JP4380511B2 - リードフレーム - Google Patents

Description

本発明は、１つのリード端子に半導体素子を搭載する機能とボンディングワイヤを打つことのできる機能とを設けたリードフレームに関する。

一般に、この種のリードフレームは、ダイオードやコンデンサなどの半導体素子が搭載可能な領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域と、ボンディングワイヤが接続されるワイヤ接続領域とを表面に有する。

従来より、このようなリードフレームを用いた半導体装置としては、たとえば、特許文献１に記載されているような半導体装置が提案されている。
特開２００３−１６３３２２号公報

しかしながら、従来のこの種のリードフレームでは、半導体素子が搭載可能なリード端子すなわち本来半導体素子が搭載されるべき（搭載される予定の）リード端子においては、当該リード端子に半導体素子を搭載した場合には、当該リード端子はその役割を発揮するが、半導体素子を搭載する必要がなく、半導体素子を搭載しない場合には、ボンディングワイヤを打つことができないため、リード端子としては機能することがないという問題がある。

図８は、従来のリードフレームにおける半導体素子が搭載可能なリード端子３４の概略平面構成を示す図であり、（ａ）は半導体素子６０が搭載された状態を示す図、（ｂ）は半導体素子が搭載されない状態を示す図である。

図８に示されるように、リード端子３４の表面には、半導体素子が搭載可能な領域すなわち搭載することのできる領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域（図８中、点ハッチングにて示される領域）３２が形成されている。

そして、図８（ａ）に示されるように、この素子搭載領域３２には、導電性接着剤を介してダイオードやコンデンサなどの半導体素子６０が搭載される。そして、この半導体素子６０に対して、ボンディングワイヤ７０が接続される。

このようにして、当該リード端子３４は、半導体素子６０が搭載されたときには、この半導体素子６０にボンディングワイヤ７０を打つことにより、リード端子としての役割を発揮する。

しかしながら、図８（ｂ）に示されるように、このリード端子３４に半導体素子を搭載しないときには、素子搭載領域３２にボンディングワイヤを打とうとしても、Ａｇメッキが施されているため、打つことができない。これは、ワイヤボンディングによりＡｇメッキが剥がれやすいためである。

そのため、当該リード端子３４に半導体素子を搭載しないときには、当該リード端子３４はリード端子としては機能することがなく、当該リード端子３４を有効に活用することができなくなってくる。

そして、このように使えなくなるリード端子３４が発生するということが起こる結果、リードフレームにおいてリード端子の数を減らしたくない場合には、その分を補うために、他のリードフレームが必要となってくる。

このように半導体素子を搭載しない場合において他のリードフレームを用いるということは、それだけコストが増大するとともに、リードフレームを用いて構成される半導体装置の構造が複雑となったり、大型化したりすることになる。

具体的には、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他のワイヤボンディング用の治具を新設することが必要となったり、リードフレームを用いた半導体装置をモールドする必要がある場合には、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他の金型などのモールド治具を新設することも必要になる。

本発明は、上記したような問題に鑑みてなされたものであり、Ａｇメッキが施された半導体素子の素子搭載領域と、ボンディングワイヤが接続されるワイヤ接続領域とを表面に有するリードフレームにおいて、半導体素子が搭載可能なリード端子に対して半導体素子を搭載する、しないにかかわらず、当該リード端子を有効に活用できるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１〜６に記載の発明では、半導体素子（６０）が搭載可能な領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域（３２）と、ボンディングワイヤ（７０）が接続されるワイヤ接続領域（３５）とを表面に有するリードフレームにおいて、このリードフレームのうち半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）には、素子搭載領域（３２）とワイヤ接続領域（３５）との両方が設けられており、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）において、素子搭載領域（３２）の中にワイヤ接続領域（３５）が設けられていることを特徴としている。

それによれば、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）に半導体素子（６０）を搭載するときには、半導体素子（６０）の上にボンディングワイヤ（７０）を打つことにより、半導体素子（６０）とボンディングワイヤ（７０）との導通をとることができる。

また、半導体素子（６０）が搭載可能な、つまり、本来、搭載すべきリード端子（３４ａ）に半導体素子（６０）を搭載しないときには、素子搭載領域（３２）はＡｇメッキが施されているのでボンディングワイヤ（７０）を打つことはできないが、当該リード端子（３４ａ）にはワイヤ接続領域（３５）が設けられているため、そこにボンディングワイヤ（７０）を打つことができ、当該リード端子（３４ａ）を活かすことができる。

