JP4682503B2 - Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same - Google Patents

Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP4682503B2
JP4682503B2 JP2003322555A JP2003322555A JP4682503B2 JP 4682503 B2 JP4682503 B2 JP 4682503B2 JP 2003322555 A JP2003322555 A JP 2003322555A JP 2003322555 A JP2003322555 A JP 2003322555A JP 4682503 B2 JP4682503 B2 JP 4682503B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
organic
light emitting
unsubstituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003322555A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005089543A (en
Inventor
俊一 鬼久保
年男 榎田
康政 須田
泰正 鳥羽
康典 木村
哲也 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Original Assignee
Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Ink SC Holdings Co Ltd filed Critical Toyo Ink SC Holdings Co Ltd
Priority to JP2003322555A priority Critical patent/JP4682503B2/en
Publication of JP2005089543A publication Critical patent/JP2005089543A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4682503B2 publication Critical patent/JP4682503B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

本発明は平面光源や表示に使用される有機燐光発光素子用発光材料および高輝度・高効率の発光素子に関するものである。   The present invention relates to a light-emitting material for organic phosphorescent light-emitting elements and a light-emitting element with high luminance and high efficiency used for flat light sources and displays.

有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され、電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。   An organic electroluminescence (EL) element using an organic substance is expected to be used as an inexpensive large-area full-color display element of a solid light emitting type and has been developed in many ways. In general, an organic EL element is composed of a light emitting layer and a pair of counter electrodes sandwiching the layer. In light emission, when an electric field is applied between both electrodes, electrons are injected from the cathode side, holes are injected from the anode side, the electrons recombine with holes in the light emitting layer, and the energy level starts from the conduction band. It is a phenomenon in which energy is released as light when returning to the valence band.

従来の有機EL素子は、無機EL素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。
近年、10V以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機EL素子が報告され、関心を集めている(非特許文献1参照)。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、6〜7Vの直流電圧で輝度は数1000cd/m2、最大発光効率は1.5lm/Wを達成して、実用領域に近い性能を持っている(非特許文献1参照)。
Conventional organic EL elements have a higher driving voltage and lower light emission luminance and light emission efficiency than inorganic EL elements. Further, the characteristic deterioration has been remarkably not put into practical use.
In recent years, organic EL elements in which thin films containing organic compounds having high fluorescence quantum efficiency that emit light at a low voltage of 10 V or less have been reported and attracted interest (see Non-Patent Document 1). This method uses a metal chelate complex as a light emitting layer and an amine compound as a hole injection layer to obtain a high luminance green light emission. The luminance is several thousand cd / m 2 at a direct current voltage of 6 to 7 V, maximum. The luminous efficiency is 1.5 lm / W, and the performance is close to the practical range (see Non-Patent Document 1).

さらには、従来の一重項励起状態を利用した有機EL素子に比べ、効率が大幅に改善された三重項励起状態からの発光を利用した有機EL素子(以下、有機燐光発光素子と略す)が報告され、注目を集めている(非特許文献2、3参照)。   Furthermore, an organic EL element using light emission from a triplet excited state (hereinafter, abbreviated as an organic phosphorescent light emitting element), which has greatly improved efficiency, compared to a conventional organic EL element using a singlet excited state, has been reported. It has attracted attention (see Non-Patent Documents 2 and 3).

これまでの有機燐光発光素子の多くは下記化合物(以下、CBPと省略する)に示されるようなカルバゾール骨格を有する化合物を含んでいる。また、これらの化合物は非常に結晶性が高く、安定した膜を得ることが困難である。よって、これらの材料を使った有機燐光発光素子は、寿命が短いといった問題を抱えている。   Many of the organic phosphorescent light emitting devices so far contain a compound having a carbazole skeleton as shown in the following compound (hereinafter abbreviated as CBP). In addition, these compounds have very high crystallinity and it is difficult to obtain a stable film. Therefore, organic phosphorescent light emitting devices using these materials have a problem that their lifetime is short.

CBP

Figure 0004682503
CBP
Figure 0004682503

前記の欠点を改良し、かつ同時に特性を向上させるために、カルバゾール骨格を有する材料においていくつかの改良技術が提案されている(特許文献1〜7)が、依然として満足できる状態ではなかった。また、これらの技術の中にはカルバゾールの外側の6員炭素環の水素原子を他の置換基に置換することで、膜質、成膜時安定性を改良することを目的としたと推定される例も開示されているが、具体例としてはアルキル基、フェニル基などごく一般的な基に限られていた。
アプライド・フィジクス・レターズ、51巻、913ページ、1987年 ネイチャー、395巻、151ページ、1998年 アプライド・フィジクス・レターズ、75巻、4ページ、1999年 特開2001−313178号公報 特開2001−313179号公報 特開2002−8860号公報 特開2002−100476号公報 特開2003−77674号公報 特開2003−133075号公報 再公表01/072927号公報
In order to improve the above-mentioned drawbacks and at the same time improve the properties, several improved techniques have been proposed for materials having a carbazole skeleton (Patent Documents 1 to 7), but they are still not satisfactory. In addition, it is presumed that the purpose of these techniques is to improve the film quality and stability at the time of film formation by substituting the hydrogen atom of the 6-membered carbon ring outside carbazole with other substituents. Examples are also disclosed, but specific examples are limited to general groups such as alkyl groups and phenyl groups.
Applied Physics Letters, 51, 913, 1987 Nature, 395, 151 pages, 1998 Applied Physics Letters, 75, 4 pages, 1999 JP 2001-313178 A JP 2001-313179 A Japanese Patent Laid-Open No. 2002-8860 JP 2002-1000047 A Japanese Patent Laid-Open No. 2003-77664 JP 2003-133075 A Republication No. 01/072927

本発明の目的は、高い発光輝度、発光効率を持ち、繰り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。   An object of the present invention is to provide a material for an organic electroluminescence element having high emission luminance and luminous efficiency and excellent stability during repeated use, and an organic electroluminescence element using the same.

本発明は、下記一般式[1]で示される化合物(A)と、燐光発光材料(B)とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。 The present invention relates to a material for an organic electroluminescence device comprising a compound (A) represented by the following general formula [1] and a phosphorescent material (B) .

般式[1] One general formula [1]

Figure 0004682503
Figure 0004682503

[式中、Eは、カルボニル基を含む電子求引性基、シアノイミノ基、ジシアノメチレン基のいずれかである二重結合を有する電子求引性基であり、電子求引性基は、直接結合、または、ビニレン基、もしくは、ブタジエニレン基の二重結合を介して、カルバゾール環の外側のベンゼン環に結合する。また、カルボニル基のもう1つの結合手は置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の複素環基のいずれかである。電子求引性基は、同一または異なるものを2個以上有していても良い。
環上のEが置換しない部分は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基で置換されていても良く、置換基同士で一体となって環を形成していても良い。
Aは、Nと炭素原子で結合する、置換基、または複数の同一もしくは異なるカルバゾール環をつなぐ連結基である。]
[In the formula, E is an electron-withdrawing group having a double bond which is any of an electron-withdrawing group including a carbonyl group, a cyanoimino group, and a dicyanomethylene group, and the electron-withdrawing group is a direct bond. Or a benzene ring outside the carbazole ring through a double bond of a vinylene group or a butadienylene group . The other bond of the carbonyl group is any of a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group. is there. The electron withdrawing group may have two or more of the same or different.
The portion on the ring where E is not substituted is independently a halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or The substituent may be substituted with an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group. And may form a ring integrally.
A is a substituent bonded to N and a carbon atom, or a linking group that connects a plurality of the same or different carbazole rings. ]

また、本発明は、上記燐光発光材料(B)が、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなるイリジウムもしくは白金錯体である上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。   The present invention also relates to the material for an organic electroluminescence device, wherein the phosphorescent material (B) is an iridium or platinum complex composed of an organic compound or a ligand of an organic residue.

さらに、本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記層のいずれかが、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   Furthermore, the present invention relates to an organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein any one of the layers comprises the material for an organic electroluminescent device. It is related with the organic electroluminescent element to contain.

また、本発明は、一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が、上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   In addition, the present invention provides an organic electroluminescence device in which a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer is formed between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer contains an organic electroluminescent device material as described above. The present invention relates to an electroluminescence element.

また、本発明は、さらに、陰極と発光層との間に電子注入層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence element, wherein an electron injection layer is formed between the cathode and the light emitting layer.

また、本発明は、さらに、電子注入層と発光層との間に正孔ブロッキング層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence device, wherein a hole blocking layer is formed between the electron injection layer and the light emitting layer.

また、本発明は、さらに、陽極と発光層との間に正孔注入層を形成することを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention further relates to the organic electroluminescence element, wherein a hole injection layer is formed between the anode and the light emitting layer.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、特に安定性に優れ、それを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子は、輝度、発光効率等の初期特性に優れるとともに、長い発光寿命と良好な対環境特性を持つ有機エレクトロルミネッセンス素子である。   The organic electroluminescent element material of the present invention is particularly excellent in stability, and the organic electroluminescent element using the material has excellent initial characteristics such as luminance and luminous efficiency, and has a long emission life and good environmental characteristics. It is an organic electroluminescence element.

即ち、本発明は、発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられ、電流の注入により三重項励起状態から発光する有機物質を構成要素として含む有機燐光発光素子において、前記有機層に本発明で示される化合物が含まれることにより、その電気的物性と化学的安定性によって、素子の性能と耐久性に優れることを特徴とする。   That is, the present invention provides an organic phosphorescent light-emitting device in which an organic layer having a light-emitting region is provided between an anode and a cathode, and includes an organic substance that emits light from a triplet excited state by current injection as a constituent element. When the compound shown in the present invention is contained, the device is characterized in that it has excellent device performance and durability due to its electrical properties and chemical stability.

