JP4363133B2 - Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same - Google Patents

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Description

本発明は平面光源や表示に使用される有機燐光発光素子用発光材料および高輝度・高効率の発光素子に関するものである。   The present invention relates to a light-emitting material for organic phosphorescent light-emitting elements and a light-emitting element with high luminance and high efficiency used for flat light sources and displays.

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され、電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。   An organic electroluminescence (EL) element using an organic substance is expected to be used as an inexpensive large-area full-color display element of a solid light emitting type and has been developed in many ways. In general, an organic EL element is composed of a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side, holes are injected from the anode side, the electrons recombine with holes in the light emitting layer, and the energy level starts from the conduction band. It is a phenomenon in which energy is released as light when returning to the valence band.

従来の有機EL素子は、無機EL素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL素子が報告され、関心を集めている(非特許文献1参照)。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1000cd/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、実用領域に近い性能を持っている(非特許文献1参照)。
Conventional organic EL elements have a higher driving voltage and lower light emission luminance and light emission efficiency than inorganic EL elements. Further, the characteristic deterioration has been remarkably not put into practical use.
In recent years, organic EL elements in which thin films containing organic compounds having high fluorescence quantum efficiency that emit light at a low voltage of 10 V or less have been reported and attracted interest (see Non-Patent Document 1). This method uses a metal chelate complex as a light emitting layer and an amine compound as a hole injection layer to obtain a high luminance green light emission. The luminance is several thousand cd / m 2 at a direct current voltage of 6 to 7 V, maximum. The luminous efficiency is 1.5 lm / W, and the performance is close to the practical range (see Non-Patent Document 1).

さらには、従来の一重項励起状態を利用した有機EL素子に比べ、効率が大幅に改善された三重項励起状態からの発光を利用した有機EL素子(以下、有機燐光発光素子と略す)が報告され、注目を集めている(非特許文献2、3参照)。   Furthermore, an organic EL element using light emission from a triplet excited state (hereinafter, abbreviated as an organic phosphorescent light emitting element), which has greatly improved efficiency, compared to a conventional organic EL element using a singlet excited state, has been reported. It has attracted attention (see Non-Patent Documents 2 and 3).

これまでの有機燐光発光素子の多くは下記化合物(以下、CBPと省略する)に示されるようなカルバゾール骨格を有する化合物を含んでいる。また、これらの化合物は非常に結晶性が高く、安定した膜を得ることが困難である。よって、これらの材料を使った有機燐光発光素子は、寿命が短いといった問題を抱えている。
CBP
Many of the organic phosphorescent light emitting devices so far contain a compound having a carbazole skeleton as shown in the following compound (hereinafter abbreviated as CBP). In addition, these compounds have very high crystallinity and it is difficult to obtain a stable film. Therefore, organic phosphorescent light emitting devices using these materials have a problem that their lifetime is short.
CBP

Figure 0004363133
Figure 0004363133

インドール誘導体を有機EL素子へ応用した例はすでに知られている(特許文献1参照)。しかし、蛍光発光を利用した有機EL素子についてのみ記述がなされている。また、アゾール環を有機燐光発光素子へ応用した例も報告がある(特許文献2および3参照)。
アプライド・フィジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年 ネイチャー、395巻、151ページ、1998年 アプライド・フィジクス・レターズ、75巻、4ページ、1999年 特許3229654号 特開2002−100476号公報 特開2002−203683号公報
An example in which an indole derivative is applied to an organic EL element is already known (see Patent Document 1). However, only an organic EL element utilizing fluorescence is described. In addition, there is a report of an example in which an azole ring is applied to an organic phosphorescent light emitting device (see Patent Documents 2 and 3).
Applied Physics Letters, 51, 913, 1987 Nature, 395, 151 pages, 1998 Applied Physics Letters, 75, 4 pages, 1999 Japanese Patent No. 3229654 JP 2002-1000047 A JP 2002-203683 A

本発明の目的は、高い発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性の優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。   An object of the present invention is to provide a material for an organic electroluminescence element having high emission luminance and luminous efficiency and excellent stability during repeated use, and an organic electroluminescence element using the same.

本発明は、下記一般式[1]で示される化合物(A)が、燐光発光材料と共に用いた場合、優れた有機エレクトロルミネッセンス素子となったことより見出された。 The present invention has been found from the fact that the compound (A) represented by the following general formula [1] has become an excellent organic electroluminescence device when used together with a phosphorescent material.

すなわち、本発明は、下記一般式[1]で示されるベンゼン環および含窒素五員環が縮合した縮合複素芳香環と、アリーレン基を含有する連結基とを含む化合物(A)、および、燐光発光材料(B)とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料関する。
一般式[1]
That is, the present invention provides a compound (A) comprising a condensed heteroaromatic ring in which a benzene ring and a nitrogen-containing five-membered ring represented by the following general formula [1] are condensed, and a linking group containing an arylene group, and phosphorescence about the luminescent material (B) and comprising a material for organic electroluminescence devices.
General formula [1]

Figure 0004363133
Figure 0004363133

[式中、nは2〜6の整数である。
Aは2個以上のアリーレン環の直接結合による環集合体、またはアリーレン環・炭素−炭素二重結合・アリーレン環からなる集合体を表す。
Xは、NまたはC−R1であり、
Yは、XがNの時はNまたはC−R2、XがC−R1の時はC−R2である。
1〜R6は、互いにそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表し、R1、R2がともに存在する場合はそのどちらかが、R2のみの場合はR2が水素原子以外の置換基である。
また、R2〜R6はそれぞれ近接する置換基同士で一体となって環を形成していてもよい。Aに結合するn個の縮合複素芳香環は、X、Y、R3〜R6の構造は、n個とも同一であってもそれぞれが異なっていても良い。
ただし、一般式[1]が下記構造となる場合を除く。

Figure 0004363133


また、本発明は、化合物(A)が、下記一般式[2]で示される化合物である上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
一般式[2] [In formula, n is an integer of 2-6.
A represents a ring assembly formed by a direct bond of two or more arylene rings, or an aggregate composed of an arylene ring, a carbon-carbon double bond, and an arylene ring.
X is N or C—R 1 ;
Y, when X is N when N or C-R 2, X is C-R 1 is C-R 2.
R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted Or an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, wherein R 1 and R 2 are both If either is present, R 2 is a substituent other than a hydrogen atom when only R 2 is present.
Moreover, R < 2 > -R < 6 > may form the ring integrally by the adjacent substituents, respectively. The n condensed heteroaromatic rings bonded to A may be the same or different in the structure of X, Y and R 3 to R 6 .
However, the case where the general formula [1] has the following structure is excluded. ]
Figure 0004363133


Moreover, this invention relates to the said material for organic electroluminescent elements whose compound (A) is a compound shown by following General formula [2].
General formula [2]

Figure 0004363133
Figure 0004363133

[式中、nは2〜6の整数である。
Aは2個以上のアリーレン環の直接結合による環集合体、またはアリーレン環・炭素−炭素二重結合・アリーレン環からなる集合体を表す
1〜R6は、互いにそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表し、R1、R2のどちらかは水素原子以外の置換基である。
また、R2〜R6はそれぞれ近接する置換基同士で一体となって環を形成していてもよい。Aに結合するn個の縮合複素芳香環は、R1〜R6の構造は、n個とも同一であってもそれぞれが異なっていても良い。
[In formula, n is an integer of 2-6.
A represents a ring assembly formed by a direct bond of two or more arylene rings, or an aggregate composed of an arylene ring, a carbon-carbon double bond, and an arylene ring .
R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted Or an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and either R 1 or R 2 Is a substituent other than a hydrogen atom.
Moreover, R < 2 > -R < 6 > may form the ring integrally by the adjacent substituents, respectively. In the n condensed heteroaromatic rings bonded to A, the structures of R 1 to R 6 may be the same or different from each other. ]

また、本発明は、燐光発光材料(B)が、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなるイリジウムもしくは白金錯体を含んでなる上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。   The present invention also relates to the material for an organic electroluminescent element, wherein the phosphorescent material (B) comprises an iridium or platinum complex composed of an organic compound or a ligand of an organic residue.

また、本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記層のいずれかが、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   Moreover, the present invention provides an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein any one of the layers comprises the material for an organic electroluminescent device. It is related with the organic electroluminescent element to contain.

また本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   Further, the present invention provides an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer contains the material for an organic electroluminescence device. It relates to an element.

また本発明は、さらに、陰極と発光層との間に電子注入層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence device, wherein an electron injection layer is formed between the cathode and the light emitting layer.