よって、本発明によれば、半導体素子（６０）が搭載され領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域（３２）と、ボンディングワイヤ（７０）が接続されるワイヤ接続領域（３５）とを表面に有するリードフレームにおいて、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）に対して半導体素子（６０）を搭載する、しないにかかわらず、当該リード端子（３４ａ）を有効に活用することができる。

さらに、本発明によれば、機能しないリード端子を無くすことができるため、半導体素子を搭載しない場合において他のリードフレームを必要とすることがなくなる。

そのため、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他のワイヤボンディング用の治具を新設することが不要になる。また、リードフレームを用いた半導体装置をモールドする必要がある場合には、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他の金型などのモールド治具を新設することも不要になる。また、本発明によれば、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）において、より狭い領域にて素子搭載領域（３２）とワイヤ接続領域（３５）とを設けることができるため、当該リード端子（３４ａ）の小型化を図ることができる。

ここで、請求項１〜４に記載のリードフレームにおいては、請求項５に記載の発明のように、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）のうち素子搭載領域（３２）の外側の部位は、溝形状となっているものにできる。

半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）における素子搭載領域（３２）に半導体素子（６０）を搭載する場合、導電性接着剤を素子搭載領域（３２）に配設するが、この導電性接着剤の配設において、導電性接着剤が素子搭載領域（３２）から流出し、ワイヤ接続領域（３５）などを汚染する恐れ、すなわち導電性接着剤のブリードが発生する恐れがある。

その点、請求項５に記載の発明によれば、リード端子（３４ａ）のうち素子搭載領域（３２）の外側の部位が溝形状となっているため、導電性接着剤の配設において、導電性接着剤が素子搭載領域（３２）から流出しようとしても溝部（３６）の部分にてせき止められるため、導電性接着剤のブリードを阻止することができ、好ましい。

ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のリードフレームにおいて、ワイヤ接続領域（３５）は、格子状に配置された複数個の領域が素子搭載領域（３２）内に分散して設けられたものであることを特徴としている。

また、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載のリードフレームにおいて、ワイヤ接続領域（３５）は、ストライプ状に配置された複数個の領域が素子搭載領域（３２）内に分散して設けられたものであることを特徴としている。

これら請求項２および請求項３に記載の発明によれば、素子搭載領域（３２）の中に、広い範囲に渡ってワイヤ接続領域（３５）を分散して配置することができるため、リード端子（３４ａ）に対してボンディングワイヤ（７０）を打つときの位置あわせの余裕度が大きくなるという利点がある。

また、請求項４に記載の発明のように、請求項１に記載のリードフレームにおいては、ワイヤ接続領域（３５）は、素子搭載領域（３２）の上に設けられた導電性のプレート（３７）により構成されたものにできる。

また、請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項５に記載のリードフレームにおいて、半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）に、半導体素子（６０）を搭載したときに、当該リード端子（３４ａ）の周囲に位置する他のリード端子（３４）と半導体素子（６０）とがワイヤボンディングできるように、他のリード端子（３４）には、ワイヤ接続領域（３５）が設けられていることを特徴としている。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

図１は、本発明の実施形態に係るリードフレーム３０を用いて構成される樹脂封止型半導体装置１００の概略平面図であり、図２は図１中に示されるリードフレーム３０における半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４（３４ａ）の拡大平面図である。なお、これら図１、図２３中に施されているハッチングは、識別のために便宜上、施したもので断面を示すものではない。

図１において、ＩＣチップ１０はＩＧＢＴ等のパワーＩＣである。このＩＣチップ１０は、ヒートシンク２０の一面側の搭載部にＡｇ（銀）ペースト等の導電性接着剤を介して電気的・機械的に接続されている。

ここで、ヒートシンク２０は、例えばＣｕ（銅）板よりなり、図１に示されるように、ＩＣチップ１０を搭載する搭載部２１とリードフレーム３０へ取り付けられる取付部２２とを備えた平面形状となっている。

ヒートシンク２０の一面側の搭載部２１には、図示しないが、Ａｇ（銀）メッキが施されており、この搭載部２１には、ＩＣチップ１０が搭載されている。そして、このＡｇメッキにより、導電性接着剤によるＩＣチップ１０とヒートシンク２０との接合性が確保されている。

ヒートシンク２０の取付部２２には、ヒートシンク２０の一面から突出する円柱状の突起２３が形成されている。この突起２３は、リードフレーム３０側の取付部３１に形成された丸穴状の穴部へ挿入されて、かしめられることにより、ヒートシンク２０とリードフレーム３０とは固定されている。