以下、本発明の化合物(A)について具体的に説明する Hereinafter, the compound (A) of the present invention will be specifically described .

本発明の化合物(A)、前記一般式[1]で示されるカルバゾール環を含む化合物である。このとき、窒素原子上の水素原子は、置換基もしくは連結基であるAでAの炭素原子を介して置換されていることが好ましく、さらに好ましくはアリール基で置換されていることである。 The compound (A) of the present invention is a compound containing a carbazole ring represented by the general formula [1]. In this case, the hydrogen atom on the nitrogen atom is preferably substituted with the substituent or linking group A via the carbon atom of A, and more preferably with an aryl group.

また、本発明の化合物(A)においては、上記カルバゾール環が2個以上あって、それらが連結基を介してつながっていても良い。この場合、連結基の種類、連結位置は、構造や結合が化学的に安定であれば、基本的には何であっても構わないが、好ましくはカルバゾール環の窒素原子を介して連結していることであり、また別の好ましい条件としては、連結基の炭素原子でカルバゾール環と結合していることである。特に前記一般式[1]においては、連結基となるAは、2個以上のカルバゾール環の窒素原子と、炭素原子で結合する基である。さらに好ましくは、連結基の結合末端はアリール基であって、連結基がπ共役していることである。また、カルバゾール環の個数は4個以上になると、同一構造の高純度のものを安定的に合成することが難しかったり、高分子量になるために蒸着が難しくなったりするので、2または3個であることがさらに好ましい。 In the compound (A) of the present invention, there may be two or more carbazole rings , which may be connected via a linking group. In this case, the type and position of the linking group may be basically any as long as the structure and bond are chemically stable, but are preferably linked via the nitrogen atom of the carbazole ring . Another preferable condition is that the carbon atom of the linking group is bonded to the carbazole ring . In particular, in the general formula [1], A serving as a linking group is a group bonded to a nitrogen atom of two or more carbazole rings by a carbon atom. More preferably, the bonding terminal of the linking group is an aryl group, and the linking group is π-conjugated. In addition, when the number of carbazole rings is 4 or more, it is difficult to stably synthesize a high-purity product having the same structure, or it becomes difficult to deposit due to the high molecular weight. More preferably it is.

本発明の化合物(A)において、カルバゾール環と並んで重要な構造として、二重結合を有する電子求引性基が環に置換していることが挙げられる。なお、電子求引性基は文献によっては電子吸引性基と表現されることもある。通常は同じ概念を指すものと思われるが、語彙的には電子求引性基と書くのが正しい。本発明における二重結合を有する電子求引性基は、カルボニル基を含む電子求引性基、シアノイミノ基、ジシアノメチレン基である。なお、カルボニル基を含む電子求引性基以外の基は、カルボニル基を含む電子求引性基を基本構造として、この二重結合を構成する原子を他の原子または原子団に置換した誘導体と見なすことができるので、以下、カルボニル基を含む電子求引性基で説明することは、特に断りのない限り他の基にも適用される。 In the compound (A) of the present invention, an important structure along with the carbazole ring is that an electron-withdrawing group having a double bond is substituted on the ring. In addition, an electron withdrawing group may be expressed as an electron withdrawing group depending on literature. Usually it seems to refer to the same concept, but lexically it is correct to write an electron withdrawing group. The electron withdrawing group having a double bond in the present invention is an electron withdrawing group containing a carbonyl group, a cyanoimino group, or a dicyanomethylene group. A group other than an electron withdrawing group containing a carbonyl group is a derivative in which an electron withdrawing group containing a carbonyl group is used as a basic structure, and an atom constituting this double bond is substituted with another atom or atomic group. Since it can be considered, hereinafter, the description with respect to the electron withdrawing group containing a carbonyl group also applies to other groups unless otherwise specified.

本発明の二重結合を有する電子求引性基においては、当該二重結合は、カルバゾール環に共役して結合する。つまり、直接結合、または、ビニレン基、もしくは、ブタジエニレン基の二重結合を介して、カルボニル基を含む電子求引性基の炭素原子は、カルバゾール環に結合する。もちろん、これらの二重結合も、電子求引性基の一部であるので、カルボニル基を含む電子求引性基の二重結合と同様に、カルバゾール環の構成要素の一部とはならない。 In the electron withdrawing group having a double bond of the present invention, the double bond is conjugated to and bonded to the carbazole ring . That is, the carbon atom of the electron withdrawing group including a carbonyl group is bonded to the carbazole ring through a direct bond or a double bond of a vinylene group or a butadienylene group . Of course, since these double bonds are also part of the electron withdrawing group, they are not part of the components of the carbazole ring in the same manner as the double bond of the electron withdrawing group including the carbonyl group.

よって、カルボニル基を含む電子求引性基は、結合手が1つ余ることになるが、ここに置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の複素環基のいずれかが結合することになる。さらは、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の複素環基のいずれかに、もう一つのカルバゾール環が結合して、二重結合を有する電子求引性基自体が2つのカルバゾール環を連結することになっても構わない。 Therefore, an electron withdrawing group containing a carbonyl group has one more bond, but here, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group Or either a substituted or unsubstituted heterocyclic group will be attached. Furthermore, any of a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, Another carbazole ring may be bonded, and the electron withdrawing group itself having a double bond may link two carbazole rings .

カルボニル炭素が結合位置となる1価の基は通常アシル基と呼ばれるが、具体例としてはトルオイル基、ナフトイル基などのアリール置換のアシル基や、その他、アルコキシカルボニル基、(N−置換)カルバモイル基などがあるが、化学的安定性や物性の点で、好ましくは炭化水素系の置換基からなるアシル基である。 Although monovalent group carbonyl carbon is bonded position, usually called an acyl group, specific examples, toluoyl group, or an aryl substituent of acyl group such as naphthoyl group, other, alkoxycarbonyl group, (N-substituted) carbamoyl Among them, an acyl group composed of a hydrocarbon-based substituent is preferable from the viewpoint of chemical stability and physical properties.

ただし、カルバゾール環部分と電子求引性基部分とは、直接、または芳香環などを通じてπ共役でつながっていることが好ましい。また、置換する電子求引性基の個数としては、特に制限はないが、好ましくは、縮合環において結合の閉環部のそれぞれを環として数えた場合、1環につき1個以下の割合で置換していることが好ましい。 However, the carbazole ring portion component and the electron-withdrawing moiety, it is preferred that are connected by π conjugated through direct, or an aromatic ring such. In addition, the number of electron withdrawing groups to be substituted is not particularly limited, but preferably, when each of the ring-closing portions of the bond in the condensed ring is counted as a ring, the number of substituted groups is 1 or less per ring. It is preferable.

本発明において、化合物(A)が一般式[1]で表されるカルバゾール環の場合は、電子求引性基Eの結合位置は必然的に外側ベンゼン環の水素原子のいずれかに限られる。Eの個数は特に制限はないが、好ましくは1個または2個で、2個の場合はそれぞれのベンゼン環に1個ずつ結合することが好ましい。また、Eが置換していない部分については、下記の一般的な置換基が結合していても良い。   In the present invention, when the compound (A) is a carbazole ring represented by the general formula [1], the bonding position of the electron withdrawing group E is necessarily limited to one of the hydrogen atoms of the outer benzene ring. The number of E is not particularly limited, but is preferably 1 or 2, and in the case of 2, it is preferable that one be bonded to each benzene ring. Moreover, about the part which E has not substituted, the following general substituent may couple | bond.

本発明における特に限定のない一般的な置換基の種類の具体例としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、または置換もしくは未置換の炭素環基または複素環基などが挙げられる。以下にそれぞれの置換基についてさらに詳細な代表例を示すが、これらに限定されるものではなく、またこれらの置換基にはさらに置換基が結合していても良い。   Specific examples of the general substituent type that is not particularly limited in the present invention include a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted group. Examples thereof include an aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, or a substituted or unsubstituted carbocyclic group or heterocyclic group. In the following, more detailed representative examples of each substituent will be shown, but the present invention is not limited thereto, and these substituents may further have a substituent bonded thereto.

本発明における置換基となるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。   Examples of the halogen atom serving as a substituent in the present invention include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

本発明における置換もしくは未置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、2−フェニルイソプロピル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、α−フェノキシベンジル基、α,α−ジメチルベンジル基、α,α−メチルフェニルベンジル基、α,α−ジトリフルオロメチルベンジル基、トリフェニルメチル基、α−ベンジルオキシベンジル基等がある。   Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group in the present invention include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, 2-phenylisopropyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group, benzyl group, α-phenoxybenzyl group, α, α-dimethylbenzyl group, α, α-methylphenylbenzyl group, α, α-ditrifluoromethylbenzyl group , Triphenylmethyl group, α-benzyloxybenzyl group and the like.

本発明における置換もしくは未置換のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、tert−ブトキシ基、オクチルオキシ基、tert−オクチルオキシ基といった未置換のアルコキシ基や、3,3,3−トリフルオロエトキシ基、ベンジルオキシ基といった置換アルコキシ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted alkoxy group in the present invention include an unsubstituted alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a tert-butoxy group, an octyloxy group, and a tert-octyloxy group; , 3-trifluoroethoxy group, and substituted alkoxy group such as benzyloxy group.

本発明における置換もしくは未置換のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、4−tert−ブチルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、9−アンスリルオキシ基といった未置換のアリールオキシ基や、4−ニトロフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、3−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換アリールオキシ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aryloxy group in the present invention include unsubstituted aryloxy groups such as phenoxy group, 4-tert-butylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, and 9-anthryloxy group. And substituted aryloxy groups such as 4-nitrophenoxy group, 3-fluorophenoxy group, pentafluorophenoxy group and 3-trifluoromethylphenoxy group.