また本発明は、さらに、電子注入層と発光層との間に正孔ブロッキング層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence device, wherein a hole blocking layer is formed between the electron injection layer and the light emitting layer.

また本発明は、さらに、陽極と発光層との間に正孔注入層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence device, wherein a hole injection layer is formed between the anode and the light emitting layer.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、薄膜の安定性がとても高く、それを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子は、長い発光寿命を持つ有機エレクトロルミネッセンス素子である。   The material for an organic electroluminescent element of the present invention has a very high stability of a thin film, and an organic electroluminescent element using the thin film is an organic electroluminescent element having a long emission lifetime.

即ち、本発明は、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入により三重項励起状態から発光する有機物質を構成要素として含む有機燐光発光素子において、前記有機層に本発明で示される化合物(A)が含まれることにより、化学的な安定性の向上と薄膜状態での結晶化の抑制することを特徴とする。   That is, the present invention provides an organic phosphorescent light-emitting device in which an organic layer having a light-emitting region is provided between an anode and a cathode, and includes an organic substance that emits light from a triplet excited state by current injection as a constituent element. By containing the compound (A) shown in the present invention, the chemical stability is improved and crystallization in a thin film state is suppressed.

以下、本発明の化合物(A)について具体的に説明する。   Hereinafter, the compound (A) of the present invention will be specifically described.

本発明における含窒素五員環としては、ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環がある。   The nitrogen-containing five-membered ring in the present invention includes a pyrrole ring, a pyrazole ring, and a triazole ring.

本発明におけるベンゼン環と含窒素五員環とが縮合した縮合複素芳香環、下記一般式[3]である
一般式[3]
Fused heteroaromatic ring and a benzene ring and nitrogen-containing five-membered ring in the present invention are condensed is a following general formula [3].
General formula [3]

Figure 0004363133
Figure 0004363133

[式中、Xは、NまたはC−R1であり、Yは、XがNの時はNまたはC−R2、XがC−R1の時はC−R2である。R1、R2は後述する置換基を表し、R1、R2がともに存在する場合はそのどちらかが水素原子以外の置換基である。ベンゼン環部分には置換基が結合していても良く、置換基同士あるいはR2とで、一体となって環を形成していてもよい。 Wherein, X is N or C-R 1, Y, when X is N when N or C-R 2, X is C-R 1 is C-R 2. R 1 and R 2 represent substituents described later, and when both R 1 and R 2 are present, one of them is a substituent other than a hydrogen atom. Substituents may be bonded to the benzene ring part, and the substituents or R 2 may form a ring together. ]

記一般式で表される骨格環の具体例としては、インドール、イソインドール、インダゾール、ベンゾトリアゾールなどがある。また、X、YがNか否かに関わらず、R1またはR2が存在する場合は水素原子以外の置換基であった方が構造の安定度の点でより好ましい。また化合物を形成する複数個の上記環の置換基まで含めた構造は全てが同一であっても、それぞれが異なっていても良い。 Specific examples of the skeleton ring represented by the above following general formula, indole, isoindole, indazole, a benzotriazole. Regardless of whether or not X and Y are N, when R 1 or R 2 is present, a substituent other than a hydrogen atom is more preferable in terms of structural stability. In addition, the structures including a plurality of substituents of the ring forming the compound may be all the same or different.

本発明におけるアリーレン基を含有する2価以上の連結基は、2個以上のアリーレン環の直接結合による環集合体、またはアリーレン環・炭素−炭素二重結合・アリーレン環からなる集合体からなるものである。 The divalent or higher valent linking group containing an arylene group in the present invention is composed of a ring assembly formed by a direct bond of two or more arylene rings, or an aggregate composed of an arylene ring, a carbon-carbon double bond, and an arylene ring. It is.

本発明におけるアリーレン基の具体例としては、単環のフェニレン基、および縮合多環であるナフタレン、アンストラセン、フェナントレン、フルオレン、アセナフテン、アズレン、ピレン、ペリレン、トリフェニレン、ナフタセン、ペンタセン、アズレン、コロネン、ルビセン骨格を有する基がある。   Specific examples of the arylene group in the present invention include monocyclic phenylene groups and condensed polycyclic naphthalene, anthracene, phenanthrene, fluorene, acenaphthene, azulene, pyrene, perylene, triphenylene, naphthacene, pentacene, azulene, coronene, Some groups have a rubicene skeleton.

また、2個以上のアリーレン環が直接結合した例としては、単環アリーレン基または縮合多環アリーレン基同士、あるいは前記単環アリーレン基と縮合多環アリーレン基からなるものがあり、具体的にはビフェニル、テルフェニル、ビナフチル、ビフルオレニル、フェニレンナフチレン等がある。   In addition, examples in which two or more arylene rings are directly bonded include monocyclic arylene groups or condensed polycyclic arylene groups, or those composed of the monocyclic arylene group and condensed polycyclic arylene groups, specifically, Biphenyl, terphenyl, binaphthyl, bifluorenyl, phenylene naphthylene and the like.

さらに、2個以上のアリーレン基が、共役二重結合介して結合した例としては、スチルベン骨格有する基がある。 Furthermore, two or more arylene groups, examples bonded through conjugated double bonds, there is a group having a stilbene skeleton.

本発明における縮合複素芳香環や連結基Aは、置換基を有していても良い。置換基の種類の具体例としては、後で個別に挙げる置換基、置換位置を除き、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、または置換もしくは未置換の炭素環基または複素環基などが挙げられる。以下にそれぞれの置換基についてさらに詳細な代表例を示すが、これらに限定されるものではなく、またこれらの置換基にはさらに置換基が結合していても良い。   The condensed heteroaromatic ring and the linking group A in the present invention may have a substituent. Specific examples of the types of substituents include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or Examples thereof include an unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, or a substituted or unsubstituted carbocyclic group or heterocyclic group. In the following, more detailed representative examples of each substituent will be shown, but the present invention is not limited thereto, and these substituents may further have a substituent bonded thereto.

本発明における置換基となるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。   Examples of the halogen atom serving as a substituent in the present invention include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

本発明における置換もしくは未置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、2−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α,α−ジメチルベンジル基、α,α−メチルフェニルベンジル基、α,α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等がある。   Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group in the present invention include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group, α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group, α, α-methylphenylbenzyl group, α, α-ditrifluoromethylbenzyl group , Triphenylmethyl group, α-benzyloxybenzyl group and the like.

本発明における置換もしくは未置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、tert−ブトキシ基、オクチルオキシ基、tert−オクチルオキシ基といった未置換のアルコキシ基や、3,3,3−トリフルオロエトキシ基、ベンジルオキシ基といった置換アルコキシ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted alkoxy group in the present invention include an unsubstituted alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a tert-butoxy group, an octyloxy group, and a tert-octyloxy group; , 3-trifluoroethoxy group, and substituted alkoxy group such as benzyloxy group.

本発明における置換もしくは未置換のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、4−tert−ブチルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、9−アンスリルオキシ基といった未置換のアリールオキシ基や、4−ニトロフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、3−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換アリールオキシ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aryloxy group in the present invention include unsubstituted aryloxy groups such as phenoxy group, 4-tert-butylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, and 9-anthryloxy group. And substituted aryloxy groups such as 4-nitrophenoxy group, 3-fluorophenoxy group, pentafluorophenoxy group and 3-trifluoromethylphenoxy group.

本発明における置換もしくは未置換のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった未置換のアルキルチオ基や、1,1,1−テトラフルオロエチルチオ基、べンジルチオ基、トリフルオロメチルチオ基といった置換アルキルチオ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted alkylthio group in the present invention include an unsubstituted alkylthio group such as methylthio group, ethylthio group, tert-butylthio group, hexylthio group, and octylthio group, 1,1,1-tetrafluoroethylthio group, And substituted alkylthio groups such as benzylthio group and trifluoromethylthio group.

本発明における置換もしくは未置換のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、2−メチルフェニルチオ基、4−tert−ブチルフェニルチオ基といった未置換のアリールチオ基や、3−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換アリールチオ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted arylthio group in the present invention include an unsubstituted arylthio group such as a phenylthio group, a 2-methylphenylthio group, and a 4-tert-butylphenylthio group, a 3-fluorophenylthio group, and a pentafluorophenylthio group. And substituted arylthio groups such as a 3-trifluoromethylphenylthio group.

