JP2001292029A - マイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータ - Google Patents

マイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバータ

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JP2001292029A
JP2001292029A JP2000107545A JP2000107545A JP2001292029A JP 2001292029 A JP2001292029 A JP 2001292029A JP 2000107545 A JP2000107545 A JP 2000107545A JP 2000107545 A JP2000107545 A JP 2000107545A JP 2001292029 A JP2001292029 A JP 2001292029A
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oscillation circuit
microwave
dielectric resonator
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1864Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
    • H03B5/187Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/18Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B5/1864Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコンバ
ータにおいて、小型、高安定、低位相雑音特性を実現す
ることを目的とする。 【解決手段】 トランジスタのベースに他端が開放のマ
イクロストリップラインを接続し、該マイクロストリッ
プラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離
が、発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタの
バイアス用高インピーダンス線路を接続することによっ
て、回路の小型化、低位相雑音化を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,放送衛星及び通信
衛星による衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ等
にに用いられるマイクロ波発振回路及び、これを備えた
衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ(国際特許分
類H01P 1/17)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、衛星放送は普及期を迎え、200
0年中にはBS放送もデジタル化され新しいサービスの
提供とともに、更なる普及が期待されている。そのよう
な中、4相及び8相PSK等のデジタル変調波受信時の
重要な特性として、衛星受信用アンテナに使用されるコ
ンバータのマイクロ波発振回路の位相雑音特性の更なる
改善が望まれている。
【0003】以下に従来のマイクロ波発振回路について
図5を用いて説明する。図5は従来のマイクロ波発振回
路のブロック図を示すものである。図5において、1は
トランジスタ、2a、2bはバイアス供給端子、3a、
3b、3c,3dは抵抗、4c,4d,4e、4fはマ
イクロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6
b、6cは高インピーダンスライン、7a、7b、7c
はコンデンサ、8は出力端子、9はマッチング線路であ
る。
【0004】以上のように構成された従来のマイクロ波
発振回路の動作について以下に説明する。
【0005】トランジスタ1のベースにはマイクロスト
リップライン4aが接続されており、該マイクロストリ
ップライン4aには、バイアス供給端子2bに供給され
る電圧を抵抗3c及び3dで分圧し、マイクロストリッ
プライン4dと高インピーダンスライン6aからなるチ
ョーク回路を介してバイアスが印加されている。また、
マイクロストリップライン4aの終端には抵抗3bが接
続されており、片端が開放の長さが発振周波数の1/4
波長のマイクロストリップライン4cとともに、無反射
終端を形成している。
【0006】一方、トランジスタ1のコレクタにはマイ
クロストリップライン4bが接続されており、バイアス
供給端子2aに供給される電圧を抵抗3a及びマイクロ
ストリップライン4f、高インピーダンスライン6bを
介してバイアスが印加されている。誘電体共振器5は、
マイクロストリップライン4a及び4bと電磁界結合し
ており、マイクロストリップライン4aの開放端から、
誘電体共振器5の中心までの距離が、発振周波数の1/
4波長となる位置に配置されている。
【0007】以上のような構成により、誘電体共振器5
によって決定される周波数でトランジスタ1のベースか
らコレクタに帰還をかけることによって発振を安定化
し、トランジスタ1のエミッタに接続されたマッチング
回路9及びコンデンサ7aを経て出力端子8にて、ロー
カル発振出力が取り出される。
【0008】尚、マッチング回路9に接続されている高
インピーダンスライン6c及びマイクロストリップライ
ン4eはチョーク回路であり、トランジスタ1のエミッ
タを直流的にアースするために用いられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来例の構成では、トランジスタ1の各端子に接続される
高周波信号線路すなわちマイクロストリップライン4
a、4b及びマッチング回路9にバイアスを印加するた