本発明における置換もしくは未置換のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった未置換のアルキルチオ基や、1,1,1−テトラフルオロエチルチオ基、べンジルチオ基、トリフルオロメチルチオ基といった置換アルキルチオ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted alkylthio group in the present invention include an unsubstituted alkylthio group such as methylthio group, ethylthio group, tert-butylthio group, hexylthio group, and octylthio group, 1,1,1-tetrafluoroethylthio group, And substituted alkylthio groups such as benzylthio group and trifluoromethylthio group.

本発明における置換もしくは未置換のアリールチオ基としては、フェニルチオ基、2−メチルフェニルチオ基、4−tert−ブチルフェニルチオ基といった未置換のアリールチオ基や、3−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換アリールチオ基があげられる。   Examples of the substituted or unsubstituted arylthio group in the present invention include an unsubstituted arylthio group such as a phenylthio group, a 2-methylphenylthio group, and a 4-tert-butylphenylthio group, a 3-fluorophenylthio group, and a pentafluorophenylthio group. And substituted arylthio groups such as a 3-trifluoromethylphenylthio group.

本発明における置換もしくは未置換のアミノ基としては、アミノ基、モノまたはジアルキルアミノ基、モノまたはジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基などがある。アルキルアミノ基の具体例としてはエチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基等があり、アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、(3−メチルフェニル)アミノ基、(4−メチルフェニル)アミノ基等があり、アリールアミノ基の具体例としては、フェニルアミノ基、フェニルメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジビフェニリルアミノ基、ジ(4−メチルビフェニル)アミノ基、ジ(3−メチルフェニル)アミノ基、ジ(4−メチルフェニル)アミノ基、ナフチルフェニルアミノ基、ビス[4−(α,α’−ジメチルベンジル)フェニル]アミノ基等がある。アルキルアリールアミノ基の具体例としては、N−エチル−N−フェニルアミノ基、N−メチル−N−ナフチルアミノ基等がある。また、ビス(メトキシフェニル)アミノ基、ビス(アセトキシエチル)アミノ基等のアミノ基への置換基がさらに置換された構造も含む。   Examples of the substituted or unsubstituted amino group in the present invention include an amino group, a mono- or dialkylamino group, a mono- or diarylamino group, and an alkylarylamino group. Specific examples of the alkylamino group include an ethylamino group, a diethylamino group, a dipropylamino group, a dibutylamino group, a benzylamino group, and a dibenzylamino group. Specific examples of the arylamino group include a phenylamino group, ( 3-methylphenyl) amino group, (4-methylphenyl) amino group, etc. Specific examples of the arylamino group include phenylamino group, phenylmethylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, dibiphenylylamino group Di (4-methylbiphenyl) amino group, di (3-methylphenyl) amino group, di (4-methylphenyl) amino group, naphthylphenylamino group, bis [4- (α, α'-dimethylbenzyl) phenyl There are amino groups and the like. Specific examples of the alkylarylamino group include an N-ethyl-N-phenylamino group and an N-methyl-N-naphthylamino group. Also included are structures in which substituents to amino groups such as bis (methoxyphenyl) amino group and bis (acetoxyethyl) amino group are further substituted.

本発明における置換もしくは未置換の炭素環基としては、単環基もしくは縮合多環基がある。
単環基の具体例としては、単環シクロアルキル基、単環アリール基がある。
単環シクロアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基がある。
単環アリール基としては、フェニル基がある。
置換もしくは未置換の縮合多環基としては、縮合多環アリール基、縮合多環シクロアルキル基等がある。
The substituted or unsubstituted carbocyclic group in the present invention includes a monocyclic group or a condensed polycyclic group.
Specific examples of the monocyclic group include a monocyclic cycloalkyl group and a monocyclic aryl group.
Examples of the monocyclic cycloalkyl group include cycloalkyl groups such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group.
A monocyclic aryl group includes a phenyl group.
Examples of the substituted or unsubstituted condensed polycyclic group include a condensed polycyclic aryl group and a condensed polycyclic cycloalkyl group.

縮合多環アリール基としては、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、フルオレニル基、アセナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ピレニル基、ペリレニル基、トリフェニレニル基等がある。   Examples of the condensed polycyclic aryl group include a naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, fluorenyl group, acenaphthyl group, azulenyl group, heptaenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, and triphenylenyl group.

本発明における置換もしくは未置換の複素環基としては、単環複素環基もしくは縮合多環複素環基がある。
単環複素環基としては、チエニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダジアゾリル基等がある。
縮合多環複素環基としては、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、アクリジニル基、フェナジニル基、ベンゾフリル基、イソチアゾリル基、イソキサゾリル基、フラザニル基、フェノキサジニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ピラニル基等がある。その他の縮合多環基として、1−テトラリル基、2−テトラリル基、テトラヒドロキノリル基等がある。
Examples of the substituted or unsubstituted heterocyclic group in the present invention include a monocyclic heterocyclic group and a condensed polycyclic heterocyclic group.
Monocyclic heterocyclic groups include thienyl, furyl, pyrrolyl, imidazolyl, pyrazolyl, pyridinyl, pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, triazinyl, triazolyl, oxazolyl, thiazolyl, oxadiazolyl, There are thiadiazolyl and imidadiazolyl groups.
As the condensed polycyclic heterocyclic group, indolyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, phthalazinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, acridinyl group, phenazinyl group, benzofuryl group, isothiazolyl group, isoxazolyl group, furazanyl group, phenoxazinyl group Benzothiazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzotriazolyl group, pyranyl group and the like. Examples of other condensed polycyclic groups include 1-tetralyl group, 2-tetralyl group, tetrahydroquinolyl group and the like.

本発明において、一般式[1]で表される化合物(A)は、カルバゾール環のフリーデル・クラフツ反応での直接アシル化や、カルバゾール環をブロモ化し、これとカルボン酸アミドと反応させるか、活性メチレン硫黄化合物を利用してカルボニル基を生成させることで作ることができる。アルキル基または二重結合を有するアルケニル基置換体から合成する方法も考えられる。また、シアノイミノ基やジシアノメチレン基はカルボニル基を転換することで合成できる。化合物によっては、中間体として電子求引性基を導入したものを合成後、さらに工程を経て、最終物を合成しても良い。   In the present invention, the compound (A) represented by the general formula [1] is obtained by directly acylating a carbazole ring in a Friedel-Crafts reaction or brominating a carbazole ring and reacting it with a carboxylic acid amide. It can be made by generating a carbonyl group using an active methylene sulfur compound. A method of synthesizing from a substituted alkenyl group having an alkyl group or a double bond is also conceivable. A cyanoimino group or dicyanomethylene group can be synthesized by converting a carbonyl group. Depending on the compound, the final product may be synthesized through further steps after synthesizing an intermediate with an electron-withdrawing group introduced.

以下に、本発明の化合物(A)の代表例を、具体的に例示するが、本発明は、この代表例に限定されるものではない。   Specific examples of the compound (A) of the present invention are specifically shown below, but the present invention is not limited to these representative examples.

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

本発明における化合物(A)は、カルバゾール環に電子求引性基が置換しているため、無置換の環からなる化合物に比べて、分子の剛直性が増し、構造的に高い安定性を有し、ガラス転移点や融点が高くなっている。他方、置換基がつくことで結晶性は低下している。このため、膜質や成膜時の安定性が向上し、電界発光時における有機層中、有機層間もしくは、有機層と金属電極間で発生するジュール熱に対する耐性(耐熱性)が向上するので、有機燐光発光素子材料として使用した場合、高い発光輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。また、カルボニル基などの二重結合を有する電子求引性基は、三重項励起状態を安定化させる効果が想定できるため、従来の蛍光型の有機EL素子では発光を弱めてしまうという悪影響が懸念されたが、有機燐光発光素子において燐光発光材料(B)と同時に用いる場合には、発光を増強する効果が期待できる。
In the compound (A) of the present invention , since an electron-withdrawing group is substituted on the carbazole ring, the rigidity of the molecule is increased and the structure is highly stable compared to a compound composed of an unsubstituted ring. However, the glass transition point and melting point are high. On the other hand, the crystallinity is lowered due to the attachment of the substituent. This improves the film quality and stability during film formation, and improves the resistance (heat resistance) against Joule heat generated in the organic layer, between the organic layers, or between the organic layer and the metal electrode during electroluminescence. When used as a phosphorescent light-emitting element material, it exhibits high emission luminance and is advantageous when emitting light for a long time. In addition, since an electron-withdrawing group having a double bond such as a carbonyl group can be expected to stabilize the triplet excited state, there is a concern that the conventional fluorescent organic EL element may weaken light emission. However, when it is used simultaneously with the phosphorescent material (B) in the organic phosphorescent light emitting device, an effect of enhancing light emission can be expected.

有機燐光発光素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜を形成した素子である。基本構成は従来の有機EL素子と同様であるが、三重項励起状態のエネルギーを発光に利用できるよう材料の選択と層構成の工夫を施したところが特徴となる。なお、本発明において、「燐光発光素子」とは、発光材料またはドーピング材料が三重項状態から直接的に光を放出する場合だけでなく、両極から注入された電荷の再結合によって生じた三重項励起状態を光以外のエネルギー放出に回すことなく、素子中で有効に発光に利用するような機構、過程を有するように設計された構成の素子全般を含む。この意味において、本発明の化合物(A)は、構造的、物性的に三重項励起状態を生成、保持しやすいため、各層を構成する材料として好適である。特に素子駆動中に三重項励起状態が最も多く存在する発光層の一成分に使用すると最大の効果を発揮する。   An organic phosphorescent light-emitting device is a device in which a single-layer or multilayer organic thin film is formed between an anode and a cathode. The basic configuration is the same as that of a conventional organic EL element, but is characterized in that material selection and layer configuration are devised so that triplet excited state energy can be used for light emission. In the present invention, the “phosphorescent light-emitting element” means not only a case where a light-emitting material or a doping material directly emits light from a triplet state, but also a triplet generated by recombination of charges injected from both electrodes. It includes all elements having a structure designed to have a mechanism and a process that can be effectively used for light emission in the element without turning the excited state into energy emission other than light. In this sense, the compound (A) of the present invention is suitable as a material constituting each layer because it easily generates and maintains a triplet excited state structurally and physically. In particular, when it is used as a component of a light emitting layer in which the triplet excited state is most present during device driving, the maximum effect is exhibited.