本発明における置換もしくは未置換のアミノ基としては、アミノ基、モノまたはジアルキルアミノ基、モノまたはジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基などがある。アルキルアミノ基の具体例としてはエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基等があり、アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、(3−メチルフェニル)アミノ基、(4−メチルフェニル)アミノ基等があり、アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、フェニルメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジビフェニリルアミノ基、ジ(4−メチルビフェニル)アミノ基、ジ(3−メチルフェニル)アミノ基、ジ(4−メチルフェニル)アミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4−(α,α’−ジメチルベンジル)フェニル]アミノ基等がある。アルキルアリールアミノ基の具体例としては、N−エチル−N−フェニルアミノ基、N−メチル−N−ナフチルアミノ基等がある。また、ビス(メトキシフェニル)アミノ基、ビス(アセトキシエチル)アミノ基等のアミノ基への置換基がさらに置換された構造も含む。   Examples of the substituted or unsubstituted amino group in the present invention include an amino group, a mono- or dialkylamino group, a mono- or diarylamino group, and an alkylarylamino group. Specific examples of the alkylamino group include an ethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, a benzylamino group, and a dibenzylamino group. Specific examples of the arylamino group include a phenylamino group, ( 3-methylphenyl) amino group, (4-methylphenyl) amino group, etc. Specific examples of the arylamino group include phenylamino group, phenylmethylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, dibiphenylylamino group Di (4-methylbiphenyl) amino group, di (3-methylphenyl) amino group, di (4-methylphenyl) amino group, naphthylphenylamino group, bis [4- (α, α'-dimethylbenzyl) phenyl There are amino groups and the like. Specific examples of the alkylarylamino group include an N-ethyl-N-phenylamino group and an N-methyl-N-naphthylamino group. Also included are structures in which substituents to amino groups such as bis (methoxyphenyl) amino group and bis (acetoxyethyl) amino group are further substituted.

本発明における置換もしくは未置換の炭素環基としては、単環基もしくは縮合多環基がある。   The substituted or unsubstituted carbocyclic group in the present invention includes a monocyclic group or a condensed polycyclic group.

単環基の具体例としては、単環シクロアルキル基、単環アリール基がある。   Specific examples of the monocyclic group include a monocyclic cycloalkyl group and a monocyclic aryl group.

単環シクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基がある。   Examples of the monocyclic cycloalkyl group include cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.

単環アリール基としては、フェニル基がある。   A monocyclic aryl group includes a phenyl group.

置換もしくは未置換の縮合多環基としては、縮合多環アリール基、縮合多環シクロアルキル基等がある。   Examples of the substituted or unsubstituted condensed polycyclic group include a condensed polycyclic aryl group and a condensed polycyclic cycloalkyl group.

縮合多環アリール基としては、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、フルオレニル基、アセナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基等がある。   Examples of the condensed polycyclic aryl group include a naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, fluorenyl group, acenaphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, and triphenylenyl group.

本発明における置換もしくは未置換の複素環基としては、単環複素環基もしくは縮合多環複素環基がある。   Examples of the substituted or unsubstituted heterocyclic group in the present invention include a monocyclic heterocyclic group and a condensed polycyclic heterocyclic group.

単環複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾリル基等がある。   Examples of monocyclic heterocyclic groups include thienyl, furyl, pyrrolyl, imidazolyl, pyrazolyl, pyridinyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, triazinyl, triazolyl, oxazolyl, thiazolyl, oxadiazolyl, There are thiadiazolyl and imidadiazolyl groups.

縮合多環複素環基としては、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、ベンゾフリル基、イソチアゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ピラニル基等がある。その他の縮合多環基として、1−テトラリル基、2−テトラリル基、テトラヒドロキノリル基等がある。   As the condensed polycyclic heterocyclic group, indolyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, phthalazinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, acridinyl group, phenazinyl group, benzofuryl group, isothiazolyl group, isoxazolyl group, furazanyl group, phenoxazinyl group Benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzotriazolyl group, pyranyl group and the like. Examples of other condensed polycyclic groups include 1-tetralyl group, 2-tetralyl group, tetrahydroquinolyl group and the like.

本発明におけるR1、R2、R3、R4、R5及びR6は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、または置換もしくは未置換の、アリール基または複素環基である。この中でも特に水素原子もしくは置換もしくは未置換の、アルキル基、アリール基または複素環基が好ましい。 R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 in the present invention are each a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, A substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, or a substituted or unsubstituted aryl group or heterocyclic group. Among these, a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, aryl group or heterocyclic group is particularly preferable.

以下に、本発明の化合物(A)の代表例を、具体的に例示するが、本発明は、この代表例に限定されるものではない。   Specific examples of the compound (A) of the present invention are specifically illustrated below, but the present invention is not limited to these representative examples.

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本発明の化合物(A)一般式[1]の構造を持つものであり、さらに好ましくはX、YがともにNでない場合、つまりインドール環である場合である。含窒素縮合芳香環の個数はn=2〜6が好ましい。7以上になると同一構造の高純度のものを合成することが難しくなるのと、素子を蒸着成膜で作成する場合に蒸着が困難になるためである。 The compound (A) of the present invention has a structure represented by the general formula [1], and more preferably X and Y are not N, that is, an indole ring. The number of nitrogen-containing fused aromatic rings is preferably n = 2 to 6. When the number is 7 or more, it is difficult to synthesize a high-purity material having the same structure, because vapor deposition is difficult when the element is formed by vapor deposition.

本発明における化合物(A)は、含窒素五員環上に少なくとも一つ以上の置換基を有するか、または窒素原子を2個以上有し、かつ2価以上の連結基を有することにより、分子同士のスタッキングや凝集を抑制し、高い安定性を持つ有機薄膜を作製することが可能である。かつ、ガラス転移点や融点が高い為、電界発光時における有機層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生するジュール熱に対する耐性(耐熱性)が向上するので、有機燐光発光素子材料として使用した場合、高い発光輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。   The compound (A) in the present invention has at least one substituent on the nitrogen-containing five-membered ring, or has two or more nitrogen atoms and a divalent or higher linking group. It is possible to produce an organic thin film having high stability by suppressing stacking and aggregation between each other. In addition, since the glass transition point and melting point are high, the resistance to Joule heat (heat resistance) generated in the organic layer, between the organic layers, or between the organic layer and the metal electrode during electroluminescence is improved. When used as, it exhibits high emission luminance and is advantageous when emitting light for a long time.

有機燐光発光素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜を形成した素子である。基本構成は従来の有機EL素子と同様であるが、三重項励起状態のエネルギーを発光に利用できるよう材料の選択と層構成の工夫を施したところが特徴となる。なお、本発明において、「燐光発光素子」とは、発光材料またはドーピング材料が三重項状態から直接的に光を放出する場合だけでなく、両極から注入された電荷の再結合によって生じた三重項励起状態を光以外のエネルギー放出に回すことなく、素子中で有効に発光に利用するような機構、過程を有するように設計された構成の素子全般を含む。この意味において、本発明の化合物は、構造的、物性的に三重項励起状態を生成、保持しやすいため、各層を構成する材料として好適である。特に素子駆動中に三重項励起状態が最も多く存在する発光層の一成分に使用すると最大の効果を発揮する。   An organic phosphorescent light-emitting device is a device in which a single-layer or multilayer organic thin film is formed between an anode and a cathode. The basic configuration is the same as that of a conventional organic EL element, but is characterized in that material selection and layer configuration are devised so that triplet excited state energy can be used for light emission. In the present invention, the “phosphorescent light-emitting element” means not only a case where a light-emitting material or a doping material directly emits light from a triplet state, but also a triplet generated by recombination of charges injected from both electrodes. It includes all elements having a structure designed to have a mechanism and a process that can be effectively used for light emission in the element without turning the excited state into energy emission other than light. In this sense, the compound of the present invention is suitable as a material constituting each layer because it easily generates and maintains a triplet excited state structurally and physically. In particular, when it is used as a component of a light emitting layer in which the triplet excited state is most present during device driving, the maximum effect is exhibited.

