JP4436766B2 - フレキシブル基板上にポリマー導波路及び駆動増幅器を集積した広帯域光変調器 - Google Patents

Description

本開示は、光電子回路に関し、更に具体的には小型の内蔵型マッハ・ツェンダー干渉計（ＭＺＩ）変調器用のマイクロ波構成部品及び電気光学構成部品の組み合わせに関する。

特に１０ＧＨｚを越えるマイクロ波周波数の光信号の変調は、レーザー周波数の意図しない変調（例えばチャーピング）を防止するためにレーザー光源の外部変調を必要とする。この目的のため、マッハ・ツェンダー干渉計構造を用いて、光学位相及び／又は振幅変調器を生成する場合が多い。マッハ・ツェンダー干渉計の一方又は両方のアームは、電気光学効果による光信号の位相変調を可能にする電極を含む。これらの電極は、十分な電場を供給して電気光学効果を生じさせる駆動増幅器を必要とする。増幅器は、マッハ・ツェンダー電極が与えるリアクタンス負荷を駆動するのに十分な帯域及び出力性能を必要とする。

初期の電気光学（ＥＯ）変調器は、電気光学効果を生じさせるために数百ボルトを供給する大きな外部電力増幅器を必要とした。最近の装置は、８〜１２ボルトといった低めの駆動条件を有するが、作動には依然として外部ＲＦ電力増幅器を必要とする。ポリマー技術の進歩により、結果として低いＶ_π値が得られる大きなＥＯ性能指数を持つ材料の開発が可能となった。
米国特許公開第２００１／０４１０２５A１号

本発明は、マイクロ波増幅サブ回路が直接取り付けられたシリコーン基板上に非線形光学（ＮＬＯ）ポリマーから作られたマッハ・ツェンダー干渉計構造を含む。ＮＬＯポリマーは、大きな電気光学係数を示し、電光変換に適している。モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）をベースとした分布駆動増幅器が直接取り付けられる。ＭＭＩＣ駆動増幅器は、フレキシブル基板上に作られ、マッハ・ツェンダーと組み合わせられる。組み合された光電子変調器は、広帯域作動、コンパクトなサイズ、及び５０ＧＨｚ装置での低電力動作を実現する。

マッハ・ツェンダー電気光学（ＥＯ）干渉計型変調器は、ＮＬＯポリマー導波路を用いて作られた２つのＹ字型分岐路を入力及び出力に備える。中間セクションには、２つの平行な導波路アームがある。いずれか一方のアームが変調され、或いはプッシュ・プル効果を生むように両方のアームが相反する極性によって変調される。プッシュ・プル分極は、ポリマー変調器の電極に高電圧を印加して、埋設された光学導波路層の局所的な発色団配向において必要とされる作用を誘起するために同じ電極を使用する。プッシュ・プル駆動は実変調であり、すなわち信号伝送に使用される電圧を駆動し、この場合局所電場方向は電極を励磁することにより最適化される。極めて高速のＥＯ変調器を実現するために、進行波電極設計が利用され、ここでは、リソグラフ端子定義、オーバーレイ、及び埋め込みの設計概念を用いて、埋設された増幅器デバイスのＺｏを変調源（Ｚｏ＝５００オーム）と整合させる新規の実装手法が採用されている。このことは、薄いマイクロストリップ線を各図で示されている配向に沿った端子間ルートとして使用する設計により最適な性能をもたらす。この実質的な効果は、こうした構造によって、２つのアーム内の両電磁場が出力のＹ字型接続点において結合される前に異なる位相を有するように大幅に最適化されることである。位相差がπの偶数倍であれば、これらは増加的に加算され出力がオンになる。位相差がπの奇数倍であれば、これらは打ち消しあい、出力はオフになる。出力がオフの時は、パワーは基板内へ放散、放射され、Ｙ字型接続点の出力には現れない。この新規の構造は、挿入損失の低下、チャーピング低減及びより高い消光比の実現等の対象用途の感度に関する位相変形の誤差を大幅に低減する。

