JP4397792B2 - 化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
「High rate epitaxial lift-off of InGaP films from GaAs substrates」, J.J.Schermer, et al, Applied Physics Letters, Volume 76,No.15,2131P-2133P
図1は、本実施例において用いた、p−GaAs基板11上にエピタキシャル成長させた、InGaP太陽電池20のエピタキシャル層の断面図を示している。同図に示すように、本実施例においては、GaAs基板11上形成されたAlAs中間層12上にInGaP太陽電池20を形成した。
p−GaAs基板11上に、当該p−GaAs基板11と、InGaP太陽電池20を構成する中間層とを分離するためのAlAs中間層12を形成した後に、当該AlAs中間層12上にInGaP太陽電池20を形成した。なお、AlAs層12の成長においては、原料として、TMAl及びAsH3を用いた。また、本実施例においては、p−GaAs基板11として2インチφp−GaAs基板を用いた。
Claims (6)
- 支持基板と化合物半導体素子とを接合している接着物を冷却し、支持基板と化合物半導体とを分離する冷却分離工程を含んでいることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
- 上記冷却分離工程が、接着物により接合されている支持基板と化合物半導体素子とを液体に浸して、支持基板と化合物半導体とを分離する工程であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 上記冷却分離工程における液体が、液体窒素であることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 上記接着物が、ワックスであることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 上記化合物半導体素子が反射防止膜を介して上記支持基板に接合されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の化合物半導体素子の製造方法。
- 上記反射防止膜は、TiO2とMgF2とからなるものであることを特徴とする請求項5に記載の化合物半導体素子の製造方法。
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