有機EL素子または有機燐光発光素子は、一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるために正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。電子注入材料とは陰極から電子を注入されうる能力を持つ材料であり、電子輸送材料とは注入された電子を発光層へ輸送する能力を持つ材料である。正孔注入材料とは、陽極から正孔を注入されうる能力を持つ材料であり、正孔輸送材料とは、注入された正孔を発光層へ輸送する能力を持つ材料である。多層型は、(陽極/正孔注入層/発光層/陰極)、(陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極)、(陽極/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極)、(陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極)、の多層構成で積層した有機燐光発光素子がある。多層型の正孔輸送層および電子輸送層は複数の層からなってもよい。ここで、正孔注入層と正孔輸送層、場合によっては正孔輸送性の強い発光層までを正孔注入帯域、電子注入層と電子輸送層、場合によっては電子輸送性の強い発光層までを電子注入帯域とそれぞれ呼ぶことがあり、各帯域に使用する材料を一括りで正孔注入材料(または正孔輸送材料)もしくは電子注入材料(または電子輸送材料)と呼ぶこともある。また、有機燐光発光素子の場合は、素子の特性や使用材料の点で、電子輸送層に要求される特性として、電子の輸送性より正孔が発光層から陰極側へ抜けてしまうことを阻止するブロック性をより重視するため、正孔ブロッキング層または正孔ブロック層と呼ばれることが多く、この層に用いられる材料を特に正孔ブロッキング材料と呼ぶことがある。これらの呼称は目的とする素子に対する材料の必要特性の一面を強調するために付けられているので、呼び方の違いにより材料の本質が異なることはない。これらの各層の材料とその構成は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択され、決定される。   When the organic EL element or the organic phosphorescent light emitting element is a single layer type, a light emitting layer is provided between the anode and the cathode. The light emitting layer contains a light emitting material, and may further contain a hole injecting material or an electron injecting material in order to transport holes injected from the anode or electrons injected from the cathode to the light emitting material. The electron injection material is a material having the ability to inject electrons from the cathode, and the electron transport material is a material having the ability to transport the injected electrons to the light emitting layer. The hole injection material is a material having the ability to inject holes from the anode, and the hole transport material is a material having the ability to transport the injected holes to the light emitting layer. The multilayer type includes (anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode), (anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode), (anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode), (Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode), (anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode), (anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer) There is an organic phosphorescent light emitting device laminated in a multilayer structure of / electron transport layer / electron injection layer / cathode). The multilayer hole transport layer and the electron transport layer may be composed of a plurality of layers. Here, a hole injection layer and a hole transport layer, in some cases up to a light emitting layer having a strong hole transport property, up to a hole injection band, an electron injection layer and an electron transport layer, and in some cases to a light emitting layer having a strong electron transport property May be referred to as an electron injection band, and materials used in each band may be collectively referred to as a hole injection material (or hole transport material) or an electron injection material (or electron transport material). In the case of an organic phosphorescent light emitting device, the electron transporting layer is required to prevent holes from escaping from the light emitting layer to the cathode side due to the electron transportability in terms of device characteristics and materials used. In order to give more importance to the blocking property, it is often called a hole blocking layer or a hole blocking layer, and the material used for this layer is sometimes called a hole blocking material. Since these designations are given to emphasize one aspect of the necessary characteristics of the material for the target element, the essence of the material does not differ depending on the designation. The material of each of these layers and the structure thereof are selected and determined according to various factors such as the energy level of the material, heat resistance, and adhesion to the organic layer or metal electrode.

発光層には、必要があれば、本発明の材料に加えて、さらなる既存の有機蛍光色素を含む公知の発光材料、ドーピング材料および正孔注入材料や電子注入材料を使用することもできる。有機燐光発光素子は、多層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することが出来る。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率の向上、青色から赤色にわたる発光を得ることもできる。   If necessary, in addition to the material of the present invention, a known light emitting material, doping material, hole injecting material, and electron injecting material containing a further existing organic fluorescent dye can be used for the light emitting layer. The organic phosphorescent light emitting element can prevent a decrease in luminance and lifetime due to quenching by adopting a multilayer structure. If necessary, a light emitting material, a doping material, a hole injection material, and an electron injection material can be used in combination. Further, by using a doping material, emission luminance and luminous efficiency can be improved, and light emission ranging from blue to red can be obtained.

本発明の化合物(A)と共に発光層に使用できる燐光発光材料(B)またはドーピング材料としては、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなる金属錯体がある。金属原子は通常、遷移金属であり、好ましくは周期では第5周期または第6周期、族では6族から11族、さらに好ましくは8族から10族の元素が対象となる。具体的にはイリジウムや白金などである。また、配位子としては2−フェニルピリジンや2−(2’―ベンゾチエニル)ピリジンなどがあり、これらの配位子上の炭素原子が金属と直接結合しているのが特徴である。別の例としてはポルフィリンまたはテトラアザポルフィリン環錯体などがある。中心金属としては白金などが挙げられる。燐光発光材料の代表例を以下に具体的に例示するが、本発明はこの代表例に限定されるものではない。なお、本例は三重項励起状態から直接発光するとの知見が得られている材料の例であり、素子内で三重項励起エネルギーが失われずに有効に発光に利用できる何らかの機構が別に存在する場合には、さらに多くの材料を発光材料またはドーピング材料として用いることができ、既存の有機蛍光色素、有機EL発光材料、ドーピング材料をも有機燐光発光素子に利用できる可能性を否定するものではない。   Examples of the phosphorescent light emitting material (B) or doping material that can be used in the light emitting layer together with the compound (A) of the present invention include an organic compound or a metal complex composed of an organic residue ligand. The metal atom is usually a transition metal, and is preferably an element of the 5th or 6th period in the period, and from the 6th group to the 11th group in the group, and more preferably in the 8th to 10th group. Specific examples include iridium and platinum. Examples of the ligand include 2-phenylpyridine and 2- (2'-benzothienyl) pyridine, and the carbon atom on these ligands is directly bonded to the metal. Another example is a porphyrin or tetraazaporphyrin ring complex. Examples of the central metal include platinum. Although the typical example of a phosphorescent luminescent material is specifically illustrated below, this invention is not limited to this representative example. Note that this example is an example of a material for which it is known that light is emitted directly from a triplet excited state, and there is another mechanism that can be used for light emission effectively without losing triplet excitation energy in the device. In addition, more materials can be used as the light emitting material or the doping material, and the possibility that the existing organic fluorescent dye, the organic EL light emitting material, and the doping material can be used for the organic phosphorescent light emitting element is not denied.

Figure 0004682503
Figure 0004682503

Figure 0004682503
Figure 0004682503

共に発光層に使用できる上記の材料および本発明の化合物の発光層中での存在比はどれが主成分であってもよいが、好ましくは、上記、燐光発光材料(B)またはドーピング材料に対して本発明の化合物(A)の存在比が50%以上であるホスト材料として使用することである。   Any of the above-mentioned materials that can be used in the light-emitting layer and the abundance ratio of the compound of the present invention in the light-emitting layer may be the main component, but preferably the above-mentioned phosphorescent light-emitting material (B) or doping material In other words, it is used as a host material having an abundance ratio of the compound (A) of the present invention of 50% or more.

正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入帯域または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに限定されるものではない。   As a hole injection material, it has the ability to transport holes, has a hole injection effect from the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and excitons generated in the light emitting layer. Examples thereof include compounds that prevent movement to an electron injection zone or an electron injection material and have an excellent thin film forming ability. Specifically, phthalocyanine derivatives, naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acyl hydrazone, polyaryl Alkane, stilbene, butadiene, benzidine type triphenylamine, styrylamine type triphenylamine, diamine type triphenylamine, etc., and their derivatives, and polymer materials such as polyvinyl carbazole, polysilane, conductive polymer, etc. However, it is not limited to these.

本発明の有機燐光発光素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、アリールアミン誘導体、フタロシアニン化合物ないしはトリフェニレン誘導体である。アリールアミン誘導体の具体例としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ−m−トリル−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(p−トリル)−p−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(1−ナフチル)−4,4’−ビフェニルジアミン、N,N’−ジ(4−n−ブチルフェニル)−N,N’−ジ−p−トリル−9,10−フェナントレンジアミン、4,4’,4”−トリス(N−フェニル−N−m−トリルアミノ)トリフェニルアミン、1,1−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマー等があるが、これらに限定されるものではない。   Among the hole injection materials that can be used in the organic phosphorescent light emitting device of the present invention, more effective hole injection materials are arylamine derivatives, phthalocyanine compounds, or triphenylene derivatives. Specific examples of the arylamine derivative include triphenylamine, tolylamine, tolyldiphenylamine, N, N′-diphenyl-N, N′-di-m-tolyl-4,4′-biphenyldiamine, N, N, N ', N'-tetra (p-tolyl) -p-phenylenediamine, N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-biphenyldiamine, N, N'-diphenyl-N, N′-di (1-naphthyl) -4,4′-biphenyldiamine, N, N′-di (4-n-butylphenyl) -N, N′-di-p-tolyl-9,10-phenanthrenediamine 4,4 ′, 4 ″ -tris (N-phenyl-Nm-tolylamino) triphenylamine, 1,1-bis [4- (di-p-tolylamino) phenyl] cyclohexane, or the like There are oligomers or polymers having tertiary amine skeletons, though not particularly limited thereto.