図１を参照すると、光電子集積回路が全体的に１００で示されている。光電子回路１００は、マッハ・ツェンダー干渉計（ＭＺＩ）１０４又は光信号１２０を受け取る電気吸収型変調器などの電気光学デバイスを備える。モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）１０２が、一対の電極１２８、１３０、出力用伝送線路１２４、及び接地信号帰還用伝送線路１２６を介してポリマーベースのＭＺＩ１０４に結合されている。これらの伝送線路は、本質的にマイクロストリップ伝送線路の性質を有する。電極１３０は接地電極であり、電極１２８は高周波（ＲＦ）電極又は信号電極（例えば、マイクロストリップ伝送線路）である。ＭＭＩＣ１０２は、ＭＺＩ１０４において光信号１２０を変調し、これにより出力として変調された光信号１２２を供給するための高周波変調信号１３２を受け入れる。ＭＺＩにおける適切な有機材料の例には、ポリ（アクリル酸）；例えばポリ（メチルメタクリル酸）（ＰＭＭＡ）であるポリ（アルキルメタクリレート）；ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）；シリコーン；及びアルキル基が１個〜約１２個の炭素原子を持ち、且つ上述の有機材料の少なくとも１つから構成される混合物が含まれる。

ＭＺＩ１０４は、光信号１２０を受け入れる入力チャネル１０８を含む。ビームスプリッタ１１４は、光信号１２０を２つのビーム１５４及び１５６に分割し、これらを第１の分岐路１１０及び第２の分岐路１１２に沿って別々に導く。図１の実施形態では、電極１２８及び１３０は、ＭＺＩ１０４の分岐路の１つにわたって互いに正反対に配置されている。或いは、複数の接地電極１３０を第１の分岐路１１０及び第２の分岐路１１２に沿って別々に配置し、電極１２８を第１の分岐路１１０と第２の分岐路１１２の間でこれらに沿って配置してもよい。（図４〜図８）
ポリマーは通常、本質的に中心対称性であり、従って電気光学効果を示さない。しかしながらポリマーは、ポリマーホストに組み込むことができる光学的に高度に非線形な発色団／分子を分極することにより、電気光学効果を示すようにすることができる。このようにして、ポリマーベースのＭＺＩ１０４における光信号１５４及び１５６は、ＭＭＩＣ１０２、伝送線路１２４及び１２６、更に電極１２８及び１３０を介したＲＦ変調信号１３２及び１５２によって変調される。光信号１５４及び１５６は、ビームコンバイナ１１６で結合され、従って出口チャネル１１８で出力として変調信号１２２を生じる。

図２では、ＭＭＩＣ１０２は、ＲＦ変調信号１３２を受け入れるＲＦ電力増幅器２０２を含む。ＭＭＩＣ１０２は、伝送線路１２４及び１２６を介して電極１２８及び１３０に結合されている。位相オフセット信号２３２を受け入れる位相オフセット回路２０４は、２３４においてＭＺＩ１０４に結合されており、ＭＺＩ１０４における光信号１５４及び１５６の静的な位相オフセットを制御する。

図３では、ＲＦ電力増幅器２０２は、第１の入力で変調信号１３２を受け入れる電力分配器２０６を含む。一対の増幅器２０８は、電力分配信号を受け取り、電力コンバイナ２１６に対してインピーダンス整合２１２及び２１４がとられる。電力コンバイナ２１６は、伝送線路１２４を介して増幅変調信号１５２を電極１２８及び１３０に供給する。引き続き図３において、位相オフセット回路２０４は、ＭＺＩ１０４の位相オフセットを設定するためのＤＣバイアス２３２を受け入れる非反転構成の演算増幅回路２２４を含む。

