JP4366220B2 - 粉体塗装方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、スプレー塗布を実施した場合、ガラス容器の所望箇所以外に液状塗料が飛散してしまうという問題が見られた。すなわち、液状塗料のほとんどが、塗膜を形成せずに廃棄され、それを効率的に回収しなければならないという資源上、環境上の問題が見られた。また、液状塗料に含まれる溶剤やモノマーを加熱して、除去しなければならず、設備が大掛かりになったり、環境対策を講じたりしなければならないなどの問題が見られた。
そのため、ガラス容器に対する塗装手段として、通常、金属材料への塗装に使用される粉体塗料を用いて、静電塗装する方法が提案されている。しかしながら、ガラス材料の体積抵抗率は、金属材料のそれと比較して、値がきわめて大きく、しかも、かかる体積抵抗率の値が変動しやすいという問題が見られた。したがって、ガラス容器に対して、静電塗装方法による粉体塗料の塗装を試みても、十分な厚さの塗膜を、安定して得ることは極めて困難であった。
また、特許文献2に開示されたケイ酸化炎処理を実施した場合に、固体物質の体積抵抗率(表面抵抗)の値を調節できるという事実までは見出せていなかった。
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、粉体塗料を固体物質へ適用して粉体塗装する前に、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付ける等して、ケイ酸化処理を施すことにより、固体物質がガラス容器であっても、所定の通電処理を施すことなく、均一かつ強固に粉体塗膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
よって、本発明の目的は、簡易な方法により、均一かつ強固な粉体塗膜を備えた塗装無機物が、効率的に得られる粉体塗装方法を提供することである。
なお、ケイ素含有化合物を400℃以上の熱源を介して吹き付け処理するにあたっては、ケイ素含有化合物を固体物質へ予め適用しておき、400℃以上の熱源を利用してケイ酸化処理を施すことも含まれる。
すなわち、ケイ素含有化合物が火炎または熱源により迅速に熱分解するとともに、反応して、固体物質の表面において、凹凸形状を有するとともに、所定の体積抵抗率を有するシリカを形成し、通電処理層としての機能を発揮させることができる。その結果、粉体塗料を効率的に引き付けることができ、均一かつ強固に粉体塗膜を形成することができる。
また、固体物質の表面において形成される凹凸形状を有するとともに、所定の体積抵抗率を有するシリカが、所定のレベリング機能を発揮することができ、より均一で、滑らかな粉体塗膜を形成することができる。
なお、固体物質の表面温度を所定範囲内の値に調整するにあたり、オーブン等を用いて全体的に加熱することもできるし、あるいは、火炎処理(フレーム処理)により、局所的に加熱することも好ましい。
以下、本発明の粉体塗装方法における態様を、図2に示すフローチャートに沿って具体的に説明する。
(1)固体物質
本発明において使用される固体物質の種類は特に制限されるものではないが、例えば、後述するようにガラス、金属、セラミック、ゴム、樹脂等が挙げられる。
したがって、固体物質としてのガラスとしては、ソーダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、リン酸ガラス、鉛ガラス、着色ガラス、導電性ガラス等の一種単独または二種以上の金属材料の組み合わせが挙げられる。そして、例えば、ソーダガラスからなるガラス容器は、そのままでは体積抵抗率が高く、粉体塗装したとしても、均一な粉体塗膜を形成することが困難であり、通電処理剤の塗布および乾燥が必須工程であった。そこで、ガラス容器の表面に対して、ケイ素含有化合物の酸化炎処理等を施した後、粉体塗装することにより、均一な粉体塗膜を形成することが可能となり、粉体塗膜の剥離を有効に防止することができる。
なお、図2に示すフローチャートにおいては、一例としてガラス容器を作成することを例示している。
例えば、アルミニウムは軽量金属として多用されているが、表面に酸化膜を形成しやすく、粉体塗装して粉体塗膜を形成しても、容易に剥離してしまうという問題が見られた。そこで、アルミニウム表面に対して、ケイ素含有化合物の酸化炎処理を施した後、粉体塗装することにより、粉体塗膜の剥離を有効に防止することができる。
