JP4356836B2 - Level shift circuit - Google Patents

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本発明は、電源投入時に出力電圧を所望のレベルに初期化できるようにしたレベルシフト回路に関するものである。   The present invention relates to a level shift circuit capable of initializing an output voltage to a desired level when power is turned on.

図4に従来のレベルシフト回路を示す(例えば、特許文献1参照)。図4において、PMOSトランジスタP1,P2とNMOSトランジスタN1,N2はラッチ回路1を構成し、高電源電圧VDDHで動作する。そのラッチ回路1のトランジスタN1のゲート(第1の入力端子:IN1)には入力端子INの電圧が印加され、トランジスタN2のゲート(第2の入力端子:IN2)にはインバータINV1を介して入力端子INの電圧がレベル反転されて印加されるようになっている。このインバータINV1は低電源電圧VDDL(<VDDH)で動作する。このレベルシフト回路の入力端子INの入力電圧は0〜VDDLの電圧、出力端子OUTの出力電圧は0〜VDDHである。   FIG. 4 shows a conventional level shift circuit (see, for example, Patent Document 1). In FIG. 4, PMOS transistors P1 and P2 and NMOS transistors N1 and N2 constitute a latch circuit 1 and operate at a high power supply voltage VDDH. The voltage of the input terminal IN is applied to the gate (first input terminal: IN1) of the transistor N1 of the latch circuit 1, and the input to the gate (second input terminal: IN2) of the transistor N2 via the inverter INV1. The voltage at the terminal IN is applied with the level inverted. The inverter INV1 operates with a low power supply voltage VDDL (<VDDH). The input voltage of the input terminal IN of this level shift circuit is 0 to VDDL, and the output voltage of the output terminal OUT is 0 to VDDH.

ここで、入力端子IN=0Vのときは、トランジスタN1が遮断、トランジスタN2が導通となる。トランジスタN2が導通することにより出力端子OUTの電圧が低下し、トランジスタP1が導通して、出力端子OUTと反対論理のノードA1のレベルが高電源電圧VDDHにまで上がり、トランジスタP2が遮断する。結局、トランジスタN2が導通しトランジスタP2が遮断することになり、出力端子OUTの電圧は0Vとなる。   Here, when the input terminal IN = 0V, the transistor N1 is cut off and the transistor N2 is turned on. When the transistor N2 is turned on, the voltage at the output terminal OUT is lowered, the transistor P1 is turned on, the level of the node A1 having the opposite logic to that of the output terminal OUT is increased to the high power supply voltage VDDH, and the transistor P2 is cut off. Eventually, the transistor N2 becomes conductive and the transistor P2 is cut off, and the voltage of the output terminal OUT becomes 0V.

一方、入力端子IN=VDDLのときは、トランジスタN1が導通、N2が遮断となる。トランジスタN1が導通することによりノードA1の電圧が低下し、トランジスタP2が導通して、出力端子OUTのレベルが高電源電圧VDDHにまで上がり、トランジスタP1が遮断する。結局、トランジスタP2が導通しトランジスタN2が遮断することになり、出力端子OUTの電圧は高電源電圧VDDHとなる。   On the other hand, when the input terminal IN = VDDL, the transistor N1 is turned on and N2 is turned off. When the transistor N1 is turned on, the voltage at the node A1 is lowered, the transistor P2 is turned on, the level of the output terminal OUT rises to the high power supply voltage VDDH, and the transistor P1 is cut off. Eventually, the transistor P2 becomes conductive and the transistor N2 is cut off, and the voltage of the output terminal OUT becomes the high power supply voltage VDDH.

以上のようにして、従来のレベルシフト回路では、貫通電流を流すことなく、入力端子INに入力する0V〜VDDLの電圧を、出力端子OUTに0V〜VDDHの電圧にレベル変換して出力する。
特開平11−027137号
As described above, in the conventional level shift circuit, the voltage of 0V to VDDL inputted to the input terminal IN is level-converted to the voltage of 0V to VDDH and outputted to the output terminal OUT without passing through current.
JP 11-027137 A

ところが、この従来のレベルシフト回路では、低電源電圧VDDLよりも高電源電圧VDDHの方が早く電源投入された場合、ラッチ回路1の両入力端子IN1,IN2が共に0Vになってしまうために、トランジスタN1,N2が共に遮断して、出力端子OUTの電圧が不定になってしまう問題があった。   However, in this conventional level shift circuit, when the high power supply voltage VDDH is turned on earlier than the low power supply voltage VDDL, both the input terminals IN1 and IN2 of the latch circuit 1 become 0V. There is a problem that both the transistors N1 and N2 are cut off and the voltage at the output terminal OUT becomes unstable.