図４を参照すると、光電子回路１００の一実施形態の断面図が示されている。ＭＭＩＣ１０２は、フレキシブル誘電体基板１４４の第１の側面に配置されている。フレキシブル誘電体基板１４４は、約１〜２ミルの厚さであり、例えば、ＫＡＰＴＯＮ（商標）のようなポリアミド・ポリマーを含むことができる。ＭＭＩＣ１０２は、ダイマウント・キャリア（図１０Ｅの３０６）を使ってフレキシブル誘電体基板１４４に直接装着される。ＭＺＩ１０４は、ＭＭＩＣ１０２の側部とは反対側のフレキシブル誘電体基板１４４の第２の側面に配置され、又はフレキシブル誘電体基板１４４内に直接埋設してもよい。ＭＺＩ１０４からの接地帰還信号１５０を伝搬する伝送線路１２６は、フレキシブル誘電体基板１４４上に配置され、ＭＭＩＣ１０２の反対側にある接地電極１３０に接続されている。回路接続部（バイアホール）１４２が、信号伝送線路１２６を介してＭＺＩ１０４の接地電極１３０とＭＭＩＣ１０２との間で形成されている。

ポーリング（分極）電極１４０は、フレキシブル誘電体基板１４４のＭＺＩ１０４の反対側に配置されている。ポーリング電極１４０は、フレキシブル誘電体基板１４４のＭＭＩＣ１０２と同じ側に配置され、浮遊マイクロ波信号がポーリング電極１４０に結合しないようにＭＭＩＣ１０２の近傍周辺領域から実質的に隔てられている。ダイマウント３０６及び接着層３０４を取り除き、更なる処理のためにＭＺＩ１０４及びＭＭＩＣ１０２を準備することができる。完成モジュールが別の回路組立体に取り付けられることになる場合には、ダイマウント３０６及び接着層３０４は取り除かれ、その結果、この回路組立体がダイマウント３０６と同じ機能を提供することができる。他の場合には、熱交換器が必要とされる。或いは、ダイマウント３０６及び接着層３０４を保持し、ＭＭＩＣ１０２の温度を制御するための熱電冷却器等の熱交換器として使用してもよい。図５では、ＭＭＩＣ１０２はまた、フェライトドープのプラスチック又は塗料などのマイクロ波吸収プラスチック１４６内に収容又は内封し、外部からのマイクロ波信号による干渉作用を軽減することができる。

図６を参照すると、第２のフレキシブル誘電体基板１４８が第１のフレキシブル誘電体基板１４４上に配置され、伝送線路１２４及び１２６に対する電極間の誘電体として機能している。ＤＣバイアス２３４（図９）と受動素子２４０（図９）用のランド・パッド２４８（図９）との相互接続が形成される。ＲＦ変調信号１３２をＭＭＩＣ１０２へ、及びＭＭＩＣ１０２からＭＺＩ１０４へ結合する入力伝送線路１３６及び図４〜図８の出力伝送線路１２４は、適正な特性インピーダンスＺ_ｏが得られるように特定の幾何形状で製造される。図４〜図７の寸法ｈ及びｔは、約３８マイクロメートルであり、伝送線路１２４、１２６、１２８、及び１７０の幅は５０オームの伝送線路をもたらすように調整されている。高さ（ｈ、ｔ）に対する幅の比は、ＫＡＰＴＯＮ（商標）の比誘電率である３．４の値に基づいている。特性インピーダンスＺ_ｏ、従って伝送線路１２４、１２６、１２８、及び１３６の正確な幾何形状は、数学的モデル化、コンピュータシミュレーション、及び経験的データに基づいてＭＺＩ１０４に整合され（すなわちインピーダンス整合され）、伝送線路１２４、１２６、１２８、及び１３６の配置及びＭＭＩＣ１０２の動作周波数（１ＭＨｚ〜５０ＧＨｚ）にわたる光電子回路の性能が最適化される。分析された性能測定値の１つのセットは、マイクロ波散乱係数ｓ_１１、ｓ_１２、ｓ_２１、及びｓ_２２である。伝送線路間の相互接続は、正確なインピーダンスを与え、従ってＭＺＩ１０４に整合されたＭＭＩＣ１０２が得られるようにフレキシブル誘電体基板１４４、１４８上に直接作られる。