めに、チョーク回路として1/4波長のマイクロストリ
ップライン4d,4b,4eがそれぞれ必要となり、回
路の小型化を阻害しまた、不要な共振の発生や位相雑音
特性の劣化を引き起こす要因となっていた。
【0010】本発明は上記従来の問題点を解決し、小型
で位相雑音特性に優れたマイクロ波発振回路及び衛星受
信コンバータを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ために本発明のマイクロ波発振回路と衛星受信ダウンコ
ンバータは、トランジスタのベースに他端が開放のマイ
クロストリップラインを接続し、該マイクロストリップ
ラインの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、
発振周波数の1/4波長の位置に、トランジスタのバイ
アス用高インピーダンス線路を接続することを特徴とす
る。
【0012】本発明によれば、トランジスタの各端子に
接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを印加す
るためのチョーク回路を大幅に削減することが可能とな
り、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路を
実現することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、誘電体共振器をマイクロストリップラインに電磁界
結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイ
クロ波発振回路において、トランジスタのベースに他端
が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マイク
ロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心ま
での距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、トラン
ジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続するこ
とによって構成されるマイクロ波発振回路であり、トラ
ンジスタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路
にバイアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減
が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた
発振回路が得られるという作用を有する。
【0014】本発明の請求項2に記載の発明は、誘電体
共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、
発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振
回路において、トランジスタのベース及びコレクタに他
端が開放のマイクロストリップラインを接続し、各々の
マイクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の
中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、
トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路を接続
することによって構成されるマイクロ波発振回路であ
り、トランジスタの各端子に接続されるマイクロストリ
ップ線路にバイアスを印加するためのチョーク回路の大
幅な削減が可能となり、小型で高安定な、位相雑音特性
に優れた発振回路が得られるという作用を有する。
【0015】本発明の請求項3に記載の発明は、誘電体
共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、
発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振
回路において、FETのゲートに他端が開放のマイクロ
ストリップラインを接続し、該マイクロストリップライ
ンの開放端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振
周波数の1/4波長の位置に、FETのバイアス用高イ
ンピーダンス線路を接続することによって構成されるマ
イクロ波発振回路であり、FETの各端子に接続される
マイクロストリップ線路にバイアスを印加するためのチ
ョーク回路の大幅な削減が可能となり、小型で高安定
な、位相雑音特性に優れた発振回路が得られるという作
用を有する。
【0016】本発明の請求項4に記載の発明は、誘電体
共振器をマイクロストリップラインに電磁界結合させ、
発振周波数の安定化を図る並列帰還型のマイクロ波発振
回路において、FETのゲート及びドレインに他端が開
放のマイクロストリップラインを接続し、各々のマイク
ロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中心ま
での距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、FET
のバイアス用高インピーダンス線路を接続することによ
って構成されるマイクロ波発振回路であり、FETの各
端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアスを
印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能とな
り、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた発振回路が
得られるという作用を有する。
【0017】本発明の請求項5に記載の発明は、12G
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル
発振回路を備え、請求項1に記載のマイクロ波発振回路
