JP4390317B2 - Resin-sealed semiconductor package - Google Patents
Resin-sealed semiconductor package Download PDFInfo
- Publication number
- JP4390317B2 JP4390317B2 JP18891499A JP18891499A JP4390317B2 JP 4390317 B2 JP4390317 B2 JP 4390317B2 JP 18891499 A JP18891499 A JP 18891499A JP 18891499 A JP18891499 A JP 18891499A JP 4390317 B2 JP4390317 B2 JP 4390317B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead portion
- resin
- semiconductor package
- lead
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子を樹脂で封止するリードレス型の樹脂封止型半導体パッケージに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
携帯機器の小型化に伴い、半導体パッケージにも小型化の要求がある。それを満足するパッケージの一つとしてリードレスパッケージが世の中に出回ってきた。
図6は従来の樹脂封止型半導体パッケージを示す図であって、(a)は側面図、(b)は底面図であり、1は封止樹脂、2はリード部、そして20はこの封止樹脂1とリード部2を含むパッケージ本体である。このタイプは通称QFN(Quad Flat Non leaded)と呼ばれるパッケージであって、図6に示すとおり、パッケージ本体20からリード部2が外部に出ていないタイプのパッケージである。
【0003】
このパッケージの特徴は、前述の通り、パッケージ本体20からリード部2が出ておらず、また、基板(図示せず)に実装されるリード部2がパッケージ本体20の裏面に位置している。しかるに、このリード部2の封止樹脂1との密着面が4面しかないため、リード部2と封止樹脂1との密着が弱く、リード部2の脱落が懸念される。
【0004】
図7は図6におけるパッケージ本体20のI−I部の断面図であるが、リード部の脱落が懸念されるため、多くは、図7に示すエッチング特有の断面形状の高密着性に期待する所が大きかった。
しかしながら、リードフレームの生産性とコスト面を考慮すると、金型で打ち抜くスタンピングフレームの適用を考慮することが必要となる。スタンピングフレームでは金型で打ち抜いてリードを形成するため、リード部2の断面形状はほぼ四角形になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の、スタンピングフレームを使用した樹脂封止型半導体パッケージは、その断面形状がほぼ四角形になるため、パッケージ本体20とリード部2との密着面には凹凸が無くフラットになり、リード部2の封止樹脂に対する密着力が非常に弱くなっている。また、基板へ実装した後、半導体パッケージと基板との熱膨張係数の差により、リード部2の半田付け部にストレスが加わり、その力により密着の弱い封止樹脂1とリード部2との界面がはがれるなどのという問題があった。
【0006】
この発明はかかる問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的はスタンピングで加工されたフレームにおいても、信頼性の高い樹脂封止型半導体パッケージを安価に提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
第1の発明にかかる樹脂封止型半導体パッケージは、封止樹脂とこの封止樹脂に接着されるリード部とを備え、このリード部の実装面が露出した樹脂封止型半導体パッケージにおいて、前記リード部の断面は、前記実装面により規定される第一の辺と、前記第一の辺に対向する第二の辺と、前記第一の辺に対してそれぞれ鈍角をなすように前記第一の辺の両端のそれぞれに接続された直線状の第三及び第四の辺とを有し、前記第一の辺に平行な方向の前記リード部の幅が前記第一辺から前記第二の辺の方向に向かうほど広くなる構造を前記第三及び第四の辺が提供し、前記第三および第四の辺の各々に前記封止樹脂が接しており、前記第一の辺からのある高さでその広がりが第一の幅に到達し、前記第一の辺の方向に沿った前記リード部の幅は前記高さから前記第二の辺までの間では、前記第一の幅のままで延びていることを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図1から図5を用いて、この発明の実施の形態について説明する。
【0013】
実施の形態1.