また、このヒートシンク２０の取付部２２には、ヒートシンク２０をさらに放熱部材等に取り付けるためにネジが挿入される取付穴２４が設けられている。

次に、本実施形態のリードフレーム３０について、図１および図２を参照して述べる。ここで、図１中の一点鎖線で囲まれた領域は、モールド樹脂４０にて封止される領域である。

リードフレーム３０は、例えばＣｕ板よりなり、その表面全体にＮｉ（ニッケル）メッキが施されたものである。このリードフレーム３０の適所には、モールド樹脂４０に噛み合って密着性を高めるための穴や凹部が形成されている。

ここで、リードフレーム３０の表面において、図１、図２中に点ハッチングにて示される部位は、Ｎｉメッキの上にさらにＡｇメッキが施されている部位である。そして、このＡｇメッキが施されている領域には、チップコンデンサ５０および半導体素子としてのダイオード６０といった部品が図示しない導電性接着剤（Ａｇペースト等）を介して搭載されている。

ここで、上記Ａｇメッキの領域のうち半導体素子としてのダイオード６０が搭載されている領域は素子搭載領域３２である。

ここでいう半導体素子とは、本例のダイオード６０のように、その上にさらにワイヤボンディング７０が打たれて接続されるものである。そして、当該半導体素子としては、ダイオード以外にもコンデンサなどであってもよい。

また、図１に示されるように、実際には、リードフレーム３０は、モールド樹脂４０にて封止され、モールド樹脂４０の外形（図１中の一点鎖線）に沿ってガイドフレーム３３が分断される。

ここで、リードフレーム３０のリード端子３４は、モールド樹脂４０で封止されており、モールド樹脂４０の内部に位置するインナーリードと外部に位置するアウターリードとに分かれる。アウターリードは、モールド樹脂４０から離れた位置で適宜分断されて所定長さとなる。

そして、図１に示されるように、ＩＣチップ１０が搭載されたヒートシンク２０とリードフレーム３０とは、かしめ固定され、ＩＣチップ１０とリードフレーム３０のリード端子（インナーリード）３４とは、Ａｌ（アルミ）やＡｕ（金）などよりなるボンディングワイヤ（図１中、太線にて図示）７０により結線され電気的に接続されている。こうして、チップコンデンサ５０とＩＣチップ１０との電気的接続がなされている。

また、上述したように、半導体素子としてのダイオード６０とＩＣチップ１０とは直接、ボンディングワイヤ７０を介して接続されている。

なお、ここでは、ボンディングワイヤ７０は、ＩＣチップ１０におけるパワー素子部との接続では太いＡｌワイヤ（例えばφ１５０μｍ）、それ以外では細いＡｌワイヤ（例えばφ５０μｍやφ８０μｍ）を用いており、このことは、図１中では、線の太さの違いとして表してある。

ここで、全域にＮｉメッキが施されているリードフレーム３０において、ボンディングワイヤ７０はこのＮｉメッキ表面におけるワイヤ接続領域３５に接続されており、リードフレーム３０の表面のうち素子搭載領域３２を含むＡｇメッキが施された部位には、チップコンデンサ５０やダイオードが上記導電性接着剤を介して接着されている。

そして、モールド樹脂４０は、これらヒートシンク２０、ＩＣチップ１０、各部品５０、６０、ボンディングワイヤ７０およびリードフレーム３０を包み込むように封止している。こうして、本半導体装置１００ではモールド樹脂４０による樹脂パッケージが形成されている。

このように構成された樹脂封止型半導体装置１００においては、リード端子３４のアウターリードと外部の配線部材などとが電気的に接続されることにより、半導体装置１００と外部との信号のやりとりが可能となっている。

また、パワーＩＣであるＩＣチップ１０においては、その発熱による昇温はヒートシンク２０により放熱されて抑制され、高電流化に対しては、Ａｌよりなるボンディングワイヤ７０によって好適に対処されている。

さらに、本実施形態においては、半導体装置１００に用いられているリードフレーム３０において、図１、図２に示されるように、半導体素子としてのダイオード６０が搭載可能なリード端子３４には、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられている。

ここで、この両方の領域３２、３５が設けられているリード端子３４は、半導体素子としてのダイオード６０が搭載されたときに当該ダイオード６０にボンディングワイヤ７０が打たれるリード端子３４であり、本例では、このダイオード６０が搭載可能なリード端子３４には、図１、図２において特に符号３４ａを付してある。