を具備する衛星受信ダウンコンバータであり、トランジ
スタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバ
イアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可
能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星
受信ダウンコンバータが得られるという作用を有する。
【0018】本発明の請求項6に記載の発明は、12G
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル
発振回路を備え、請求項2に記載のマイクロ波発振回路
を具備する衛星受信ダウンコンバータであり、トランジ
スタの各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバ
イアスを印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可
能となり、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星
受信ダウンコンバータが得られるという作用を有する。
【0019】本発明の請求項7に記載の発明は、12G
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル
発振回路を備え、請求項3に記載のマイクロ波発振回路
を具備する衛星受信ダウンコンバータであり、FETの
各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアス
を印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能とな
り、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星受信ダ
ウンコンバータが得られるという作用を有する。
【0020】本発明の請求項8に記載の発明は、12G
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、ミキサー回路及びローカル
発振回路を備え、請求項4に記載のマイクロ波発振回路
を具備する衛星受信ダウンコンバータであり、FETの
各端子に接続されるマイクロストリップ線路にバイアス
を印加するためのチョーク回路の大幅な削減が可能とな
り、小型で高安定な、位相雑音特性に優れた衛星受信ダ
ウンコンバータが得られるという作用を有する。
【0021】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図4を参照しながら説明する。
【0022】(実施の形態1)図1は本発明の第1の実
施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図を示すも
のである。
【0023】図1において、1はトランジスタ、2はバ
イアス供給端子、3a、3bは抵抗、4a,4bはマイ
クロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6b
は高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、
8は出力端子である。
【0024】以上のように構成されるマイクロ波発振回
路の動作について、以下、説明する。
【0025】トランジスタ1のベースには先端開放のマ
イクロストリップライン4aが接続されており、該マイ
クロストリップライン4aには、高インピーダンスライ
ン6aを介してバイアス供給端子2に供給される電圧を
抵抗3a及び3bによって電圧帰還バイアスが印加され
ている。一方、トランジスタ1のコレクタには、ベース
と同様に先端開放のマイクロストリップライン4bが接
続されており、エミッタは接地されている。誘電体共振
器5はマイクロストリップライン4aとマイクロストリ
ップライン4bの各々の開放端からの距離がそれぞれL
1,L2となる位置に載置され、L1及びL2を誘電体
共振器5の共振周波数の約1/4波長とすることによっ
て、誘電体共振器5と電磁界結合するマイクロストリッ
プライン4a及びマイクロストリップライン4b間で並
列帰還が発生する。ここで、マイクロストリップライン
4aの開放端から高インピーダンスライン6aまでの距
離を、同じくマイクロストリップライン4aの開放端か
ら誘電体共振器5の中心までの距離、すなわちL1と等
しくすることによって、所望のマイクロ波帯の周波数で
安定した発振出力がコンデンサ7aを介して出力端子8
から取り出される。
【0026】図4にL1を1/8、1/4、3/8波長
にした場合のマイクロ波発振出力の位相雑音特性を示
す。L1=1/4波長のときが最も良好な位相雑音特性
が得られることが判る。
【0027】なお、本実施例では、トランジスタ1のバ
イアスに電圧帰還を用いているが、その他のバイアス方
式(例えば電流帰還バイアス)の場合でも同様な効果が
得られる。また、直流阻止用のコンデンサ7aにマイク
ロストリップラインによるインターディジタル型フィル
タ等の方式を用いても同等の効果が得られることは言う
までもない。
【0028】(実施例の形態2)実施例の形態2は図1
に示す実施例の形態1において、先端開放のマイクロス
トリップライン4bの開放端から高インピーダンスライ
ン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによっ
て、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原
理、動作は実施例の形態1と同内容のため詳細は省略す
る。
【0029】(実施例の形態3)図2は本発明の第1の
実施例におけるマイクロ波発振回路のブロック図を示す
ものである。
【0030】図2において、2はバイアス供給端子、3
c,3d,3eは抵抗、4a,4b4cはマイクロスト
リップライン、5は誘電体共振器、6a、6b、6cは
