JP4378835B2 - マイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,放送衛星及び通信衛星による衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ等にに用いられるマイクロ波発振回路及び、これを備えた衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ(国際特許分類H01P 1/17)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、衛星放送は普及期を迎え、2000年中にはBS放送もデジタル化され新しいサービスの提供とともに、更なる普及が期待されている。そのような中、4相及び8相PSK等のデジタル変調波受信時の重要な特性として、衛星受信用アンテナに使用されるコンバータのマイクロ波発振回路の位相雑音特性の更なる改善が望まれている。
【0003】
以下に従来のマイクロ波発振回路について図5を用いて説明する。図5は従来のマイクロ波発振回路のブロック図を示すものである。図5において、1はトランジスタ、2a、2bはバイアス供給端子、3a、3b、3c,3dは抵抗、4c,4d,4e、4fはマイクロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6b、6cは高インピーダンスライン、7a、7b、7cはコンデンサ、8は出力端子、9はマッチング線路である。
【0004】
以上のように構成された従来のマイクロ波発振回路の動作について以下に説明する。
【0005】
トランジスタ1のベースにはマイクロストリップライン4aが接続されており、該マイクロストリップライン4aには、バイアス供給端子2bに供給される電圧を抵抗3c及び3dで分圧し、マイクロストリップライン4dと高インピーダンスライン6aからなるチョーク回路を介してバイアスが印加されている。また、マイクロストリップライン4aの終端には抵抗3bが接続されており、片端が開放の長さが発振周波数の1/4波長のマイクロストリップライン4cとともに、無反射終端を形成している。
【0006】
一方、トランジスタ1のコレクタにはマイクロストリップライン4bが接続されており、バイアス供給端子2aに供給される電圧を抵抗3a及びマイクロストリップライン4f、高インピーダンスライン6bを介してバイアスが印加されている。誘電体共振器5は、マイクロストリップライン4a及び4bと電磁界結合しており、マイクロストリップライン4aの開放端から、誘電体共振器5の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長となる位置に配置されている。
【0007】
以上のような構成により、誘電体共振器5によって決定される周波数でトランジスタ1のベースからコレクタに帰還をかけることによって発振を安定化し、トランジスタ1のエミッタに接続されたマッチング回路9及びコンデンサ7aを経て出力端子8にて、ローカル発振出力が取り出される。
【0008】
尚、マッチング回路9に接続されている高インピーダンスライン6c及びマイクロストリップライン4eはチョーク回路であり、トランジスタ1のエミッタを直流的にアースするために用いられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の従来例の構成では、トランジスタ1の各端子に接続される高周波信号線路すなわちマイクロストリップライン4a、4b及びマッチング回路9にバイアスを印加するために、チョーク回路として1/4波長のマイクロストリップライン4d,4b,4eがそれぞれ必要となり、回路の小型化を阻害しまた、不要な共振の発生や位相雑音特性の劣化を引き起こす要因となっていた。
【0010】
本発明は上記従来の問題点を解決し、小型で位相雑音特性に優れたマイクロ波発振回路及び衛星受信コンバータを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
これらの目的を達成するために本発明のマイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータは、トランジスタのベースに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続することを特徴とする。
【0012】
本発明によれば、トランジスタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路を大幅に削減することが可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路を実現することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項1に記載の発明は、誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベースに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路であり、トランジスタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路が得られるという作用を有する。
【0014】
本発明の請求項2に記載の発明は、誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベース及びコレクタに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、各々のマイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路であり、トランジスタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路が得られるという作用を有する。
【0015】
本発明の請求項3に記載の発明は、誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲートに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、FETのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路であり、FETの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路が得られるという作用を有する。
【0016】