まず、図1と図2を用いて、この発明の実施の形態1について説明する。
図1は、この発明の実施の形態1におけるリードレス型の樹脂封止型半導体パッケージを示す図であって、(a)は側面図、(b)は底面図であるが、一点鎖線で示すリード部2はその形状を示すのではなく、その位置を示している。図1を参照して、1は封止樹脂、2はリード部、20は前記封止樹脂1とリード部2を含むパッケージ本体である。
【0014】
図2はこの発明の実施の形態1における、スタンピングで加工されたリード部を示す底面図であって、図1(b)のA部の拡大図であり、図2の形状通り、リード部2の封止樹脂1と接着する部分に凹状のくぼみ3を設けている。このようにすることによって、トランスファーモールド時に、このくぼみ3に封止樹脂1が入り込み、アンカー効果がでる。またこうすることによって、リード部2にかかる、パッケージ本体20から外側への引っ張り力に対するリード抜け防止に有効となる。
【0015】
実施の形態2.
図3は、この発明の実施の形態2における、スタンピングで加工されたリード部を示す側面図であって、図1(a)のB部の拡大図である。このように、半導体パッケージの裏面方向へのリード部2の抜け防止のため、パッケージ本体20の裏面側であって前記リード部2の実装部の隅部にテーパ4を設けている。
【0016】
実施の形態3.
図4はこの発明の実施の形態3における、スタンピングで加工されたリード部を示す側面図であって、図1(a)のB部の拡大図である。この実施の形態3においては、前記リード部2の実装面の隅部に段差5を設けてパッケージ本体20の裏面に出たリード部2の幅を細くすることによって、半導体パッケージの裏面方向へのリード部の抜けを防止している。
【0017】
実施の形態4.
図5は、この発明の実施の形態4における、スタンピングで加工されたリード部を示す底面図であって、図1(b)のA部の拡大図である。この実施の形態4においては、パッケージ本体20の側面方向のリード幅と内側方向のリード幅を、内側方向のリード幅を太くするように変えて、実施の形態1と同様にアンカー効果を得ることができる。
【0018】
また、実施の形態1〜4までを複数組み合わせたリードにすることで、さらに効果が高まる。
【0019】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【0020】
第1〜第4の発明によれば、リード部と封止樹脂との密着性が高まり、基板への半田付け後の熱ストレスに対しても、リード部と封止樹脂との剥離や脱落がなく、信頼性の高い樹脂封止型半導体パッケージを提供できる。
【0021】
また、第5の発明によれば、フレームの生産性が向上すると伴にコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1における樹脂封止型半導体パッケージを示す側面図と底面図である。
【図2】この発明の実施の形態1における樹脂封止型半導体パッケージのリード部を示す底面図である。
【図3】この発明の実施の形態2における樹脂封止型半導体パッケージのリード部を示す側面図である。
【図4】この発明の実施の形態3における樹脂封止型半導体パッケージのリード部を示す側面図である。
【図5】この発明の実施の形態4における樹脂封止型半導体パッケージのリード部を示す底面図である。
【図6】従来の樹脂封止型半導体パッケージを示す側面図と底面図である。
【図7】図6におけるパッケージ本体のI−I部の断面図である。
【符号の説明】
1 封止樹脂
2 リード部
3 くぼみ
4 テーパ
5 段差[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a leadless resin-sealed semiconductor package for sealing a semiconductor element with a resin.
[0002]
[Prior art]
With the miniaturization of portable devices, there is a demand for miniaturization of semiconductor packages. Leadless packages are now on the market as one of the satisfying packages.
