JP4396386B2

JP4396386B2 - 過電流保護回路

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Publication number: JP4396386B2
Application number: JP2004143131A
Authority: JP
Inventors: 義寛松本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2004-05-13
Filing date: 2004-05-13
Publication date: 2010-01-13
Anticipated expiration: 2024-05-13
Also published as: JP2005328606A

Description

本発明は、スイッチング電源回路に組み込まれる過電流保護回路に関するものである。

図５にはスイッチング電源回路の一構成例が簡略化されて示されている。このスイッチング電源回路１は絶縁型のスイッチング電源回路であり、当該スイッチング電源回路１はトランス２を有する。トランス２の一次コイルＮ１側にはメインスイッチ素子Ｑが設けられると共に、そのメインスイッチ素子Ｑのスイッチング動作を制御する制御回路３が設けられている。また、トランス２の二次コイルＮ２側には出力側整流平滑回路４が設けられている。さらに、このスイッチング電源回路１には、過電流保護回路５と、出力電圧検出部６とが設けられている。

このスイッチング電源回路１では、制御回路３のスイッチング制御に基づいたメインスイッチ素子Ｑのスイッチオン・オフ動作により、外部の入力電源Ｅから入力電圧Ｖinが入力し当該入力電圧Ｖinに基づいた電流が一次コイルＮ１に通電する。この一次コイルＮ１の通電により二次コイルＮ２に電圧が誘起され当該電圧が出力される。出力側整流平滑回路４は、整流用のダイオード７，８と、平滑用のチョークコイル９とコンデンサ１０とを有して構成されており、当該出力側整流平滑回路４は、二次コイルＮ２の出力電圧をダイオード７，８により整流し、また、チョークコイル９とコンデンサ１０により平滑して直流電圧を作り出し当該直流電圧Ｖoutを負荷１１に出力する構成となっている。

出力電圧検出部６は、スイッチング電源回路１から負荷１１に出力される電圧Ｖoutを検出出力する構成を備えており、制御回路３は、その出力電圧検出部６による出力電圧Ｖoutの検出電圧Ｖkに基づいて、出力電圧Ｖoutを予め定めた設定の電圧値に安定化すべく、例えば、ＰＷＭ方式によりメインスイッチ素子Ｑのスイッチング制御を行う。

図６（ａ）には、ＰＷＭ方式によりメインスイッチ素子Ｑのスイッチング制御を行うための回路構成例が示されている。この図６（ａ）に示される回路は、エラーアンプ１３と、基準電源１４と、三角波発生部１５と、コンパレータ１６とを有して構成されている。エラーアンプ１３は、出力電圧検出部６から出力される検出電圧Ｖkと、基準電源１４から出力される基準電圧Ｖ₁₄との差分に応じた電圧Ｖerを出力する。三角波発生部１５は、図６（ｂ）の実線Ａに示されるような三角波を出力する。

コンパレータ１６は、その三角波発生部１５の三角波と、エラーアンプ１３の出力電圧Ｖerとを比較し、エラーアンプ１３の出力電圧Ｖerよりも三角波が大きくなる期間中には、メインスイッチ素子Ｑをスイッチオン動作させるためのドライブパルス（オン信号）を出力する。具体的には、例えば、エラーアンプ１３から図６（ｂ）の点線Ｂに示される電圧レベルの電圧Ｖerが出力されている場合には、コンパレータ１６からは、その電圧Ｖerと三角波との比較に基づいて図６（ｂ）の実線Ｓの波形例に示されるようなパルス信号が出力される。コンパレータ１６からドライブパルス（オン信号）が出力されているときにはメインスイッチ素子Ｑはスイッチオン動作し、ドライブパルスの出力が停止しているとき（オフ信号のとき）にはメインスイッチ素子Ｑはスイッチオフする。

この例では、スイッチング電源回路１から出力される出力電圧Ｖoutが設定の電圧値よりも上昇すると、エラーアンプ１３の出力電圧Ｖerも上昇する。例えば、エラーアンプ１３の出力電圧Ｖerが図６（ｂ）の鎖線Ｂ’に示されるような電圧レベルに上昇すると、その電圧Ｖerと三角波との比較に基づいてコンパレータ１６から出力されるドライブパルスの幅は、図６（ｂ）の実線Ｓ’の波形例に示されるように狭くなる。これにより、メインスイッチ素子Ｑのスイッチオン期間が短くなって、出力電圧Ｖoutの上昇が補正される。反対に、スイッチング電源回路１の出力電圧Ｖoutが設定値よりも低下すると、エラーアンプ１３の出力電圧Ｖerが低下して、コンパレータ１６から出力されるドライブパルスの幅が広がる。これにより、メインスイッチ素子Ｑのスイッチオン期間が長くなって、出力電圧Ｖoutの低下分が補償される。