本発明の請求項4に記載の発明は、誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲート及びドレインに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、各々のマイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、FETのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路であり、FETの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路が得られるという作用を有する。
【0017】
本発明の請求項5に記載の発明は、12GHz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル発振回路を備え、請求項1及び4に記載のマイクロ波発振回路を具備する衛星受信ダウンコンバータであり、トランジスタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星受信ダウンコンバータが得られるという作用や、FETの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星受信ダウンコンバータが得られるという作用を有する。
【0021】
以下、本発明の実施の形態について、図1から図4を参照しながら説明する。
【0022】
(実施の形態1)
図1は本発明の第1の実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図を示すものである。
【0023】
図1において、1はトランジスタ、2はバイアス供給端子、3a、3bは抵抗、4a,4bはマイクロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6bは高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、8は出力端子である。
【0024】
以上のように構成されるマイクロ波発振回路の動作について、以下、説明する。
【0025】
トランジスタ1のベースには先端開放のマイクロストリップライン4aが接続されており、該マイクロストリップライン4aには、高インピーダンスライン6aを介してバイアス供給端子2に供給される電圧を抵抗3a及び3bによって電圧帰還バイアスが印加されている。一方、トランジスタ1のコレクタには、ベースと同様に先端開放のマイクロストリップライン4bが接続されており、エミッタは接地されている。誘電体共振器5はマイクロストリップライン4aとマイクロストリップライン4bの各々の開放端からの距離がそれぞれL1,L2となる位置に載置され、L1及びL2を誘電体共振器5の共振周波数の約1/4波長とすることによって、誘電体共振器5と電磁界結合するマイクロストリップライン4a及びマイクロストリップライン4b間で並列帰還が発生する。ここで、マイクロストリップライン4aの開放端から高インピーダンスライン6aまでの距離を、同じくマイクロストリップライン4aの開放端から誘電体共振器5の中心までの距離、すなわちL1と等しくすることによって、所望のマイクロ波帯の周波数で安定した発振出力がコンデンサ7aを介して出力端子8から取り出される。
【0026】
図4にL1を1/8、1/4、3/8波長にした場合のマイクロ波発振出力の位相雑音特性を示す。L1=1/4波長のときが最も良好な位相雑音特性が得られることが判る。
【0027】
なお、本実施例では、トランジスタ1のバイアスに電圧帰還を用いているが、その他のバイアス方式(例えば電流帰還バイアス)の場合でも同様な効果が得られる。また、直流阻止用のコンデンサ7aにマイクロストリップラインによるインターディジタル型フィルタ等の方式を用いても同等の効果が得られることは言うまでもない。
【0028】
(実施例の形態2)
実施例の形態2は図1に示す実施例の形態1において、先端開放のマイクロストリップライン4bの開放端から高インピーダンスライン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによって、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原理、動作は実施例の形態1と同内容のため詳細は省略する。
【0029】
(実施例の形態3)
図2は本発明の第1の実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図を示すものである。
【0030】
図2において、2はバイアス供給端子、3c,3d,3eは抵抗、4a,4b4cはマイクロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6b、6cは高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、8は出力端子、9はFET、10はマッチング線路である。
【0031】
以上のように構成されるマイクロ波発振回路の動作について、以下、説明する。
【0032】
FET9のゲートには先端開放のマイクロストリップライン4aが接続されており、該マイクロストリップライン4aは、高インピーダンスライン6a及び抵抗3eを介して接地されている。一方、FET9のドレインには、ゲートと同様に先端開放のマイクロストリップライン4bが接続されており、ソースは高インピーダンスライン6cとマイクロストリップライン4cによるチョーク回路及び抵抗3dを介して接地されている。
【0033】
誘電体共振器5はマイクロストリップライン4aとマイクロストリップライン4bの各々の開放端からの距離がそれぞれL1,L2となる位置に載置され、L1及びL2を誘電体共振器5の共振周波数の約1/4波長とすることによって、誘電体共振器5と電磁界結合するマイクロストリップライン4a及びマイクロストリップライン4b間で並列帰還が発生する。ここで、マイクロストリップライン4aの開放端から高インピーダンスライン6aまでの距離を、同じくマイクロストリップライン4aの開放端から誘電体共振器5の中心までの距離、すなわちL1と等しくすることによって、所望のマイクロ波帯の周波数で安定した発振出力がマッチング線路10及びコンデンサ7aを介して出力端子8から取り出される。
【0034】
なお、本実施例では、直流阻止用にコンデンサ7aを用いているが、マイクロストリップラインによるインターディジタル型フィルタ等の方式を用いても同等の効果が得られることは言うまでもない。
【0035】
(実施例の形態4)
実施例の形態4は図2に示す実施例の形態3において、先端開放のマイクロストリップライン4bの開放端から高インピーダンスライン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによって、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原理、動作は実施例の形態3と同内容のため詳細は省略する。
【0036】
(実施例の形態5)
図3は本発明の第5の実施例における衛星受信ダウンコンバータのブロック図を示すものである。
【0037】