一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。電子注入材料とは陰極から電子を注入されうる能力を持つ材料であり、電子輸送材料とは注入された電子を発光層へ輸送する能力を持つ材料である。正孔注入材料とは、陽極から正孔を注入されうる能力を持つ材料であり、正孔輸送材料とは、注入された正孔を発光層へ輸送する能力を持つ材料である。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)、(陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極)、の多層構成で積層した有機燐光発光素子がある。多層型の正孔輸送層および電子輸送層は複数の層からなってもよい。ここで、正孔注入層と正孔輸送層、場合によっては正孔輸送性の強い発光層までを正孔注入帯域、電子注入層と電子輸送層、場合によっては電子輸送性の強い発光層までを電子注入帯域とそれぞれ呼ぶことがあり、各帯域に使用する材料を一括りで正孔注入材料(または正孔輸送材料)もしくは電子注入材料(または電子輸送材料)と呼ぶこともある。また、有機燐光発光素子の場合は、素子の特性や使用材料の点で、電子輸送層に要求される特性として、電子の輸送性より正孔が発光層から陰極側へ抜けてしまうことを阻止するブロック性をより重視するため、正孔ブロッキング層または正孔ブロック層と呼ばれることが多く、この層に用いられる材料を特に正孔ブロッキング材料と呼ぶことがある。これらの呼称は目的とする素子に対する材料の必要特性の一面を強調するために付けられているので、呼び方の違いにより材料の本質が異なることはない。これらの各層の材料とその構成は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択され、決定される。   In the case of the single layer type, a light emitting layer is provided between the anode and the cathode. The light emitting layer contains a light emitting material, and may further contain a hole injecting material or an electron injecting material in order to transport holes injected from the anode or electrons injected from the cathode to the light emitting material. The electron injection material is a material having the ability to inject electrons from the cathode, and the electron transport material is a material having the ability to transport the injected electrons to the light emitting layer. The hole injection material is a material having the ability to inject holes from the anode, and the hole transport material is a material having the ability to transport the injected holes to the light emitting layer. The multilayer type includes (anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode), (anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode), (anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode), (Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode), (anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode), (anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer) There is an organic phosphorescent light emitting device laminated in a multilayer structure of / electron transport layer / electron injection layer / cathode). The multilayer hole transport layer and the electron transport layer may be composed of a plurality of layers. Here, a hole injection layer and a hole transport layer, in some cases up to a light emitting layer having a strong hole transport property, up to a hole injection band, an electron injection layer and an electron transport layer, and in some cases to a light emitting layer having a strong electron transport property May be referred to as an electron injection band, and materials used in each band may be collectively referred to as a hole injection material (or hole transport material) or an electron injection material (or electron transport material). In the case of an organic phosphorescent light emitting device, the electron transporting layer is required to prevent holes from escaping from the light emitting layer to the cathode side due to the electron transportability in terms of device characteristics and materials used. In order to give more importance to the blocking property, it is often called a hole blocking layer or a hole blocking layer, and the material used for this layer is sometimes called a hole blocking material. Since these designations are given to emphasize one aspect of the necessary characteristics of the material for the target element, the essence of the material does not differ depending on the designation. The material of each of these layers and the structure thereof are selected and determined according to various factors such as the energy level of the material, heat resistance, and adhesion to the organic layer or metal electrode.

発光層には、必要があれば、本発明の化合物に加えて、さらなる既存の有機蛍光色素を含む公知の発光材料、ドーピング材料および正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機燐光発光素子は、多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することが出来る。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、青色から赤色にわたる発光を得ることもできる。   If necessary, in addition to the compound of the present invention, a known light emitting material, doping material, hole injecting material, and electron injecting material containing further existing organic fluorescent dye can be used for the light emitting layer. The organic phosphorescent light emitting element can prevent a decrease in luminance and lifetime due to quenching by adopting a multilayer structure. If necessary, a light emitting material, a doping material, a hole injection material, and an electron injection material can be used in combination. Further, by using a doping material, emission luminance and luminous efficiency can be improved, and light emission ranging from blue to red can be obtained.

本発明の化合物(A)と共に発光層に使用できる燐光発光材料(B)またはドーピング材料としては、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなる金属錯体がある。金属原子は通常、遷移金属であり、好ましくは周期では第5周期または第6周期、族では6族から11族、さらに好ましくは8族から10族の元素が対象となる。具体的にはイリジウムや白金などである。また、配位子としては2−フェニルピリジンや2−(2’―ベンゾチエニル)ピリジンなどがあり、これらの配位子上の炭素原子が金属と直接結合しているのが特徴である。別の例としてはポルフィリンまたはテトラアザポルフィリン環錯体などがある。中心金属としては白金などが挙げられる。燐光発光材料(B)の代表例を以下に具体的に例示するが、本発明はこの代表例に限定されるものではない。なお、本例は三重項励起状態から直接発光するとの知見が得られている材料の例であり、素子内で三重項励起エネルギーが失われずに有効に発光に利用できる何らかの機構が別に存在する場合には、さらに多くの材料を発光材料またはドーピング材料として用いることができ、既存の有機蛍光色素、有機EL発光材料、ドーピング材料をも有機燐光発光素子に利用できる可能性を否定するものではない。   Examples of the phosphorescent light emitting material (B) or doping material that can be used in the light emitting layer together with the compound (A) of the present invention include an organic compound or a metal complex composed of an organic residue ligand. The metal atom is usually a transition metal, and is preferably an element of the 5th or 6th period in the period, and from the 6th group to the 11th group in the group, and more preferably in the 8th to 10th group. Specific examples include iridium and platinum. Examples of the ligand include 2-phenylpyridine and 2- (2'-benzothienyl) pyridine, and the carbon atom on these ligands is directly bonded to the metal. Another example is a porphyrin or tetraazaporphyrin ring complex. Examples of the central metal include platinum. A typical example of the phosphorescent material (B) is specifically illustrated below, but the present invention is not limited to this representative example. Note that this example is an example of a material for which it is known that light is emitted directly from a triplet excited state, and there is another mechanism that can be used for light emission effectively without losing triplet excitation energy in the device. In addition, more materials can be used as the light emitting material or the doping material, and the possibility that the existing organic fluorescent dye, the organic EL light emitting material, and the doping material can be used for the organic phosphorescent light emitting element is not denied.

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共に発光層に使用できる上記の材料および本発明の化合物(A)の発光層中での存在比はどれが主成分であってもよいが、好ましくは、上記、燐光発光材料(B)またはドーピング材料に対して本発明の化合物の存在比が50%以上であるホスト材料として使用することである。   Any of the above-mentioned materials that can be used in the light-emitting layer and the abundance ratio of the compound (A) of the present invention in the light-emitting layer may be the main component. Preferably, the phosphorescent light-emitting material (B) or doping is used. It is to be used as a host material having an abundance ratio of the compound of the present invention of 50% or more with respect to the material.

正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入帯域または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに限定されるものではない。   As a hole injection material, it has the ability to transport holes, has a hole injection effect from the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and excitons generated in the light emitting layer. Examples thereof include compounds that prevent movement to an electron injection zone or an electron injection material and have an excellent thin film forming ability. Specifically, phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acylhydrazone, polyaryl Alkane, stilbene, butadiene, benzidine type triphenylamine, styrylamine type triphenylamine, diamine type triphenylamine, etc., and their derivatives, and polymer materials such as polyvinyl carbazole, polysilane, conductive polymer, etc. However, it is not limited to these.

本発明の有機燐光発光素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、アリールアミン誘導体、フタロシアニン化合物ないしはトリフェニレン誘導体である。アリールアミン誘導体の具体例としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ−m−トリル−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)−p−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N’−ジ(4−n−ブチルフェニル)−N,N’−ジ−p−トリル−9,10−フェナントレンジアミン、4,4’,4”−トリス(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)トリフェニルアミン、1,1−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマー等があるが、これらに限定されるものではない。   Among the hole injection materials that can be used in the organic phosphorescent light emitting device of the present invention, more effective hole injection materials are arylamine derivatives, phthalocyanine compounds, or triphenylene derivatives. Specific examples of the arylamine derivative include triphenylamine, tolylamine, tolyldiphenylamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di-m-tolyl-4,4′-biphenyldiamine, N, N, N ', N'-tetra (p-tolyl) -p-phenylenediamine, N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-biphenyldiamine, N, N'-diphenyl-N, N′-di (1-naphthyl) -4,4′-biphenyldiamine, N, N′-di (4-n-butylphenyl) -N, N′-di-p-tolyl-9,10-phenanthrenediamine 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-phenyl-Nm-tolylamino) triphenylamine, 1,1-bis [4- (di-p-tolylamino) phenyl] cyclohexane, or the like There are oligomers or polymers having tertiary amine skeletons, though not particularly limited thereto.

フタロシアニン(Pc)化合物の具体例としては、H2Pc、CuPc、C oPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)A lPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the phthalocyanine (Pc) compound include H2Pc, CuPc, CoPc, NiPc, ZnPc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlPc, ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl2SiPc, (HO) A1Pc, (HO) GaPc, OP , Phthalocyanine derivatives such as TiOPc, MoOPc, GaPc-O-GaPc, and naphthalocyanine derivatives, but are not limited thereto.