従来のリードフレームにおいては、たとえば、上記図８に示されるように、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４には、素子搭載領域３２は当然設けられているが、素子搭載領域３２以外では、細い部分となっており、ボンディングワイヤを打つことの可能なスペースが確保されていない。

つまり、従来では、半導体素子６０が搭載されたときに当該半導体素子６０にボンディングワイヤ７０が打たれるリード端子３４には、ワイヤ接続領域が確保されていないため、ボンディングワイヤを打つことができない。

それに対して、本実施形態では、図２に示されるように、リード端子３４ａにおいて素子搭載領域３２を含むＡｇメッキが施されている部分以外に、従来では無かったＮｉメッキの幅広の部分を設け、その部分をボンディングワイヤ７０を打つことの可能なワイヤ接続領域３５としている。

このように、本実施形態によれば、半導体素子６０が搭載可能な領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域３２と、ボンディングワイヤ７０が接続されるワイヤ接続領域３５とを表面に有するリードフレームにおいて、このリードフレームのうち半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａには、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられていることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

なお、本実施形態のリードフレーム３０においては、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４が複数本ある場合、すべてのリード端子３４に素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方を設けてもよいが、そのように両方の領域３２、３５が設けられているものは、少なくとも１本あればよい。本例では、それが、ダイオード６０を搭載するリード端子３４ａである。

そして、このような特徴を有する本実施形態のリードフレーム３０によれば、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに半導体素子６０を搭載するときには、図１に示されるように、半導体素子６０の上にボンディングワイヤ７０を打つことにより、半導体素子６０とボンディングワイヤ７０との導通をとることができる。

また、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに半導体素子６０を搭載しないときには、素子搭載領域３２はＡｇメッキ３２が施されているのでボンディングワイヤ７０を打つことはできないが、当該リード端子３４ａにはワイヤ接続領域３５が設けられているため、そこにボンディングワイヤ７０を打つことができ、当該リード端子３４ａを活かすことができる。

よって、本実施形態によれば、Ａｇメッキが施された素子搭載領域３２と、ボンディングワイヤ７０が接続されるワイヤ接続領域３５とを表面に有するリードフレーム３０において、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに対して半導体素子６０を搭載する、しないにかかわらず、当該リード端子３４ａを有効に活用することができる。

さらに、本実施形態によれば、機能しないリード端子を無くすことができるため、半導体素子を搭載しない場合において他のリードフレームを必要とすることがなくなる。

つまり、本実施形態のリードフレーム３０は、半導体素子６０の搭載の有無によらずワイヤボンディングに使用できるリード端子３４の数は同一であり、半導体素子６０を搭載する場合と搭載しない場合との両方に、共用することができる。

そのため、本実施形態では、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他のワイヤボンディング用の治具を新設することが不要になる。また、本実施形態のように、リードフレーム３０を用いた半導体装置１００をモールドする必要がある場合には、他のリードフレームを用いた場合に必要とされる他の金型などのモールド治具を新設することも不要になる。

さらに、図１、図２に示されるように、本実施形態のリードフレーム３０においては、半導体素子としてのダイオード６０が搭載可能なリード端子３４ａのうち素子搭載領域３２の外側の部位は、溝形状となっている。つまり、素子搭載領域３２の外側には溝部３６が設けられている。このことも本実施形態のリードフレーム３０における特徴点のひとつである。

この溝部３６は、リードフレーム３０をエッチング加工したり、プレス加工したりすることにより形成することができる。溝形状としては、特に限定するものではないが、たとえばＶ溝やＵ溝などの形状とすることができる。

半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおける素子搭載領域３２に半導体素子６０を搭載する場合、上述したように、導電性接着剤を素子搭載領域３２に配設するが、この導電性接着剤の配設において、導電性接着剤が素子搭載領域３２から流出し、ワイヤ接続領域３５などを汚染する恐れ、すなわちブリードが発生する恐れがある。

その点、本実施形態によれば、リード端子３４ａのうち素子搭載領域３２の外側の部位が溝形状となっているため、導電性接着剤の配設において、導電性接着剤が素子搭載領域３２から流出しようとしても溝部３６の部分にてせき止められるため、導電性接着剤のブリードを阻止することができる。

