JP4372256B2 - エタンジオール誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、医農薬中間体として有用な下記一般式(1)
【化3】
(式中、R1およびR2は同一または異なって、水素原子、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子を示すか、またはR1およびR2が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成していてもよいを示す。)
で表される1, 2−エタンジオール誘導体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
1, 2−エタンジオール誘導体の製造法としては、α−ヒドロキシ酸エステル誘導体を、水素化アルミニウムリチウムで還元する方法、α−ヒドロキシ酸誘導体をジボランやボラン・ジメチルスルフィドコンプレックス等で還元する方法などが一般的に良く知られている。
【0003】
例えば、1−フェニル−1, 2−エタンジオールの製造法としては、マンデル酸メチルエステルを水素化アルミニウムリチウムで還元する方法 [J.Amer.Chem.Soc.,81巻,6456頁,1959年] 、マンデル酸をジボランで還元する方法 [米国特許第4391826号の参考例に記載] 、また、1−(3−クロロフェニル)−1,2−エタンジオールの製造法としては、3−クロロマンデル酸をボラン・ジメチルスルフィドコンプレックスで還元する方法 [欧州特許出願公開第28105号明細書の参考例に記載] が知られている。
【0004】
しかしながら、水素化アルミニウムリチウムで還元する方法は、水分により発火の危険があるため、無水溶媒を使用する等などの湿気対策が必要となる。また、高価であることから経済的に不利である。
【0005】
また、カルボキシル基を還元する方法として、ジボラン、ボラン・ジメチルスルフィドコンプレックス等が実験室スケールでは好んで使用されるが、これらのボラン還元剤は、毒性が高いことから取り扱いに注意を要すること、無水条件を使用する点、高価であること、ジメチルスルフィドを使用する場合は悪臭対策を必要とすることなど工業的製法としては適さない。
【0006】
現状では、安全面、価格等の制約条件から工業的に好んで使用される還元剤は、水素化ホウ素ナトリウムである。反応溶媒として水、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのプロトン性溶媒を用いて、水素化ホウ素ナトリウムをアルデヒド官能基またはケトン官能基の選択的還元剤として汎用されるが、エステル官能基は還元しにくいとされている。
【0007】
また、前記 [J.Amer.Chem.Soc.,81巻,6456頁,1959年] には、ジオキサン中、マンデル酸エチルエステルを水素化ホウ素ナトリウムで還元する試みがなされているが全く反応は進行せず原料回収に終わっている。
【0008】
そこで、特願平7-97493号において、水素化ホウ素ナトリウムを使用して、α−ヒドロキシ酸エステル誘導体から対応する1,2−エタンジオールへ容易に還元できる方法が提案されている。
【0009】
この方法は従来の方法に比べて、安全性、経済性に優れ、悪臭を発生することがないため公害問題が発生する恐れもないなど様々な利点がある。しかしながら、水素化ホウ素ナトリウムはアルコール性溶媒と徐々に反応するため、水素化ホウ素ナトリウムを添加する際には大きな発熱が生じる。この発熱の危険を回避するため、水素化ホウ素ナトリウムを長時間添加、分割添加することが必要であったが、水素化ホウ素ナトリウムは吸湿化合物であるため、添加中に吸湿して還元能が失活する恐れがあった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
1,2−エタンジオール誘導体は、医農薬中間体として有用であるが、その製法は上述のごとき種々の問題点を有しており、安全性が高く、簡便かつ経済的な工業的製造方法の開発が望まれていた。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、驚くべきことに水素化ホウ素ナトリウムと反応しないトルエンなどの非プロトン性溶媒中に水素化ホウ素ナトリウムを冷却下懸濁させ、そこにメタノールなどのプロトン性溶媒に溶解させたα−ヒドロキシ酸エステル誘導体を添加することにより、容易に還元でき、急激な発熱もなく、安全かつ経済的に目的とする1,2−エタンジオール誘導体を製造する方法を見出し、本発明に到達した。
【0012】
すなわち、本発明は下記一般式(1)
【化4】
(式中、R1およびR2は同一または異なって、水素原子、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子を示すか、またはR1およびR2が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成していてもよいを示す。)で表される1,2−エタンジオール誘導体の製造方法において、プロトン性溶媒に溶解させた下記一般式(2)
【化5】