トリフェニレン誘導体の具体例としては、ヘキサメトキシトリフェニレン、ヘキサエトキシトリフェニレン、ヘキサヘキシルオキシトリフェニレン、ヘキサベンジルオキシトリフェニレン、トリメチレンジオキシトリフェニレン、トリエチレンジオキシトリフェニレンなどのヘキサアルコキシトリフェニレン類、ヘキサフェノキシトリフェニレン、ヘキサナフチルオキシトリフェニレン、ヘキサビフェニリルオキシトリフェニレン、トリフェニレンジオキシトリフェニレンなどのヘキサアリールオキシトリフェニレン類、ヘキサアセトキシトリフェニレン、ヘキサベンゾイルオキシトリフェニレンなどのヘキサアシロキシトリフェニレン類等があるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of triphenylene derivatives include hexaalkoxytriphenylenes such as hexamethoxytriphenylene, hexaethoxytriphenylene, hexahexyloxytriphenylene, hexabenzyloxytriphenylene, trimethylenedioxytriphenylene, triethylenedioxytriphenylene, hexaphenoxytriphenylene, hexanaphthyl. Examples include, but are not limited to, hexaaryloxytriphenylenes such as oxytriphenylene, hexabiphenylyloxytriphenylene, and triphenylenedioxytriphenylene, and hexaacyloxytriphenylenes such as hexaacetoxytriphenylene and hexabenzoyloxytriphenylene.

電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入帯域への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。   As an electron injection material, it has the ability to transport electrons, has a hole injection effect from the cathode, and an excellent electron injection effect for the light-emitting layer or light-emitting material, and hole injection of excitons generated in the light-emitting layer Examples thereof include compounds that prevent migration to the zone and have an excellent thin film forming ability. For example, there are fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane, anthrone, and their derivatives. However, it is not limited to these. Further, it can be sensitized by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.

本発明の有機燐光発光素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物としては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム、ビス(o−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラート)亜鉛、ビス(o−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラート)亜鉛、ビス(o−(2−ベンゾトリアゾリル)フェノラート)亜鉛等があるが、これらに限定されるものではない。   In the organic phosphorescent light emitting device of the present invention, a more effective electron injection material is a metal complex compound or a nitrogen-containing five-membered ring derivative. Specifically, as the metal complex compound, 8-hydroxyquinolinate lithium, bis (8-hydroxyquinolinate) zinc, bis (8-hydroxyquinolinate) copper, bis (8-hydroxyquinolinate) manganese , Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium Bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) (o-cresolate) gallium, Bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (1-naphthlar ) Aluminum, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) (2-naphtholato) gallium, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate gallium, bis (o- (2-benzoxazolyl) (L) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzothiazolyl) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzotriazolyl) phenolate) zinc, and the like, but are not limited thereto.

また、含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等があるが、これらに限定されるものではない。   Further, as the nitrogen-containing five-membered ring derivative, an oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivative is preferable. Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, dimethyl POPOP, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5- Bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2, 5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5-phenyl) Oxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis (1- Naphthyl) -1,3,4-thiadiazole, 1,4-bis [2- (5 Phenylthiadiazolyl)] benzene, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1, Examples include, but are not limited to, 3,4-triazole and 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)] benzene.

正孔ブロッキング材料としては、正孔が陰極へ輸送されるのを阻止する能力を持ち、発光層で生成した励起子の電子注入帯域への移動を防止する効果を兼ね備え、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。前記の電子注入材料の多くは正孔ブロッキング材料として使用できるが、例えば、2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−トリアゾールや2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾールに代表されるアゾール(含窒素五員環)類、バソクプロインに代表されるフェナントロリン誘導体、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(4−ビフェニルオキソラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウムに代表される金属錯体などの含窒素六員環類とそれらを配位子に有する金属錯体、シラシクロブテン(シロール)誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。   As a hole blocking material, it has the ability to prevent holes from being transported to the cathode, has the effect of preventing the exciton generated in the light emitting layer from moving to the electron injection zone, and has excellent thin film forming ability Compounds. Many of the electron injection materials can be used as hole blocking materials. For example, 2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-triazole and 2,5- Azoles (nitrogen-containing five-membered rings) represented by bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, phenanthroline derivatives represented by bathocuproine, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) ) (4-biphenyloxolate) aluminum (III), nitrogen-containing six-membered rings such as metal complexes represented by bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate gallium and the ligands Metal complexes, silacyclobutene (silole) derivatives, and the like, but are not limited thereto.

本発明により得られた有機燐光発光素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。   In order to improve the stability of the organic phosphorescent light-emitting device obtained by the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer may be provided on the surface of the device, or the entire device may be protected with silicon oil, resin, etc. Is possible.

有機燐光発光素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。   As the conductive material used for the anode of the organic phosphorescent light emitting device, a material having a work function larger than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, platinum, palladium And their alloys, metal oxides such as tin oxide and indium oxide used for ITO substrates and NESA substrates, and organic conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.

陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。また、陰極としてフッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化リチウムなどのアルカリ金属、アルカリ土類金属のフッ化物、酸化物を有機層上に1nm以下の膜厚で成膜し、その上にアルミニウム、銀などの比較的導電性の高い金属を成膜してもよい。また、陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。   As the conductive material used for the cathode, those having a work function smaller than 4 eV are suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, etc., and alloys thereof are used. However, it is not limited to these. Examples of alloys include magnesium / silver, magnesium / indium, lithium / aluminum, and the like, but are not limited thereto. The ratio of the alloy is controlled by the temperature of the vapor deposition source, the atmosphere, the degree of vacuum, etc., and is selected to an appropriate ratio. Further, as a cathode, an alkali metal such as lithium fluoride, magnesium fluoride, or lithium oxide, a fluoride of an alkaline earth metal, or an oxide is formed on the organic layer with a film thickness of 1 nm or less, and aluminum or silver is formed thereon. A metal having a relatively high conductivity such as, for example, may be formed. Moreover, the anode and the cathode may be formed with a layer structure of two or more layers if necessary.

有機燐光発光素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエチレンテレフテレート板、ポリエーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。   In the organic phosphorescent light emitting device, in order to emit light efficiently, it is desirable that at least one of them is sufficiently transparent in the light emitting wavelength region of the device. The substrate is also preferably transparent. The transparent electrode is set using the above-described conductive material so as to ensure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering. The electrode on the light emitting surface preferably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and has transparency. For example, a glass substrate, a polyethylene plate, a polyethylene terephthalate plate, a polyethersulfone plate, Examples thereof include a transparent resin such as a polypropylene plate.

本発明に係わる有機燐光発光素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μmの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範囲がさらに好ましい。   The formation of each layer of the organic phosphorescent light emitting device according to the present invention applies any of dry deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet deposition methods such as spin coating, dipping, and flow coating. can do. The film thickness is not particularly limited, but must be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too thin, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。   In the case of the wet film forming method, the material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane or the like to form a thin film, and any solvent may be used. In any organic thin film layer, an appropriate resin or additive may be used for improving film formability and preventing pinholes in the film. Usable resins include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and copolymers thereof, poly-N-vinyl. Examples thereof include photoconductive resins such as carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole. Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.

以上のように、有機燐光発光素子の発光層に本発明の化合物を用いることにより、発光効率、最大発光輝度等の有機燐光発光素子特性を改良することができた。また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下させることができた。   As described above, by using the compound of the present invention in the light emitting layer of the organic phosphorescent light emitting device, the characteristics of the organic phosphorescent light emitting device such as the light emission efficiency and the maximum light emission luminance can be improved. In addition, this element is extremely stable against heat and current, and can be used for light emission brightness that can be used practically at a low driving voltage, so that the degradation that has been a major problem until now is greatly reduced. I was able to.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.

例示化合物(1)の合成方法
合成は、J.Am.Chem.Soc.、123巻、7727ページ、2001年を参考におこなった。
Synthesis method of exemplary compound (1) Am. Chem. Soc. 123, page 7727, 2001.

窒素雰囲気下、2−フェニルインドール(5.7g)、4,4’−ジヨードビフェニル(5.0g)、ヨウ化銅(47mg)、シクロヘキサンジアミン(280mg)、リン酸カリウム(11g)、ジオキサン(50mL)をシュレンク管に計り取り110℃で8時間攪拌した。クロロホルム(100mL×3)−イオン交換水(100mL)で抽出し、メタノールより再沈殿することにより、目的化合物(2.0g)を30%の収率で得た。   Under a nitrogen atmosphere, 2-phenylindole (5.7 g), 4,4′-diiodobiphenyl (5.0 g), copper iodide (47 mg), cyclohexanediamine (280 mg), potassium phosphate (11 g), dioxane ( 50 mL) was weighed into a Schlenk tube and stirred at 110 ° C. for 8 hours. Extraction with chloroform (100 mL × 3) -ion exchange water (100 mL) and reprecipitation from methanol gave the target compound (2.0 g) in a yield of 30%.