フタロシアニン(Pc)化合物の具体例としては、H2Pc、CuPc、C oPc、NiPc、ZnPc、PdPc、FePc、MnPc、ClAlPc、ClGaPc、ClInPc、ClSnPc、Cl2SiPc、(HO)A lPc、(HO)GaPc、VOPc、TiOPc、MoOPc、GaPc−O−GaPc等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the phthalocyanine (Pc) compound include H2Pc, CuPc, CoPc, NiPc, ZnPc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlPc, ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl2SiPc, (HO) AlPc, OP , Phthalocyanine derivatives such as TiOPc, MoOPc, GaPc-O-GaPc, and naphthalocyanine derivatives, but are not limited thereto.

トリフェニレン誘導体の具体例としては、ヘキサメトキシトリフェニレン、ヘキサエトキシトリフェニレン、ヘキサヘキシルオキシトリフェニレン、ヘキサベンジルオキシトリフェニレン、トリメチレンジオキシトリフェニレン、トリエチレンジオキシトリフェニレンなどのヘキサアルコキシトリフェニレン類、ヘキサフェノキシトリフェニレン、ヘキサナフチルオキシトリフェニレン、ヘキサビフェニリルオキシトリフェニレン、トリフェニレンジオキシトリフェニレンなどのヘキサアリールオキシトリフェニレン類、ヘキサアセトキシトリフェニレン、ヘキサベンゾイルオキシトリフェニレンなどのヘキサアシロキシトリフェニレン類等があるが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the triphenylene derivative include hexaalkoxytriphenylenes such as hexamethoxytriphenylene, hexaethoxytriphenylene, hexahexyloxytriphenylene, hexabenzyloxytriphenylene, trimethylenedioxytriphenylene, triethylenedioxytriphenylene, hexaphenoxytriphenylene, hexanaphthyl. Examples include, but are not limited to, hexaaryloxytriphenylenes such as oxytriphenylene, hexabiphenylyloxytriphenylene, and triphenylenedioxytriphenylene, and hexaacyloxytriphenylenes such as hexaacetoxytriphenylene and hexabenzoyloxytriphenylene.

電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入帯域への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。   As an electron injection material, it has the ability to transport electrons, has a hole injection effect from the cathode, and an excellent electron injection effect for the light-emitting layer or light-emitting material, and hole injection of excitons generated in the light-emitting layer Examples thereof include compounds that prevent migration to the zone and have an excellent thin film forming ability. For example, there are fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane, anthrone and their derivatives. However, it is not limited to these. Further, it can be sensitized by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.

本発明の有機燐光発光素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。具体的には、金属錯体化合物としては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)マンガン、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)ガリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナート)亜鉛、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)クロロガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(o−クレゾラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(1−ナフトラート)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(2−ナフトラート)ガリウム、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム、ビス(o−(2−ベンゾオキサゾリル)フェノラート)亜鉛、ビス(o−(2−ベンゾチアゾリル)フェノラート)亜鉛、ビス(o−(2−ベンゾトリアゾリル)フェノラート)亜鉛等があるが、これらに限定されるものではない。   In the organic phosphorescent light emitting device of the present invention, a more effective electron injection material is a metal complex compound or a nitrogen-containing five-membered ring derivative. Specifically, as the metal complex compound, 8-hydroxyquinolinate lithium, bis (8-hydroxyquinolinate) zinc, bis (8-hydroxyquinolinate) copper, bis (8-hydroxyquinolinate) manganese , Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium Bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) (o-cresolate) gallium, Bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (1-naphthlar ) Aluminum, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) (2-naphtholato) gallium, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate gallium, bis (o- (2-benzoxazolyl) (L) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzothiazolyl) phenolate) zinc, bis (o- (2-benzotriazolyl) phenolate) zinc, and the like, but are not limited thereto.

また、含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、ジメチルPOPOP、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4’−tert−ブチルフェニル)−5−(4”−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等があるが、これらに限定されるものではない。   Further, as the nitrogen-containing five-membered ring derivative, an oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivative is preferable. Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, dimethyl POPOP, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5- Bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2, 5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5-phenyl) Oxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis (1- Naphthyl) -1,3,4-thiadiazole, 1,4-bis [2- (5 Phenylthiadiazolyl)] benzene, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1, Examples include, but are not limited to, 3,4-triazole and 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)] benzene.

正孔ブロッキング材料としては、正孔が陰極へ輸送されるのを阻止する能力を持ち、発光層で生成した励起子の電子注入帯域への移動を防止する効果を兼ね備え、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が挙げられる。前記の電子注入材料の多くは正孔ブロッキング材料として使用できるが、例えば、2−(4−ビフェニル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−トリアゾールや2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾールに代表されるアゾール(含窒素五員環)類、バソクプロインに代表されるフェナントロリン誘導体、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(4−ビフェニルオキソラート)アルミニウム(III)、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウムに代表される金属錯体などの含窒素六員環類とそれらを配位子に有する金属錯体、シラシクロブテン(シロール)誘導体等があるが、これらに限定されるものではない。   As a hole blocking material, it has the ability to prevent holes from being transported to the cathode, has the effect of preventing the exciton generated in the light emitting layer from moving to the electron injection zone, and has excellent thin film forming ability Compounds. Many of the electron injection materials can be used as hole blocking materials. For example, 2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-triazole and 2,5- Azoles (nitrogen-containing five-membered rings) represented by bis (1-phenyl) -1,3,4-oxadiazole, phenanthroline derivatives represented by bathocuproine, bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) ) (4-biphenyloxolate) aluminum (III), nitrogen-containing six-membered rings such as metal complexes represented by bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate gallium and the ligands Metal complexes, silacyclobutene (silole) derivatives, and the like, but are not limited thereto.

本発明の化合物(A)は、電子求引性基を有するため、電子輸送性の方が正孔輸送性より高く、上記の正孔ブロッキング材料または電子注入材料の一種として使用することが可能である。よって、有機燐光発光材料の正孔ブロッキング層としても好適に使用できる。また、化合物(A)は従来からの一重項励起状態を利用した蛍光型有機EL素子における電子輸送層、電子注入層、正孔ブロッキング層にも適用することができる。ただし、蛍光型素子に使用する場合、化合物(A)は、カルボニル基などの二重結合を有する電子求引性基が三重項状態の生成や安定化に寄与しているので、特に、化合物(A)を含む層中やその直ぐ近傍の層で正孔と電子の再結合が起こる確率が高い場合には、総合的には、輝度、効率に対して悪化の方向に働くこともある。よって、材料や使用構成を慎重に選択する必要性が生じることもある。   Since the compound (A) of the present invention has an electron withdrawing group, the electron transporting property is higher than the hole transporting property and can be used as one of the hole blocking material or the electron injecting material. is there. Therefore, it can be suitably used as a hole blocking layer of an organic phosphorescent material. The compound (A) can also be applied to an electron transport layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer in a conventional fluorescent organic EL device using a singlet excited state. However, when used in a fluorescent element, the compound (A) is particularly useful since the electron-withdrawing group having a double bond such as a carbonyl group contributes to the generation and stabilization of the triplet state. When there is a high probability that recombination of holes and electrons occurs in the layer containing A) or in the immediate vicinity of the layer, the brightness and efficiency may be deteriorated as a whole. Thus, it may be necessary to carefully select materials and usage configurations.

本発明により得られた有機燐光発光素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することも可能である。   In order to improve the stability of the organic phosphorescent light-emitting device obtained by the present invention with respect to temperature, humidity, atmosphere, etc., a protective layer may be provided on the surface of the device, or the entire device may be protected with silicon oil, resin, etc. Is possible.

有機燐光発光素子の陽極に使用される導電性材料としては、4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ITO基板、NESA基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。   As the conductive material used for the anode of the organic phosphorescent light emitting device, a material having a work function larger than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, platinum, palladium And their alloys, metal oxides such as tin oxide and indium oxide used for ITO substrates and NESA substrates, and organic conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.

陰極に使用される導電性物質としては、4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム/銀、マグネシウム/インジウム、リチウム/アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。また、陰極としてフッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化リチウムなどのアルカリ金属、アルカリ土類金属のフッ化物、酸化物を有機層上に1nm以下の膜厚で成膜し、その上にアルミニウム、銀などの比較的導電性の高い金属を成膜してもよい。また、陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。   As the conductive material used for the cathode, those having a work function smaller than 4 eV are suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, and alloys thereof are used. However, it is not limited to these. Examples of alloys include magnesium / silver, magnesium / indium, lithium / aluminum, and the like, but are not limited thereto. The ratio of the alloy is controlled by the temperature of the vapor deposition source, the atmosphere, the degree of vacuum, etc., and is selected to an appropriate ratio. Further, as a cathode, an alkali metal such as lithium fluoride, magnesium fluoride, or lithium oxide, a fluoride of an alkaline earth metal, or an oxide is formed on the organic layer with a film thickness of 1 nm or less, and aluminum or silver is formed thereon. A metal having a relatively high conductivity such as, for example, may be formed. Moreover, the anode and the cathode may be formed with a layer structure of two or more layers if necessary.

有機燐光発光素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエチレンテレフテレート板、ポリエーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明樹脂があげられる。   In the organic phosphorescent light emitting device, in order to emit light efficiently, it is desirable that at least one of them is sufficiently transparent in the light emitting wavelength region of the device. The substrate is also preferably transparent. The transparent electrode is set using the above-described conductive material so as to ensure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering. The electrode on the light emitting surface preferably has a light transmittance of 10% or more. The substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and has transparency. For example, a glass substrate, a polyethylene plate, a polyethylene terephthalate plate, a polyethersulfone plate, Examples thereof include a transparent resin such as a polypropylene plate.