6A and 6B are views showing a conventional resin-encapsulated semiconductor package, in which FIG. 6A is a side view, FIG. 6B is a bottom view, 1 is a sealing resin, 2 is a lead portion, and 20 is this sealing. A package body including a stop resin 1 and a
[0003]
As described above, the package is characterized in that the
[0004]
FIG. 7 is a cross-sectional view of the II portion of the
However, considering the productivity and cost of the lead frame, it is necessary to consider the application of a stamping frame that is punched with a mold. In the stamping frame, the lead is formed by punching with a die, so that the cross-sectional shape of the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Since the cross-sectional shape of the conventional resin-encapsulated semiconductor package using the stamping frame as described above is substantially quadrangular, the contact surface between the
[0006]
The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a resin-sealed semiconductor package with high reliability at a low cost even in a frame processed by stamping.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a resin-sealed semiconductor package including a sealing resin and a lead portion bonded to the sealing resin, wherein the mounting surface of the lead portion is exposed. The cross-section of the lead portion is the first side defined by the mounting surface, the second side opposite to the first side, and the first side so as to form an obtuse angle with respect to the first side. A linear third and fourth sides connected to both ends of the first side, and the width of the lead portion in a direction parallel to the first side is from the first side to the second side. The third and fourth sides provide a structure that becomes wider toward the direction of the side, and the sealing resin is in contact with each of the third and fourth sides, and is from the first side. The height of the lead reaches the first width, and the width of the lead portion along the direction of the first side Between the from the height to the second side, is characterized in that it extends while the first width.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0013]
Embodiment 1 FIG.
First, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG. 1 and FIG.
1A and 1B are diagrams showing a leadless type resin-encapsulated semiconductor package according to Embodiment 1 of the present invention, where FIG. 1A is a side view and FIG. The
[0014]
2 is a bottom view showing the lead portion processed by stamping in Embodiment 1 of the present invention, and is an enlarged view of portion A in FIG. 1 (b). As shown in the shape of FIG. A
[0015]
FIG. 3 is a side view showing a lead portion processed by stamping according to
[0016]
FIG. 4 is a side view showing a lead portion processed by stamping according to
[0017]
Embodiment 4 FIG.
FIG. 5 is a bottom view showing a lead portion processed by stamping according to Embodiment 4 of the present invention, and is an enlarged view of portion A in FIG. In the fourth embodiment, the lead width in the side surface direction and the lead width in the inner direction of the
[0018]
Moreover, the effect is further enhanced by using a lead in which a plurality of the first to fourth embodiments are combined.
[0019]
【The invention's effect】
Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
[0020]
According to the first to fourth inventions, the adhesion between the lead portion and the sealing resin is enhanced, and the lead portion and the sealing resin are peeled off or dropped even against thermal stress after soldering to the substrate. In addition, a highly reliable resin-encapsulated semiconductor package can be provided.
[0021]
Further, according to the fifth invention, the cost can be reduced as the productivity of the frame is improved.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are a side view and a bottom view showing a resin-encapsulated semiconductor package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a bottom view showing a lead portion of the resin-encapsulated semiconductor package according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a side view showing a lead portion of a resin-encapsulated semiconductor package in
FIG. 4 is a side view showing a lead portion of a resin-encapsulated semiconductor package in
FIG. 5 is a bottom view showing a lead portion of a resin-encapsulated semiconductor package according to a fourth embodiment of the present invention.
6A and 6B are a side view and a bottom view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor package.
7 is a cross-sectional view taken along line II of the package body in FIG. 6. FIG.
[Explanation of symbols]
1 Sealing
Claims (1)
前記リード部の断面は、前記実装面により規定される第一の辺と、前記第一の辺に対向する第二の辺と、前記第一の辺に対してそれぞれ鈍角をなすように前記第一の辺の両端のそれぞれに接続された直線状の第三及び第四の辺とを有し、
前記第一の辺に平行な方向の前記リード部の幅が前記第一辺から前記第二の辺の方向に向かうほど広くなる構造を前記第三及び第四の辺が提供し、
前記第三および第四の辺の各々に前記封止樹脂が接しており、
前記第一の辺からのある高さでその広がりが第一の幅に到達し、
前記第一の辺の方向に沿った前記リード部の幅は前記高さから前記第二の辺までの間では、前記第一の幅のままで延びている、
ことを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージ。In a resin-encapsulated semiconductor package that includes a sealing resin and a lead portion that is bonded to the sealing resin, and the mounting surface of the lead portion is exposed,
The cross-section of the lead portion includes the first side defined by the mounting surface, the second side opposite to the first side, and the obtuse angle with respect to the first side . Straight third and fourth sides connected to each of the ends of one side ;
The third and fourth sides provide a structure in which the width of the lead portion in the direction parallel to the first side increases toward the second side from the first side,