このような制御回路３によるメインスイッチ素子Ｑのスイッチング制御動作により、スイッチング電源回路１の出力電圧Ｖoutの安定化が図られている。

過電流保護回路５は、スイッチング電源回路１に過電流が通電していることを検知したときに、スイッチング電源回路１に過電流保護動作を行わせるための回路構成を有している。図５に示される例では、過電流保護回路５は、抵抗体１８，１９，２０と、トランジスタ素子（バイポーラトランジスタ）２１と、ダイオード２２と、コンデンサ２３とを有して構成されている。抵抗体２０は、メインスイッチ素子Ｑのソースとグランド間に直列に介設され、コンデンサ２３は、その抵抗体２０に並列接続されている。ダイオード２２のカソード側はメインスイッチ素子Ｑのソース側に接続され、ダイオード２２のアノード側はトランジスタ素子２１のベース側と、抵抗体１９の一端側とにそれぞれ接続されている。抵抗体１９の他端側は基準電源Ｖs1に接続される。トランジスタ素子２１のコレクタ側は抵抗体１８の一端側に接続され、抵抗体１８の他端側は基準電源Ｖs2に接続される。トランジスタ素子２１のエミッタ側はグランド側に接続されている。トランジスタ素子２１のコレクタ側と抵抗体１８との接続部Ｘは制御回路３に接続されている。

この過電流保護回路５の回路動作例を次に説明する。この例では、スイッチング電源回路１の過電流検出用位置としてメインスイッチ素子Ｑのソース側が予め定められており、抵抗体２０には、そのメインスイッチ素子Ｑのソース側を通電しているソース電流に応じた電圧が発生する。つまり、抵抗体２０は、スイッチング電源回路１の予め定められた過電流検出用位置の電流に応じた電圧を検出出力する電流検出部と成している。なお、コンデンサ２３は、抵抗体２０に流れる電流から高周波成分を除去するためのものである。

また、基準電源Ｖs1から抵抗体１９とダイオード２２と抵抗体２０を通して電流が通電しており、ダイオード２２には順方向降下電圧が発生している。このため、抵抗体２０に発生した電圧は、そのダイオード２２の順方向降下電圧により嵩上げされてトランジスタ素子２１のベースに加えられる。つまり、抵抗体２０の電圧と、ダイオード２２の順方向降下電圧との重畳電圧Ｖ_Bがトランジスタ素子２１のベースに加えられる。

この例では、スイッチング電源回路１が過電流状態となった場合には、メインスイッチ素子Ｑのソース側の電流も増加して、抵抗体２０の電圧とダイオード２２の順方向降下電圧との重畳電圧Ｖ_Bも上昇する。過電流状態のときに、その重畳電圧Ｖ_Bがトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧（オン駆動電圧）以上となってトランジスタ素子２１がスイッチオン動作するように、抵抗体２０の抵抗値等が設計されている。換言すれば、スイッチング電源回路１が過電流状態でない場合には、抵抗体２０の電圧とダイオード２２の順方向降下電圧との重畳電圧Ｖ_Bはトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧（オン駆動電圧）よりも低くなってトランジスタ素子２１がスイッチオフ状態となるように設計されている。

トランジスタ素子２１がスイッチオフ状態であるときには、基準電源Ｖs2に基づいた電流はトランジスタ素子２１側には通電しないので、基準電源Ｖs2の電圧とほぼ同じ電圧が過電流保護回路５から制御回路３に加えられる。制御回路３は、その過電流保護回路５から加えられる電圧に応じて定まるデューティー比の上限値を越えない範囲内で、メインスイッチ素子Ｑに向けて出力するドライブパルスの幅を制御する。