図９は、図６及び図７の光電子集積回路の更に詳細な平面図である。ＭＺＩ１０４に対して静的位相オフセットを制御するＤＣバイアスネットワーク２３４が、フレキシブル誘電体基板組立体１４４及び１４８上に直接作られている。抵抗、コンデンサ及びインダクタなどの、増幅器ＭＭＩＣ１０２及びＭＺＩ１０４用の受動素子２４０は、第２のフレキシブル誘電体基板１４８上へ直接マウントされている。ＭＭＩＣ１０２へ電力を供給するバイアス・ティー構造２４２が、第２のフレキシブル誘電体基板１４８上の金属被覆へ直接作られている。バイアス・ティー２４２は、第２のフレキシブル誘電体基板１４８上の金属被覆に直接作られた集積受動インダクタ及び抵抗を含む。受動抵抗、コンデンサ及びインダクタの幾何形状及びレイアウトはまた、製造工程についての数学的モデル化、コンピュータシミュレーション、及び経験的データに基づいている。次いで、組み立てられたフレキシブル誘電体基板モジュール１４４及び１４８は、更に実装を行うか、或いはマルチユニットモジュールとして他の装置と組み合わせることができる。

図１０Ａ〜図１０Ｅは、ＭＺＩ１０４との集積化におけるＭＭＩＣ増幅器１０２の準備に関する追加の詳細を示している。図１０Ｂでは、図１０Ａのベア・ダイ３０２に接着剤３０４が塗布されている。図１０Ｃでは、ダイマウント３０６が接着剤３０４を介してベア・ダイ３０２へ取り付けられている。図１０Ｄでは、ダイがフィクスチャ３０８及び接地に取り付けられ、必要に応じた厚さにされる。図１０Ｅでは、ダイ組立体１０２が、フレキシブル誘電体基板１４４への実装へ向けて準備されている。

光信号変調用の第２の光電子回路が、図１１Ａ〜図１１Ｄに断面で示されている。図１１Ａでは、マイクロストリップ導波路１２４が第１のフレキシブル誘電体基板１４４に施工されている。ＭＭＩＣ１０２は、第１のフレキシブル誘電体基板１４４にマウントされており、マイクロストリップ導波路１２６に電気的接続が形成されている。図１１Ｂでは、接着層３０４及びダイマウント３０６が取り除かれている。金属被覆が接地接続部及び裏面接続部として付加されている。図１１Ｃでは、光電子回路１００においては単一の層として動作する第２のフレキシブル誘電体基板１４８が、第１のフレキシブル誘電体基板１４４を覆って積層され（例えば、１５６において接着接合され）ている。ポリマーベースのＭＺＩ１０４は、キャビティ１８０内に配置され、ＲＦ接続部１２８及び接地接続部１３０がそこに形成されている。単一のＭＭＩＣ駆動デバイス１０２では、調整された伝送線路１２４、１２６を用いてＭＭＩＣからＭＺＩへ接続が形成される。ＭＺＩ１０４の２つのアーム１１０及び１１２がプッシュ・プル方式で駆動される二重駆動型光電子回路では、フレキシブル誘電体基板の第３の層１５８が追加される（図１１Ｄ）。好ましい実施形態の全ての主要な利点が当てはまる。この方式は、製造の容易さ、及び最終構成要素のサイズが小さいという利点を持つことができる。更に、この実施形態は、既に使用されている他のデバイス製造技術とより大きな互換性を有し、従って、より高度な集積化を行うことができる。

図１２を参照すると、二重駆動型光電子回路の平面図が示されている。二重駆動型光電子回路は、一対の前置増幅器１４０ａ、１４０ｂを備え、各々が伝送線路１３６ａ及び１３６ｂを介してＲＦ変調信号１３２ａ、１３２ｂを受け入れる。前置増幅器１４０ａ、１４０ｂは、ＲＦ変調信号１３２ａ、１３２ｂを増幅する。増幅されたＲＦ変調信号１５２ａ、１５２ｂは、交互に（時分割多重方式に類似する方法で）マイクロストリップ伝送線路１２４ａ、１２４ｂに沿って一対のタンデム式進行波増幅器１６０ａ、１６０ｂ、１６２ａ、１６２ｂへ誘導される。進行波増幅器１６０ａ、１６０ｂ、１６２ａ、１６２ｂは、ポリマーベースのＭＺＩ１０４において光信号１５４、１５６を変調するためのＲＦ電極１２８の両側に配置されている。進行波増幅器１６２ａ、１６２ｂは、例えば、ボンディングパッド上の伝導性バンプを介した、フレキシブル誘電体基板上へのフェースダウン電子構成部品の直接電気接続などのフリップチップ構成となっている。