The sealing resin is in contact with each of the third and fourth sides,
The spread reaches a first width at a certain height from the first side,
The width of the lead portion along the direction of the first side extends with the first width between the height and the second side ,
A resin-encapsulated semiconductor package.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18891499A JP4390317B2 (en) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | Resin-sealed semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18891499A JP4390317B2 (en) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | Resin-sealed semiconductor package |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007128525A Division JP4489791B2 (en) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | QFN package |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001015668A JP2001015668A (en) | 2001-01-19 |
JP2001015668A5 JP2001015668A5 (en) | 2006-07-27 |
JP4390317B2 true JP4390317B2 (en) | 2009-12-24 |
Family
ID=16232103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18891499A Expired - Fee Related JP4390317B2 (en) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | Resin-sealed semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4390317B2 (en) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4520056B2 (en) * | 2001-02-07 | 2010-08-04 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
JP3714408B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-11-09 | セイコーエプソン株式会社 | Piezoelectric vibrator |
JP2003174136A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-20 | Aoi Electronics Co Ltd | Resin mold semiconductor device |
JP2003234425A (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Mitsui Chemicals Inc | Hollow package for loading semiconductor element |
JP2003258183A (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing lead frame |
JP4372508B2 (en) * | 2003-10-06 | 2009-11-25 | ローム株式会社 | Lead frame manufacturing method, semiconductor device manufacturing method using the same, semiconductor device, and portable device and electronic device including the same |
JP4305310B2 (en) * | 2004-07-15 | 2009-07-29 | 株式会社デンソー | Semiconductor device |
JP5262374B2 (en) * | 2004-11-30 | 2013-08-14 | 日亜化学工業株式会社 | RESIN MOLDED BODY, SURFACE MOUNTED LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THEM |
US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
JP2010021259A (en) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Toshiba Corp | Optical semiconductor device |
JP5217800B2 (en) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device, resin package, resin molded body, and manufacturing method thereof |
JP2010129591A (en) | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame, semiconductor device using the lead frame and intermediate product thereof, and method for manufacturing same |
JP5649277B2 (en) | 2008-12-22 | 2015-01-07 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
JP5572622B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-08-13 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
JP5346865B2 (en) * | 2010-04-05 | 2013-11-20 | 新電元工業株式会社 | Method for manufacturing magnetic substrate |
JP2015070161A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | ローム株式会社 | Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
US10062493B2 (en) | 2013-11-26 | 2018-08-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and circuit board having the same mounted thereon |
JP2018074067A (en) * | 2016-11-01 | 2018-05-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
JP7338204B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-09-05 | 富士電機株式会社 | semiconductor equipment |
-
1999
- 1999-07-02 JP JP18891499A patent/JP4390317B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001015668A (en) | 2001-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4390317B2 (en) | Resin-sealed semiconductor package | |
US6459148B1 (en) | QFN semiconductor package | |
US6340837B1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
US6794736B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2001015668A5 (en) | ||
JP4489791B2 (en) | QFN package | |
US6117709A (en) | Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JPH1174439A (en) | Resin mold package | |
US5925927A (en) | Reinforced thin lead frames and leads | |
JP3871587B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JP2010118712A (en) | Method of manufacturing qfn package | |
US7504713B2 (en) | Plastic semiconductor packages having improved metal land-locking features | |
JP3565114B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JP3424184B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JP3229816B2 (en) | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device | |
US6583501B2 (en) | Lead frame for an integrated circuit chip (integrated circuit peripheral support) | |
JPH01296653A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JPS5826176B2 (en) | Resin-encapsulated semiconductor device | |
JP2003007933A (en) | Resin-sealing semiconductor device | |
JP2001267484A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR200295664Y1 (en) | Stack semiconductor package | |
US6621151B1 (en) | Lead frame for an integrated circuit chip | |
JPH1168016A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
JP3049040B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR19990086280A (en) | Semiconductor package |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060123 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060614 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070514 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091006 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121016 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131016 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |