JP4419786B2 - 光ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
〔第1の実施の形態〕
図1は、本発明の第1の実施の形態の光ピックアップ1の光学系を示す構成図、図2はこの光学系の各ブロックの配置を示す側方図である。
スポットは、図3に示すように、第1半導体レーザ11から出射される青紫色レーザの光
スポットS1については、楕円形状でその長軸がデータトラック列Tにほぼ直交する向きにされ、第2半導体レーザ21から出射されるCD,DVD用のレーザ光の光スポットS2,S3については、楕円形状でその長軸がデータトラック列Tに約45度で交差する向きにされる。
〔第2の実施の形態〕
図4は、本発明の第2の実施の形態の光ピックアップ1Aの光学系を示す構成図である。
11 第1半導体レーザ(第1レーザ出力手段)
13 偏光ビームスプリッタ(第1ビームスプリッタ:第1偏光ビームスプリッタ)
16 第1光センサ
21 第2半導体レーザ(第2レーザ出力手段)
23 偏光ビームスプリッタ(第2ビームスプリッタ:第2偏光ビームスプリッタ)
25 第2光センサ
31 ビームスプリッタ(第3ビームスプリッタ)
36 対物レンズ
S1〜S3 光スポット
Claims (6)
- 波長の異なる3種類のレーザ光を1個の対物レンズにより光ディスクの記録面にそれぞれ集光させてデータの記録又は再生を可能とする光ピックアップ装置において、
波長405nm±5%のレーザ光を出力する第1半導体レーザ素子と、
波長660nm±5%のレーザ光と波長785nm±5%のレーザ光とを出力する第2半導体レーザ素子と、
第1半導体レーザ素子からの進行ビームと光ディスクからの反射ビームとを分離する第1偏光ビームスプリッタと、
該第1偏光ビームスプリッタにより分離された反射ビームを検出する第1光センサと、
第2半導体レーザ素子からの進行ビームと光ディスクからの反射ビームとを分離する第2偏光ビームスプリッタと、
該第2偏光ビームスプリッタにより分離された反射ビームを検出する第2光センサと、
前記第1偏光ビームスプリッタ側の光路と前記第2偏光ビームスプリッタ側の光路とを分離する反射率と透過率に波長特性を有したプレート型の第3ビームスプリッタとを備え、
前記第2半導体レーザ素子、前記第2偏光ピームスプリッタおよび前記第2光センサは、前記第1半導体レーザ素子、前記第1偏光ビームスプリッタおよび前記第1光センサ間のレーザ光の光軸と重なる第1の平面に対して、前記第2半導体レーザ素子、前記第2偏光ビームスプリッタおよび前記第2光センサ間のレーザ光の光軸と重なる第2の平面が、前記第3ビームスプリッタと前記第2偏光ビームスプリッタ間の光軸を中心に、回転角度が45度±10度の傾きになるように配置され、
この配置により、第1半導体レーザ素子から出力されるレーザ光は、楕円形状の光スポットの長軸が光ディスクのデータトラック列と直交するように照射され、第2半導体レーザ素子から出力されるレーザ光は、楕円形状の光スポットの長軸が光ディスクのデータトラック列と45度±10度の傾きをなすように照射されることを特徴とする光ピックアップ装置。 - 波長の異なる複数種類のレーザ光を1個の対物レンズにより光ディスクの記録面にそれぞれ集光させてデータの記録又は再生を可能とする光ピックアップ装置において、
第1波長のレーザ光を出力する第1レーザ出力手段と、
前記第1レーザ出力手段から光ディスクへ向かう進行ビームと光ディスクからの反射ビームとを分離する第1ビームスプリッタと、
前記第1ビームスプリッタにより分離された反射ビームを検出する第1光センサと、
第2波長のレーザ光を出力する第2レーザ出力手段と、
前記第2レーザ出力手段から光ディスクへ向かう進行ビームと光ディスクを反射してき
た反射ビームとを分離する第2ビームスプリッタと、
前記第2ビームスプリッタにより分離された反射ビームを検出する第2光センサと、
前記第1ビームスプリッタ側の光路と前記第2ビームスプリッタ側の光路とを分離する第3ビームスプリッタとを備え、
前記第2レーザ出力手段、前記第2ビームスプリッタおよび前記第2光センサは、前記第1レーザ出力手段、前記第1ビームスプリッタおよび前記第1光センサ間のレーザ光の光軸と重なる第1の平面に対して、前記第2レーザ出力手段、前記第2ビームスプリッタおよび前記第2光センサ間のレーザ光の光軸と重なる第2の平面が、前記第3ビームスプリッタと前記第2ビームスプリッタ間の光軸を中心に、回転角度が45度±10度の傾きになるように配置され、
前記第1レーザ出力手段および前記第2レーザ出力手段から出射されるレーザ光の光スポットは楕円形状であり、
前記第1レーザ出力手段のレーザ光は、光スポットの長軸が光ディスクのデータトラック列と直交するように照射され、
前記第2レーザ出力手段のレーザ光は、光スポットの長軸が光ディスクのデータトラック列に対して45度±10度の傾きをなすように照射されることを特徴とする光ピックアップ装置。 - 前記第2レーザ出力手段は第2波長のレーザ光を出力するフォトダイオードと第3波長のレーザ光を出力するフォトダイオードとが1つにパッケージングされた2波長半導体レーザ素子であり、
前記第2光センサには前記第2波長の反射ビームを検出する検出面と前記第3波長の反射ビームを検出する検出面とが形成されていることを特徴とする請求項2に記載の光ピックアップ装置。 - 前記第1レーザ出力手段は、波長405nm±5%のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であり、
前記第2レーザ出力手段は、波長660nm±5%のレーザ光と波長785nm±5%のレーザ光とを出力する半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項3記載の光ピックアップ装置。 - 前記第3ビームスプリッタは、前記第1レーザ出力手段から出力され前記第1ビームスプリッタを介して入射するレーザ光と、前記第2レーザ出力手段から出力され前記第2ビームスプリッタを介して入射するレーザ光とを光ディスク側に送るとともに、光ディスクからの反射ビームを前記第1ビームスプリッタ側の光路と前記第2ビームスプリッタ側の光路とに分離して送ることを特徴とする請求項2〜4の何れかに記載の光ピックアップ装置。
- 前記第3ビームスプリッタは、第1波長の光に対して透過率が高く第2波長の光に対して反射率が高い波長特性を有するプレート型のビームスプリッタであることを特徴とする請求項2〜5の何れかに記載の光ピックアップ装置。
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JP2004300638A JP4419786B2 (ja) | 2004-10-14 | 2004-10-14 | 光ピックアップ装置 |
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JP2006114132A JP2006114132A (ja) | 2006-04-27 |
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