図3において、1はトランジスタ、2はバイアス供給端子、3a、3bは抵抗、4a,4bはマイクロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6bは高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、11はプローブ,12a,12bは低雑音増幅器、13はミキサー回路、14はバンドパスフィルタ、15は中間周波増幅器、16は電源回路、17は中間周波出力端子である。
【0038】
以上のように構成される衛星受信ダウンコンバータの動作について、以下、説明する。
【0039】
衛星より放射されたマイクロ波信号は、プローブ11によってマイクロストリップラインを伝搬する準TEM波に変換され低雑音増幅器12aおよび12bによって低雑音増幅されたのち、ミキサー回路13へと導かれる。
【0040】
トランジスタ1のベースには先端開放のマイクロストリップライン4aが接続されており、該マイクロストリップライン4aには、高インピーダンスライン6aを介してバイアス供給端子2に供給される電圧を抵抗3a及び3bによって電圧帰還バイアスが印加されている。一方、トランジスタ1のコレクタには、ベースと同様に先端開放のマイクロストリップライン4bが接続されており、エミッタは接地されている。誘電体共振器5はマイクロストリップライン4aとマイクロストリップライン4bの各々の開放端からの距離がそれぞれL1,L2となる位置に載置され、L1及びL2を誘電体共振器5の共振周波数の約1/4波長とすることによって、誘電体共振器5と電磁界結合するマイクロストリップライン4a及びマイクロストリップライン4b間で並列帰還が発生する。
【0041】
ここで、マイクロストリップライン4aの開放端から高インピーダンスライン6aまでの距離を、同じくマイクロストリップライン4aの開放端から誘電体共振器5の中心までの距離、すなわちL1と等しくすることによって、所望のマイクロ波帯の周波数で安定した局部発振出力がコンデンサ7a及びバンドパスフィルタ14を介してミキサー回路13へと供給される。ミキサー回路13によって周波数変換された中間周波信号は、中間周波増幅器15によって増幅された後、中間周波出力端子17に出力される。
【0042】
図4にL1を1/8、1/4、3/8波長にした場合のマイクロ波発振出力の位相雑音特性を示す。L1=1/4波長のときが最も良好な位相雑音特性が得られることが判る。
【0043】
(実施例の形態6)
実施例の形態6は図3に示す実施例の形態5において、先端開放のマイクロストリップライン4bの開放端から高インピーダンスライン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによって、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原理、動作は実施例の形態5と同内容のため詳細は省略する。
【0044】
(実施例の形態7)
実施例の形態7は図3に示す実施例の形態5において、局部発振回路に図2に示す実施例の形態3のマイクロ波発振回路を用いたものであり、原理、動作は実施例の形態5及び実施例の形態3と同内容のため詳細は省略する。
【0045】
(実施例の形態8)
実施例の形態8は図3に示す実施例の形態5において、局部発振回路に実施例の形態4のマイクロ波発振回路を用いたものであり、原理、動作は実施例の形態5及び実施例の形態4と同内容のため詳細は省略する。
【0046】
【発明の効果】
以上のように本発明は、トランジスタ、FET等の高周波発振用素子の各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路を大幅に削減することにより、小型で高安定な、位相雑音特性に優れたマイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータを実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図
【図2】本発明の第2の実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図
【図3】本発明の第3の実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図
【図4】本発明のマイクロ波発振回路の位相雑音特性図
【図5】従来のマイクロ波発振回路のブロック図
【符号の説明】
1 トランジスタ
2 バイアス供給端子
3a,3b、3c、3d 抵抗
4a,4b、4c マイクロストリップライン
5 誘電体共振器
6a,6b、6c 高インピーダンスライン
7a,7b コンデンサ
8 出力端子
9 FET
10 マッチング線路
11 プローブ
12a,12b 低雑音増幅器
13 ミキサー回路
14 バンドパスフィルタ
15 中間周波増幅器
16 電源回路
17 中間周波出力端子
Claims (5)
- 誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベースに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路。
- 誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベース及びコレクタに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、各々のマイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路。
- 誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲートに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、FETのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路。
- 誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲート及びドレインに他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、各々のマイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、FETのバイアス用高インピーダンス線路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回路。
- 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル発振回路を備え、請求項1乃至4のいずれかに記載のマイクロ波発振回路を具備する衛星受信ダウンコンバータ。
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