また、マグネシウムはリサイクル可能な金属部材として、パ−ソナルコンピューター等の筐体に近年多用されているが、表面の平滑性が乏しいことから、粉体塗装して粉体塗膜を形成しても、容易に剥離してしまうという問題が見られた。そこで、マグネシウム表面に対して、ケイ素含有化合物の酸化炎処理を施した後、粉体塗装することにより、粉体塗膜の剥離を有効に防止することができる。
例えば、酸化アルミニウム等からなるセラミック基板は、耐熱性、軽量性の電子基板として多用されているが、伝電性が良好であって、表面温度が所定温度に上がりずらいことから、粉体塗装により粉体塗膜を形成しても、容易に剥離してしまうという問題が見られた。そこで、セラミック基板の表面に対して、ケイ素含有化合物の酸化炎処理等を施した後、粉体塗装することにより、粉体塗膜の剥離を有効に防止することができる。
これらのゴム類のうち、特に接触角が大きく、濡れ指数が小さいシリコーンゴム、フッ素ゴム、オレフィンゴム、エチレン−プロピレンゴムに対して、本発明の粉体塗装を実施することにより、優れた改質効果を発現することができる。したがって、例えば、シリコーンゴムやフッ素ゴム等からなる防汚性ゴムや防汚性カバーの表面に、粉体塗膜からなる数字や文字等を容易に形成することが可能となる。
したがって、これらの樹脂に対して、粉体塗装を実施することにより、均一かつ強固な粉体塗膜を形成することができる。例えば、ポリエチレン樹脂やポリプロピレン樹脂からなるフィルム、あるいはポリエステル樹脂からなる容器上に、粉体塗膜からなる文字や模様を印刷したり、ポリカーボネート樹脂からなるコンパクトディスク基板上に、粉体塗膜からなる文字や模様を強固に接着したり、さらには、ポリテトラフルオロエチレン樹脂からなる防汚材料上に、粉体塗膜からなる数字や文字等を容易に印刷することが可能となる。
さらに、所定の粉体塗膜を形成することにより、さらにレーザーマーキングや印刷を実施することができる。
例えば、繊維状のガラスやカーボンファーバーに対して、本発明により、粉体塗膜を形成することにより、エポキシ樹脂やポリエステル樹脂等のマトリクス樹脂中に均一に分散させることができる。したがって、FRPやCFRPにおいて、優れた機械的強度や耐熱性等を得ることができる。
例えば、金属管やセラミック管の内面に、粉体塗膜を樹脂ライナーとして形成することにより、表面を活性化することができ、樹脂ライナーが極めて強固に積層されたパイプを得ることができる。
さらに、固体物質の形態として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、石灰、ゼオライト、金、銀、銅、亜鉛、ニッケル、スズ、鉛、半田、ガラス、セラミック等のフィラーを対象とすることも好ましい。
すなわち、このようなフィラーの表面に粉体塗装を施すことによって、フィラーの機械的強度、耐熱性、導電性あるいは電気絶縁性等の物理特性を向上させることができる。そればかりか、このように粉体塗膜を備えた無機フィラーを、樹脂中に添加することにより、樹脂自体が新たな機能を発揮することも可能である。
次いで、図2に示すフローチャートにおいては、表面処理工程として、STEP2に示すイトロ処理(商標)、すなわち、ケイ素含有化合物の酸化炎処理を実施することを意味している。
(1)ケイ素含有化合物
STEP2に示すイトロ処理を実施するにあたり、所定のケイ素含有化合物を使用するが、かかるケイ素含有化合物の沸点(大気圧下)を10〜200℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかるケイ素含有化合物の沸点が10℃未満の値であっては、揮発性が激しくて、取り扱いが困難となる場合があるためである。一方、かかるケイ素含有化合物の沸点が200℃を超えると、空気流との混合性が低下し、固体物質の表面改質が不均一になったり、長時間にわたって、改質効果を持続させることが困難になったりする場合があるためである。
したがって、かかるケイ素含有化合物の沸点を15〜180℃の範囲内の値とすることがより好ましく、20〜120℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、かかるケイ素含有化合物の沸点は、ケイ素含有化合物自体の構造を制限することによっても調整することができるが、その他、比較的沸点が低いアルキルシラン化合物等と、比較的沸点が高いアルコキシラン化合物等とを適宜混合使用することによっても調整することができる。