第３の光信号変調用光電子回路が、図１３Ａ〜図１３Ｅの断面図で示されている。図１３Ａでは、マイクロストリップ導波路１２４は、ポリマーベースのＭＺＩ１０４が埋設された（一方の分岐路のみが１１０、１１２、１０６に示されている）フレキシブル誘電体基板１４４に施工されている。ＲＦ電極１２８及び接地電極１３０は、ＭＺＩ分岐路を挟んで両側に配置されている。図１３Ｂでは、ダイマウント１６８に固定された進行波増幅器１６０ａが、ＲＦ電極１２８及び適切なバイア接続部１７０に接続されている。更に、図１３Ｃでは、ダイマウント１６８及び接着層（図示せず）が取り除かれている。

図１３Ｄでは、図１３Ａ〜図１３Ｃの組立対が第２のフレキシブル基板１７６と接着接合されている。第２のフレキシブル誘電体基板１７６は、形成された進行波増幅器１６２ａを含み、これにより進行波増幅器１６０ａ及び１６２ａがＭＺＩを挟んで両側に配置される。図１３Ｄでは、図１３Ａ〜図１３Ｃの組立体がまた、封入材料１７４で密閉され、進行波増幅器１６０ａを冷却するために熱交換器１６８と接触される。引き続き図１３Ｄにおいて、進行波増幅器１６２ａを含む第２のフレキシブル誘電体基板１７４は、フレキシブル誘電体基板１４４と接着結合され、これによって図１２の構成が可能となる。

図１３Ｅでは、進行波増幅器１６０ａ、１６２ａの構成の第２の実施形態が、断面図で示されている。ＭＺＩ１０４を含むフレキシブル誘電体基板１４４は、進行波増幅器１６０ａを含むフレキシブル誘電体基板１７８と接着接合され、熱交換器１６８と連通される。フレキシブル誘電体基板１４４内のＭＺＩ１０４のＲＦ電極１２８は、バンプ・マウント１７２を介して進行波増幅器１６０ａと電気的に接続される。同様に図１３Ｅにおいて、進行波増幅器１６２ａが配置されたフレキシブル誘電体基板１８０が、フレキシブル誘電体基板１４４と接着接合されている。フレキシブル誘電体基板１７８上に配置された進行波増幅器１６２ａは、ＭＺＩ１０４に接続されている。

第１、第２など、又は前後、右左、上下、上側下側、及び水平と垂直、或いは別のものに対するある変数又は数量に関する他のどのような語句に対するすべての言及は、特に記載がない限り説明を容易にするためのものであり、任意の１つの位置又は空間的な方向に対して本発明又はその構成要素を限定するものではない。添付図面の構成要素のすべての寸法は、本発明の範囲から逸脱することなく、実施形態の可能な設計及び意図された用途に応じて変えることができる。

本発明を幾つかの実施形態に関連して説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更を行うことができ、均等物をその要素と置き換え得ることは、当業者には理解されるであろう。加えて、その本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に対して適合させるために多くの修正を行うことができる。従って本発明は、本発明を実施するために企図された最良の形態として開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明は添付の請求項に包含されるすべての実施形態を含むことが意図されている。

