JP4365438B2 - 加工観察装置および加工観察方法 - Google Patents
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Description
加工粉の除粉に際し再付着することなく清掃することにより、観測個所を鮮明なSEM画
像で観測でき、逐次観察しながら加工位置を少しずつ掘込む作業に費やす時間が短縮でき
、試料の加工や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供することを目的とする。
、逐次観察しながら加工位置を少しずつ掘込む作業に費やす時間が短縮でき、試料の加工
や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供できる。
照射源22を有する。照射される除粉用イオンビームは、Ar用電磁レンズ24とAr用
対物レンズ26により絞られ、Ar用偏向レンズ25で偏向されて試料32の上面を走査
する。
このSEM1による試料32(半導体ウエハ)の加工個所の観察では、SEMの加速電圧が0.6〜3keVの低加速電圧に保たれたもとで行なわれる。低加速電圧であるので、半導体ウエハ(鉄等の金属と違い導電性が低い)にはチャージアップ(帯電)が行われにくい。このため、画像の移動(ふらつき等)が生じず、安定した画像を観察できる。またFIB21による除粉用イオンビームの照射で、加工個所に付着する描画加工の粉がはじき飛ばされて清掃されているので、加速電圧が低圧であるにもかかわらず、鮮明なSEM像が得られ、FIB11による描画加工の加工断面をより良く観察でき、観察の精度が向上する。
ンズ、6…SEM対物レンズ、11…FIB(Gaイオン)、12…Gaイオン銃、13
…Gaイオンビーム、14…FIB電磁レンズ、15…FIB偏向レンズ、16…FIB
対物レンズ、21…FIB(Arイオン)、22…Arイオン銃、23…Arイオンビー
ム、24…Ar用電磁レンズ、25…Ar用偏向レンズ、26…Ar用対物レンズ、31
…試料載置テーブル、32…試料、33…二次電子、34…二次電子検出器、35…画像
処理装置、36…画像表示モニター、41…ウエハ、42…加工穴、43…積層面、44
…割断面、45…加工粉、46…観察面。
Claims (6)
- 真空容器と、
真空容器内にあって、試料を載置する回転可能な試料載置テーブルと、
前記試料を走査するようにガリウム集束イオンビームを照射するガリウム集束イオンビーム装置と、
前記試料を走査するようにアルゴン集束イオンビームを照射するアルゴン集束イオンビーム装置と、
前記試料を走査するように電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置と、
前記照射により前記試料から発生する二次電子を検出する検出器と、
前記検出器からの検出信号を画像処理して得られる前記ガリウム集束イオンビームによるSIM画像、前記アルゴン集束イオンビームによるSIM画像、及び前記電子ビームにより得られるSEM画像を表示する画像表示モニターと、を備え、
前記ガリウム集束イオンビーム、前記アルゴン集束イオンビーム、及び前記電子ビームが前記試料に集合するように前記ガリウム集束イオンビーム装置、前記アルゴン集束イオンビーム装置、及び前記走査形電子顕微鏡装置が配置されていることを特徴とする加工観察装置。 - 請求項1記載の加工観察装置において、
前記試料載置テーブルは、縦横に往復移動自在であることを特徴とする加工観察装置。 - 請求項1記載の加工観察装置において、
アルゴン集束イオンビーム装置は、前記アルゴンイオンビームを絞り、集束する電磁レンズと対物レンズを備えることを特徴とする加工観察装置。 - 請求項1記載の加工観察装置において、
前記ガリウム集束イオンビームの照射で出た加工粉の掃除をする前記アルゴン集束イオンビームの走査は、前記電子ビームを走査して観察するところに絞ることを特徴とする加工観察装置。 - 請求項1記載の加工観察装置において、
前記検出器の検出信号を画像処理する画像処理装置を有し、前記画像処理装置で処理した処理信号によって前記画像表示モニターに画像を表示することを特徴とする加工観察装置。 - 請求項1記載の加工観察装置において、
前記走査形電子顕微鏡装置の加速電圧を0.6keV〜3keV程度としたことを特徴とする加工観察装置。
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