このようなアルキルシラン化合物やアルコキシシラン化合物の好適例としては、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン、1,2−ジクロロテトラメチルシラン、1,2−ジフェニルテトラメチルシラン、1,2−ジクロロテトラエチルシラン、1,2−ジフェニルテトラエチルシラン、1,2,3−トリクロロテトラメチルシラン、1,2,3−トリフェニルテトラメチルシラン、ジメチル時エチルテトラシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、1,2−ジクロロテトラメトキシシラン、1,2−ジフェニルテトラメトキシシラン、1,2−ジクロロテトラエトキシシラン、1,2−ジフェニルテトラエトキシシラン、1,2,3−トリクロロテトラメトキシシラン、1,2,3−トリフェニルテトラメトキシシラン、ジメチルジエチルテトラメトキシシラン等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
より具体的には、ヘキサメチルジシラザン(沸点:126℃)、ビニルトリメトキシシラン(沸点:123℃)、ビニルトリエトキシシラン(沸点:161℃)、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン(沸点:144℃)、トリフルオロプロピルトリクロロシラン(沸点:113〜114℃)、3−アミノプロピルトリメトキシシラン(沸点:215℃)、3−アミノプロピルトリエトキシシラン(沸点:217℃)、ヘキサメチルジシロキサン(沸点:100〜101℃)、および3−クロロプロピルトリメトキシシラン(沸点:196℃)の少なくとも一つの化合物であることが好ましい。
この理由は、このようなシラン化合物であれば、キャリアガスとの混合性が向上し、固体物質の表面に、粒状物(シリカ層)を形成して改質がより均一になるとともに、沸点等の関係で、かかるシラン化合物が固体物質の表面に一部残留しやすくなるため、固体物質と、各種粉体塗膜との間で、より優れた密着力を得ることができるためである。
次いで、本発明の表面処理工程において、STEP2に示すイトロ処理を実施するにあたり、所定量のケイ素含有化合物を燃料ガス中に混合し、それを燃焼させて火炎とし、その火炎を固体物質の表面に吹き付けることが好ましい。
そのため、かかる火炎の温度を500〜1、500℃の範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる火炎の温度が500℃未満の値になると、ケイ素含有化合物の不完全燃焼を有効に防止することが困難になる場合があるためである。一方、かかる火炎の温度が1、500℃を超えると、表面改質する対象の固体物質が、熱変形したり、熱劣化したりする場合があり、使用可能な固体物質の種類が過度に制限される場合があるためである。
したがって、火炎の温度を550〜1、200℃の範囲内の値とすることが好ましく、600〜900℃未満の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかるケイ素含有化合物の添加量が1×10-10モル%未満の値になると、固体物質に対する改質効果が発現しない場合があるためである。一方、かかるケイ素含有化合物の添加量が10モル%を超えると、ケイ素含有化合物と空気等との混合性が低下し、それにつれてケイ素含有化合物が不完全燃焼する場合があるためである。
したがって、ケイ素含有化合物の添加量を、気体状物の全体量を100モル%としたときに、1×10-9〜5モル%の範囲内の値とすることがより好ましく、1×10-8〜1モル%の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる引火性ガスの含有量が80モル%未満の値になると、ケイ素含有化合物と空気等との混合性が低下し、それにつれてケイ素含有化合物が不完全燃焼する場合があるためである。一方、かかるケイ素含有化合物の添加量が99.9モル%を超えると、固体物質に対する改質効果が発現しない場合があるためである。