例示化合物(19)の合成方法
例示化合物(1)の合成方法において、2−フェニルインドールの代わりに3−フェニル−1H−インダゾールを用いた以外は、例示化合物(1)の合成方法と同様にして例示化合物(19)を収率40%で得た。
Synthetic method of exemplary compound (19) In the synthetic method of exemplary compound (1), except that 3-phenyl-1H-indazole was used instead of 2-phenylindole, it was the same as the synthetic method of exemplary compound (1). The exemplary compound (19) was obtained with a yield of 40%.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着(真空蒸着)は10-6Torrの真空中で、基板加熱、冷却等の温度制御なしの条件下で行った。また、素子の発光特性評価においては、電極面積2mm×2mmの有機EL素子の特性を測定した。測定は1Vずつ上昇しながら各電圧で電流、輝度、色度を記録した。最大発光輝度および効率は各電圧ごとの測定値の最大値であり、その時の電圧は素子により異なる。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to the following Example. In the examples, all mixing ratios are weight ratios unless otherwise specified. Vapor deposition (vacuum deposition) was performed in a vacuum of 10 −6 Torr and under conditions without temperature control such as substrate heating and cooling. In the evaluation of the light emission characteristics of the element, the characteristics of an organic EL element having an electrode area of 2 mm × 2 mm were measured. The measurement recorded current, luminance, and chromaticity at each voltage while increasing by 1V. The maximum light emission luminance and efficiency are the maximum values measured for each voltage, and the voltage at that time varies depending on the element.

実施例1
洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(5)、化合物(D2)、N,N’―(3―メチルフェニル)―N,N’―ジフェニル―1,1’―ビフェニル-4,4’―ジアミン(TPD)、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹脂(帝人化成:パンライトK−1300)を20:5:15:10:50の重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚100nmの発光層を得た。このとき得られた膜は非常に安定で、凝集し結晶化をおこすといった現象は観察されなかった。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚150nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度150(cd/m2)、最大発光輝度15000(cd/m2)、発光効率8.7(cd/A)の緑色発光が得られた。
Example 1
Compound (5), compound (D2), N, N ′-(3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4 ′ is placed on the cleaned glass plate with an ITO electrode. -Diamine (TPD), 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, polycarbonate resin (Teijin Chemicals: Panlite K-1300) at 20: 5: 15: 10: 50 A light emitting layer having a thickness of 100 nm was obtained by dissolving in tetrahydrofuran by weight and spin coating. The film obtained at this time was very stable, and the phenomenon of aggregation and crystallization was not observed. On top of this, an electrode having a thickness of 150 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic phosphorescent light emitting device. As for the light emission characteristics of this device, green light emission with a light emission luminance of 150 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 15000 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 8.7 (cd / A) was obtained. .

実施例2
洗浄したITO電極付きガラス板上に、TPDを真空蒸着して膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(1)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム錯体を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度4300(cd/m2)、最大発光輝度85000(cd/m2)、発光効率32(cd/A)の緑色発光が得られた。
Example 2
TPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 20 nm. Next, the compound (1) and the compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 93: 7 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinato) pheno An electron injection layer having a thickness of 30 nm was obtained by depositing a gallium complex. On top of this, an electrode having a thickness of 100 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device obtained green light emission with a light emission luminance of 4300 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 85000 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 32 (cd / A) at a DC voltage of 10V.

実施例4
洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N’―(1―ナフチル)―N,N’―ジフェニル―1,1’―ビフェニル-4,4’―ジアミン(NPD) を真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(28)と化合物(D5)を95:5の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにトリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体(Alq3)を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度520(cd/m2)、最大発光輝度24800(cd/m2)、発光効率8.5(cd/A)の赤色発光が得られた。
Example 4
N, N '-(1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPD) is vacuum-deposited on a cleaned glass plate with an ITO electrode. A hole injection layer having a thickness of 30 nm was obtained. Next, the compound (28) and the compound (D5) were co-evaporated at a ratio of 95: 5 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-phenylphenol) Lat) An aluminum complex was vapor-deposited to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq3) was vapor-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 520 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 24800 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 8.5 (cd / A).

実施例5
洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(22)と化合物(D6)を98:2の比率で塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚50nmの正孔注入型発光層を得た。次いでバソクプロインを蒸着して膜厚5nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを0.5nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度310(cd/m2)、最大発光輝度9800(cd/m2)、発光効率4.4(cd/A)の赤色発光が得られた。
Example 5
On the washed glass plate with an ITO electrode, the compound (22) and the compound (D6) were dissolved in methylene chloride at a ratio of 98: 2, and a hole injection type light emitting layer having a thickness of 50 nm was obtained by a spin coating method. Next, bathocuproine was evaporated to form a hole blocking layer having a thickness of 5 nm, and further Alq3 was evaporated to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of that, first, 0.5 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 310 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 9800 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 4.4 (cd / A).

実施例6
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで化合物(24)と化合物(D3)を94:6の比率で共蒸着して膜厚50nmの発光層を得た。次いで、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−シアノフェノラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚20nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1(重量比)で混合した合金で膜厚250nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度3800(cd/m2)、最大発光輝度31600(cd/m2)、発光効率9.7(cd/A)の青色発光が得られた。
Example 6
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (24) and the compound (D3) were co-evaporated at a ratio of 94: 6 to obtain a light emitting layer having a thickness of 50 nm. Next, a bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-cyanophenolate) gallium complex is vacuum-deposited to form a 20-nm-thick hole blocking layer, and Alq3 is further deposited to deposit 20-nm-thick electrons. A layer was obtained. On top of this, an electrode having a thickness of 250 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 (weight ratio) to obtain an organic phosphorescent device. This device produced blue light emission with a light emission luminance of 3800 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 31600 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 9.7 (cd / A) at a DC voltage of 10V.

実施例7
洗浄したITO電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを真空蒸着して、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、NPDを真空蒸着して、膜厚30nmの正孔輸送層を得た。さらに、化合物(2)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでバソクプロインを蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を0.7nm、次いでアルミニウム(Al)を150nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度3810(cd/m2)、最大発光輝度95600(cd/m2)、発光効率45(cd/A)の緑色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5200時間であった。
Example 7
Copper phthalocyanine was vacuum-deposited on the washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 20 nm. Subsequently, NPD was vacuum-deposited to obtain a hole transport layer having a thickness of 30 nm. Further, the compound (2) and the compound (D1) are co-evaporated at a ratio of 93: 7 to form a light emitting layer with a thickness of 40 nm, and then bathocuproine is evaporated to form a hole blocking layer with a thickness of 10 nm. Was vacuum-deposited to prepare an electron injection layer having a thickness of 30 nm. An electrode was formed thereon by vacuum deposition of 0.7 nm of lithium fluoride (LiF) and then 150 nm of aluminum (Al) to obtain an organic phosphorescent device. This device emitted green light with a luminance of 3810 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum luminance of 95600 (cd / m 2 ), and a luminous efficiency of 45 (cd / A). Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 5200 hours.

実施例8
洗浄したITO電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを真空蒸着して、膜厚10nmの正孔注入層を得た。次いで、4,4’−ビス[N−(9−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して膜厚40nmの正孔輸送層を得た。次いで、化合物(19)と化合物(D4)を92:8の比率で共蒸着して膜厚50nmの発光層を作成し、さらに3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾールを蒸着して膜厚5nmの正孔ブロッキング層を作成し、次に、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−シアノフェノラート)ガリウム錯体を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。さらにその上に、マグネシウムと銀を10:1(重量比)で混合した合金で膜厚250nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vで発光輝度2390(cd/m2)、最大発光輝度38900(cd/m2)、発光効率12(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は3700時間であった。
Example 8
Copper phthalocyanine was vacuum-deposited on the washed glass plate with the ITO electrode to obtain a 10 nm-thick hole injection layer. Subsequently, 4,4′-bis [N- (9-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited to obtain a 40 nm-thick hole transport layer. Next, the compound (19) and the compound (D4) were co-evaporated at a ratio of 92: 8 to form a light-emitting layer having a thickness of 50 nm, and 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4- tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole was deposited to form a 5 nm thick hole blocking layer, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-cyanopheno) Lat) gallium complex was deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. Further, an electrode having a thickness of 250 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 (weight ratio) to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted light with a DC voltage of 10 V and an emission luminance of 2390 (cd / m 2 ), a maximum emission luminance of 38900 (cd / m 2 ), and an emission efficiency of 12 (cd / A). Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 3700 hours.

