JP4387144B2 - 結晶性半導体膜の作製方法、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法、該結晶性半導体膜を有する半導体装置の作製方法 - Google Patents
結晶性半導体膜の作製方法、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法、該結晶性半導体膜を有する半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
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Description
例えば、線状に形成された種結晶を覆って絶縁膜を形成し、種結晶の先端が現れるように絶縁膜をエッチングし、その後非晶質半導体膜を形成することにより線状に接することができる。
また例えば、種結晶を覆って非晶質半導体膜を形成するとすなわち、種結晶と非晶質半導体膜は面状に接することができる。
また本発明は、線状に延在する錐状、又は線状に延在する柱状の種結晶を形成することを特徴とする。
本実施の形態では、具体的な結晶性半導体膜の作製方法について説明する。
本実施の形態では、四角柱状、または円柱状にエッチングし、種結晶となる半導体膜をシリコンゲルマニウムで形成する場合について説明する。
本実施の形態では、金属元素を有する半導体膜を用いず基板に金属元素を形成し種結晶とする場合について説明する。
上記実施の形態では、種結晶の形状は点状に形成された錐状、又は柱状であったが、本実施の形態では、種結晶の形状を線状に延在する錐状、又は柱状とする場合について説明する。
本実施の形態では、種結晶の結晶化を先に行う場合について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1と異なるときにゲッタリング工程を行う場合について説明する。
なお非晶質半導体膜120を形成する場合、濡れ性を向上させ、膜剥がれが生じないように、錐状、または柱状104にパターニングした後に、酸化膜を形成すると好ましい。
酸化膜は、実施の形態1と同様に形成することができる。
本実施の形態では、画素部に形成する薄膜トランジスタの具体的な作製方法について説明する。
本実施の形態では、信号線駆動回路や走査線駆動回路を有する駆動回路部に適応する場合を説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態を用いた結晶性半導体膜からパネルを形成する方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したパネルFPCを介してプリント基板上に形成されたコントロール回路、電源回路、I/F等を含むICを実装して完成するモジュール、及びそのシステムについて説明する。
本実施の形態では、実施の形態10と異なるモジュールの形態を説明する。
本発明を適用して作製される電子機器の一例として、デジタルカメラ、カーオーディオなどの音響再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(携帯電話、携帯型ゲーム機等)、家庭用ゲーム機などの記録媒体を備えた画像再生装置などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図18に示す。
本実施の形態では、結晶及び結晶粒界を制御する結晶方法により得られた薄膜トランジスタを有するCPUの構成についてブロック図を用いて説明する。
Claims (13)
- 結晶化を促進する金属元素を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜を、線状に延在する先端を有するようにパターニングし、
パターニングされた前記半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜の先端が現れるように前記絶縁膜をエッチングし、
前記先端に接するように第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜を加熱することにより結晶化させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 結晶化を促進する金属元素を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜を、線状に延在する錐状または線状に延在する柱状にパターニングし、
パターニングされた前記半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜の先端が現れるように前記絶縁膜をエッチングし、
前記先端に接するように第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜を加熱することにより結晶化させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 基板上に結晶化を促進する金属元素を添加し、
前記金属元素上に第1の非晶質半導体膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜を、線状に延在する錐状または線状に延在する柱状にパターニングし、
パターニングされた前記第1の非晶質半導体膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第1の非晶質半導体膜の先端が現れるように前記絶縁膜をエッチングし、
前記先端に接するように第2の非晶質半導体膜を形成し、
前記第2の非晶質半導体膜を加熱することにより結晶化させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
加熱炉、レーザ、ランプアニール、又はそれらを組み合わせて前記第2の非晶質半導体膜を加熱することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項4において、前記パターニングされた第1の非晶質半導体膜の線状に延在する方向の長さと、前記レーザの幅とを同程度として照射することにより、前記第2の非晶質半導体膜を加熱することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記第1の非晶質半導体膜の先端が現れるように前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜上にゲッタリングシンクを形成し、
加熱することにより、前記1の非晶質半導体膜中の前記金属元素を低減させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一において、
前記第2の非晶質半導体膜を加熱することにより結晶化し、前記結晶化された半導体膜を覆って、ゲッタリングシンクを形成し、
加熱することにより、前記1の非晶質半導体膜中の前記金属元素を低減させることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記結晶化を促進する金属元素は、Ni、Fe、Co、Pd、Pt、Cu、Au、Ag、In、Snから選ばれた一種又は複数種であることを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、
スピンコーティング法、ディップ法、イオン注入法、又はスパッタリング法により前記半導体膜又は前記基板に前記金属元素を添加することを特徴とする結晶性半導体膜の作製方法。 - 請求項1又は2に記載の結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記金属元素を有する半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜を残すように、前記結晶化された半導体膜をパターニングし、
前記パターニングされた半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加して、前記金属元素を有する半導体膜、及び前記第1の非晶質半導体膜上方に不純物領域を形成し、
前記不純物領域に接続される導電膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項10に記載の薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
スイッチング用薄膜トランジスタと駆動用薄膜トランジスタを有する画素部において、
前記スイッチング用薄膜トランジスタ、及び前記駆動用薄膜トランジスタのチャネル形成領域における電流の流れる方向と、前記結晶性半導体膜の結晶成長の方向とを沿うように前記結晶性半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記スイッチング用薄膜トランジスタ、及び前記駆動用薄膜トランジスタの電流の流れる方向と、前記結晶性半導体膜の双晶粒界とを沿うように前記結晶性半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項10に記載の薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
複数のnチャネル型薄膜トランジスタと、複数のpチャネル型薄膜トランジスタを有するアナログスイッチを含む駆動回路部において、
前記複数のnチャネル型薄膜トランジスタは前記結晶性半導体膜の同一の結晶粒から形成し、
前記複数のpチャネル型薄膜トランジスタは前記結晶性半導体膜の同一の結晶粒から形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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