したがって、ケイ素含有化合物の添加量を、燃料ガスの全体量を100モル%としたときに、85〜99モル%の範囲内の値とすることがより好ましく、90〜99モル%の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかるキャリアガスを添加することにより、比較的分子量が大きく、移動しづらいケイ素含有化合物を用いた場合であっても、空気流と均一に混合することができるためである。すなわち、キャリアガスを添加することにより、ケイ素含有化合物を燃焼しやすくして、固体物質の表面改質を均一かつ十分に実施することができるためである。
なお、このような好ましいキャリアガスとして、引火性ガスと同種のガスを使用することが好ましく、例えば、空気や酸素、あるいはプロパンガスや天然ガス等の炭化水素を挙げることができる。
また、本発明の表面処理工程において、STEP2に示す別なイトロ処理として、ケイ素含有化合物を400℃以上の熱源(図示せず)を介して吹き付けて、表面処理を実施するにあたり、熱源の温度を400〜2、500℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる熱源の温度が400℃未満の値になると、ケイ素含有化合物を熱分解して、固体物質の表面等に所定形状を有する粒状物を形成することが困難になる場合があるためである。一方、かかる熱源の温度が2、500℃を超えると、気体状物が過度に加熱され、表面改質する対象の固体物質が、熱変形したり、熱劣化したりする場合があるためである。
したがって、熱源の温度を500〜1、800℃の範囲内の値とすることが好ましく、800〜1、200℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
例えば、レーザーを用いることにより、スポット的に、極めて迅速に加熱して、ケイ素含有化合物を熱分解させて、例えば、固体物質として、ナノオーダーのパターン化された半導体基板についての表面処理が可能となる。
また、ハロゲンランプや赤外線ランプを用いることにより、極めて均一な温度分布でもって、大量のケイ素含有化合物の熱分解が可能となり、例えば、固体物質として、オレフィンフィルム等の効率的な表面処理が可能となる。
また、高周波コイルや誘導加熱装置を用いることにより、極めて迅速に加熱して、ケイ素含有化合物を熱分解させて、例えば、固体物質として、金属部品等の効率的な表面処理が可能となる。
さらに、熱風ヒーターやセラミックヒーターを用いることにより、例えば、2000℃を超える温度処理が、小規模から大規模まで各種サイズにおいて可能となり、ケイ素含有化合物を容易に熱分解させて、例えば、固体物質として、セラミック基板等の効率的な表面処理が可能となる。
また、本発明において火炎または熱源を介した気体状物の吹き付け時間(噴射時間)を、単位面積(100cm2)あたり、0.1秒〜100秒の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる噴射時間が0.1秒未満の値になると、ケイ素含有化合物による改質効果が均一に発現しない場合があるためである。一方、かかる噴射時間が100秒を超えると、表面改質する対象の固体物質が、熱変形したり、熱劣化したりする場合があり、使用可能な固体物質の種類が過度に制限される場合があるためである。
したがって、かかる噴射時間を、単位面積(100cm2)あたり、0.3〜30秒の範囲内の値とすることが好ましく、0.5〜20秒の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、本発明において所定の火炎を吹き付けるにあたり、図1に示すように、ケイ素含有化合物14を貯蔵するための貯蔵タンク12と、燃料ガスを移送するための移送部24と、燃料ガスの火炎34を吹き付けるための噴射部32と、を含む火炎型表面処理装置10を用いることが好ましい。
すなわち、図1に示すように、加熱手段16を有するケイ素含有化合物14を貯蔵するための第1の貯蔵タンク12と、圧縮空気等の引火性ガスを貯蔵するための第2の貯蔵タンク(図示せず)と、を備えることが好ましい。この例では、第1の貯蔵タンク12の下方に、ヒーターや伝熱線、あるいは熱交換器に接続した加熱板等から加熱手段16を備えてあり、常温、常圧状態では液状のケイ素含有化合物14を気化することが好ましい。
そして、固体物質を表面処理する際には、加熱手段16によって、第1の貯蔵タンク12内のケイ素含有化合物14を所定温度に加熱し、気化させた状態で、引火性ガス(空気等)と混合し、燃料ガスとすることが好ましい。
なお、燃料ガス中におけるケイ素含有化合物の含有量は極めて重要であるため、当該ケイ素含有化合物の含有量を間接的に制御すべく、第1の貯蔵タンク12に圧力計(または液面のレベル計)18を設けて、ケイ素含有化合物の蒸気圧(またはケイ素含有化合物量)をモニターすることが好ましい。
また、ケイ素含有化合物および引火性ガスを均一に混合した上で、流量を厳格に制御できるように、混合室22に混合ポンプや、滞留時間を長くするための邪魔板等を備えることも好ましい。
例えば、図3に示すように、噴射部32を円形または楕円形を構成するように配置することも好ましいし、図4に示すように、噴射部32を、被処理物である固体物質66の両側に近接して配置することも好ましい。
また、図5(a)に示すように、噴射部32を、被処理物である固体物質66の片側に所定距離だけ離して配置することも好ましいし、図5(b)に示すように、被処理物である固体物質66の両側にそれぞれ所定距離だけ離して配置することも好ましい。
また、所定の気体状物を、熱源を介して吹き付けるにあたり、図6に示すようなケイ素含有化合物14を貯蔵するための貯蔵タンク12と、気化した気体状物を所定場所に移送するための移送部24と、気体状物を所定温度に制御するキャリアガスを加熱するための熱源25と、所定温度に制御されたケイ素含有化合物14を含む気体状物を、固体物質に対して吹き付けるための噴射部32と、を含む熱源型表面改質装置100を用いることが好ましい。
すなわち、所定温度に制御されたケイ素含有化合物14を含む気体状物を、固体物質に対してあらゆる方向から吹き付けることができ、固体物質を均一かつ十分に処理することが可能である。また、火炎を用いることがなく、表面改質作業中に気体状物を着火したり、消火したりする必要がなく、着火装置等への負担が小さく、表面処理装置を容易に小型化することができる。さらには、ケイ素含有化合物の燃焼性を考慮する必要がなく、ケイ素含有化合物に対する使用制限も少なくなる。
そして、固体物質を表面処理する際には、加熱手段16によって、第1の貯蔵タンク12内のケイ素含有化合物14を、所定温度に加熱し、気化させた状態で、矢印Cで表されるように移送させるとともに、矢印Aで表されるように導入された加熱状態のキャリアガスと混合し、所定温度の気体状物とすることが好ましい。
なお、気体状物中におけるケイ素含有化合物の含有量は極めて重要であるため、当該ケイ素含有化合物の含有量を間接的に制御すべく、第1の貯蔵タンク12に圧力計(または液面のレベル計)18を設けて、ケイ素含有化合物の蒸気圧(またはケイ素含有化合物量)をモニターすることが好ましい。
また、気体状物のきめ細かい温度制御のために、かかる移送部24の途中に、別途、第2の熱源35を設けて、矢印Bで表されるように、加熱状態のキャリアガスを導入することが好ましい。なお、かかる熱源としても、上述したように、レーザーやハロゲンランプ、あるいはセラミックヒーターからなる群から選択される少なくとも一つの加熱手段を用いることが好ましい。
さらに、噴射部32は、図6に示すように、移送部24を経て送られてきた所定温度の気体状物を、被処理物である固体物質66に吹き付けるための噴出し口を備えることが好ましい。なお、かかる噴出し口の種類も特に制限されるものでないが、例えば、予混合型バーナー、拡散型バーナー、部分予混合型バーナー、噴霧バーナー、蒸発バーナー、微粉炭バーナー等のいずれであっても良い。
すなわち、ケイ素含有化合物214を酸化させるためのキャリアガスを移送するポンプ278と、キャリアガスの流量を制御するための流量弁276と、ニードル型の表面処理装置200を構成するように、加熱室256の周囲に設けてあるキャリアガスの導入路254a、254bと、所定温度に加熱されたケイ素含有化合物214およびキャリアガスを混合するとともに、固体物質266に対して吹き付けるための噴射部232と、を備えていることが好ましい。
したがって、矢印A´で表されるように流れるケイ素含有化合物214と、矢印B´で表されるように流れるキャリアガスを均一に混合し、所定温度に制御した気体状物として、固体物質266に対して、所定方向から吹き付けることができる。また、このようなニードル型の表面処理装置200であれば、スポット的に、所定箇所のみに表面処理を施すこともできる。さらに、このような形態の表面処理装置200であれば、容易に小型化することができ、携帯型の表面処理装置として構成することもできる。
また、本発明の表面処理工程において表面改質された固体物質の濡れ指数(測定温度25℃)を40〜80dyn/cmの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる固体物質の濡れ指数が45dyn/cm未満の値になると、接着、印刷、塗装などを容易に実施することが困難となる場合があるためである。一方、かかる固体物質の濡れ指数が80dyn/cmを超えると、過度に表面処理を実施することになり、固体物質を熱劣化させる場合があるためである。
したがって、表面改質された固体物質において、濡れ指数を45〜75dyn/cmの範囲内の値とすることがより好ましく、50〜70dyn/cmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、表1に、25℃の基準液を用いて測定した表面処理前の固体物質の濡れ指数(dyn/cm)と、表面処理後(0.5秒間)の固体物質の濡れ指数の測定例を示す。
また、本発明の表面処理工程において表面改質された固体物質の、水を用いて測定される接触角(測定温度25℃)を0.1〜30°の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる固体物質の接触角が0.1°未満の値になると、過度に表面処理を実施することになり、固体物質を熱劣化させる場合があるためである。一方、かかる固体物質の接触角が30°を超えると、接着、印刷、塗装などを容易に実施することが困難となる場合があるためである。
したがって、表面改質された固体物質において、水を用いて測定される接触角(測定温度25℃)を0.5〜20°の範囲内の値とすることがより好ましく、1〜10°の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
次いで、図2に示すフローチャートにおいては、粉体塗装工程として、STEP3に示す静電塗装工程を実施することを意味している。
(1)粉体塗料
本発明の粉体塗装工程に使用される粉体塗料の種類は特に制限されるものでなく、熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を使用することができる。より具体的には、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ−ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、かかる粉体塗料の軟化温度を50〜150℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる粉体塗料の軟化温度が50℃未満の値になると、所望の厚さの硬化粉体塗膜を形成することが困難となる場合があるためである。一方、かかる粉体塗料の軟化温度が150℃を超えると、硬化粉体塗膜の厚さが不均一になったり、固体物質の表面に対する密着性が低下したりする場合があるためである。
したがって、かかる粉体塗料の軟化温度を60〜130℃の範囲内の値とすることがより好ましく、70〜120℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる粉体塗料の平均粒径が1μm未満の値になると、所望の厚さの硬化粉体塗膜を形成することが困難となる場合があるためである。一方、かかる粉体塗料の平均粒径が100μmを超えると、硬化粉体塗膜の厚さが不均一になったり、固体物質の表面に対する密着性が低下したりする場合があるためである。
したがって、かかる粉体塗料の平均粒径を5〜60μmの範囲内の値とすることがより好ましく、10〜40μmの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、本発明の粉体塗装工程において、粉体塗装を実施するにあたり、従来使用されている流動浸漬法を採用することもできるが、より効率的に粉体塗装できることから静電塗装装置を用いることが好ましい。より具体的には、図8に例示されるような静電塗装装置300を、典型的に使用することが好ましい。
すなわち、静電塗装装置としての塗装ガン300は、その先端部に設けてある塗料噴射孔315と、液体塗料に高電圧を付与するための電極312を突出させてなる高圧印加部303と、液体塗料を噴射する際に、空気を供給するための二つの空気噴射孔307、308と、を備えていることが好ましい。
したがって、このような静電塗装装置300を用いることにより、各種粉体塗料を固体物質366の任意箇所に対して精度良く吹き付け、例えば、パターン化した粉体塗膜を容易に形成することができる。
すなわち、図9に示すように、ガラス容器66の製造ライン400の出口に、表面処理装置10を配置し、さらにその延長箇所に、静電塗装装置300を配置することが好ましい。
そして、かかる静電塗装装置における静電塗装する際の電圧を0.1〜100kVの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる電圧が0.1kV未満になると、ガラス容器に対して、粉体塗料を均一に静電塗装することが困難になる場合があるためである。一方、かかる電圧が100kVを超えると、ガラス容器の表面に付着せず、外部に飛散する粉体塗料の量が著しく増加する場合があるためである。したがって、静電塗装する際の電圧を1〜50kVの範囲内の値とすることがより好ましく、10〜30kVの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
なお、図9に示すように、ガラス容器の製造ライン400においては、静電塗装装置300の延長部に、さらに二つの加熱部410(410a、410b)が設けてあり、ガラス容器の所定箇所に付着させた粉体塗料を加熱硬化させるように構成してあることが好ましい。この理由は、このように構成することにより、一旦付着した粉体塗料が脱落することなく、均一な硬化粉体塗膜を形成することができるためである。
次いで、図2に示すフローチャートにおいては、硬化処理工程として、STEP4に示す硬化処理工程を実施することを意味している。すなわち、本発明の硬化処理工程において、静電塗装等された粉体塗料を加熱するか、あるいは紫外線照射して完全硬化させることが好ましい。
例えば、加熱する場合、100〜200℃の温度で、1〜120分の条件で、粉体塗料を加熱させるとともに一部流動させて、均一な厚さであって、表面平滑性に優れた硬化粉体塗膜を形成することが好ましい。
また、加熱手段としては、オーブン、赤外線ランプ、遠赤外線ランプ、電熱炉、レーザー、ハロゲンランプ、あるいはセラミックヒーターからなる群から選択される少なくとも一つの加熱手段を用いることが好ましい。
一方、紫外線照射して硬化させる場合、例えば、照射量を50〜1,000mJ/cm2の範囲内の値とすることが好ましい。
その他、図2に示すフローチャートに示すように、STEP4に示す硬化処理工程を実施した後、STEP5に示すように、検査工程を実施することが好ましい。すなわち、図9(a)に示すように連続的な表面処理層84、あるいは図9(b)に示すように不連続的な表面処理層84およびそれぞれ硬化粉体塗膜86を備えたガラス容器80の外観や寸法を検査して、規格内であることを確認することが好ましい。
1.硬化粉体塗膜を備えた固体物質の作成
固体物質として、ガラス板(縦10cm×横10cm×厚さ2mm)を準備し、このガラス板の表面に対して、図1に示す表面改質装置を用いて、ケイ酸化炎処理を単位面積当り(50cm2)、0.2秒間実施した。なお、燃料ガスとして、ヘキサメチルジシラザンを0.01モル%、残りの99.99モル%が圧縮空気であるカートリッジ入りの混合ガスを用いた。
次いで、Bステージのエポキシ樹脂からなる粉体塗料を、ケイ酸化炎処理したガラス板に対して、静電塗装し、厚さ50μmの粉体塗膜を形成した。その後、オーブンを用いて、170℃、20分の条件で加熱処理を施し、粉体塗膜を完全硬化させた。
(1)体積抵抗率
ケイ酸化炎処理した段階におけるガラス板における体積抵抗率(表面抵抗)を、JIS K 6911に準拠して測定した。また、ケイ酸化炎処理前のガラス板の体積抵抗率を同様に測定した。
ケイ酸化炎処理した段階におけるガラス板における濡れ指数を、標準液を用いて測定した。また、ケイ酸化炎処理前のガラス板の濡れ指数を同様に測定した。
硬化粉体塗膜を備えたガラス板に対して、JIS K−5400に準拠した碁盤目試験を実施し、以下の基準に沿って粉体塗装性(密着性)を評価した。
◎:100個の碁盤目試験で、全く剥がれが無い。
○:100個の碁盤目試験で、剥がれ数は1〜2個である。
△:100個の碁盤目試験で、剥がれ数は3〜10個である。
×:100個の碁盤目試験で、剥がれ数は11個以上である。
硬化粉体塗膜を備えたガラス板の外観を目視にて観察し、以下の基準で粉体塗装性(外観性)を評価した。
◎:均一な厚さを有しており、滑らかな硬化粉体塗膜である。
○:ほぼ均一な厚さを有しており、ほぼ滑らかな硬化粉体塗膜である。
△:一部厚さが不均一であるが、ほぼ滑らかな硬化粉体塗膜である。
×:厚さが不均一であって、平滑性に乏しい硬化粉体塗膜である。
実施例2〜8では、表1に示すように、ケイ素含有化合物の種類および表面処理時間を変えた他は、それぞれ実施例1と同様に硬化粉体塗膜を備えたガラス板を作成し、粉体塗装性等の評価を行った。
比較例1では、ガラスの表面に全く処理を施さず、比較例2では、ガラスの表面に対して、通電処理液を塗布した後、乾燥させることにより通電処理層を形成した他は、それぞれ実施例1と同様に硬化粉体塗膜を備えたガラス板を作成し、粉体塗装性等の評価を行った。
したがって、通電処理等の前処理を実施することなく、ガラスやセラミック等に対して粉体塗装を実施することができるようになり、あるいは、難接着性材料の代表であるシリコーンゴムやフッ素ゴム、オレフィン樹脂やポリエステル樹脂等に対しても、粉体塗装を実施することができるようになった。
すなわち、ガラス容器、セラミック基板、あるいは防汚性ゴム、撥水性ゴム、クッションゴム、シーリングゴム等の用途はもちろんのこと、これらの難接着性材料からなる各種スイッチ、カバー、レバー、車両用バンパー、電気部品筐体、電子部品筐体、容器、フィルム、テープ等の表面に対して、粉体塗膜による印字や装飾を容易にできるようになった。
12:表面改質装置の貯蔵タンク
14:ケイ素含有化合物
16:加熱手段
18:圧力計
22:混合室
24:移送部
25:熱源
27:キャリアガスの貯蔵タンク
28:圧力計
32:噴射部
35:第2の熱源
37:キャリアガスの第2の貯蔵タンク
80:硬化粉体塗膜を備えたガラス容器
82:ガラス容器
84:表面処理層
86:硬化粉体塗膜
100:熱源型表面処理装置
200:ニードル型の表面処理装置
300:静電塗装装置
400:ガラス容器の製造ライン
Claims (7)
- 粉体塗料を固体物質へ適用して粉体塗装する前に、
当該固体物質の表面に対して、ケイ素含有化合物を含む燃料ガスの火炎を吹き付け処理するか、あるいは、ケイ素含有化合物を、400℃以上の熱源を介して吹き付け処理することにより、
前記固体物質の体積抵抗率を1×10 4 〜1×10 10 Ω・cmの範囲内の値とすることを特徴とする粉体塗装方法。 - 前記固体物質への粉体塗装前に、前記固体物質の濡れ指数(測定温度25℃)を40〜80dyn/cmの範囲内の値とすることを特徴とする請求項1に記載の粉体塗装方法。
- 前記固体物質への粉体塗装前に、当該固体物質の表面温度を40〜80℃の範囲内の値とすることを特徴とする請求項1または2に記載の粉体塗装方法。
- 前記ケイ素含有化合物が、分子内または分子末端に窒素原子、ハロゲン原子、ビニル基およびアミノ基の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の粉体塗装方法。
- 前記固体物質が、ガラス、金属またはセラミックであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の粉体塗装方法。
- 前記火炎または気体状物の吹き付け時間を、単位面積(100cm2)あたり、0.1秒〜100秒の範囲内の値とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の固体物質の粉体塗装方法。
- 前記粉体塗料を固体物質へ適用して粉体塗装した後に、100〜250℃に加熱処理するか、あるいは紫外線照射して硬化させることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の固体物質の粉体塗装方法。
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