本発明の目的は、VDDL=0Vのときにラッチ回路1の両入力端子IN1,IN2が共に0Vになることがあっても、出力端子OUTの論理が確定するようにしたレベルシフト回路を提供することである。   An object of the present invention is to provide a level shift circuit in which the logic of the output terminal OUT is determined even when both input terminals IN1 and IN2 of the latch circuit 1 become 0V when VDDL = 0V. That is.

請求項1にかかる発明のレベルシフト回路は、第1の入力端子、第2の入力端子および出力端子を有し高電源電圧で動作するラッチ回路と、前記第1の入力端子に入力側が接続され前記第2の入力端子に出力側が接続され低電源電圧で動作する第1のインバータとを具備し、前記第1の入力端子に入力する信号を前記低電源電圧のレベルから前記高電源電圧のレベルの信号にシフトして前記出力端子から出力するレベルシフト回路において、前記第1の入力端子に入力側が接続され前記高電源電圧で動作する第2のインバータと、前記出力端子と接地間に接続され前記第2のインバータの出力信号がハイレベルのとき導通しロウレベルのとき遮断するスイッチ手段とを設け、前記第2のインバータは、インバータ本体と、前記高電源電圧の電圧を少なくとも前記低電源電圧の電圧まで低下させて前記インバータ本体に印加させる電圧シフト手段とを有することを特徴とする。 A level shift circuit according to a first aspect of the present invention includes a latch circuit having a first input terminal, a second input terminal, and an output terminal and operating at a high power supply voltage, and an input side connected to the first input terminal. A first inverter connected to an output side of the second input terminal and operating at a low power supply voltage, and a signal input to the first input terminal is changed from a level of the low power supply voltage to a level of the high power supply voltage. In the level shift circuit that shifts to the output signal and outputs from the output terminal, the input side is connected to the first input terminal, and the second inverter that operates at the high power supply voltage is connected between the output terminal and the ground. electrodeposition of the output signal of the second inverter is provided and switch means for cutting off when conducting at a high level of low level, the second inverter, and the inverter, the high supply voltage The characterized by having a voltage shifting means for applying to at least the said inverter main body is lowered to a voltage of the low supply voltage.

請求項2にかかる発明のレベルシフト回路は、第1の入力端子、第2の入力端子、出力端子および該出力端子の論理と反対の論理電圧を生成するノードを有し高電源電圧で動作するラッチ回路と、前記第1の入力端子に入力側が接続され前記第2の入力端子に出力側が接続され低電源電圧で動作する第1のインバータとを具備し、前記第1の入力端子に入力する信号を前記低電源電圧のレベルから前記高電源電圧のレベルの信号にシフトして前記出力端子から出力するレベルシフト回路において、前記第2の入力端子に入力側が接続され前記高電源電圧で動作する第2のインバータと、前記ノードと接地間に接続され前記第2のインバータの出力信号がハイレベルのとき導通しロウレベルのとき遮断するスイッチ手段とを設け、前記第2のインバータは、インバータ本体と、前記高電源電圧の電圧を少なくとも前記低電源電圧の電圧まで低下させて前記インバータ本体に印加させる電圧シフト手段とを有することを特徴とする。 A level shift circuit according to a second aspect of the present invention has a first input terminal, a second input terminal, an output terminal, and a node that generates a logic voltage opposite to the logic of the output terminal, and operates at a high power supply voltage. A latch circuit; and a first inverter connected to the first input terminal and connected to the second input terminal and connected to the output side and operating at a low power supply voltage, and inputs to the first input terminal. In a level shift circuit that shifts a signal from the low power supply voltage level to the high power supply voltage level and outputs the signal from the output terminal, an input side is connected to the second input terminal and operates at the high power supply voltage. a second inverter, the node and is connected between the ground output signal of the second inverter is provided and switch means for cutting off when conducting at a high level of low level, the second i Converter is characterized by having an inverter main body, and a voltage shift means for applying to said inverter main body lowers the voltage of said high power supply voltage to a voltage of at least the low power supply voltage.

