JP4408143B2 - シクロペンタジエン誘導体の製造方法 - Google Patents
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シクロペンタジエン誘導体の製造方法に関するものである。シクロペンタジエン誘導体は触媒の配位子、医薬品や農薬、電子材料の合成中間体として有用な物質である。
【０００２】
【従来の技術】
従来、遷移金属を利用したアセチレン類２分子とアルケニルハライドとの反応により一般式（４）に示すような、５つの置換基を持つシクロペンタジエン誘導体を合成する方法は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９８，３９，４３２１に見られるように報告例はあるが、従来の方法では遷移金属化合物を量論量用いなければならなかった。２分子のアセチレン類とアルケニルハライドとの反応により触媒的にシクロペンタジエン誘導体を製造する方法はこれまで知られていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記実情を鑑み鋭意努力して達成されたもので、その目的は アセチレン２分子とアルケニルハライドとを触媒量の遷移金属化合物を用いて、還元剤存在下シクロペンタジエン誘導体を触媒的に製造する新規な製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、まず、下記一般式（１）で表されるアセチレン類と下記一般式（２）で表されるアルケニルハライドとを還元剤存在下、触媒量の遷移金属化合物を用いて反応させることを特徴とする下記一般式（４）で表されるシクロペンタジエン誘導体の製造方法に存する。
【０００５】
【化２】
【０００６】
（一般式（１）および（４）中、Ｒ 1 は炭素数１〜１０のアルキル基、または置換基を有していてもよい芳香族基を表す。一般式（２）および（４）中、Ｒはエチルカルボキシレート基を表し、Ｘはハロゲン化物イオンを表し、一般式（２）のオレフィンはシス体でもトランス体でもよい。一般式（３）中、Ｙはハロゲン化物イオンを表し、Ｍはニッケル、コバルト、ロジウムまたはパラジウムから選択される遷移金属を表し、ｎは２〜４の整数を表す。）
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。まず、下記一般式（１）で表されるアセチレン類について説明する。
【０００８】
【化３】
【０００９】
一般式（１）のＲ 1 の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル等のアルキル基、フェニル、ナフチル、トリル、キシリル、チエニル等の芳香族基、等が挙げられる。
【００１０】
次に下記一般式（２）で表されるアルケニルハライドについて説明する。
【００１１】
【化４】
【００１２】
Ｘはハロゲン化物イオンを表し、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ素化物イオンが好ましい。さらに好ましくは臭化物イオンとヨウ素化物イオンである。
【００１３】
一般式（２）中のＲはエチルカルボキシレート基であり、オレフィン部分はトランス体でもシス体でもどちらでもよい。
【００１４】
に下記一般式（３）で表される遷移金属化合物について説明する。
【００１５】
【化５】
【００１６】
Ｍは遷移金属を表す。遷移金属は周期律表上の３〜１０族の金属を意味する。遷移金属としては、特に制限されないが、好ましくは６〜１０族の遷移金属、更に好ましくは、ニッケル、コバルト、パラジウム、ロジウム等の９〜１０族の遷移金属化合物である。
【００１７】
用いるこれらの遷移金属化合物の量は０．０００１〜０．５当量で、好ましくは０．００１〜０．３当量である。
【００２０】
一般式（３）中、Ｙはハロゲン化物イオンを表し、ｎは２〜４の整数を表す。
【００２１】
用いる還元剤としてはリチウム、ナトリウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、等の金属のほか、金属アマルガム、リチウムアルミニウムハイドライド、リチウムヒドリド、アルキルマグネシウム、アルキルアルミニウム、アルキルアルミニウムヒドリド等の金属水素化物、水素、一酸化炭素、有機ケイ素化合物、ホスフィンなどが挙げられる。このなかで好ましいのは、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、ナトリウム等の金属とそのアマルガムである。さらに好ましいのはマグネシウムおよび亜鉛である。
【００２２】
これらの還元剤の量はアセチレン類に対して通常０．００１〜１００当量、好ましくは０．１〜５当量用いるのがよい。
【００２３】
各工程は非プロトン性溶媒の存在下、窒素やアルゴン等の不活性ガス下で行うのが好ましい。非プロトンの溶媒としては、例えば、トルエンのような炭化水素溶媒、クロロベンゼン、メチレンクロリドのようなハロゲン化炭化水素溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシメタンのようなエーテル系溶媒、アセトニトリル等が挙げられる。これらの中で好ましくはアセトニトリルを用いるのがよい。
【００２４】
【実施例】
次に実施例により、本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるべきものではない。
【００２５】
実施例１
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラエチルシクロペンタジエン
【００２６】
【化６】
【００２７】
窒素下にしたシュレンク反応管に５ｍｌのアセトニトリルと３−ヘキシンを３ｍｍｏｌおよび１ｍｍｏｌのエチル−３−ブロモプロペノエートを加え、０．１ｍｍｏｌの臭化ニッケルと１．５ｍｍｏｌの亜鉛を加え、５０℃で４８時間反応させると、目的とする１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラエチルシクロペンタジエンが収率９９％で得られた。
【００２８】
実施例２
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラプロピルシクロペンタジエン
【化７】
【００２９】
実施例１において３−ヘキシンの代わりに４−オクチンを用いると１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラプロピルシクロペンタジエンを収率９０％で得た。
【００３０】
実施例３
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラフェニルシクロペンタジエン
【００３１】
【化８】
【００３２】
実施例１において３−ヘキシンの代わりにジフェニルアセチレンを用いると１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラフェニルシクロペンタジエンを収率３８％で得た。
【００３３】
比較例１
実施例１において臭化ニッケルを加えずに反応をおこなったところシクロペンタジエン誘導体は全く得られなかった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の製造法はアセチレン類とアルケニルハライドとから、還元剤存在下、遷移金属を触媒量用いてシクロペンタジエン誘導体を製造する方法であり、簡便で効率の良い製造方法を提供することができる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、シクロペンタジエン誘導体の製造方法に関するものである。シクロペンタジエン誘導体は触媒の配位子、医薬品や農薬、電子材料の合成中間体として有用な物質である。
【０００２】
【従来の技術】
従来、遷移金属を利用したアセチレン類２分子とアルケニルハライドとの反応により一般式（４）に示すような、５つの置換基を持つシクロペンタジエン誘導体を合成する方法は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９８，３９，４３２１に見られるように報告例はあるが、従来の方法では遷移金属化合物を量論量用いなければならなかった。２分子のアセチレン類とアルケニルハライドとの反応により触媒的にシクロペンタジエン誘導体を製造する方法はこれまで知られていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記実情を鑑み鋭意努力して達成されたもので、その目的は アセチレン２分子とアルケニルハライドとを触媒量の遷移金属化合物を用いて、還元剤存在下シクロペンタジエン誘導体を触媒的に製造する新規な製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の要旨は、まず、下記一般式（１）で表されるアセチレン類と下記一般式（２）で表されるアルケニルハライドとを還元剤存在下、触媒量の遷移金属化合物を用いて反応させることを特徴とする下記一般式（４）で表されるシクロペンタジエン誘導体の製造方法に存する。
【０００５】
【化２】
（一般式（１）および（４）中、Ｒ 1 は炭素数１〜１０のアルキル基、または置換基を有していてもよい芳香族基を表す。一般式（２）および（４）中、Ｒはエチルカルボキシレート基を表し、Ｘはハロゲン化物イオンを表し、一般式（２）のオレフィンはシス体でもトランス体でもよい。一般式（３）中、Ｙはハロゲン化物イオンを表し、Ｍはニッケル、コバルト、ロジウムまたはパラジウムから選択される遷移金属を表し、ｎは２〜４の整数を表す。）
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。まず、下記一般式（１）で表されるアセチレン類について説明する。
【０００８】
【化３】
一般式（１）のＲ 1 の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル等のアルキル基、フェニル、ナフチル、トリル、キシリル、チエニル等の芳香族基、等が挙げられる。
【００１０】
次に下記一般式（２）で表されるアルケニルハライドについて説明する。
【００１１】
【化４】
Ｘはハロゲン化物イオンを表し、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ素化物イオンが好ましい。さらに好ましくは臭化物イオンとヨウ素化物イオンである。
【００１３】
一般式（２）中のＲはエチルカルボキシレート基であり、オレフィン部分はトランス体でもシス体でもどちらでもよい。
【００１４】
に下記一般式（３）で表される遷移金属化合物について説明する。
【００１５】
【化５】
Ｍは遷移金属を表す。遷移金属は周期律表上の３〜１０族の金属を意味する。遷移金属としては、特に制限されないが、好ましくは６〜１０族の遷移金属、更に好ましくは、ニッケル、コバルト、パラジウム、ロジウム等の９〜１０族の遷移金属化合物である。
【００１７】
用いるこれらの遷移金属化合物の量は０．０００１〜０．５当量で、好ましくは０．００１〜０．３当量である。
【００２０】
一般式（３）中、Ｙはハロゲン化物イオンを表し、ｎは２〜４の整数を表す。
【００２１】
用いる還元剤としてはリチウム、ナトリウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、等の金属のほか、金属アマルガム、リチウムアルミニウムハイドライド、リチウムヒドリド、アルキルマグネシウム、アルキルアルミニウム、アルキルアルミニウムヒドリド等の金属水素化物、水素、一酸化炭素、有機ケイ素化合物、ホスフィンなどが挙げられる。このなかで好ましいのは、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、ナトリウム等の金属とそのアマルガムである。さらに好ましいのはマグネシウムおよび亜鉛である。
【００２２】
これらの還元剤の量はアセチレン類に対して通常０．００１〜１００当量、好ましくは０．１〜５当量用いるのがよい。
【００２３】
各工程は非プロトン性溶媒の存在下、窒素やアルゴン等の不活性ガス下で行うのが好ましい。非プロトンの溶媒としては、例えば、トルエンのような炭化水素溶媒、クロロベンゼン、メチレンクロリドのようなハロゲン化炭化水素溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシメタンのようなエーテル系溶媒、アセトニトリル等が挙げられる。これらの中で好ましくはアセトニトリルを用いるのがよい。
【００２４】
【実施例】
次に実施例により、本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらのみに限定されるべきものではない。
【００２５】
実施例１
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラエチルシクロペンタジエン
【００２６】
【化６】
窒素下にしたシュレンク反応管に５ｍｌのアセトニトリルと３−ヘキシンを３ｍｍｏｌおよび１ｍｍｏｌのエチル−３−ブロモプロペノエートを加え、０．１ｍｍｏｌの臭化ニッケルと１．５ｍｍｏｌの亜鉛を加え、５０℃で４８時間反応させると、目的とする１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラエチルシクロペンタジエンが収率９９％で得られた。
【００２８】
実施例２
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラプロピルシクロペンタジエン
【化７】
実施例１において３−ヘキシンの代わりに４−オクチンを用いると１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラプロピルシクロペンタジエンを収率９０％で得た。
【００３０】
実施例３
１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラフェニルシクロペンタジエン
【００３１】
【化８】
実施例１において３−ヘキシンの代わりにジフェニルアセチレンを用いると１−エトキシカルボニルメチル−２、３、４、５−テトラフェニルシクロペンタジエンを収率３８％で得た。
【００３３】
比較例１
実施例１において臭化ニッケルを加えずに反応をおこなったところシクロペンタジエン誘導体は全く得られなかった。
【００３４】
【発明の効果】
本発明の製造法はアセチレン類とアルケニルハライドとから、還元剤存在下、遷移金属を触媒量用いてシクロペンタジエン誘導体を製造する方法であり、簡便で効率の良い製造方法を提供することができる。
Claims (1)
- 下記一般式（１）で表されるアセチレン類と下記一般式（２）で表されるアルケニルハライドとを下記一般式（３）で表される遷移金属化合物を触媒として、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、金属アマルガム、金属水素化物からなる群から選択される還元剤存在下、反応させることを特徴とする下記一般式（４）で表されるシクロペンタジエン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22749198A JP4408143B2 (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | シクロペンタジエン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22749198A JP4408143B2 (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | シクロペンタジエン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000026321A JP2000026321A (ja) | 2000-01-25 |
| JP4408143B2 true JP4408143B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=16861729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22749198A Expired - Fee Related JP4408143B2 (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | シクロペンタジエン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4408143B2 (ja) |
-
1998
- 1998-07-06 JP JP22749198A patent/JP4408143B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000026321A (ja) | 2000-01-25 |
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