高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、8
は出力端子、9はFET、10はマッチング線路であ
る。
【0031】以上のように構成されるマイクロ波発振回
路の動作について、以下、説明する。
【0032】FET9のゲートには先端開放のマイクロ
ストリップライン4aが接続されており、該マイクロス
トリップライン4aは、高インピーダンスライン6a及
び抵抗3eを介して接地されている。一方、FET9の
ドレインには、ゲートと同様に先端開放のマイクロスト
リップライン4bが接続されており、ソースは高インピ
ーダンスライン6cとマイクロストリップライン4cに
よるチョーク回路及び抵抗3dを介して接地されてい
る。
【0033】誘電体共振器5はマイクロストリップライ
ン4aとマイクロストリップライン4bの各々の開放端
からの距離がそれぞれL1,L2となる位置に載置さ
れ、L1及びL2を誘電体共振器5の共振周波数の約1
/4波長とすることによって、誘電体共振器5と電磁界
結合するマイクロストリップライン4a及びマイクロス
トリップライン4b間で並列帰還が発生する。ここで、
マイクロストリップライン4aの開放端から高インピー
ダンスライン6aまでの距離を、同じくマイクロストリ
ップライン4aの開放端から誘電体共振器5の中心まで
の距離、すなわちL1と等しくすることによって、所望
のマイクロ波帯の周波数で安定した発振出力がマッチン
グ線路10及びコンデンサ7aを介して出力端子8から
取り出される。
【0034】なお、本実施例では、直流阻止用にコンデ
ンサ7aを用いているが、マイクロストリップラインに
よるインターディジタル型フィルタ等の方式を用いても
同等の効果が得られることは言うまでもない。
【0035】(実施例の形態4)実施例の形態4は図2
に示す実施例の形態3において、先端開放のマイクロス
トリップライン4bの開放端から高インピーダンスライ
ン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによっ
て、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原
理、動作は実施例の形態3と同内容のため詳細は省略す
る。
【0036】(実施例の形態5)図3は本発明の第5の
実施例における衛星受信ダウンコンバータのブロック図
を示すものである。
【0037】図3において、1はトランジスタ、2はバ
イアス供給端子、3a、3bは抵抗、4a,4bはマイ
クロストリップライン、5は誘電体共振器、6a、6b
は高インピーダンスライン、7a、7bはコンデンサ、
11はプローブ,12a,12bは低雑音増幅器、13
はミキサー回路、14はバンドパスフィルタ、15は中
間周波増幅器、16は電源回路、17は中間周波出力端
子である。
【0038】以上のように構成される衛星受信ダウンコ
ンバータの動作について、以下、説明する。
【0039】衛星より放射されたマイクロ波信号は、プ
ローブ11によってマイクロストリップラインを伝搬す
る準TEM波に変換され低雑音増幅器12aおよび12
bによって低雑音増幅されたのち、ミキサー回路13へ
と導かれる。
【0040】トランジスタ1のベースには先端開放のマ
イクロストリップライン4aが接続されており、該マイ
クロストリップライン4aには、高インピーダンスライ
ン6aを介してバイアス供給端子2に供給される電圧を
抵抗3a及び3bによって電圧帰還バイアスが印加され
ている。一方、トランジスタ1のコレクタには、ベース
と同様に先端開放のマイクロストリップライン4bが接
続されており、エミッタは接地されている。誘電体共振
器5はマイクロストリップライン4aとマイクロストリ
ップライン4bの各々の開放端からの距離がそれぞれL
1,L2となる位置に載置され、L1及びL2を誘電体
共振器5の共振周波数の約1/4波長とすることによっ
て、誘電体共振器5と電磁界結合するマイクロストリッ
プライン4a及びマイクロストリップライン4b間で並
列帰還が発生する。
【0041】ここで、マイクロストリップライン4aの
開放端から高インピーダンスライン6aまでの距離を、
同じくマイクロストリップライン4aの開放端から誘電
体共振器5の中心までの距離、すなわちL1と等しくす
ることによって、所望のマイクロ波帯の周波数で安定し
た局部発振出力がコンデンサ7a及びバンドパスフィル
タ14を介してミキサー回路13へと供給される。ミキ
サー回路13によって周波数変換された中間周波信号
は、中間周波増幅器15によって増幅された後、中間周
波出力端子17に出力される。
【0042】図4にL1を1/8、1/4、3/8波長
にした場合のマイクロ波発振出力の位相雑音特性を示
す。L1=1/4波長のときが最も良好な位相雑音特性
が得られることが判る。
【0043】(実施例の形態6)実施例の形態6は図3
に示す実施例の形態5において、先端開放のマイクロス
トリップライン4bの開放端から高インピーダンスライ
ン6bまでの距離L2をL1と等しくすることによっ
て、発振の安定性をより高めたものであり、基本的な原
理、動作は実施例の形態5と同内容のため詳細は省略す
る。
【0044】(実施例の形態7)実施例の形態7は図3
に示す実施例の形態5において、局部発振回路に図2に
示す実施例の形態3のマイクロ波発振回路を用いたもの
であり、原理、動作は実施例の形態5及び実施例の形態
3と同内容のため詳細は省略する。
【0045】(実施例の形態8)実施例の形態8は図3
に示す実施例の形態5において、局部発振回路に実施例
の形態4のマイクロ波発振回路を用いたものであり、原
理、動作は実施例の形態5及び実施例の形態4と同内容
のため詳細は省略する。
【0046】
【発明の効果】以上のように本発明は、トランジスタ、
FET等の高周波発振用素子の各端子に接続されるマイ
クロストリップ線路にバイアスを印加するためのチョー
ク回路を大幅に削減することにより、小型で高安定な、
位相雑音特性に優れたマイクロ波発振回路と衛星受信ダ