実施例9
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(3)と化合物(D7)を97:3の比率で共蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)(フェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚30nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚20nmの電子注入層を作成した。その上にまず、フッ化リチウムを0.5nm、さらにアルミニウムを200nm真空蒸着によって電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度1800(cd/m2)、最大発光輝度16200(cd/m2)、発光効率9.6(cd/A)の赤色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は4400時間であった。
Example 9
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (3) and the compound (D7) were co-evaporated at a ratio of 97: 3 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinate). A (phenolate) aluminum complex was vapor-deposited to form a 30 nm-thick hole blocking layer, and Alq3 was vacuum-deposited to produce a 20-nm-thick electron injection layer. First, an electrode was formed by vacuum deposition of lithium fluoride at 0.5 nm and aluminum at 200 nm to obtain an organic phosphorescent device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 1800 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 16200 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 9.6 (cd / A). The half life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 4400 hours.

実施例10
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(14)と化合物(D3)を85:15の重量比で共蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、次いで、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。さらにその上に、まず、フッ化マグネシウムを0.5nm、さらにアルミニウムを200nm真空蒸着によって電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度2750(cd/m2)、最大発光輝度46500(cd/m2)、発光効率6.4(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は2800時間であった。
Example 10
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 50 nm. Next, the compound (14) and the compound (D3) were co-evaporated at a weight ratio of 85:15 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p -Phenylphenolate) An aluminum complex was vapor-deposited to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further Alq3 was vapor-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. Furthermore, an electrode was first formed thereon by vacuum deposition of 0.5 nm of magnesium fluoride and 200 nm of aluminum, to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted light having a light emission luminance of 2750 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 46500 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 6.4 (cd / A). Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 2800 hours.

比較例1
化合物(5)に代わりに2−tBu−インドール環をカルバゾール環に置き換えた下記化合物(C1)を用いた他は実施例1と同様にして素子を作成した。そのスピンコート膜は容易に凝集し結晶化を起こしてしまうといった欠点を持っていた。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度60(cd/m2)、最大発光輝度1200(cd/m2)、発光効率1.8(cd/A)の発光は得られたが、均一の発光ではなく明るい部分と暗い部分が混在していた。また発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動すると3時間ほどで短絡してしまった。
化合物(C1)
Comparative Example 1
A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the following compound (C1) in which the 2- t Bu-indole ring was replaced with a carbazole ring was used instead of the compound (5). The spin coat film has the disadvantage that it easily aggregates and crystallizes. Regarding the light emission characteristics of this device, light emission of 60 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, 1200 (cd / m 2 ) of maximum light emission, and 1.8 (cd / A) of light emission efficiency was obtained. The light and dark areas were mixed, not uniform light emission. Further, when the device was driven at a constant current with an emission luminance of 500 (cd / m 2 ), it was short-circuited in about 3 hours.
Compound (C1)

Figure 0004363133
Figure 0004363133

比較例2
化合物(1)に代わりにCBPを用いた他は実施例2と同様にして素子を作成した。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度1800(cd/m2)、最大発光輝度52000(cd/m2)、発光効率24(cd/A)の発光は得られた。しかし、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は700時間であった。
Comparative Example 2
A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that CBP was used instead of the compound (1). With respect to the light emission characteristics of this device, light emission with a direct current voltage of 10 V of light emission luminance of 1800 (cd / m 2 ), maximum light emission luminance of 52000 (cd / m 2 ), and light emission efficiency of 24 (cd / A) was obtained. However, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 700 hours.

比較例3
化合物(14)に代わりに1,2,3−ベンゾトリアゾール環を2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール環に置き換えた下記化合物(C2)を用いた他は実施例10と同様にして素子を作成した。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度1560(cd/m2)、最大発光輝度32400(cd/m2)、発光効率4.2(cd/A)の発光は得られた。しかし、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は150時間であった。
化合物(C2)
Comparative Example 3
Implementation was carried out except that the following compound (C2) in which the 1,2,3-benzotriazole ring was replaced with a 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-triazole ring instead of the compound (14) was used. A device was prepared in the same manner as in Example 10. With respect to the light emission characteristics of the device, light emission with a direct current voltage of 10 V of light emission luminance of 1560 (cd / m 2 ), maximum light emission luminance of 32400 (cd / m 2 ), and light emission efficiency of 4.2 (cd / A) was obtained. However, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 150 hours.
Compound (C2)

Figure 0004363133
Figure 0004363133

実施例12
洗浄したITO電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを真空蒸着して、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(10)のみを単独で真空蒸着して、膜厚30nmの正孔輸送層を得た。さらに、化合物(10)と化合物(D2)を90:10の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−シアノフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを0.7nm、次いでアルミニウムを200nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度8510(cd/m2)、最大発光輝度74300(cd/m2)、発光効率34(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は4800時間であった。
Example 12
Copper phthalocyanine was vacuum-deposited on the washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 20 nm. Subsequently, only the compound (10) was vacuum-deposited alone to obtain a 30 nm-thick hole transport layer. Further, the compound (10) and the compound (D2) were co-evaporated at a ratio of 90:10 to prepare a light emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p- A 10-nm-thick hole blocking layer was formed by vapor-depositing a cyanophenolate) aluminum complex, and Alq3 was further vacuum-deposited to form an electron-injecting layer having a thickness of 30 nm. An electrode was formed thereon by vacuum-depositing lithium fluoride at 0.7 nm and then aluminum at 200 nm to obtain an organic phosphorescent device. This device emitted light having a light emission luminance of 8510 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 74300 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 34 (cd / A) at a DC voltage of 10V. The half life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 4800 hours.

実施例13
洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’−ビス[N−(9−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで化合物(16)と化合物(D3)を95:5の比率で共蒸着して膜厚50nmの発光層を得た。次いで、化合物(34)を真空蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム錯体を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1(重量比)で混合した合金で膜厚250nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度7800(cd/m2)、最大発光輝度51600(cd/m2)、発光効率8.2(cd/A)の青色発光が得られた。
Example 13
On the washed glass plate with an ITO electrode, 4,4′-bis [N- (9-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (16) and the compound (D3) were co-evaporated at a ratio of 95: 5 to obtain a light emitting layer having a thickness of 50 nm. Next, the compound (34) is vacuum-deposited to deposit a 10 nm-thick hole blocking layer, and further bis (2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate gallium complex is deposited to a thickness of 30 nm. An electron injection layer was obtained. On top of this, an electrode having a thickness of 250 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 (weight ratio) to obtain an organic phosphorescent device. This device obtained blue light emission with a light emission luminance of 7800 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 51600 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 8.2 (cd / A) at a DC voltage of 10V.

実施例15
洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’,4”−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、NPDを真空蒸着して、膜厚30nmの正孔輸送層を得た。さらに、化合物(38)と化合物(D6)を97:3の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでバソフェナントロリンを蒸着して膜厚5nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを0.7nm、次いでアルミニウムを200nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度7530(cd/m2)、最大発光輝度12400(cd/m2)、発光効率5.9(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は6800時間であった。
Example 15
4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] triphenylamine is vacuum-deposited on a cleaned glass plate with an ITO electrode to form a 20 nm-thick hole injection layer. Next, NPD was vacuum-deposited to obtain a 30 nm-thick hole transport layer, and compound (38) and compound (D6) were co-deposited at a ratio of 97: 3 to give a thickness of 40 nm. Then, a 5 nm-thick hole blocking layer was deposited by vapor deposition of bathophenanthroline, and an electron injection layer having a thickness of 30 nm was created by vacuum-depositing Alq3. An electrode was formed by vacuum vapor deposition of 0.7 nm and then 200 nm of aluminum to obtain an organic phosphorescent light emitting device having an emission luminance of 7530 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V and a maximum emission luminance of 12400. (Cd / m 2 ), a light emission efficiency of 5.9 (cd / A) was obtained, and the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 6800 hours. .

比較例4
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、下記化合物(C3)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートアルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度250(cd/m2)、最大発光輝度24600(cd/m2)、発光効率18(cd/A)であり、また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は900時間であった。
化合物(C3)
Comparative Example 4
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the following compound (C3) and compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 93: 7 to form a light emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate aluminum complex Were vapor-deposited to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further Alq3 was vapor-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device has an emission luminance of 250 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum emission luminance of 24600 (cd / m 2 ), an emission efficiency of 18 (cd / A), and an emission luminance of 500 (cd / m 2). ), The half-life when driven at a constant current was 900 hours.
Compound (C3)

Figure 0004363133
Figure 0004363133

本実施例で半減寿命を明記した例以外の素子において、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したところ、全ての実施例の素子において1000時間の時点で初期輝度の8割より低下したものはなかった。 In the devices other than the examples in which the half life was specified in this example, when the device was driven at a constant current with a light emission luminance of 500 (cd / m 2 ), all of the devices of the examples were reduced from 80% of the initial luminance at 1000 hours. There was nothing I did.