本発明に係わる有機燐光発光素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nmから10μmの範囲が適しているが、10nmから0.2μmの範囲がさらに好ましい。   The formation of each layer of the organic phosphorescent light emitting device according to the present invention applies any of dry deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet deposition methods such as spin coating, dipping, and flow coating. can do. The film thickness is not particularly limited, but must be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too thin, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。   In the case of the wet film forming method, the material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane or the like to form a thin film, and any solvent may be used. In any organic thin film layer, an appropriate resin or additive may be used for improving film formability and preventing pinholes in the film. Usable resins include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, and cellulose, and copolymers thereof, poly-N-vinyl. Examples thereof include photoconductive resins such as carbazole and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole. Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.

以上のように、有機燐光発光素子の発光層に本発明の化合物を用いることにより、発光効率、最大発光輝度等の有機燐光発光素子特性を改良することができた。また、この素子は熱や電流に対して非常に安定であり、さらには低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も大幅に低下させることができた。   As described above, by using the compound of the present invention in the light emitting layer of the organic phosphorescent light emitting device, the characteristics of the organic phosphorescent light emitting device such as the light emission efficiency and the maximum light emission luminance can be improved. In addition, this element is extremely stable against heat and current, and can be used for light emission brightness that can be used practically at a low driving voltage, so that the degradation that has been a major problem until now is greatly reduced. I was able to.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明する。
化合物(10)の合成方法
フラスコ中にN−エチルカルバゾール9.4g、AlCl313.9gとベンゼン120mLを入れて、氷水浴で5℃以下に冷却しながら、塩化ベンゾイル14.6gを20mLのベンゼンに溶かした溶液を40分かけて滴下した。滴下終了後、撹拌しながら室温まで戻した後、反応液を氷水1500mL中に注いで生成物を沈殿させた後、ベンゼン1000mLを加えて撹拌後、油層部を取り出し、500mLの脱イオン水で2回洗浄した。クロロホルム−ヘキサン混合溶媒で再結晶を行い、12.9gの生成物を得た。さらに昇華精製を行った。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples.
Method of synthesizing compound (10) 9.4 g of N-ethylcarbazole, 13.9 g of AlCl 3 and 120 mL of benzene were placed in a flask, and 14.6 g of benzoyl chloride was added to 20 mL of benzene while cooling to 5 ° C. or lower in an ice-water bath. The solution dissolved in was added dropwise over 40 minutes. After completion of the dropwise addition, the mixture was returned to room temperature with stirring, and then the reaction solution was poured into 1500 mL of ice water to precipitate the product. After adding 1000 mL of benzene and stirring, the oil layer portion was taken out and 2 mL was added with 500 mL of deionized water. Washed twice. Recrystallization was performed with a chloroform-hexane mixed solvent to obtain 12.9 g of a product. Further sublimation purification was performed.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例においては、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。蒸着(真空蒸着)は10-6Torrの真空中で、基板加熱、冷却等の温度制御なしの条件下で行った。また、素子の発光特性評価においては、電極面積2mm×2mmの有機EL素子の特性を測定した。測定は1Vずつ上昇しながら各電圧で電流、輝度、色度を記録した。最大発光輝度および効率は各電圧ごとの測定値の最大値であり、その時の電圧は素子により異なる。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to the following Example. In the examples, all mixing ratios are weight ratios unless otherwise specified. Vapor deposition (vacuum deposition) was performed in a vacuum of 10 −6 Torr and under conditions without temperature control such as substrate heating and cooling. In the evaluation of the light emission characteristics of the element, the characteristics of an organic EL element having an electrode area of 2 mm × 2 mm were measured. The measurement recorded current, luminance, and chromaticity at each voltage while increasing by 1V. The maximum light emission luminance and efficiency are the maximum values measured for each voltage, and the voltage at that time varies depending on the element.

実施例2
洗浄したITO電極付きガラス板上に、N,N’―(1―ナフチル)―N,N’―ジフェニル―1,1’―ビフェニル-4,4’―ジアミン(NPD)を真空蒸着して膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(15)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム錯体を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1で混合した合金で膜厚100nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度3700(cd/m2)、最大発光輝度66000(cd/m2)、発光効率48(cd/A)の緑色発光が得られた。
Example 2
N, N '-(1-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPD) is vacuum-deposited on a cleaned glass plate with an ITO electrode. A hole injection layer having a thickness of 20 nm was obtained. Next, the compound (15) and the compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 93: 7 to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinato) pheno An electron injection layer having a thickness of 30 nm was obtained by depositing a gallium complex. On top of this, an electrode having a thickness of 100 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted green light with a light emission luminance of 3700 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 66000 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 48 (cd / A) at a DC voltage of 10V.

実施例3
化合物(15)の代わりに化合物(10)を用いた他は実施例2と同様にして素子を作製した。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度7300(cd/m2)、最大発光輝度62400(cd/m2)、発光効率38(cd/A)の緑色発光が得られた。
Example 3
A device was fabricated in the same manner as in Example 2 except that the compound (10) was used instead of the compound (15). This device emitted green light with a light emission luminance of 7300 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 62400 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 38 (cd / A).

実施例4
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(19)と化合物(D5)を95:5の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにトリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体(Alq3)を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度540(cd/m2)、最大発光輝度28300(cd/m2)、発光効率9.8(cd/A)の赤色発光が得られた。
Example 4
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (19) and the compound (D5) were co-evaporated at a ratio of 95: 5 to prepare a light-emitting layer having a film thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-phenylphenol) Lat) An aluminum complex was vapor-deposited to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complex (Alq3) was vapor-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 540 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 28300 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 9.8 (cd / A).

実施例5
洗浄したITO電極付きガラス板上に、化合物(35)と化合物(D6)を98:2の比率で塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚50nmの正孔注入型発光層を得た。次いでバソクプロインを蒸着して膜厚5nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを0.5nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度920(cd/m2)、最大発光輝度8400(cd/m2)、発光効率4.9(cd/A)の赤色発光が得られた。
Example 5
The compound (35) and the compound (D6) were dissolved in methylene chloride at a ratio of 98: 2 on the washed glass plate with the ITO electrode, and a 50 nm-thick hole injection type light emitting layer was obtained by a spin coating method. Next, bathocuproine was evaporated to form a hole blocking layer having a thickness of 5 nm, and further Alq3 was evaporated to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of that, first, 0.5 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent device. This device obtained red light emission with a light emission luminance of 920 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 8400 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 4.9 (cd / A).

実施例6
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで化合物(28)と化合物(D3)を94:6の比率で共蒸着して膜厚50nmの発光層を得た。次いで、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−シアノフェノラート)ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚20nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚20nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1(重量比)で混合した合金で膜厚250nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度2300(cd/m2)、最大発光輝度21200(cd/m2)、発光効率10.1(cd/A)の青色発光が得られた。
Example 6
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (28) and the compound (D3) were co-evaporated at a ratio of 94: 6 to obtain a light-emitting layer having a thickness of 50 nm. Next, a bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-cyanophenolate) gallium complex is vacuum-deposited to form a 20-nm-thick hole blocking layer, and Alq3 is further deposited to deposit 20-nm-thick electrons. A layer was obtained. On top of this, an electrode having a thickness of 250 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 (weight ratio) to obtain an organic phosphorescent device. This device obtained blue light emission with a light emission luminance of 2300 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 21200 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 10.1 (cd / A) at a DC voltage of 10V.

実施例7
洗浄したITO電極付きガラス板上に、銅フタロシアニンを真空蒸着して、膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(37)のみを単独で真空蒸着して、膜厚30nmの正孔輸送層を得た。さらに、化合物(37)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでバソクプロインを蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウム(LiF)を0.7nm、次いでアルミニウム(Al)を150nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度3810(cd/m2)、最大発光輝度74700(cd/m2)、発光効率39(cd/A)の緑色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5200時間であった。
Example 7
Copper phthalocyanine was vacuum-deposited on the washed glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 20 nm. Subsequently, only the compound (37) was vacuum-deposited alone to obtain a 30 nm-thick hole transport layer. Further, the compound (37) and the compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 93: 7 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bathocuproine was evaporated to form a hole-blocking layer having a thickness of 10 nm. Was vacuum-deposited to prepare an electron injection layer having a thickness of 30 nm. An electrode was formed thereon by vacuum deposition of 0.7 nm of lithium fluoride (LiF) and then 150 nm of aluminum (Al) to obtain an organic phosphorescent device. This device produced green light emission with a light emission luminance of 3810 (cd / m 2 ), a maximum light emission luminance of 74700 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 39 (cd / A) at a DC voltage of 10V. Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 5200 hours.

実施例9
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(14)と化合物(D7)を97:3の比率で共蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、次いで、化合物(3)のみを単独で蒸着して膜厚30nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚20nmの電子注入層を作成した。その上にまず、フッ化リチウムを0.5nm、さらにアルミニウムを200nm真空蒸着によって電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度4600(cd/m2)、最大発光輝度19900(cd/m2)、発光効率9.5(cd/A)の赤色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は5800時間であった。
Example 9
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (14) and the compound (D7) were co-evaporated at a ratio of 97: 3 to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then only the compound (3) was vapor-deposited alone to form a positive film with a thickness of 30 nm. A hole blocking layer and further Alq3 were vacuum deposited to form an electron injection layer having a thickness of 20 nm. First, an electrode was formed by vacuum deposition of lithium fluoride at 0.5 nm and aluminum at 200 nm to obtain an organic phosphorescent device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 4600 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 19900 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 9.5 (cd / A). Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 5800 hours.