［変形例］
次に、図３〜図７を参照して、本実施形態のリードフレーム３０の各種の変形例を示しておく。

なお、これら図３〜図７のうち平面図においては、上記図１、図２と同様に、Ａｇメッキの部分には便宜上、点ハッチングを施してあり、また、搭載された状態の半導体素子６０の外形を破線にて示してある。

上記図２に示される例では、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおいて、Ａｇメッキである素子搭載領域３２の外側の部位に、Ｎｉメッキであるワイヤ接続領域３５が設けられていた。

図３は、本実施形態の第１の変形例を示す概略平面図である。この図３において、（ａ）は従来の素子搭載領域３２を示す図であり、（ｂ）および（ｃ）は第１の変形例を示す図である。

この図３に示されるように、本変形例では、フォトリソグラフ技術などを用いて選択的に部分メッキを行うことにより、本来の素子搭載領域３２の一部にはＡｇメッキを施さず、Ｎｉメッキを露出させることにより、その露出したＮｉメッキの部分をワイヤ接続領域３５として構成している。

つまり、この図３に示される変形例では、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおいて、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられており、さらに、本例独自の構成として、素子搭載領域３２の中にワイヤ接続領域３５が設けられていることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

それによれば、リード端子３４ａにおいて、より狭い領域にて素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５とを設けることができるため、リード端子３４ａの小型化を図ることができる。

また、この図３に示される変形例においては、リード端子３４ａの全体形状は上記図２に示されるものと同様の形状とすることができるが、上記図２において幅広の部分として構成されていたワイヤ接続領域の部分は、従来と同様に細くなっていてもよい。そのようになっていても、素子搭載領域３２の中のワイヤ接続領域３５においてワイヤボンディングが可能なためである。

図４は、本実施形態の第２の変形例を示す概略平面図であり、図５は、本実施形態の第３の変形例を示す概略平面図である。

これら図４、図５に示される変形例においても、上記図３に示される第１の変形例と同様に、フォトリソグラフ技術などを用いて選択的に部分メッキを行うことにより、本来の素子搭載領域３２の一部にはＡｇメッキを施さず、Ｎｉメッキを露出させることにより、その露出したＮｉメッキの部分をワイヤ接続領域３５として構成している。

そして、図４に示される第２の変形例では、上記第１の変形例と同様に、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおいて、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられており、さらに、本例独自の構成として、ワイヤ接続領域３５は、格子状に配置された複数個の領域が素子搭載領域３２内に分散して設けられたものであることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

一方、図５に示される第３の変形例では、上記第１の変形例と同様に、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおいて、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられており、さらに、本例独自の構成として、ワイヤ接続領域３５は、ストライプ状に配置された複数個の領域が素子搭載領域３２内に分散して設けられたものであることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

これら第２および第３の変形例によれば、上記第１の変形例と同様に、素子搭載領域３２の中にワイヤ接続領域３５が設けられていることから、リード端子３４ａにおいて、より狭い領域にて素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５とを設けることができるため、リード端子３４ａの小型化を図ることができる。

さらに、これら第２および第３の変形例によれば、素子搭載領域３２の中に、広い範囲に渡ってワイヤ接続領域３５を分散して配置することができるため、リード端子３４ａに対してボンディングワイヤ７０を打つときの位置あわせの余裕度が大きくなるという利点がある。

また、この図４、図５に示される各変形例においても、リード端子３４ａの全体形状は上記図２に示されるものと同様の形状とすることができるが、上記図２において幅広の部分として構成されていたワイヤ接続領域の部分は、従来と同様に細くなっていてもよい。その理由は、上記図３に示される変形例と同様である。

図６は、本実施形態の第４の変形例を示す概略断面図である。図６に示されるように、本変形例では、Ａｇメッキからなる素子搭載領域３２の上に、素子搭載領域３２よりも小さくＡｌ箔などからなる導電性のプレート３７を、導電性接着剤を介して搭載している。そして、半導体素子６０を搭載しない場合には、この導電性のプレート３７の上にボンディングワイヤ７０を打つことができる。

つまり、この図６に示される第４の変形例では、上記第１の変形例と同様に、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａにおいて、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられており、さらに、本例独自の構成として、ワイヤ接続領域３５は、素子搭載領域３２の上に設けられた導電性のプレート３７により構成されたものであることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

図７は、本実施形態の第５の変形例を示す概略平面図である。

上記図１に示される例では、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに、半導体素子６０を搭載したときには、半導体素子６０は、ＩＣチップ１０との間でワイヤボンディングを行っていた。