ウンコンバータを実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例におけるマイクロ波発振
回路のブロック図
【図2】本発明の第2の実施例におけるマイクロ波発振
回路のブロック図
【図3】本発明の第3の実施例におけるマイクロ波発振
回路のブロック図
【図4】本発明のマイクロ波発振回路の位相雑音特性図
【図5】従来のマイクロ波発振回路のブロック図
【符号の説明】
1 トランジスタ 2 バイアス供給端子 3a,3b、3c、3d 抵抗 4a,4b、4c マイクロストリップライン 5 誘電体共振器 6a,6b、6c 高インピーダンスライン 7a,7b コンデンサ 8 出力端子 9 FET 10 マッチング線路 11 プローブ 12a,12b 低雑音増幅器 13 ミキサー回路 14 バンドパスフィルタ 15 中間周波増幅器 16 電源回路 17 中間周波出力端子
フロントページの続き Fターム(参考) 5J081 AA11 BB03 BB06 BB09 CC30 CC42 DD03 DD04 DD24 EE10 FF05 GG02 JJ12 JJ14 JJ27 LL09 MM01 5K020 AA05 BB06 DD05 GG04 MM02 MM07 MM11 MM12 MM13 5K062 AA09 AB06 AB10 AC01 AD03 AE01 BC03 BC10 BE08

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体共振器をマイクロストリップライ
    ンに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰
    還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベ
    ースに他端が開放のマイクロストリップラインを接続
    し、該マイクロストリップラインの開放端から誘電体共
    振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位
    置に、トランジスタのバイアス用高インピーダンス線路
    を接続することによって構成されるマイクロ波発振回
    路。
  2. 【請求項2】 誘電体共振器をマイクロストリップライ
    ンに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰
    還型のマイクロ波発振回路において、トランジスタのベ
    ース及びコレクタに他端が開放のマイクロストリップラ
    インを接続し、各々のマイクロストリップラインの開放
    端から誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の
    1/4波長の位置に、トランジスタのバイアス用高イン
    ピーダンス線路を接続することによって構成されるマイ
    クロ波発振回路。
  3. 【請求項3】 誘電体共振器をマイクロストリップライ
    ンに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰
    還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲートに
    他端が開放のマイクロストリップラインを接続し、該マ
    イクロストリップラインの開放端から誘電体共振器の中
    心までの距離が、発振周波数の1/4波長の位置に、F
    ETのバイアス用高インピーダンス線路を接続すること
    によって構成されるマイクロ波発振回路。
  4. 【請求項4】 誘電体共振器をマイクロストリップライ
    ンに電磁界結合させ、発振周波数の安定化を図る並列帰
    還型のマイクロ波発振回路において、FETのゲート及
    びドレインに他端が開放のマイクロストリップラインを
    接続し、各々のマイクロストリップラインの開放端から
    誘電体共振器の中心までの距離が、発振周波数の1/4
    波長の位置に、FETのバイアス用高インピーダンス線
    路を接続することによって構成されるマイクロ波発振回
    路。
  5. 【請求項5】 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM
    波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキ
    サー回路及びローカル発振回路を備え、請求項1に記載
    の高周波信号切換回路を具備する衛星受信ダウンコンバ
    ータ。
  6. 【請求項6】 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM
    波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキ
    サー回路及びローカル発振回路を備え、請求項2に記載
    の高周波信号切換回路を具備する衛星受信ダウンコンバ
    ータ。
  7. 【請求項7】 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM
    波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキ
    サー回路及びローカル発振回路を備え、請求項3に記載
    の高周波信号切換回路を具備する衛星受信ダウンコンバ
    ータ。
  8. 【請求項8】 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM
    波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、ミキ
    サー回路及びローカル発振回路を備え、請求項4に記載
    の高周波信号切換回路を具備する衛星受信ダウンコンバ
    ータ。
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