実施例10
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚50nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(18)と化合物(D3)を85:15の重量比で共蒸着して膜厚40nmの発光層を作成し、次いで、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。さらにその上に、まず、フッ化マグネシウムを0.5nm、さらにアルミニウムを200nm真空蒸着によって電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度3250(cd/m2)、最大発光輝度52600(cd/m2)、発光効率5.4(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は3100時間であった。
Example 10
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 50 nm. Next, the compound (18) and the compound (D3) were co-evaporated at a weight ratio of 85:15 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p -Phenylphenolate) An aluminum complex was vapor-deposited to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further Alq3 was vapor-deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. Furthermore, an electrode was first formed thereon by vacuum deposition of 0.5 nm of magnesium fluoride and 200 nm of aluminum, to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted light with an emission luminance of 3250 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum emission luminance of 52600 (cd / m 2 ), and an emission efficiency of 5.4 (cd / A). Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 3100 hours.

比較例1
化合物(2)に代わりに下記化合物(C1)を用いた他は実施例1と同様にして素子を作成した。そのスピンコート膜は容易に凝集し結晶化を起こしてしまうといった欠点を持っていた。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度70(cd/m2)、最大発光輝度1600(cd/m2)、発光効率1.5(cd/A)の発光は得られたが、均一の発光ではなく明るい部分と暗い部分が混在していた。また発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動すると2時間ほどで短絡してしまった。
化合物(C1)
Comparative Example 1
A device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the following compound (C1) was used instead of the compound (2). The spin coat film has the disadvantage that it easily aggregates and crystallizes. The light emission characteristics of this device were that light emission with a direct current voltage of 10 V was 70 (cd / m 2 ), the maximum light emission luminance was 1600 (cd / m 2 ), and the light emission efficiency was 1.5 (cd / A). The light and dark areas were mixed, not uniform light emission. Further, when the device was driven at a constant current with a light emission luminance of 500 (cd / m 2 ), the short circuit occurred in about 2 hours.
Compound (C1)

Figure 0004682503
Figure 0004682503

比較例2
化合物(15)に代わりにCBPを用いた他は実施例2と同様にして素子を作成した。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度1700(cd/m2)、最大発光輝度48000(cd/m2)、発光効率25(cd/A)の発光は得られた。しかし、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は820時間であった。
Comparative Example 2
A device was produced in the same manner as in Example 2 except that CBP was used instead of the compound (15). With respect to the light emission characteristics of this device, light emission with a direct current voltage of 10 V of light emission luminance of 1700 (cd / m 2 ), maximum light emission luminance of 48000 (cd / m 2 ), and light emission efficiency of 25 (cd / A) was obtained. However, the half-life when driven at a constant current with an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 820 hours.

比較例3
化合物(18)に代わりに下記化合物(C2)を用いた他は実施例10と同様にして素子を作成した。この素子の発光特性は、直流電圧10Vでの発光輝度2560(cd/m2)、最大発光輝度30100(cd/m2)、発光効率4.5(cd/A)の発光は得られた。しかし、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は180時間であった。
化合物(C2)
Comparative Example 3
A device was prepared in the same manner as in Example 10 except that the following compound (C2) was used instead of the compound (18). With respect to the light emission characteristics of the device, light emission with a direct current voltage of 10 V of light emission luminance of 2560 (cd / m 2 ), maximum light emission luminance of 30100 (cd / m 2 ), and light emission efficiency of 4.5 (cd / A) was obtained. However, the half life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 180 hours.
Compound (C2)

Figure 0004682503
Figure 0004682503

実施例11
化合物(19)の代わりに化合物(24)を用いた他は実施例4と同様にして素子を作成した。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度730(cd/m2)、最大発光輝度19800(cd/m2)、発光効率9.6(cd/A)の赤色発光が得られた。また発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は8700時間であった。
Example 11
A device was prepared in the same manner as in Example 4 except that the compound (24) was used instead of the compound (19). This device produced red light emission with a light emission luminance of 730 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 19800 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 9.6 (cd / A). The half life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 8700 hours.

実施例13
洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’−ビス[N−(9−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで化合物(16)と化合物(D3)を95:5の比率で共蒸着して膜厚50nmの発光層を得た。次いで、ビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を真空蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートガリウム錯体を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を10:1(重量比)で混合した合金で膜厚250nmの電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度8300(cd/m2)、最大発光輝度55500(cd/m2)、発光効率7.5(cd/A)の青色発光が得られた。
Example 13
On the washed glass plate with an ITO electrode, 4,4′-bis [N- (9-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (16) and the compound (D3) were co-evaporated at a ratio of 95: 5 to obtain a light emitting layer having a thickness of 50 nm. Next, a bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-phenylphenolate) aluminum complex was vacuum-deposited to form a 10 nm-thick hole blocking layer, and bis (2-methyl-5-phenyl-8). -Hydroxyquinolinato) phenolate gallium complex was evaporated to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, an electrode having a thickness of 250 nm was formed from an alloy in which magnesium and silver were mixed at a ratio of 10: 1 (weight ratio) to obtain an organic phosphorescent device. This device produced blue light emission with a light emission luminance of 8300 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 55500 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 7.5 (cd / A).

実施例14
発光層において、化合物(37)の代わりに化合物(38)を用いた他は実施例7と同様にして素子を作成した。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度8530(cd/m2)、最大発光輝度61200(cd/m2)、発光効率45(cd/A)の緑色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は7800時間であった。
Example 14
A device was prepared in the same manner as in Example 7 except that the compound (38) was used instead of the compound (37) in the light emitting layer. This device emitted green light with a luminance of 8530 (cd / m 2 ), a maximum luminance of 61200 (cd / m 2 ), and a luminous efficiency of 45 (cd / A) at a DC voltage of 10V. In addition, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 7800 hours.

実施例15
洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’,4”−トリス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンを真空蒸着して膜厚20nmの正孔注入層を得た。次いで、NPDを真空蒸着して、膜厚30nmの正孔輸送層を得た。さらに、化合物(12)と化合物(D6)を97:3の比率で共蒸着して、膜厚40nmの発光層を作成し、次いでバソフェナントロリンを蒸着して膜厚5nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を真空蒸着して膜厚30nmの電子注入層を作成した。その上に、フッ化リチウムを0.7nm、次いでアルミニウムを200nm真空蒸着することで電極を形成して、有機燐光発光素子を得た。この素子は、直流電圧10Vでの発光輝度6250(cd/m2)、最大発光輝度13400(cd/m2)、発光効率5.0(cd/A)の発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は8400時間であった。
Example 15
4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] triphenylamine is vacuum-deposited on a cleaned glass plate with an ITO electrode to form a 20 nm-thick hole injection layer. Next, NPD was vacuum-deposited to obtain a 30 nm-thick hole transport layer, and the compound (12) and the compound (D6) were co-deposited at a ratio of 97: 3 to obtain a thickness of 40 nm. Then, a 5 nm-thick hole blocking layer was deposited by vapor deposition of bathophenanthroline, and an electron injection layer having a thickness of 30 nm was created by vacuum-depositing Alq3. An electrode was formed by vacuum deposition of 0.7 nm and then 200 nm of aluminum to obtain an organic phosphorescent light-emitting device having an emission luminance of 6250 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V and a maximum emission luminance of 13400. (Cd / m 2 ), light emission efficiency of 5.0 (cd / A) was obtained, and the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 8400 hours. .

実施例16
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(30)と化合物(D5)を98:2の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)(p−フェニルフェノラート)アルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度1880(cd/m2)、最大発光輝度15000(cd/m2)、発光効率7.2(cd/A)の赤色発光が得られた。
Example 16
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (30) and the compound (D5) were co-evaporated at a ratio of 98: 2 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinate) (p-phenylphenol) Lat) An aluminum complex was evaporated to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and further Alq3 was evaporated to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device produced red light emission with a light emission luminance of 1880 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 15000 (cd / m 2 ), and a light emission efficiency of 7.2 (cd / A).

実施例17
洗浄したITO電極付きガラス板上に、NPDを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(27)と化合物(D1)を95:5の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートアルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度4570(cd/m2)、最大発光輝度98200(cd/m2)、発光効率47(cd/A)の緑色発光が得られた。
Example 17
NPD was vacuum-deposited on the cleaned glass plate with an ITO electrode to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (27) and the compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 95: 5 to prepare a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then a bis (2-methyl-8-hydroxyquinolinato) phenolate aluminum complex was formed. A hole blocking layer having a thickness of 10 nm was deposited, and Alq3 was further deposited to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted green light with a luminance of 4570 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum luminance of 98200 (cd / m 2 ), and a luminous efficiency of 47 (cd / A).

実施例18
洗浄したITO電極付きガラス板上に、4,4’−ビス[N−(9−フェナントリル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルを真空蒸着して膜厚30nmの正孔注入層を得た。次いで、化合物(14)と化合物(D1)を93:7の比率で共蒸着し膜厚40nmの発光層を作成し、次いでビス(2−メチル−5−フェニル−8−ヒドロキシキノリナート)フェノラートアルミニウム錯体を蒸着して膜厚10nmの正孔ブロッキング層、さらにAlq3を蒸着して膜厚30nmの電子注入層を得た。その上に、まずフッ化リチウムを1nm、次いでアルミニウムを200nm蒸着して電極を形成して有機燐光発光素子を得た。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度2990(cd/m2)、最大発光輝度91200(cd/m2)、発光効率49(cd/A)の緑色発光が得られた。また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は9300時間であった。
Example 18
On the washed glass plate with an ITO electrode, 4,4′-bis [N- (9-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl was vacuum-deposited to obtain a hole injection layer having a thickness of 30 nm. Next, the compound (14) and the compound (D1) were co-evaporated at a ratio of 93: 7 to form a light-emitting layer having a thickness of 40 nm, and then bis (2-methyl-5-phenyl-8-hydroxyquinolinato) pheno Lat aluminum complex was evaporated to form a hole blocking layer having a thickness of 10 nm, and Alq3 was further evaporated to obtain an electron injection layer having a thickness of 30 nm. On top of this, first, 1 nm of lithium fluoride and then 200 nm of aluminum were vapor-deposited to form an electrode to obtain an organic phosphorescent light emitting device. This device emitted green light with a luminance of 2990 (cd / m 2 ), a maximum luminance of 91200 (cd / m 2 ), and a luminous efficiency of 49 (cd / A) at a DC voltage of 10V. Further, the half-life when driven at a constant current at an emission luminance of 500 (cd / m 2 ) was 9300 hours.