これに対して、スイッチング電源回路１が過電流状態となってトランジスタ素子２１がスイッチオンすると、基準電源Ｖs2に基づいた電流は、トランジスタ素子２１のコレクタ−エミッタ間に通電し始めるので、過電流保護回路５から制御回路３に加えられる電圧が減少する。この電圧減少（つまり、過電流保護動作用の電圧の出力）によって、メインスイッチ素子Ｑのスイッチング制御用の信号に対するデューティー比の上限値が大幅に低下し、これにより、出力電圧検出部６の検出電圧Ｖkに関係なく、過電流状態を解消すべくメインスイッチ素子Ｑへのドライブパルスの幅が狭くなる。これにより、スイッチング電源回路１に通電する電流が抑制される。このように、スイッチング電源回路１が過電流状態になったときには、過電流保護回路５の回路動作によって、スイッチング電源回路１は過電流保護動作を行うこととなる。

特開平１１−６９７９９号公報

ところで、過電流保護回路５のトランジスタ素子２１は、周囲温度が高くなるに従ってスレッショルド電圧が低くなるという温度特性を持つものである。また、ダイオード２２は、当該ダイオード２２の通電電流Ｉfと順方向降下電圧Ｖfとの関係が、周囲温度が高くなるに従って、例えば図７に示される点線Ｔaに示されるような状態から、実線Ｔbの状態へ、さらに鎖線Ｔcの状態に変化するというような温度特性を持つものである。つまり、図５の例では、基準電源Ｖs1から抵抗体１９を通って常に一定の電流がダイオード２２に通電しているのに、周囲温度が高くなるに従って、ダイオード２２の順方向降下電圧は低下する方向に変化する。

例えば、抵抗体２０には電圧Ｖαが生じ、当該抵抗体２０の電圧Ｖαとダイオード２２の順方向降下電圧Ｖfとの重畳電圧Ｖ_Bはトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧よりも低い電圧であるとする。この状態から周囲温度が上昇したとすると、トランジスタ素子２１のスレッショルド電圧は低下する。このとき、ダイオード２２の順方向降下電圧Ｖfも、そのスレッショルド電圧の低下分と同じ分だけ低下すれば、問題は発生しないが、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧Ｖfの低下変化量は、温度変化によるトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧の低下変化量よりも小さい。このため、抵抗体２０の電圧はＶαのままであるのにも拘わらず、抵抗体２０の電圧Ｖαとダイオード２２の順方向降下電圧Ｖfとの重畳電圧Ｖ_Bがトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧以上となってトランジスタ素子２１がスイッチオンして過電流保護動作が開始されることがある。

すなわち、図５に示される過電流保護回路５の回路構成では、温度変化によるトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧変化の傾きと、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧Ｖfの変化の傾きとが異なる。このために、周囲温度が高くなるに従って、トランジスタ素子２１がスイッチオンするときの抵抗体２０の電圧値が低くなっていく。

換言すれば、スイッチング電源回路１が過電流状態になると、当然に、スイッチング電源回路１から負荷１１側への出力電流Ｉoutも上昇する。このため、過電流保護回路５を備えたスイッチング電源回路１においては、例えば図８の実線に示されるように、スイッチング電源回路１の出力電圧Ｖoutは、出力電流Ｉoutが電流値Ｉocよりも低い定常状態においては、ほぼ設定の電圧値に安定化しているが、過電流状態となって出力電圧Ｉoutが電流値Ｉoc以上になると、過電流保護回路５の回路動作によってメインスイッチ素子Ｑのスイッチオン期間が短くなる結果、出力電圧Ｖoutは低下する。図５に示される回路構成では、過電流保護回路５の回路動作により出力電圧Ｖoutが低下するときの出力電流値（以下、過電流保護動作開始点と記す）が周囲温度が高くなるに従って低下していく。

このため、例えば、周囲温度が常温であると仮定して、過電流保護回路５の回路設計を行うと、例えば、周囲温度が高温のときに、図８の鎖線Ａに示されるように、スイッチング電源回路１が過電流状態でないのにも拘わらず、過電流保護回路５の回路動作によって、スイッチング電源回路１が過電流保護動作を開始して出力電圧Ｖoutが低下してしまうという問題が生じる。また、周囲温度が高温であると仮定して、過電流保護回路５の回路設計を行うと、例えば、周囲温度が低温のときには、図８の鎖線Ｂに示されるように、スイッチング電源回路１が過電流状態であるのにも拘わらず、過電流保護動作が行われないという問題が生じる。このように、周囲温度の変動によって、スイッチング電源回路１の過電流保護動作開始点が変動すると、不都合が生じる。

本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、周囲温度変動による過電流保護動作開始点の変動を抑制できる過電流保護回路を提供することにある。

上記目的を達成するために、この発明は次に示す構成をもって前記課題を解決するための手段としている。すなわち、この発明は、スイッチング電源回路に組み込まれる過電流保護回路において、この過電流保護回路は、スイッチング電源回路の予め定められた過電流検出用位置の電流に応じた電圧を検出出力する電流検出部と、この電流検出部に直列に接続されるダイオードと、電流検出部から検出出力される電圧とダイオードの順方向降下電圧との重畳電圧が印加され当該重畳電圧がオン駆動電圧以上のときにスイッチオン動作を行う過電流保護用スイッチ素子とを有し、過電流保護回路は、過電流保護用スイッチ素子のスイッチオン期間中には、スイッチング電源回路に過電流保護動作を行わせるための過電流保護動作用の電圧を出力する構成と成しており、ダイオードは、周囲温度が高くなるに従って順方向降下電圧が低くなる温度特性と、通電電流量に応じて順方向降下電圧が変化する特性とを持ち、過電流保護用スイッチ素子は、周囲温度が高くなるに従ってオン駆動電圧が低下する温度特性を持つスイッチ素子であり、過電流保護回路には、ダイオードに電流を供給すると共に、温度変化によるダイオードの順方向降下電圧変化の傾きを、温度変化による過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧変化の傾きに合わせるべくダイオードへの供給電流量を周囲温度に応じて制御する温度補正回路が設けられていることを特徴としている。

この発明によれば、過電流保護回路には温度補正回路が設けられ、この温度補正回路によって、温度変化によるダイオードの順方向降下電圧変化の傾きが、温度変化による過電流保護用スイッチ素子（例えばトランジスタ素子）のオン駆動電圧変化の傾きとほぼ同様となるように温度補正される。これにより、周囲温度変動に起因した過電流保護動作開始点の変動を抑制することができる。

つまり、過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧は、周囲温度が高くなるに従って低くなる方向に変化する。また、ダイオードの順方向降下電圧も周囲温度が高くなるに従って低下するが、ダイオードに通電している電流が同じであるならば、その温度変化によるダイオードの順方向降下電圧変化の傾きは、温度変化による過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧変化の傾きよりも小さい。このために、周囲温度の変化によって過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧が変化した分と同じ分だけダイオードの順方向降下電圧が変化できないから、電流検出部から検出出力される電圧が同じであるのにも拘わらず、過電流保護用スイッチ素子に加えられるダイオードの順方向降下電圧と電流検出部の検出出力電圧との重畳電圧が、周囲温度によって過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧以上となったり、オン駆動電圧よりも小さくなるという事態が生じて、過電流保護動作開始点が変動してしまう。

これに対して、ダイオードは、通電電流が変化すると、順方向降下電圧が変化するという特性を持つものであることから、この発明では、例えば周囲温度が上昇してダイオードの順方向降下電圧が低下したときに、温度補正回路によってダイオードの通電電流を周囲温度に応じて例えば小さくする方向に変化させて、ダイオードの順方向降下電圧を更に低下させることができる構成とした。つまり、この発明では、温度補正回路によって、ダイオードの通電電流を周囲温度によって制御することにより、温度変化によるダイオードの順方向降下電圧変化の傾きが、温度変化による過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧変化の傾きとほぼ同様となるように温度補正できる構成となっている。この構成を備えることにより、電流検出部の検出出力電圧が同じであるならば、過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧に対する、電流検出部の検出出力電圧とダイオードの順方向降下電圧との重畳電圧の相対的な大きさは、周囲温度が変化しても変化しないこととなる。つまり、周囲温度変化による過電流保護動作開始点の変動を抑制することができる。

これにより、周囲温度変化に因る過電流保護動作開始点の変動に起因した問題発生を防止することができ、過電流保護回路およびそれを備えたスイッチング電源回路の回路動作に対する信頼性を向上させることができる。

以下に、本発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。

図１には本発明に係る過電流保護回路の一回路構成例がスイッチング電源回路に組み込まれた状態で示されている。なお、この実施形態例の説明において、図５に示される回路の構成部分と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。