本発明のレベルシフト回路によれば、低電源電圧VDDLが高電源電圧VDDHよりも遅れて電源投入された場合でも、出力端子の電圧のレベルを0V又はVDDHに初期化することが可能となり、不定論理を後段の論理回路に出力することがなくなる。   According to the level shift circuit of the present invention, even when the low power supply voltage VDDL is turned on later than the high power supply voltage VDDH, the voltage level of the output terminal can be initialized to 0V or VDDH. The logic is not output to the subsequent logic circuit.

図1は本発明のレベルシフト回路の原理構成を示す回路図である。図1において、PMOSトランジスタP1,P2とNMOSトランジスタN1,N2はラッチ回路1を構成し、高電源電圧VDDHで動作する。そのラッチ回路1のトランジスタN1のゲート(第1の入力端子:IN1)には入力端子INの電圧が印加され、トランジスタN2のゲート(第2の入力端子:IN2)にはインバータINV1を介して入力端子INの電圧がレベル反転されて印加されるようになっている。このインバータINV1は低電源電圧VDDL(<VDDH)で動作する。さらに、出力端子OUTとGND間にはNMOSトランジスタN3(スイッチ手段)が接続され、そのゲートにはインバータINV2を介して入力端子INの電圧がレベル反転して印加されるようになっている。このインバータINV2は高電源電圧VDDHで動作するが、入力電圧レベルが低電源電圧VDDLであっても貫通電流を流さない構造のインバータである。   FIG. 1 is a circuit diagram showing a principle configuration of a level shift circuit of the present invention. In FIG. 1, PMOS transistors P1, P2 and NMOS transistors N1, N2 constitute a latch circuit 1 and operate at a high power supply voltage VDDH. The voltage of the input terminal IN is applied to the gate (first input terminal: IN1) of the transistor N1 of the latch circuit 1, and the gate (second input terminal: IN2) of the transistor N2 is input via the inverter INV1. The voltage at the terminal IN is applied with the level inverted. The inverter INV1 operates with a low power supply voltage VDDL (<VDDH). Furthermore, an NMOS transistor N3 (switch means) is connected between the output terminal OUT and GND, and the voltage of the input terminal IN is applied to the gate of the NMOS transistor N3 through the inverter INV2 with the level inverted. The inverter INV2 operates with the high power supply voltage VDDH, but is an inverter having a structure in which no through current flows even when the input voltage level is the low power supply voltage VDDL.

以上により、低電源電圧VDDLよりも高電源電圧VDDHの方が早く電源投入され、VDDL=0Vとなっているときは、入力端子INが0Vであり且つインバータINV2の高電源電圧VDDHが早く立ち上がるところから、ノードA3はハイレベルとなり、トランジスタN3が導通して、出力端子OUTの電圧を0Vに確定する。   As described above, when the high power supply voltage VDDH is turned on earlier than the low power supply voltage VDDL and VDDL = 0V, the input terminal IN is 0V and the high power supply voltage VDDH of the inverter INV2 rises earlier. Therefore, the node A3 becomes high level, the transistor N3 becomes conductive, and the voltage of the output terminal OUT is determined to be 0V.

なお、通常のレベルシフト動作は図4で説明した場合と全く同様であるので、その説明は省略する。この通常動作時にトランジスタN3は、インバータINV2の出力によって導通/遮断の動作を行うが、トランジスタP1,P2,N1,N2からなるラッチ回路1によって制御される出力端子OUTが0Vのときは導通し、高電源電圧VDDHのときは遮断するので、レベルシフト動作に影響を及ぼすことはない。   The normal level shift operation is exactly the same as that described with reference to FIG. During this normal operation, the transistor N3 is turned on / off by the output of the inverter INV2, but is turned on when the output terminal OUT controlled by the latch circuit 1 including the transistors P1, P2, N1, and N2 is 0V. Since the power supply voltage VDDH is cut off, the level shift operation is not affected.

図2は図1の変形例のレベルシフト回路である。この図2のレベルシフト回路は、NMOSトランジスタN4(スイッチ手段)をノードA1とGNDの間に接続し、インバータINV3をその入力側をノードA2に接続し、その出力側のノードA4をトランジスタN4のゲートに接続した点が図1のレベルシフト回路と異なる。   FIG. 2 shows a level shift circuit of a modification of FIG. In the level shift circuit of FIG. 2, the NMOS transistor N4 (switch means) is connected between the nodes A1 and GND, the inverter INV3 is connected to the node A2 on the input side, and the node A4 on the output side is connected to the node N4. It differs from the level shift circuit of FIG. 1 in that it is connected to the gate.