(式中、R1およびR2は同一または異なって、水素原子、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、ハロゲン置換していてもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、水酸基、置換基を有していてもよいアミノ基、ニトロ基、ハロゲン原子を示すか、またはR1およびR2が一緒になって低級アルキレンジオキシ基を形成していてもよい。R3は炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。)で表されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体を、トルエンなどの非プロトン性溶媒に水素化ホウ素化合物を懸濁させた懸濁液に添加することを特徴とする1, 2−エタンジオール誘導体の製造方法に関する。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。本発明で原料として用いるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体は、上記一般式(2)で表されるが、式中、R1およびR2で示されるハロゲン置換してもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基等が挙げられる。ハロゲン置換してもよい炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基等が挙げられる。置換基を有してもよいアミノ基としては、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、モルフォリノ基、ピペリジノ基、ピローリル基、イミダゾーリル基、トリアゾーリル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素原子が挙げられる。また、R1およびR2が一緒になって形成する低級アルキレンジオキシ基としては、メチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基等が挙げられる。
【0014】
上記のように定義されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体の具体例としては、マンデル酸メチルエステル、2−クロロマンデル酸エチルエステル、3−クロロマンデル酸イソプロピルエステル、4−クロロマンデル酸n−プロピルエステル、2−メチルマンデル酸n−ブチルエステル、3−メチルマンデル酸イソブチルエステル、4−メチルマンデル酸sec−ブチルエステル、2−ヒドロキシマンデル酸t−ブチルエステル、3−ヒドロキシマンデル酸メチルエステル、4−ヒドロキシマンデル酸エチルエステル、2−メトキシマンデル酸イソプロピルエステル、3−メトキシマンデル酸n−プロピルエステル、4−メトキシマンデル酸n−ブチルエステル、2−トリフルオロメチルマンデル酸イソブチルエステル、3−トリフルオロメチルマンデル酸sec−ブチルエステル、4−トリフルオロメチルマンデル酸t−ブチルエステル、2−アミノマンデル酸メチルエステル、3−アミノマンデル酸エチルエステル、4−アミノマンデル酸n−プロピルエステル、2−ニトロマンデル酸イソプロピルエステル、3−ニトロマンデル酸n−ブチルエステル、4−ニトロマンデル酸イソブチルエステル、2,4−ジクロロマンデル酸sec−ブチルエステル、2,4−ジフルオロマンデル酸t−ブチルエステル、3,4−メチレンジオキシマンデル酸メチルエステルなどを挙げることができる。また、以上に挙げたα−ヒドロキシ酸エステル誘導体は、それぞれ光学活性体であってもよい。
【0015】
上記のように定義されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体は、対応するα−ヒドロキシ酸誘導体を公知の方法でエステル化することによって容易に製造することができる。例えば酸触媒の存在下にメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノールなどのアルコール中で容易に製造することができる。酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等を用いることができる。また、ジアゾアルカンやジアルキル硫酸のようなアルキル化剤による方法によっても製造することができる。
【0016】
本発明で好適に用いられる還元剤は、水素化ホウ素化合物であるが、具体的には、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、アルコキシ水素化ホウ素ナトリウムなどを挙げることができる。経済的な面から水素化ホウ素ナトリウムが最も好ましい。
【0017】
本発明における水素化ホウ素化合物の使用量は、原料のα−ヒドロキシ酸エステル誘導体に対して0.75倍モル〜4倍モルの範囲である。
【0018】
本発明の方法において水素化ホウ素化合物を懸濁させるために使用される溶媒としては、水素化ホウ素化合物と反応しない、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒もしくは、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒などの非プロトン性溶媒が好ましい。
【0019】
本発明の方法においてα−ヒドロキシ酸エステル誘導体を添加する際に使用される溶媒としては、原料のα−ヒドロキシ酸エステル誘導体を溶解するものであれば何であっても構わないが、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの脂肪族アルコール、または水、さらには脂肪族アルコール類に水を添加した混合溶媒系が好適に使用される。
【0020】
本発明の方法において、反応温度としては、−50℃から溶媒の沸点の範囲で行われるが、好適には−20〜50℃である。反応時間は主に反応温度、原料化合物または使用される溶媒の種類によって異なるが、通常は12時間以内、0.5〜7時間の範囲で適用される。
【0021】
なお、目的とする1,2−エタンジオール誘導体は、反応の終了後、常法に従って反応混合物から単離される。例えばホウ素−アルコキシド結合を有する反応中間体を酸によって処理したのち、水と混和しない酢酸エチル、トルエン、塩化メチレン等の有機溶媒を加えて抽出後、溶媒を留去することによって得られる。
【0022】
得られた1,2−エタンジオール誘導体は、必要に応じて、常法、例えば再結晶、再沈殿、蒸留、またはクロマトグラフィー等によって更に精製することができる。
【0023】
原料化合物として、光学活性α−ヒドロキシ酸エステル誘導体を用いて上記方法で反応を行った場合、得られる1,2−エタンジオール誘導体はそれぞれ対応する立体配置を有しており、立体保持されていることが判明した。これによって、光学活性のα−ヒドロキシ酸エステル誘導体から立体を保持したまま対応する光学活性1,2−エタンジオール誘導体を提供することが可能となった。得られた光学活性1,2−エタンジオール誘導体の光学純度は、光学分割カラムを用いた高速液体クロマトグラフィーによって測定した。
【0024】
【実施例】
次に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【0025】
実施例1
水素化ホウ素ナトリウム3.03gをトルエン18mlに懸濁し、次にマンデル酸エチル18gをメタノール30mlに溶解した混合液を氷冷下加え、室温(約20℃)でさらに2時間攪拌した。反応後、2N−硫酸にて中和したのち、酢酸エチルで抽出後、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾液を減圧下濃縮して、無色油状物13.1gを得た。更に精製し、1−フェニル−1,2−エタンジオールの無色結晶16.3g(収率95%)を得た。
【0026】
実施例2
水素化ホウ素ナトリウム3.03gをトルエン18mlに懸濁し、次に(R)−3−クロロマンデル酸メチル20gをメタノール30mlに溶解した混合液を氷冷下加え、室温(約20℃)でさらに2時間攪拌した。反応後、2N硫酸にて中和したのち、酢酸エチルで抽出後、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾液を減圧下濃縮して、無色油状物17.0gを得た。更に精製し(R)−3−クロロ−1−フェニル−1,2−エタンジオールの無色結晶16.3g(収率95%)を得た。本化合物の光学純度は98.5%eeであった。
【0027】
実施例3
水素化ホウ素ナトリウム3.03gをトルエン18mlに懸濁し、次に(S)−3−クロロマンデル酸メチル20gをメタノール30mlに溶解した混合液を氷冷下加え、室温(約20℃)でさらに2時間攪拌した。反応後、2N硫酸にて中和したのち、酢酸エチルで抽出後、酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾液を減圧下濃縮して、無色油状物16.8gを得た。更に精製し(S)−3−クロロ−1−フェニル−1,2−エタンジオールの無色結晶16.0g(収率93%)を得た。本化合物の光学純度は98.5%eeであった。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば、非プロトン性溶媒に水素化ホウ素化合物を懸濁させた懸濁液に、プロトン性溶媒で溶解させたα−ヒドロキシ酸エステル誘導体を滴下して還元する方法により、高収率で1,2−エタンジオール誘導体に導くことができる。また、本発明の方法は安価かつ安全性の高い水素化ホウ素化合物を用いて還元するため、簡便かつ経済的に有利な工業的製法として適している。
Claims (4)
- 下記一般式(1)
- 水素化ホウ素化合物の使用量が、一般式(2)で表されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体に対して、0.75倍モル〜4倍モルである請求項1に記載の方法。
- 一般式(2)で表されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体が(R)体であり、一般式(1)で表される1, 2−エタンジオール誘導体が(R)体である請求項1に記載の方法。
- 一般式(2)で表されるα−ヒドロキシ酸エステル誘導体が(S)体であり、一般式(1)で表される1, 2−エタンジオール誘導体が(S)体である請求項1に記載の方法。
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