間は適当な間隙で対向させることができる。
また、透明電極１０、透明電極２０の表面にはそれぞれ、透明絶縁基材１１、２１表面に導電材料による透明な導電膜１３、２３が積層されている。
また、図２に示すように、これらの導電膜１３上には、ドット状スペース３１が配置されている。このドット状スペーサ３１は、導電膜２３上に配置されてもよい。このドット状スペーサ３１で透明電極１０、２０における導電膜１３、２３の接触を防止している。さらに、導電膜１３上には、その両端部に線状導電膜で形成された電極１３１と電極１３２とが互いに平行に接合され、同様に、導電膜２３上には、その両端部に電極２３１と電極２３２とが互いに平行に接合されている。電極１３１、１３２、２３１及び２３２から、例えば、座標位置Ｘ_Ｈ、Ｘ_Ｌ、Ｙ_Ｈ、Ｙ_Ｌを示す信号が送信される。
さらに、図３に示すように、電極１３１、１３２、２３１及び２３２からの信号は、最終的にはマイクロコンピューター（ＭＰＵ）等の演算できる素子に接続している。ＭＣＵには、電源部を接続するポートＰＯ１、ＰＯ２、電極１３１、１３２、２３１及び２３２に接続するコンバータＡ／Ｄ１、Ａ／Ｄ２を備え、操作者の手指、ペン等で透明電極１０を押下し、その押下によって導電膜１３、２３に接触した位置の座標信号を、ＭＣＵが処理することで、座標を入力することができる。
この座標入力装置１の動作を以下に示す。導電膜１３、２３については、全体が均質な導電性の膜で形成されている。入力操作が無いときは、透明電極１０の導電膜１３と透明電極２０の導電膜２３とはドット状スペーサ３１により離間されている。座標入力時にはペン４０により電極１０上の所望位置が加圧され、その結果、透明電極１０が変形して導電膜１３が導電膜２３に接触する。電極１０の相対向する二辺には電極１３１、１３２が形成されており、この電極１３１と電極１３２との間には一定周期で基準電圧Ｖccが印加されている。これにより、導電膜１３、２３との接触点には電極１３１、１３２との間に導電膜１３の抵抗分圧による電圧が生じ、この分圧電圧が、例えばＸ軸方向の検出電圧として位置座標を示す信号として検出され、その信号をＭＰＵ等で処理することで座標を入力することができる。同様にして、電極６と７とを結ぶＹ軸方向に直交する方向で、かつ、導電膜２３の相対向する二辺に形成された電極２３１、２３２に基準電圧Ｖccを印加し、そのときに導電膜２３を介して取り出される電圧を、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向の検出電圧として取り出すことでＹ座標の位置が検出され、Ｘ、Ｙ座標を入力することができる。

本発明の座標入力装置１は、図１に示すように、この透明電極１０として絶縁基材１１、緩衝層１２、透明導電膜１３を有している。透明電極２０も、同様の構成であり、ここでは、一方のみを説明する。
透明な絶縁基材１１としては、特に限定はなく、ポリエステル系樹脂やアセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂やポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂やポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂やアクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂やポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂やポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂やポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂や（メタ）アクリル系樹脂の如きポリマーなどからなるものがあげられる。特に、透明基材１１としてはＰＥＴ等のポリエステル系樹脂が好ましく、これは波長３００ｎｍ以下の紫外線を吸収して可視光に対する透過率に優れている。透明基材１１の厚さは、３〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に１０〜２００μｍにするが、これに限定されず使用目的等に応じて適宜な厚さとすることができる。なお、透明導電膜１３の配置に際しては、透明基材１１の表面にコロナ放電処理、プラズマ処理やスパッタエッチング処理、アンダーコート処理等の適宜な前処理を施して透明導電層との密着性を高めることもできる。ここで、透明とは、可視光（４００〜７００ｎｍ）をほとんど吸収せず透過性の高いことをいう。

本発明の座標入力装置１の透明基材１１は、紫外線吸収能を有している。この紫外線吸収能は、紫外線吸収剤を透明基材１１に内添する。紫外線吸収剤の内添は、透明基材１１表面を紫外線吸収のためのコーティング処理に比べて全可視光の透過性を高くすることができる。紫外線吸収剤としては、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ_２）、酸化セリウム（ＣｅＯ_２）等の無機系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系、フェノール系、ベンゼン系、ベンゾフェノン系、トリアジン系、シアノアクリレート系化合物等の有機系紫外線吸収剤があげられる。これら紫外線吸収剤は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらは透明基材１１の樹脂を、イソプロ、ＭＥＫ等の有機溶媒に溶解又は懸濁させて製造することができる。有機溶剤としては、特に限定されず、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、酢酸ブチル、酢酸エチル等のエステル類、キシレン、トルエン等の芳香族系溶剤、脂肪族系溶剤、エーテル系溶剤、エチルセロゾルブ等の高級アルコール系溶剤、セロソルブアセテート等の高級アルコールエステル系溶剤、石油系溶剤、ミネラルスピリット等が挙げられる。耐久性に優れる観点からは無機系紫外線吸収剤が好ましく、透明性に優れる観点からは有機系紫外線吸収剤が好ましい。耐久性に優れ、透明性に優れ、退色性が少ないことから、ベンゾトリアゾール系化合物が紫外線吸収剤として好ましい。また、塗料組成物における紫外線吸収剤の含有量は、２〜３０ｗｔ％が好ましく、５〜１５ｗｔ％がより好ましい。この範囲であると、塗膜が耐候性に優れ、透明基材１１の劣化が抑制される。

また、本発明の座標入力装置１では、透明電極１０の透明基材１１上に設ける導電膜１３を有機系導電材料と無機系導電材料との双方又はいずれか一方を用いるが、ここでは、有機系導電材料を、少なくとも一方に用いることが好ましい。有機系導電材料としては、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリエチレンジオキシチオフェンがあげられる。特に、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）は、透過率が高く、かつ、導電性が高く好ましい。さらに、ＰＥＤＯＴにポリスチレンスルフォネート（ＰＳＳ）をドープしたＰＥＤＯＴ−ＰＳＳが、導電率が一層高く好ましい。これらは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、スプレー法、静電スプレー法等によって形成することができる。塗布する際には、必要に応じて組成物を溶剤に溶解させて行うこともできる。溶剤としては、例えば、メタノール、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等を挙げることができる。また、その膜厚は、１００〜１５０ｎｍの範囲にする。表面抵抗なので、厚さに関係ないが、１００ｎｍ未満では強度が低くなって割れ、薄利が生ずることがある。１５０ｎｍを越えると製造コストが高くなり、また、生産性が低下する。
また、無機系導電材料としては、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＣｄＯ、ＺｎＯ₂、ＳｎＯ₂：Ｓｂ、ＳｎＯ₂：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ、Ｉｎ₂Ｏ₃：Ｓｎなどの金属酸化物膜及びドーパントによる複合酸化物膜がある。ドーパントによる複合酸化物膜としては、例えば、酸化インジウムにスズをドーピングして得られるＩＴＯ膜、酸化錫にフッ素をドーピングして得られるＦＴＯ膜、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ系アモルファスからなるＩＺＯ膜等が挙げられる。このような透明導電膜は１３、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空を用いた乾式成膜法で形成されても良いが、簡便な大気圧プラズマ放電処理であってもよい。また、無機系の透明導電材料を透明導電膜１３として使用する場合には、膜厚を約１００〜１４０ｎｍとすることが好ましい。
本発明の座標入力装置１では、有機系導電材料を必ず一方に用いる。有機系導電材料は無機系導電材料に比べて比重が軽いので、座標入力装置１を軽量化することができる。また、無機系は真空を用いた乾式成膜法で形成されることが多く、有機系に比べて生産性が低いので、有機系は生産性を高め、生産コストを低減することができる。

また、本発明の座標入力装置１では、透明基材１１と透明導電膜１３との間に、透明絶縁基材１１と透明導電膜１３との直接の接触を妨げる緩衝層１２を備える。座標入力装置１が、長時間に紫外線の照射を受けると透明導電膜１３、特に、有機系導電性材料を用いた透明導電膜１３が劣化して表面抵抗率が増大する。このために、透明基材１１に紫外線吸収剤を内添して紫外線が座標入力装置１の内部に侵入するのを防止している。しかし、紫外線を照射された紫外線吸収剤、特に、有機系紫外線吸収剤は、照射されたエネルギーを解放するために炭素ラジカルを発生させる。この炭素ラジカルの半減期は短いが、反応性が高いために近傍にある有機系導電膜を劣化させる。本発明の座標入力装置では、発生した炭素ラジカルが透明導電膜１３に接触するのを防止する緩衝層１２を設ける。また、この緩衝層１２は、下部に設けることがある他の装置の例である液晶表示装置等に影響を与えないように、可視光領域で透過率の高い層にする。このために、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂を用いる。また、これらは、例えば、スピンコート法等によって形成することができる。このときの膜厚は、０．１〜５μｍにして炭素ラジカルの移動を防止し、さらに好ましくは、０．２〜１．０μｍにして光透過率の低減を抑えることがよい。

この緩衝層１２には、反応性の強い活性化炭素ラジカルを捕捉して反応性の弱い安定化炭素ラジカルにする光触媒を含有させる。これによって、有機系導電材料による導電膜の劣化を防止することができる。光触媒は、光によって励起状態になり電子と正孔が生成され、これらが反応を起こすもので、固体の酸化物半導体、色の付いた金属錯体が挙げられるが、可視光を透過するために酸化物半導体が好ましく、具体的にはＴｉＯ_２、ＺｎＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｎｂ_２Ｏ_３、ＷＯ_３、ＳｎＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｒＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＫＴａＯ_３、Ｆｅ_２ＴｉＯ_３、ＦｅＴｉＯ_３等が挙げられる。この中で、特に、ＴｉＯ_２が好ましく、さらに、アナターゼ型の方がルチル型よりはバンドギャップが大きく、光触媒の作用が大きいことから好ましい。このＴｉＯ_２の内添させる量は、０．１〜１．０ｗｔ％、好ましくは０．１〜０．５ｗｔ％の範囲である。これにより、有機系導電材料による導電層１３に対する活性化炭素ラジカルを安定化させることができる。ＴｉＯ_２の量が、０．１ｗｔ％未満では活性化炭素ラジカルを安定化させることができないし、１．０ｗｔ％を越えると安定化させる効率が低下し、また、安定化させる作用が飽和している。

下部に置かれる透明電極２０は、膜厚が１．１ｍｍの透明な樹脂からなる透明絶縁基材２１の上面の、略中央部に方形に形成されたＩＴＯから成る透明導電膜３３を有する。この導電膜３３は、絶縁基材２０の全面に付いており、これにレジストをスクリーン印刷後、乾燥させ、エッチング工程で必要以外を削り取ることで成形する。この透明導電膜３３は、両端部にスクリーン印刷等で設ける電極３３１，３３２に接続形成されている。この透明電極２０の上には従来技術と同様、マトリックス状に配置したドットスペーサ３１を有するスペーサ３０が設けてある。さらにその上に、平行に配置する一対の残りの透明電極１０を設ける。この透明電極１０は、層厚が０．２ｍｍの可撓性のある透明な樹脂からなる透明絶縁基板１１と、この透明絶縁基材１１の下面に、スピンコート法等による緩衝層１２を形成し、その下方に透明導電膜１３と、この透明電極１３の対向する両辺に沿って接続形成されている電極１３１、１３２をスクリーン印刷等で設ける。これによって、座標入力装置１を製造することができる。