最後に、本発明の化合物と比較化合物の成膜性の差を観察した結果を示す。   Finally, the results of observing the difference in film formability between the compound of the present invention and the comparative compound are shown.

比較例5
洗浄した石英基板上に、50nmの膜厚でCBPを成膜した。成膜直後は、均一な膜が得られたが、大気下常温で一週間ほど放置したところ、膜が白濁した。
Comparative Example 5
A CBP film was formed to a thickness of 50 nm on the cleaned quartz substrate. Immediately after the film formation, a uniform film was obtained, but when it was allowed to stand at room temperature in the atmosphere for about a week, the film became cloudy.

一週間放置したCBP蒸着膜を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、その表面形状を測定した。その測定結果を図1に示す。図1から分かるとおり、約200nmほどの起伏が観察された。分子同士が容易凝集することが示唆される。また、このときの自乗平均面粗さ(RMS)は49nm、表面積率は1.30797であった。   The surface shape of the CBP vapor deposited film left for one week was measured using an atomic force microscope (AFM). The measurement results are shown in FIG. As can be seen from FIG. 1, undulations of about 200 nm were observed. This suggests that the molecules aggregate easily. Further, the root mean square roughness (RMS) at this time was 49 nm, and the surface area ratio was 1.30797.

実施例19
洗浄した石英基板上に、50nmの膜厚で例示化合物(1)を成膜した。成膜直後と大気下常温で一週間ほど放置した膜でにおいて、目視では違いを観察することはできなかった。
Example 19
Exemplified compound (1) was formed to a thickness of 50 nm on the washed quartz substrate. It was impossible to visually observe the difference between the film immediately after the film formation and the film left for about a week at room temperature in the atmosphere.

一週間放置した例示化合物(1)の蒸着膜を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて、その表面形状を測定した。その測定結果を図2に示す。Z軸方向の目盛りを見て分かるように約10nm程度と非常に平らな膜であることが分かる。このときの自乗平均面粗さ(RMS)は0.85nm、表面積率は1.00067であった。   The surface shape of the deposited film of the exemplary compound (1) left for one week was measured using an atomic force microscope (AFM). The measurement results are shown in FIG. As can be seen from the scale in the Z-axis direction, it can be seen that the film is as flat as about 10 nm. The root mean square roughness (RMS) at this time was 0.85 nm, and the surface area ratio was 1.00067.

比較例と実施例19を比較して明らかなように、本発明で示された化合物を用いることにより、より安定な有機薄膜を成膜することができる。
As is clear by comparing Comparative Example 5 and Example 19 , a more stable organic thin film can be formed by using the compound shown in the present invention.

本発明の有機燐光発光素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その工業的価値は非常に大きい。また、本発明の材料は、従来型の有機EL素子、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。

The organic phosphorescent light emitting device of the present invention can be applied to flat panel displays such as wall-mounted televisions, flat light emitters, light sources such as copiers and printers, light sources such as liquid crystal displays and instruments, display boards, and indicator lights. And its industrial value is very large. The material of the present invention can also be used in the fields of conventional organic EL devices, electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversion devices, solar cells, image sensors and the like.

一週間放置したときのCBPの蒸着膜の表面形状Surface shape of CBP vapor deposition film when left for one week 一週間放置したときの例示化合物(1)の蒸着膜の表面形状Surface shape of the deposited film of Example Compound (1) when left for one week

Claims (8)

下記一般式[1]で示されるベンゼン環および含窒素五員環が縮合した縮合複素芳香環と、アリーレン基を含有する連結基とを含む化合物(A)、および、燐光発光材料(B)とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
一般式[1]
Figure 0004363133

[式中、nは2〜6の整数である。
Aは2個以上のアリーレン環の直接結合による環集合体、またはアリーレン環・炭素−炭素二重結合・アリーレン環からなる集合体を表す。
Xは、NまたはC−R1であり、
Yは、XがNの時はNまたはC−R2、XがC−R1の時はC−R2である。
1〜R6は、互いにそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表し、R1、R2がともに存在する場合はそのどちらかが、R2のみの場合はR2が水素原子以外の置換基である。
また、R2〜R6はそれぞれ近接する置換基同士で一体となって環を形成していてもよい。Aに結合するn個の縮合複素芳香環は、X、Y、R3〜R6の構造は、n個とも同一であってもそれぞれが異なっていても良い。
ただし、一般式[1]が下記構造となる場合を除く。
Figure 0004363133

A compound (A) containing a condensed heteroaromatic ring in which a benzene ring and a nitrogen-containing five-membered ring represented by the following general formula [1] are condensed, and a linking group containing an arylene group, and a phosphorescent material (B) A material for an organic electroluminescence device comprising:
General formula [1]
Figure 0004363133

[In formula, n is an integer of 2-6.
A represents a ring assembly formed by a direct bond of two or more arylene rings, or an aggregate composed of an arylene ring, a carbon-carbon double bond, and an arylene ring.
X is N or C—R 1 ;
Y, when X is N when N or C-R 2, X is C-R 1 is C-R 2.
R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted Or an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, wherein R 1 and R 2 are both If either is present, R 2 is a substituent other than a hydrogen atom when only R 2 is present.
Moreover, R < 2 > -R < 6 > may form the ring integrally by the adjacent substituents, respectively. The n condensed heteroaromatic rings bonded to A may be the same or different in the structure of X, Y and R 3 to R 6 .
However, the case where the general formula [1] has the following structure is excluded. ]
Figure 0004363133

化合物(A)が、下記一般式[2]で示される化合物である請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
一般式[2]
Figure 0004363133


[式中、nは2〜6の整数である。
Aは2個以上のアリーレン環の直接結合による環集合体、またはアリーレン環・炭素−炭素二重結合・アリーレン環からなる集合体を表す
1〜R6は、互いにそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基を表し、R1、R2のどちらかは水素原子以外の置換基である。
また、R2〜R6はそれぞれ近接する置換基同士で一体となって環を形成していてもよい。Aに結合するn個の縮合複素芳香環は、R1〜R6の構造は、n個とも同一であってもそれぞれが異なっていても良い。]
Compound (A), an organic electroluminescence device material according to claim 1, wherein the compound represented by the following general formula [2].
General formula [2]
Figure 0004363133


[In formula, n is an integer of 2-6.
A represents a ring assembly formed by a direct bond of two or more arylene rings, or an aggregate composed of an arylene ring, a carbon-carbon double bond, and an arylene ring .
R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted Or an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and either R 1 or R 2 Is a substituent other than a hydrogen atom.
Moreover, R < 2 > -R < 6 > may form the ring integrally by the adjacent substituents, respectively. In the n condensed heteroaromatic rings bonded to A, the structures of R 1 to R 6 may be the same or different from each other. ]
燐光発光材料(B)が、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなるイリジウムもしくは白金錯体を含んでなる請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 The organic electroluminescent element material according to claim 1 or 2 , wherein the phosphorescent material (B) comprises an iridium or platinum complex comprising an organic compound or a ligand of an organic residue. 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記層のいずれかが、請求項1〜いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element formed by forming the organic compound thin film of the multiple layers containing a light emitting layer or a light emitting layer between a pair of electrodes, either of the said layers is for organic electroluminescent elements in any one of Claims 1-3 . An organic electroluminescence device containing a material. 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が請求項1〜いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element formed by forming the light emitting layer or a plurality of layers of organic compound thin films including the light emitting layer between the pair of electrodes, the light emitting layer contains the material for an organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 3. Organic electroluminescence device. さらに、陰極と発光層との間に電子注入層を形成することを特徴とする請求項4または5記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 6. The organic electroluminescence device according to claim 4, further comprising an electron injection layer formed between the cathode and the light emitting layer. さらに、電子注入層と発光層との間に正孔ブロッキング層を形成することを特徴とする請求項4〜6いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Furthermore, a hole blocking layer is formed between an electron injection layer and a light emitting layer, The organic electroluminescent element in any one of Claims 4-6 characterized by the above-mentioned. さらに、陽極と発光層との間に正孔注入層を形成することを特徴とする請求項4〜7いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Furthermore, a positive hole injection layer is formed between an anode and a light emitting layer, The organic electroluminescent element in any one of Claims 4-7 characterized by the above-mentioned.
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