比較例4
化合物(14)の代わりに下記化合物(C3)を用いた他は実施例18と同様にして素子を作成した。この素子は直流電圧10Vでの発光輝度260(cd/m2)、最大発光輝度15600(cd/m2)、発光効率13(cd/A)であり、また、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したときの半減寿命は980時間であった。
化合物(C3)
Comparative Example 4
A device was prepared in the same manner as in Example 18 except that the following compound (C3) was used instead of the compound (14). This device has a light emission luminance of 260 (cd / m 2 ) at a DC voltage of 10 V, a maximum light emission luminance of 15600 (cd / m 2 ), a light emission efficiency of 13 (cd / A), and a light emission luminance of 500 (cd / m 2). ) Had a half life of 980 hours when driven at a constant current.
Compound (C3)

Figure 0004682503
Figure 0004682503

本実施例で半減寿命を明記した例以外の素子において、発光輝度500(cd/m2)で定電流駆動したところ、全ての実施例の素子において1000時間の時点で初期輝度の8割より低下したものはなかった。 In the devices other than the examples in which the half life was specified in this example, when the device was driven at a constant current with a light emission luminance of 500 (cd / m 2 ), all of the devices of the examples were reduced from 80% of the initial luminance at 1000 hours. There was nothing I did.

本発明の有機燐光発光素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや、平面発光体として、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等へ応用が考えられ、その工業的価値は非常に大きい。また、本発明の材料は、従来型の有機EL素子、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。

The organic phosphorescent light emitting device of the present invention can be applied to flat panel displays such as wall-mounted televisions, flat light emitters, light sources such as copiers and printers, light sources such as liquid crystal displays and instruments, display boards, and indicator lights. And its industrial value is very large. The material of the present invention can also be used in the fields of conventional organic EL devices, electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversion devices, solar cells, image sensors and the like.

Claims (7)

下記一般式[1]で示される化合物(A)と、燐光発光材料(B)とを含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
一般式[1]
Figure 0004682503


[式中、Eは、カルボニル基を含む電子求引性基、シアノイミノ基、ジシアノメチレン基のいずれかである二重結合を有する電子求引性基であり、電子求引性基は、直接結合、または、ビニレン基、もしくは、ブタジエニレン基の二重結合を介して、カルバゾール環の外側のベンゼン環に結合する。また、カルボニル基のもう1つの結合手は置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の複素環基のいずれかである。電子求引性基は、同一または異なるものを2個以上有していても良い。
環上のEが置換しない部分は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアルコキシ基、置換もしくは未置換のアリールオキシ基、置換もしくは未置換のアルキルチオ基、置換もしくは未置換のアリールチオ基、置換もしくは未置換のアミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換の複素環基で置換されていても良く、置換基同士で一体となって環を形成していても良い。
Aは、Nと炭素原子で結合する、置換基、または複数の同一もしくは異なるカルバゾール環をつなぐ連結基である。]
An organic electroluminescent element material comprising a compound (A) represented by the following general formula [1] and a phosphorescent material (B).
General formula [1]
Figure 0004682503


[In the formula, E is an electron-withdrawing group having a double bond which is any of an electron-withdrawing group including a carbonyl group, a cyanoimino group, and a dicyanomethylene group, and the electron-withdrawing group is a direct bond. Or a benzene ring outside the carbazole ring through a double bond of a vinylene group or a butadienylene group . The other bond of the carbonyl group is any of a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group. is there. The electron withdrawing group may have two or more of the same or different.
The portion on the ring where E is not substituted is independently a halogen atom, cyano group, nitro group, substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aryloxy group, substituted or The substituent may be substituted with an unsubstituted alkylthio group, a substituted or unsubstituted arylthio group, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heterocyclic group. And may form a ring integrally.
A is a substituent bonded to N and a carbon atom, or a linking group that connects a plurality of the same or different carbazole rings. ]
燐光発光材料(B)が、有機化合物もしくは有機残基の配位子からなるイリジウムもしくは白金錯体である請求項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 Phosphorescent material (B) The organic electroluminescent device material of claim 1, wherein an iridium or platinum complex consisting of ligands of the organic compound or an organic residue. 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記層のいずれかが、請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 In the organic electroluminescent element formed by forming a light emitting layer or a plurality of layers of organic compound thin films including a light emitting layer between a pair of electrodes, any one of the layers comprises the material for an organic electroluminescent element according to claim 1 or 2. An organic electroluminescence element to be contained. 一対の電極間に発光層または発光層を含む複数層の有機化合物薄膜を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が、請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。 3. An organic electroluminescence device comprising a light emitting layer or a plurality of organic compound thin films including a light emitting layer formed between a pair of electrodes, wherein the light emitting layer is an organic material containing the organic electroluminescent device material according to claim 1 or 2. Electroluminescence element. さらに、陰極と発光層との間に電子注入層を形成することを特徴とする請求項または記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Further, the organic electroluminescent device according to claim 3 or 4, wherein the forming the electron injecting layer between the cathode and the light-emitting layer. さらに、電子注入層と発光層との間に正孔ブロッキング層を形成することを特徴とする請求項いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to any one of claims 3-5, characterized in that to form a hole blocking layer between the electron injection layer and the light emitting layer. さらに、陽極と発光層との間に正孔注入層を形成することを特徴とする請求項いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 Further, an anode an organic electroluminescent device according to any one of claims 3-6, characterized in that to form the hole injection layer between the light emitting layer.
JP2003322555A 2003-09-16 2003-09-16 Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same Expired - Fee Related JP4682503B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003322555A JP4682503B2 (en) 2003-09-16 2003-09-16 Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003322555A JP4682503B2 (en) 2003-09-16 2003-09-16 Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005089543A JP2005089543A (en) 2005-04-07
JP4682503B2 true JP4682503B2 (en) 2011-05-11

Family

ID=34453864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003322555A Expired - Fee Related JP4682503B2 (en) 2003-09-16 2003-09-16 Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4682503B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005113072A (en) * 2003-10-10 2005-04-28 Toyo Ink Mfg Co Ltd Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element produced by using the same
JP5282260B2 (en) 2006-11-27 2013-09-04 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド Organic electroluminescence device
CN102159668A (en) 2008-10-14 2011-08-17 第一毛织株式会社 Benzimidazole compounds and organic photoelectric device with the same
EP2206716A1 (en) * 2008-11-27 2010-07-14 Solvay S.A. Host material for light-emitting diodes
WO2012143079A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-26 Merck Patent Gmbh Compounds for electronic devices
CN103194215B (en) * 2013-04-15 2014-12-17 武汉大学 Preparation method of aggregation-induced emission molecule
US9773982B2 (en) * 2014-03-07 2017-09-26 Kyulux, Inc. Light-emitting material, organic light-emitting device, and compound

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000297068A (en) * 1999-02-08 2000-10-24 Fuji Photo Film Co Ltd Organic luminous element, organic luminous element using the same and triarylamine compound
JP2000351965A (en) * 1999-03-31 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd Light emission element material, amine compound and light emission element using the same
JP2001031961A (en) * 1999-07-19 2001-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Novel methine compound, luminescent element material, and luminescent element prepared from the material
JP2001220578A (en) * 1999-12-02 2001-08-14 Taiho Ind Co Ltd New carbazole derivative fluorescence-luminescent substance
JP2003226870A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminescent element material and luminescent element and device produced by using the material

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3044142B2 (en) * 1992-10-29 2000-05-22 キヤノン株式会社 EL device
JP3050066B2 (en) * 1994-11-25 2000-06-05 東レ株式会社 Light emitting element

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000297068A (en) * 1999-02-08 2000-10-24 Fuji Photo Film Co Ltd Organic luminous element, organic luminous element using the same and triarylamine compound
JP2000351965A (en) * 1999-03-31 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd Light emission element material, amine compound and light emission element using the same
JP2001031961A (en) * 1999-07-19 2001-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Novel methine compound, luminescent element material, and luminescent element prepared from the material
JP2001220578A (en) * 1999-12-02 2001-08-14 Taiho Ind Co Ltd New carbazole derivative fluorescence-luminescent substance
JP2003226870A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminescent element material and luminescent element and device produced by using the material

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005089543A (en) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4363133B2 (en) Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same
JP3503403B2 (en) Light emitting material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same
JP4205059B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP3835454B2 (en) Composition for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same
JP3498533B2 (en) Light emitting material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same
JP4002040B2 (en) Organic electroluminescence device
JP3666086B2 (en) Luminescent material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP3924943B2 (en) Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same
JP2005082702A (en) Material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device using the same
JP4026273B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP4306379B2 (en) Organic electroluminescent device material and organic electroluminescent device using the same
JP3994573B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP4380277B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP4525119B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP3945032B2 (en) Luminescent material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP4682503B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JPH1072581A (en) Luminescent material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element produced by using the same
JP2005113072A (en) Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element produced by using the same
JP2001064640A (en) Material for organic electroluminescence element and organic electroluminescence element by using the same
JP2001207167A (en) Light-emission material for organic electro-luminescent element and organic electro-luminescent element using the same
JP4211191B2 (en) Material for organic electroluminescence device and organic electroluminescence device using the same
JP2001011031A (en) Compound for organic electroluminescence element and luminescent material for organic electroluminescence element using the same
JPH1072580A (en) Organic electroluminescent element
JP2005255889A (en) Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element using the same
JP2004175674A (en) Organic electroluminescent element material and organic electroluminescent element using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110111

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110124

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees