JP6390392B2 - 積層構造体 - Google Patents
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コランダム(110)/LiNbO2(100)/LiNbO3(110)
各構成要素が上記の配向を取ると、結晶配向性の整合を高めつつ格子定数の相違を最小化できるため、本発明の効果をさらに高めることができる。
図1を用いて、本実施形態の積層構造体の構造を示す。本実施形態の積層構造体は、単結晶基板1と、誘電体層3と、単結晶基板と誘電体層との間に設けられたバッファ層2から構成される。
積層構造体の基板として、市販のサファイアa面単結晶基板を洗浄後、乾燥したものを用いた。
成膜時間を調整してバッファ層であるLiNbO2膜厚を1〜250nmの範囲で段階的に変化させた以外は実施例1と同様の条件で8個の積層構造体試料を作成した。得られた積層構造体の基板反り量、及びLN(110)のX線回折ロッキングカーブの半値幅を測定した。
積層構造体の構造は以下のようになっている。
Sapphire−a/LiNbO2(1〜250nm)/LN (1500nm)
結果は図5のように、基板反り量はバッファ層を入れることにより小さくなることが分かる。しかし、バッファ層の厚みが増えていくと、LNの結晶性が悪くなっていった。LiNbO2膜厚が200nmを超えた場合、ロッキングカーブの半値幅が1度を超えて、結晶性が良くない状態であった。
バッファ層を設けなかった以外は実施例1と同様の条件で積層構造体試料を作成した。バッファ層がない場合は基板反り量が大きかった。得られた積層構造体には、24時間経過後にクラックが生じていた。
Claims (4)
- 単結晶基板と、誘電体層と、前記単結晶基板と前記誘電体層との間に設けられたバッファ層と、を有し、前記誘電体層は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)若しくはタンタル酸リチウム(LiTaO3)であり、前記誘電体層を構成する結晶のc軸が前記単結晶基板の主面に対して略平行であり、前記バッファ層は、六方晶のLiNbO2若しくはLiTaO2であり、前記バッファ層を構成する結晶のc軸が前記単結晶基板の前記主面に対して略平行であることを特徴とする積層構造体。
- 前記バッファ層は、膜厚が1nm〜200nmの範囲にあることを特徴とする請求項1に記載の積層構造体。
- 前記単結晶基板は、コランダム型の結晶構造を有することを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の積層構造体。
- 前記積層構造体の結晶配向性が、以下の方向に規定された条件を満たしていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層構造体。
コランダム(110)/LiZO2(100)/LiZO3(110)
(ただし、ZはNb若しくはTaである。)
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