それに対して、図７に示され第５の変形例では、半導体素子６０が搭載されているリード端子３４ａの周囲に位置する他のリード端子３４において、ワイヤ接続領域３５が設けられている。そして、半導体素子６０と当該他のリード端子３４のワイヤ接続領域３５とをボンディングワイヤ７０を介して結線するようにしてもよい。

つまり、この図７に示される変形例では、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに、半導体素子６０を搭載したときに、当該リード端子３４ａの周囲に位置する他のリード端子３４と半導体素子６０とがワイヤボンディングできるように、当該他のリード端子３４には、ワイヤ接続領域３５が設けられていることを特徴とするリードフレーム３０が提供される。

なお、上記した各変形例においても、リードフレーム３０のうち半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａには、素子搭載領域３２とワイヤ接続領域３５との両方が設けられていることから、半導体素子６０が搭載可能なリード端子３４ａに対して半導体素子６０を搭載する、しないにかかわらず、当該リード端子３４ａを有効に活用することができることは、上記図２に示されるものと同様である。

（他の実施形態）
なお、半導体素子としては、上記ダイオード６０に限定されるものではなく、上述したように、その上にワイヤボンディングが可能であるものであればよく、コンデンサなどであってもよい。

また、上記図１に示されるリードフレーム３０の形状は、本発明の一実施形態を示したものであり、図示例に限定されるものではない。

たとえば、上記図１に示される例では、ヒートシンク２０にＩＣチップ１０を搭載し、リードフレーム３０はそのヒートシンク２０にかしめられて、ヒートシンク２０の周囲に位置するものとしたが、ヒートシンク２０を用いずに、リードフレームとして、ＩＣチップ１０を搭載するアイランド部を有するものであってもかまわない。

また、リード端子におけるワイヤ接続領域３５としては、Ｎｉメッキが施された部分に限定されるものではなく、ボンディングワイヤを打ち、適切に接続ができるものであるならば、特に限定されるものではない。

本発明の実施形態に係るリードフレームを用いて構成される樹脂封止型半導体装置の概略平面図である。 図１中に示されるリードフレームにおける半導体素子が搭載可能なリード端子の拡大平面図である。 （ａ）は従来の素子搭載領域を示す概略平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は上記実施形態の第１の変形例を示す概略平面図である。 上記実施形態の第２の変形例を示す概略平面図である。 上記実施形態の第３の変形例を示す概略平面図である。 上記実施形態の第４の変形例を示す概略断面図である。 上記実施形態の第５の変形例を示す概略平面図である。 従来のリードフレームにおける半導体素子が搭載可能なリード端子の概略平面構成を示す図であり、（ａ）は半導体素子が搭載された状態を示す図、（ｂ）は半導体素子が搭載されない状態を示す図である。

符号の説明

３０…リードフレーム、３２…素子搭載領域、３４…リード端子、
３４ａ…半導体素子が搭載可能なリード端子、３５…ワイヤ接続領域、
３６…溝部、３７…導電性のプレート、６０…半導体素子、
７０…ボンディングワイヤ。

Claims (6)

1. 半導体素子（６０）が搭載可能な領域であってＡｇメッキが施された素子搭載領域（３２）と、ボンディングワイヤ（７０）が接続されるワイヤ接続領域（３５）とを表面に有するリードフレームにおいて、
   このリードフレームのうち前記半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）には、前記素子搭載領域（３２）と前記ワイヤ接続領域（３５）との両方が設けられており、
   前記半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）において、前記素子搭載領域（３２）の中に前記ワイヤ接続領域（３５）が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記ワイヤ接続領域（３５）は、格子状に配置された複数個の領域が前記素子搭載領域（３２）内に分散して設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記ワイヤ接続領域（３５）は、ストライプ状に配置された複数個の領域が前記素子搭載領域（３２）内に分散して設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
4. 前記ワイヤ接続領域（３５）は、前記素子搭載領域（３２）の上に設けられた導電性のプレート（３７）により構成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
5. 前記半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）のうち前記素子搭載領域（３２）の外側の部位は、溝形状となっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のリードフレーム。
6. 前記半導体素子（６０）が搭載可能なリード端子（３４ａ）に、前記半導体素子（６０）
   を搭載したときに、当該リード端子（３４ａ）の周囲に位置する他のリード端子（３４）と前記半導体素子（６０）とがワイヤボンディングできるように、前記他のリード端子（３４）には、前記ワイヤ接続領域（３５）が設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のリードフレーム。

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