この図2のレベルシフト回路では、低電源電圧VDDLよりも高電源電圧VDDHの方が早く電源投入され、VDDL=0Vのときは、ノードA2の電圧が0Vであるので、トランジスタN2は遮断する。また、インバータINV3の高電源電圧VDDHが早く立ち上がり、トランジスタN4が導通してノードA1は0Vとなり、トランジスタP2が導通して、出力端子OUTの電圧を高電源電圧VDDHに確定する。   In the level shift circuit of FIG. 2, the power supply voltage VDDH is turned on earlier than the low power supply voltage VDDL. When VDDL = 0V, the voltage at the node A2 is 0V, so the transistor N2 is cut off. Further, the high power supply voltage VDDH of the inverter INV3 rises early, the transistor N4 becomes conductive, the node A1 becomes 0V, the transistor P2 becomes conductive, and the voltage of the output terminal OUT is determined to be the high power supply voltage VDDH.

通常の動作では、トランジスタN4は、トランジスタN1,N2,P1,P2からなるラッチ回路1によって制御される出力端子OUTが0Vのときは遮断し、VDDHのときは導通するので、レベルシフト動作に影響を及ぼすことはない。   In normal operation, the transistor N4 is cut off when the output terminal OUT controlled by the latch circuit 1 including the transistors N1, N2, P1, and P2 is 0V, and is turned on when VDDH, so that the level shift operation is affected. Will not affect.

図3は本発明の実施例1のレベルシフト回路の具体例を示す回路図であり、前記した図1のレベルシフト回路のインバータINV2を具体化したものである。ここでは、インバータINV2を、PMOSトランジスタP3とNMOSトランジスタN5からなるCMOSインバータ本体と、そのインバータ本体と高電源電圧VDDHの端子との間にダイオード接続される3個のNMOSトランジスタN6,N7,N8からなる電圧シフト手段とから構成している。このインバータINV2では、トランジスタP3のソース点(ノードA5)の電位を3個のダイオードによって高電源電圧VDDHから低電源電圧VDDLあるいはそれより低い電圧にシフトさせる。その電圧シフト量が3個のダイオードで不足する場合は、ダイオード接続トランジスタの数を増加させればよい。   FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of the level shift circuit according to the first embodiment of the present invention, in which the inverter INV2 of the level shift circuit shown in FIG. 1 is embodied. Here, the inverter INV2 is composed of a CMOS inverter body composed of a PMOS transistor P3 and an NMOS transistor N5, and three NMOS transistors N6, N7, and N8 that are diode-connected between the inverter body and a terminal of the high power supply voltage VDDH. Voltage shift means. In the inverter INV2, the potential of the source point (node A5) of the transistor P3 is shifted from the high power supply voltage VDDH to the low power supply voltage VDDL or lower by three diodes. If the voltage shift amount is insufficient with three diodes, the number of diode-connected transistors may be increased.

このようにして、ノードA5の電圧を入力電圧のハイレベルである低電源電圧VDDLと同じかそれより低い電圧に設定することにより、入力電圧が低電源電圧VDDLになったときに、トランジスタP3が導通することはなく、貫通電流が流れることはない。   In this way, by setting the voltage at the node A5 to be equal to or lower than the low power supply voltage VDDL, which is the high level of the input voltage, the transistor P3 is turned on when the input voltage becomes the low power supply voltage VDDL. There is no conduction, and no through current flows.

このような構造では出力インピーダンスが大きくなるので、インバータINV2の動作速度が低下し、その出力電圧が低電源電圧VDDLのレベルまで到達しない可能性もあるが、このインバータINV2は初期値を決めるだけであるので、問題とはならない。   In such a structure, since the output impedance becomes large, the operation speed of the inverter INV2 may decrease and the output voltage may not reach the level of the low power supply voltage VDDL. However, the inverter INV2 only determines the initial value. There is no problem.

なお、図2に示したレベルシフト回路のインバータINV3においても、図3に示したインバータINV2と同様な構造にすれば、同様に動作する。   Note that the inverter INV3 of the level shift circuit shown in FIG. 2 operates in the same manner if it has the same structure as the inverter INV2 shown in FIG.

