JP4358760B2 - LiNbO3結晶薄膜成膜方法 - Google Patents
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H.Akazawa and M.Shimada,J.Vac.Sci.Techol.A54(2004)234.
しかし、従来のECRスパッタ法を用いてサファイア基板101上に成膜されたLiNbO3結晶薄膜102については、サファイア基板101に電気伝導性がなく電極として使用できないため、薄膜表面に垂直なc軸方向に電界を印加することができない。その結果、LiNbO3結晶の分極方向を容易に制御できず、LiNbO3結晶を用いたデバイス作成が困難になるという問題があった。
また、第2の工程は、320℃以上の温度で加熱するようにしてもよい。
また、320℃以上の温度で加熱することにより、LiNbO3が十分に結晶化される。
本実施の形態では、図1に示すようなサファイアA面基板1の上に、a軸配向のLiNbO3結晶薄膜2を成膜する。
このように、加熱だけで結晶化を行うことにより、c軸配向の原因であるプラズマ照射の影響がLiNbO3結晶に及ばないようにすることができる。
なお、ECRスパッタ装置により得られた緻密なLiNbO3膜には、固相エピタキシーを起こしやすくする効果がある。
まず、サファイアA面基板1の上に基板温度250℃、酸素分圧5×10-3Paの条件下、ECRスパッタ法でアモルファスLiNbO3膜を成膜し、その後に600℃で加熱処理した。このようにして作製された試料のX線回折スペクトルを図3に示す。
サファイアA面基板(Al2O3)1からの<1120>、<2240>回折ピーク以外にLiNbO3結晶薄膜2からの<1120>、<2240>回折ピークだけが観測され、LiNbO3がa軸配向していることが分かる。よって、この成膜条件でサファイアA面基板1の上にa軸配向のLiNbO3結晶薄膜2を形成できることが示された。
<1120>ピーク強度は320℃以上で飽和しており、結晶化がほぼ完了していることが分かる。450℃以上の温度で加熱した場合には、10分程度の加熱時間で飽和に達したが、320℃という低温の場合には、十分長い加熱時間が必要であった。300℃以下では結晶化が不十分であった。
320℃という低温において進む結晶化は、まさに固相エピタキシー機構によるものであることは明らかである。実際に、断面TEM写真により、サファイアA面基板1の基板表面から伸びる柱状結晶のドメインが観察された。
Claims (2)
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマを用いたスパッタ法により、サファイアA面基板の上にアモルファス状態のLiNbO3膜を成膜する第1の工程と、
前記LiNbO3膜を加熱して結晶化させ、a軸配向のLiNbO3結晶薄膜を形成する第2の工程と
を備えることを特徴とするLiNbO3結晶薄膜成膜方法。 - 請求項1記載のLiNbO3結晶薄膜成膜方法において、
前記第2の工程は、320℃以上の温度で加熱することを特徴とするLiNbO3結晶薄膜成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005034347A JP4358760B2 (ja) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | LiNbO3結晶薄膜成膜方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006219339A JP2006219339A (ja) | 2006-08-24 |
JP4358760B2 true JP4358760B2 (ja) | 2009-11-04 |
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Family Applications (1)
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JP2005034347A Expired - Fee Related JP4358760B2 (ja) | 2005-02-10 | 2005-02-10 | LiNbO3結晶薄膜成膜方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4358760B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008069058A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | LiNbO3エピタキシャル膜の形成方法 |
JP2008244018A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Ulvac Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2010020285A (ja) * | 2008-03-28 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | レーザ光源、画像表示装置、及び加工装置 |
JP6390392B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2018-09-19 | Tdk株式会社 | 積層構造体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3052842B2 (ja) * | 1996-06-07 | 2000-06-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 強誘電体薄膜素子の製造方法 |
JP4179452B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2008-11-12 | 日本電信電話株式会社 | LiNbO3配向性薄膜形成方法 |
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2005
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Publication number | Publication date |
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JP2006219339A (ja) | 2006-08-24 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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