ここでは、特に、透明電極を作製し、紫外線を照射した後の表面抵抗率の測定によって劣化の度合いと、可視光における全光線透過率を測定した。
（実施例１）
上部に設ける透明電極は、図１に示すように、電極基材のポリエステル樹脂であるＰＥＴに紫外線吸収剤としてフェノール系化合物を、有機溶媒を用いて溶解して滑らかな基板に塗布して整形し、その上に緩衝層としてポリエステル樹脂で膜厚０．１μｍに製膜して、さらに、有機溶媒でチオフェン系有機系導電材料を溶解して、同様に製膜して、この膜をレーザ光で除去して導電層を形成して、透明電極を製造した。なお、下部に設ける透明電極、スペーサは、上記の従来と同様に形成して、その上に上部電極を配置して抵抗膜式座標入力装置を製造することができる。
表面抵抗率、全光線透過率の測定方法を以下に示し、その結果を表１に示す。
＜表面抵抗率の測定＞
表面抵抗率の測定は、ＪＩＳＫ７１９４“導電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法“に沿って、表面抵抗測定装置で測定した。
試料は、上記作製した実施例１を、紫外線照射前の初期と、フェードメータにより紫外線を１５０００ｋＪ／ｃｍ^２照射した後の表面抵抗率を測定した。紫外線照射は、フェードメータ（スガ試験機製）を使用し、試験片（５０×５０×１ｍｍ厚）に紫外線を１５０時間照射した。この紫外線の照射は、通常の使用状況では座標入力装置の耐用年分以上に相当する。
＜透過率＞
透過率の測定は、積分球式分光透過率測定装置で、波長３８０〜７００ｎｍの範囲を測定して積分して、試料のない値１００％に対する値を求めた。全光線透過率が、８０％以上であれば人間の視覚的に色相に対する違和感、全体に対する暗さの感覚に問題が生じない範囲である。

（実施例２）
緩衝層の厚さを５μｍとした以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（実施例３）
緩衝層にＴｉＯ_２粉末を０．１ｗｔ％内添した以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（実施例４）
緩衝層にＴｉＯ_２粉末を１ｗｔ％内添した以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（実施例５）
透明電極に、ＩＴＯによる導電膜を用いた以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（実施例６）
透明電極に、ＺｎＯによる導電膜を用いた以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。

（比較例１）
緩衝層を形成しなかった以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（比較例２）
緩衝層の厚さを１０μｍとした以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。
（比較例３）
緩衝層にＴｉＯ_２粉末を２ｗｔ％内添した以外は、実施例１と同様に製造した。その結果を表１に示す。

表１からも明らかなように、実施例１では、紫外線照射前と１５０００ｋＪ／ｃｍ^２の紫外線照射後の表面抵抗率差は約１．２倍であり、したがって、３〜５年間使用しても座標入力装置としての使用に問題は生じない範囲である。また、全光線透過率も９０％であり、実用上問題のない範囲である。
同様に、実施例２では、初期と１５０００ｋＪ／ｃｍ^２紫外線照射後の表面抵抗率差は約１．２倍、全光線透過率は９０％であり良好な光線透過性および紫外線照射に対する安定性を確認できた。
実施例３では、表面抵抗率差は約１．１倍であり、光触媒であるＴｉＯ_２を添加して、実施例１，２よりも表面抵抗率の低下を抑えることができた。まも、全光線透過率も８８％とＴｉＯ_２粉末未添加とほぼ変わらない良好な全光線透過率に対する安定性を確認できた。
実施例４では、表面抵抗率差は約１．１倍であり、また、全光線透過率も８８％とＴｉＯ_２粉末未添加と変わらず良好な紫外線照射に対する安定性を確認できた。
実施例５及び６では、導電膜に導電性酸化物を使用したが、表面抵抗率差は約１．２倍であり、全光線透過率は９０％であり良好な光線透過性および紫外線照射に対する安定性を確認できた。

比較例１では、紫外線照射前と１５０００ｋＪ／ｃｍ^２の紫外線照射後の表面抵抗率差は約３倍以上の上昇となり、座標入力装置の応答性が非常に悪化した。また、緩衝層を設けていなくとも、全光線透過率は９０％であり、緩衝層があるものと差がなかった。
比較例２では、紫外線照射前と１５０００ｋＪ／ｃｍ^２の紫外線照射後の表面抵抗率差は約１．１倍であり、１０μｍの緩衝層を設けることで紫外線照射に対する安定性を確認できたものの、全光線透過率が７５％まで低下し液晶画面の表示が見えにくく表示品位が低下した。したがって、実施例２で示したように、緩衝層は５μｍ以下が好ましい。
比較例３では、紫外線照射前と１５０００ｋＪ／ｃｍ^２の紫外線照射後の表面抵抗率差は約１．１倍であり紫外線照射に対する安定性は確認できたものの、全光線透過率が７０％に低下し座標入力装置等の下に設けることのある液晶画面の表示が見えにくくなり、さらに、液晶偏光板との緩衝縞が発生し表示品位が低下した。したがって、実施例３に示したように、光触媒のＴｉＯ_２粉末の内添する量は１ｗｔ％以下が好ましい。

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨内において様々な変形・変更が可能である。
（付記１：請求項１）本発明の座標入力装置は、紫外線吸収能を有する透明絶縁基材と、透明絶縁基材の対向する表面に透明な有機系導電材料で形成されている導電膜を備える一対の透明電極を平行に配置し、加圧して対向する導電膜を接触させる座標入力装置において、透明絶縁基材と透明導電膜との間に、透明絶縁基材と透明電極との直接の接触を妨げる緩衝層を備えることを特徴とする。
（付記２：請求項２）本発明の座標入力装置は、上記１において、前記絶縁基材は、有機系紫外線吸収剤を含有することを特徴とする。
（付記３：請求項３）本発明の座標入力装置は、上記１において、前記絶縁基材は、無機系紫外線吸収剤を含有することを特徴とする。
（付記４：請求項４）本発明の座標入力装置は、上記２において、前記緩衝層は、光触媒を含有することを特徴とする。
（付記５：請求項５）本発明の座標入力装置は、上記４において、前記光触媒は、アナターゼ型酸化チタンを用いることを特徴とする。
（付記６）本発明の座標入力装置は、上記５において、前記緩衝層は、厚さが０．１〜５．０μｍの範囲内にあることを特徴とする。
（付記７）本発明の座標入力装置は、上記６において、前記有機系導電材料は、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリエチレンジオキシチオフェンから選択されることを特徴とする。
（付記８）本発明の座標入力装置は、上記７において、前記透明導電膜は、無機系導電材料で形成されていることを特徴とする。
（付記９）本発明の座標入力装置は、上記８において、前記無機系導電材料は、ＩＴＯ又はＺｎＯであることを特徴とする。

本発明の座標入力装置における電極の構成を示す概略図である。本発明の座標入力装置の構成を示す概略図である。本発明の座標入力装置の動作を説明するための模式図である。

符号の説明

１座標入力装置
１０、２０透明電極
１１、２１透明基材
１２、２２緩衝層
１３、２３導電膜
１３１、１３２、２３１、２３２電極
３０スぺーサ
３１ドット状スペーサ
５１ＭＰＵ
５２、５３電源

Claims

透明な有機系導電材料で形成されている導電膜とをそれぞれ備える２枚の透明電極を、前記導電膜同士が対向するように所定の間隔を開けた状態に配置し、加圧により対向する導電膜の所定箇所を接触させる座標入力装置において、
前記座標入力装置は、透明絶縁基材と透明導電膜との間に、紫外線を受けたときに還元反応を示す光触媒材料が含有され、且つ、透明絶縁基材と透明電極との直接の接触を妨げる緩衝層を備える
ことを特徴とする座標入力装置。
請求項１に記載の座標入力装置において、
前記絶縁基材は、有機系紫外線吸収剤を含有する
ことを特徴とする座標入力装置。
請求項１又は２に記載の座標入力装置において、
前記絶縁基材は、無機系紫外線吸収剤を含有する
ことを特徴とする座標入力装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載の座標入力装置において、
前記緩衝層は、光触媒を含有する
ことを特徴とする座標入力装置。
請求項４に記載の座標入力装置において、
前記緩衝層は、アナターゼ型酸化チタンを用いる
ことを特徴とする座標入力装置。