光信号変調用の光電子集積回路の概略図。 図１の光電子集積回路用のＲＦ電力増幅器及び位相制御回路の概略図。 図２のＲＦ電力増幅器及び位相制御回路用の電子回路の概略図。 モノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）及びマッハ・ツェンダー干渉計をフレキシブル誘電体基板上に含む光電子集積回路の部分側断面図。 マイクロ波電波吸収体及び熱交換器を含む図４の光電子集積回路の側断面図。 ＭＭＩＣ及びＭＺＩ間の変調信号の電気的相互接続を示す、フレキシブル誘電体基板を含んだ図４及び図５の光電子集積回路の側断面図。 ＭＭＩＣとＭＺＩ間の接地帰還信号の電気的相互接続を示す、フレキシブル誘電体基板を含んだ図４及び図５の光電子集積回路の側断面図。 図６及び図７の光電子集積回路の断面図。 図６及び図７の光電子集積回路の平面図。 図４〜図８の光電子回路で使用するＭＭＩＣダイの製造方法の線図。 図４〜図８の光電子回路で使用するＭＭＩＣダイの製造方法の線図。 図４〜図８の光電子回路で使用するＭＭＩＣダイの製造方法の線図。 図４〜図８の光電子回路で使用するＭＭＩＣダイの製造方法の線図。 図４〜図８の光電子回路で使用するＭＭＩＣダイの製造方法の線図。 図４〜図８の光電子回路の製造方法を示す線図。 図４〜図８の光電子回路の製造方法を示す線図。 図４〜図８の光電子回路の製造方法を示す線図。 図４〜図８の光電子回路の製造方法を示す線図。 図６及び図７の光電子集積回路の第２実施形態を示す平面図。 図１２の光電子集積回路の製造方法を示す線図。 図１２の光電子集積回路の製造方法を示す線図。 図１２の光電子集積回路の製造方法を示す線図。 図１２の光電子集積回路の製造方法を示す線図。 図１２の光電子集積回路の製造方法を示す線図。

符号の説明

１００ 光電子集積回路
１０２ モノリシック・マイクロ波集積回路
１０４ マッハ・ツェンダー干渉計
１０６ キャビティ
１０８ 入力チャネル
１１０ 第１の分岐路
１１２ 第２の分岐路
１１４ ビームスプリッタ
１１６ ビームコンバイナ
１１８ 出口経路
１２０ 光信号
１２２ 変調された光信号
１２４ 出力用伝送線路
１２６ 接地信号帰還用伝送線路
１２８ 信号電極
１３０ 接地電極
１３２、１３２ａ、１３２ｂ ＲＦ変調信号
１３６、１３６ａ、１３６ｂ 入力伝送線路
１４０ ポーリング電極
１４０ａ、１４０ｂ 前置増幅器
１４２ 回路接続
１４４ 第１フレキシブル誘電体基板
１４８ 第２フレキシブル誘電体基板
１４６ マイクロ波吸収プラスチックケース又はカプセル
１５０ 接地帰還信号
１５２、１５２ａ、１５２ｂ ＲＦ変調信号
１５４分割された光線
１５６ 分割された光線
１５６ 接着部（図１１Ｃ）
１５８ 第３フレキシブル誘電体基板
１６０ａ、１６０ｂ 進行波増幅器
１６２ａ、１６２ｂ 進行波増幅器
１６８ ダイマウント
１６８ 熱交換器（図１３Ｅ）
１７０ バイア接続部伝送線路
１７２ バンプ・マウント
１７４ 封入材料（図１３Ｄ）
１７４ 第２フレキシブル誘電体基板（図１３Ｄ）
１７６ 第２フレキシブル誘電体基板
１７８ フレキシブル誘電体基板
１８０ キャビティ（図１１Ｃ）
１８０ フレキシブル誘電体基板（図１３Ｅ）
２０２ ＲＦ電力増幅器
２０４ 位相オフセット回路
２０６ 電力分配器
２０８ 増幅器
２１２ インピーダンス整合
２１４ インピーダンス整合
２１６ 電力コンバイナ
２２４ 演算増幅回路
２３２ 位相オフセット信号
２３４ 位相オフセット信号伝送線路（ＤＣバイアス）
２４０ 受動素子
２４２ バイアス・ティー構造
２４８ ランド・パッド
３０２ ベア・ダイ
３０４ 接着層
３０６ ダイマウント
３０８ ダイ装着基板