この実施形態例の過電流保護回路５は、抵抗体１８と、電流検出部として機能する抵抗体２０と、過電流保護用スイッチ素子であるトランジスタ素子２１と、ショットキーバリアダイオードから成るダイオード２２と、抵抗体２０に流れる電流から高周波成分を除去するためのコンデンサ２３とに加えて、温度補正回路２５を有して構成されている。この実施形態例では、温度補正回路２５に関わる構成以外の構成は、図５に示される構成と同様である。

温度補正回路２５は、図５に示される過電流保護回路５の抵抗体１９に代えて、設けられている。抵抗体１９は、基準電源Ｖs1に基づいた一定の電流を常にダイオード２２に供給していたのに対して、温度補正回路２５は、基準電源Ｖs1を利用してダイオード２２に電流を供給すると共に、周囲温度が高くなるに従ってダイオード２２への供給電流量を小さくする方向に変化させて、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧の変化の傾きを、温度変化によるトランジスタ素子２１のオン駆動電圧（スレッショルド電圧）の変化の傾きに合わせる構成を備えている。

図２には温度補正回路２５の一回路構成例が示されている。この図２の温度補正回路２５は、抵抗体２６，２７，２８と、バイポーラトランジスタ素子Ｔr1，Ｔr2と、ショットキーバリアダイオード２９とを有して構成されている。この温度補正回路２５においては、基準電源Ｖs1から温度補正回路２５への電流供給によって、抵抗体２６，２７とトランジスタ素子Ｔr1により定まる一定の電流値を持つ電流Ｉtが抵抗体２８側に供給される。その電流Ｉtは、抵抗体２８を通り、過電流保護回路５からダイオード２２に向けて出力される。

この過電流保護回路５から出力される電流をＩcとし、抵抗体２８の抵抗値をＲcとし、トランジスタ素子Ｔr2のベース-エミッタ間電圧をＶbeとし、ショットキーバリアダイオード２９の順方向降下電圧をＶ29としたときに、過電流保護回路５の出力電流Ｉcは、Ｉc＝（Ｖ29＋Ｖbe）／Ｒcの数式で表すことができる。トランジスタ素子Ｔr2のベース−エミッタ間電圧Ｖbeと、ショットキーバリアダイオード２９の順方向降下電圧Ｖ29とは、周囲温度が上昇すると、小さくなる方向に変化することから、過電流保護回路５からダイオード２２への供給電流Ｉcは、周囲温度が高くなるに従って、小さくなる。つまり、図２の過電流保護回路５は、適宜に選択されたトランジスタ素子Ｔr2やショットキーバリアダイオード２９を採用することにより、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧変化の傾きがトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧の変化の傾きにほぼ合うように、周囲温度に応じてダイオード２２への供給電流Ｉcを変化させることができる。

なお、トランジスタ素子Ｔr2のベース−エミッタ間電圧Ｖbeと、ショットキーバリアダイオード２９の順方向降下電圧Ｖ29との温度変化だけでは、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧の変化の傾きを、温度変化によるトランジスタ素子２１のスレッショルド電圧の変化の傾きに合わせることが難しい場合には、周囲温度が高くなるに従って抵抗値が大きくなる正の温度係数を持つ感温抵抗体を抵抗体２８として設けてもよい。

この実施形態例の過電流保護回路５は、上記のような温度補正回路２５を設けたので、周囲温度変化に起因した過電流保護動作開始点の変動を抑制することができる。

なお、この発明はこの実施形態例の形態に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得るものである。例えば、過電流保護回路５の温度補正回路２５は基準電源Ｖs1に、また、抵抗体１８は基準電源Ｖs2に、それぞれ、接続されていたが、例えば、制御回路３を構成するＩＣ部品に、一定電圧を出力する機能が備えられ、それら一定電圧を出力するための端子が設けられている場合には、温度補正回路２５と、抵抗体２８とのうちの一方又は両方が、基準電源Ｖs1，Ｖs2に接続されるのに代えて、制御回路３の一定電圧出力用の端子に接続される構成としてもよい。

また、この実施形態例では、抵抗体２０にはコンデンサ２３が並列接続されていたが、そのコンデンサ２３は省略してもよい。ただ、コンデンサ２３を設けることにより、抵抗体２０に流れる電流から高周波成分が除去されるので、高周波成分に起因した過電流保護回路５の誤動作を防止することができる。

さらに、この実施形態例では、ダイオード２２は、ショットキーバリアダイオードにより構成されていた。ショットキーバリアダイオードの順方向降下電圧は小さいので、スイッチング電源回路１が定常状態であるときに、抵抗体２０の電圧とダイオード２２の順方向降下電圧との重畳電圧を、トランジスタ素子２１のスレッショルド電圧よりも小さくすることが容易であり、定常状態であるときに過電流保護動作が行われてしまうという誤動作を防止することが容易となる。これに対して、例えば、トランジスタ素子２１のスレッショルド電圧が大きい場合には、ダイオード２２の順方向降下電圧を大きくしても、定常状態の時に過電流保護動作が行われてしまうという誤動作を回避することができるので、このような場合には、例えば、ショットキーバリアダイオード以外の例えばＰＮダイオードによりダイオード２２を構成してもよい。

さらに、この実施形態例では、過電流保護回路５の電流検出部は抵抗体２０により構成されていたが、例えば、図３に示されるように、電流検出部はカレントトランス３１と抵抗体３２により構成してもよい。

さらに、この実施形態例では、スイッチング電源回路１の過電流検出用位置は、メインスイッチ素子Ｑのソース側であったが、スイッチング電源回路１の過電流検出用位置は、そのメインスイッチ素子Ｑのソース側に限定されるものでなく、例えば、図４に示されるように、出力側整流平滑回路４を流れている電流を検出できる位置であってもよい。

さらに、この実施形態例では、出力側整流平滑回路４は、整流用としてダイオード７，８が設けられていたが、ダイオード７，８に代えて、同期整流器を設けてもよい。このように、出力側整流平滑回路４の回路構成は図１に示した回路構成に限定されるものではない。さらに、図２に示される温度補正回路２５は、定電流回路を基にして構成されていたが、温度補正回路２５は、周囲温度に応じてダイオード２２への供給電流量を制御することができる回路構成であれば、図２に示される回路構成に限定されるものではない。さらに、この実施形態例に示した過電流保護回路５は、絶縁型のスイッチング電源回路１に組み込まれている例を示したが、本発明は、非絶縁型のスイッチング電源回路に組み込まれる過電流保護回路にも適用することができるものである。

本発明に係る過電流保護回路の一実施形態例がスイッチング電源回路に組み込まれた状態で示されている。実施形態例の過電流保護回路において特有な温度補正回路の一回路構成例を説明するための図である。その他の実施形態例を説明するための図である。さらに別のその他の実施形態例を説明するための図である。過電流保護回路の一従来例を説明するための図である。過電流保護回路が組み込まれるスイッチング電源回路の制御回路の構成例を説明するための図である。ダイオードの温度特性を説明するためのグラフである。スイッチング電源回路の出力電圧Ｖoutと出力電流Ｉoutの関係例を表したグラフである。

符号の説明

１スイッチング電源回路
３制御回路
５過電流保護回路
１８，１９，２０抵抗体
２１トランジスタ素子
２２ダイオード
２５温度補正回路

Claims

スイッチング電源回路に組み込まれる過電流保護回路において、この過電流保護回路は、スイッチング電源回路の予め定められた過電流検出用位置の電流に応じた電圧を検出出力する電流検出部と、この電流検出部に直列に接続されるダイオードと、電流検出部から検出出力される電圧とダイオードの順方向降下電圧との重畳電圧が印加され当該重畳電圧がオン駆動電圧以上のときにスイッチオン動作を行う過電流保護用スイッチ素子とを有し、過電流保護回路は、過電流保護用スイッチ素子のスイッチオン期間中には、スイッチング電源回路に過電流保護動作を行わせるための過電流保護動作用の電圧を出力する構成と成しており、ダイオードは、周囲温度が高くなるに従って順方向降下電圧が低くなる温度特性と、通電電流量に応じて順方向降下電圧が変化する特性とを持ち、過電流保護用スイッチ素子は、周囲温度が高くなるに従ってオン駆動電圧が低下する温度特性を持つスイッチ素子であり、過電流保護回路には、ダイオードに電流を供給すると共に、温度変化によるダイオードの順方向降下電圧変化の傾きを、温度変化による過電流保護用スイッチ素子のオン駆動電圧変化の傾きに合わせるべくダイオードへの供給電流量を周囲温度に応じて制御する温度補正回路が設けられていることを特徴とする過電流保護回路。
過電流保護用スイッチ素子は、トランジスタ素子であることを特徴とする請求項１記載の過電流保護回路。