本発明の原理説明用のレベルシフト回路の回路図である。It is a circuit diagram of a level shift circuit for explaining the principle of the present invention. 変形例のレベルシフト回路の回路図である。It is a circuit diagram of the level shift circuit of a modification. 図1のレベルシフト回路の具体例の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a specific example of the level shift circuit of FIG. 1. 従来のレベルシフト回路の回路図である。It is a circuit diagram of a conventional level shift circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1:ラッチ回路
P1〜P3:PMOSトランジスタ、N1〜N8:NMOSトランジスタ、INV1〜INV3:インバータ、IN:入力端子、IN1:第1の入力端子、IN2:第2の入力端子、OUT:出力端子
1: latch circuit P1-P3: PMOS transistor, N1-N8: NMOS transistor, INV1-INV3: inverter, IN: input terminal, IN1: first input terminal, IN2: second input terminal, OUT: output terminal

Claims (2)

第1の入力端子、第2の入力端子および出力端子を有し高電源電圧で動作するラッチ回路と、前記第1の入力端子に入力側が接続され前記第2の入力端子に出力側が接続され低電源電圧で動作する第1のインバータとを具備し、前記第1の入力端子に入力する信号を前記低電源電圧のレベルから前記高電源電圧のレベルの信号にシフトして前記出力端子から出力するレベルシフト回路において、
前記第1の入力端子に入力側が接続され前記高電源電圧で動作する第2のインバータと、前記出力端子と接地間に接続され前記第2のインバータの出力信号がハイレベルのとき導通しロウレベルのとき遮断するスイッチ手段とを設け
前記第2のインバータは、インバータ本体と、前記高電源電圧の電圧を少なくとも前記低電源電圧の電圧まで低下させて前記インバータ本体に印加させる電圧シフト手段とを有することを特徴とするレベルシフト回路。
A latch circuit having a first input terminal, a second input terminal and an output terminal and operating at a high power supply voltage; and an input side connected to the first input terminal and an output side connected to the second input terminal; A first inverter that operates with a power supply voltage, and a signal input to the first input terminal is shifted from the low power supply voltage level to the high power supply voltage level signal and output from the output terminal. In the level shift circuit,
A second inverter connected to the first input terminal and operating at the high power supply voltage, and connected between the output terminal and the ground and conductive when the output signal of the second inverter is at a high level. provided a switch means for cutting off time,
The second inverter includes an inverter body and voltage shift means for reducing the voltage of the high power supply voltage to at least the voltage of the low power supply voltage and applying the voltage to the inverter body .
第1の入力端子、第2の入力端子、出力端子および該出力端子の論理と反対の論理電圧を生成するノードを有し高電源電圧で動作するラッチ回路と、前記第1の入力端子に入力側が接続され前記第2の入力端子に出力側が接続され低電源電圧で動作する第1のインバータとを具備し、前記第1の入力端子に入力する信号を前記低電源電圧のレベルから前記高電源電圧のレベルの信号にシフトして前記出力端子から出力するレベルシフト回路において、
前記第2の入力端子に入力側が接続され前記高電源電圧で動作する第2のインバータと、前記ノードと接地間に接続され前記第2のインバータの出力信号がハイレベルのとき導通しロウレベルのとき遮断するスイッチ手段とを設け
前記第2のインバータは、インバータ本体と、前記高電源電圧の電圧を少なくとも前記低電源電圧の電圧まで低下させて前記インバータ本体に印加させる電圧シフト手段とを有することを特徴とするレベルシフト回路。
A latch circuit having a first input terminal, a second input terminal, an output terminal, and a node for generating a logic voltage opposite to the logic of the output terminal and operating at a high power supply voltage, and an input to the first input terminal And a first inverter connected to the second input terminal and operating at a low power supply voltage, and a signal input to the first input terminal is transferred from the level of the low power supply voltage to the high power supply. In a level shift circuit that shifts to a voltage level signal and outputs from the output terminal,
A second inverter connected to the second input terminal on the input side and operating at the high power supply voltage; connected between the node and ground; and conductive when the output signal of the second inverter is at a high level; A switch means for blocking ,
The second inverter includes an inverter body and voltage shift means for reducing the voltage of the high power supply voltage to at least the voltage of the low power supply voltage and applying the voltage to the inverter body .
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