Claims (17)

1. 第１の表面と相対する第２の表面とを有する第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）と、
   前記フレキシブル誘電体基板上に配置されるか又は内部に埋設されて、光信号（１２０）を受け入れるポリマー電気光学導波路と、
   前記電気光学導波路に沿って配置された接地電極（１３０）と、
   前記電気光学導波路に沿って前記接地電極（１３０）の反対側に配置された信号電極（１２８）と、
   変調信号を受け入れる第１の変調器を含み、前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）上に配置された第１のマイクロチップと、
   前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）上に配置され、前記接地電極（１３０）を前記変調器へ結合する第１のパターン付けされた金属被覆層と、
   第１の表面と相対する第２の表面とを有し、前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）に沿って前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）の前記第１の表面上に積層された第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）と、
   前記第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）上に配置され、前記信号電極を前記変調器へ結合する第２のパターン付けされた金属被覆層と、
   を備える光電子集積回路（１００）。
2. 前記第１及び第２のパターン付けされた金属被覆層及び前記信号電極が、マイクロストリップ伝送線路を含む請求項１に記載の光電子集積回路１００。
3. 前記第１及び第２の誘電体基板が、ポリアミド・ポリマーから構成される請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
4. 前記電気光学導波路が、マッハ・ツェンダー干渉計を含む請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
5. 前記ポリマー電気光学導波路を分極するためのポーリング電極（１４０）を更に備える請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
6. 前記変調器が、モノリシック・マイクロ波集積回路（１０２）を含む請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
7. 前記変調器を冷却するために、前記マイクロチップとの熱的に接触する熱交換器を更に備える請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
8. 前記電気光学導波路が、前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）の第１の表面に配置され、前記マイクロチップが前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）の第２の表面位置にある請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
9. 前記電気光学導波路が、前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）と第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）との間に配置されている請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
10. 前記ポーリング電極（１４０）が、前記第１の誘電体基板の第２の表面に配置されている請求項５に記載の光電子集積回路（１００）。
11. 前記ポリマー電気光学導波路が、ポリ（アクリル酸）、ポリ（アルキルメタクリレート）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、シリコーン、又はアルキル基が１個〜約１２個の炭素原子を有するこれらの混合物を含む請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
12. 前記ポリ（アルキルメタクリレート）が、ポリ（メチルメタクリル酸）からなる請求項１１に記載の光電子集積回路（１００）。
13. 前記第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）に沿って配置された第３のフレキシブル誘電体基板と、
    前記第３のフレキシブル誘電体基板上に配置され、前記接地電極（１３０）に結合された第２の変調器を含む第２のマイクロチップと、
    を更に備え、
    前記第１の変調器が前記信号電極に結合されている請求項１に記載の光電子集積回路（１００）。
14. 光電子集積回路（１００）を製造する方法であって、
    変調器を含むマイクロチップを第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）に配置し、
    ポリマー電気光学導波路を前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）上又は内部に配置し、
    接地電極（１３０）を前記電気光学導波路に沿って配置し、
    信号電極を前記電気光学導波路に沿って前記接地電極（１３０）と反対側に配置し、
    第１のパターン付けされた金属被覆を前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）に施工することによって前記接地電極（１３０）と前記変調器とを結合し、
    前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）に沿って第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）を前記第１のフレキシブル誘電体基板（１４４）の前記第１の表面上に積層し、
    前記第１及び第２のフレキシブル誘電体基板（１４４、１４８）において複数のビアホールを設け、
    第２のパターン付けされた金属被覆を前記第２のフレキシブル誘電体基板（１４８）に施工することにより前記信号電極と前記変調器とを結合する、
    ことを含む方法。
15. 前記変調器を冷却するために、前記マイクロチップと熱接触する熱交換器を設けることを更に含む請求項１４に記載の方法。
16. 前記マイクロチップをマイクロ波吸収体内に封入することを更に含む請求項１４に記載の方法。
17. 前記ポリマー電気光学導波路を分極することを更に含む請求項１４に記載の方法。

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