JP4395609B2 - 窒化ガリウム系材料からなる基板 - Google Patents
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Description
レーザーフラッシュ法は、図2に示すように、直径10(mm)、厚さ1〜5(mm)程度の円板状試料Sの表面をパルス幅が数百μsのレーザー光により均一に加熱した後の試料Sの裏面温度変化から熱拡散率を算出する測定法である。断熱条件を仮定した理論解によれば、パルス加熱後の試料Sの裏面温度は図2のように上昇し、試料S内の温度分布が均一化されるのに伴って一定値に収束する。レーザーフラッシュ法は、小さい試料を短時間に測定することができ、解析法が簡明であり、室温から200(℃)以上の高温に至るまでの計測が可能であるため、熱拡散率の標準的かつ実用的計測法として広く用いられる。
本発明に係るGaN系材料で構成される基板或いは部材は、例えば、半導体レーザー、発光ダイオード、電子デバイス等のデバイスのエピタキシャル膜成長用基板として好適である。
下地基板として表面が(0001)面からなる厚さ430(μm)、直径2インチのサファイア基板を用意し、これを前処理として有機溶剤で洗浄した。その後、MOCVD装置により下地基板の上に厚さ2(μm)の下地GaN層を成長させた。
まず、反応温度を1000(℃)とする以外は実施例1と同様の条件で、下地GaN層上にGaN層を成長させた。
まず、反応温度を1100(℃)とする以外は実施例1と同様の条件で、下地GaN層上にGaN層を成長させた。
下地基板として表面が(0001)面からなる厚さ430(μm)、直径2インチのサファイア基板を用意し、これを前処理として有機溶剤で洗浄した。その後、MOCVD装置により下地基板の上に厚さ2(μm)の下地GaN層を成長させた。
下地基板として表面が(0001)面からなる厚さ430(μm)、直径2インチのサファイア基板を用意し、これを前処理として有機溶剤で洗浄した。その後、MOCVD装置により下地基板の上に厚さ2(μm)の下地GaN層を成長させた。
下地基板として表面が(0001)面からなる厚さ430(μm)、直径2インチのサファイア基板を用意し、これを前処理として有機溶剤で洗浄した。その後、MOCVD装置により下地基板の上に厚さ2(μm)の下地GaN層を成長させた。
10 反応室
20 ヒータ
30 基板支持部
30S 支持面
40 導入室
S 下地基板
G1 キャリアガス
G2 GaClガス
G3 NH3ガス
200、300 半導体製品
210 半導体デバイス
212 基板
214 多層構造部
230 サブマウント
240 ヒートシンク
250 ヒートシンク
Claims (8)
- 25(℃)における熱伝導率が3.0×102(W/m・K)以上かつ3.8×102(W/m・K)以下であることを特徴とする窒化ガリウム系材料からなる基板。
- 25(℃)における熱伝導率が3.3×102(W/m・K)以上かつ3.8×102(W/m・K)以下であることを特徴とする窒化ガリウム系材料からなる基板。
- 25(℃)における熱伝導率が3.5×102(W/m・K)以上かつ3.8×102(W/m・K)以下であることを特徴とする窒化ガリウム系材料からなる基板。
- (002)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が300(arcsec)以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系材料からなる基板。
- (102)面におけるX線ロッキングカーブの半値幅が500(arcsec)以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系材料からなる基板。
- 酸素濃度が5×1017(atoms/cm3)未満であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系材料からなる基板。
- 炭素濃度が1×1017(atoms/cm3)未満であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系材料からなる基板。
- 水素濃度が1×1018(atoms/cm3)未満であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系材料からなる基板。
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