JP4356135B2 - カラー表示装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画素がマトリクス状に配されたアクティブマトリクス型のカラー表示装置に関する。より詳しくは、例えばデルタ配列した画素を有するカラー表示装置に現れる縞状の輝度むらを抑制する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６を参照して、従来のアクティブマトリクス型カラー表示装置の一例を簡潔に説明する。図示する様に、カラー表示装置０は行方向に沿った走査線３と、列方向に沿った信号線２と、両者の交差部に配された三原色の画素Ｒ，Ｇ，Ｂとを有している。画素Ｒ，Ｇ，Ｂは行方向に沿って所定のピッチで配列されている。又、三本単位で信号線２の一端に接続された水平スイッチＨＳＷ１，ＨＳＷ２，・・・，ＨＳＷｎ−１，ＨＳＷｎを有している。これらの水平スイッチＨＳＷは、各信号線２を三本単位で同時に選択し、三原色に分かれた三種の画像信号ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを各々対応する三個の画素Ｒ，Ｇ，Ｂに書き込む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図７は、一個の画素Ｇに着目した模式図である。画素Ｇの両側には緑色及び青色の画像信号が割り当てられた信号線が配されている。その先には赤色の画像信号が割り当てられた信号線が配されている。画素Ｇはスイッチを介して緑色が割り当てられた信号線に接続されている。スイッチが閉じた時、緑色の画像信号が画素Ｇに書き込まれ、その後、スイッチが開いて書き込まれた画像信号が保持される。アクティブマトリクス型のカラー表示装置では、構造上、必然的に、画素Ｇと両側の信号線との間に絶縁膜を介して重なる部分が存在する為、寄生容量ができる。この為、スイッチが開いた状態でも、寄生容量結合を介して画像信号のノイズが画素Ｇに飛び込み、輝度が変化する。特に、図示の構造では、緑色及び青色が割り当てられた画像信号の飛び込みが大であるのに対し、赤色が割り当てられた信号線は画素Ｇから離れているので赤色の画像信号のノイズの飛び込みはほとんどない。
【０００４】
図８に示す様に、画素Ｒには、両側から赤色に対応する画像信号のノイズ（以下、ノイズＲという）と緑色に対応した画像信号のノイズ（以下、ノイズＧという）が飛び込む。又、画素Ｇには、両側の信号線からノイズＧと青色に対応した画像信号のノイズ（以下、ノイズＢという）が飛び込む。又、画素Ｂには、両側の信号線からノイズＢとノイズＲが飛び込む。この様に、各画素に着目すると、赤緑青三原色の内、二色分のノイズの飛び込みが大きく、一色分のノイズの飛び込みが小さくなる。
【０００５】
図９は、所謂デルタ配列と呼ばれる画素を有するアクティブマトリクス型表示装置の一例を示す模式図である。デルタ配列では、隣り合う二行（図では奇数行と偶数行）に属する赤緑青三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置している。これを画素トリオと呼んでおり、ＲＧＢに丸印を付けてトリオを一個代表的に表してある。図９に示すデルタ配列は、図８の通常の画素配列に比較し、解像度が約１．５倍になる。ところで、デルタ配列の場合、奇数行と偶数行では一個の画素に隣り合う信号線に割り当てられる色が異なる。この為、奇数行と偶数行では画素への信号線からのノイズの飛び込みの量が異なる。例えば、画素Ｇに着目すると、奇数行ではノイズＲとノイズＧが飛び込み、ノイズＢはほとんど飛び込まない。偶数行ではノイズＧとノイズＢが飛び込んでいるが、ノイズＲはほとんど飛び込まない。従って、緑色に対応した画像信号（以下、画像信号ＶＧと言う）が灰レベルの中間電位で、赤色に対応した画像信号（以下、画像信号ＶＲと言う）が黒レベルの高電位で、青色に対応した画像信号（以下、画像信号ＶＢと言う）が白レベルの低電位の場合、ノーマリホワイトでは、奇数行で飛び込みノイズ量の合計が大きくなるので、画素Ｇは暗くなる。逆に、偶数行では飛び込みノイズの総量が小さくなるので、画素Ｇは明るくなる。反対に、画像信号ＶＧが灰レベルの電位で、画像信号ＶＲが白レベルの低電位で、画像信号ＶＢが黒レベルの高電位の場合、奇数行で飛び込みノイズの総量が小さいので画素Ｇは明るくなり、偶数行では飛び込みノイズの総量が大きくなるので画素Ｇは暗くなる。この様に、デルタ配列構造では、画素と隣り合う信号線間との寄生容量結合により、行毎に輝度のむら（以下、横縞という）が発生し、解決すべき課題となっている。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
上述した従来の技術の課題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係るカラー表示装置は、基本的な構成として、信号線と走査線と画素とカラーフィルタとを備えている。信号線はほぼ列状に配され、赤緑青に分かれて画像信号が供給される。走査線は各信号線と交差してほぼ行状に配されると共に、各々走査信号が印加される。画素は各信号線及び各走査線の交差部に配され、走査信号に応じて選択された時画像信号が書き込まれる。カラーフィルタは赤緑青に分かれた各信号線に対応して各画素に赤緑青を割り当てる。特徴事項として、赤緑青に分かれた近接する三本の信号線からそれぞれ寄生容量結合を介して一つの画素に飛び込んでくる画像信号のノイズが、赤緑青間で同程度となる様に寄生容量が形成されている。
【０００７】
具体的には、隣り合う二行に属する赤緑青三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置するデルタ配列を有し、各画素は両側に隣接する二本の信号線及びその先の一本の信号線から赤緑青同程度のノイズが飛び込む様に寄生容量が形成されている。一態様では、各画素は、画素電極と、これを駆動するスイッチング素子と、該画素電極と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線と部分的に重なり該寄生容量を形成する遮光膜とを含んでいる。該遮光膜は両側に隣接する二本の信号線に加えその先の一本の信号線に絶縁膜を介して部分的に重なる延長部を備えている。
【０００８】
他の態様では、各画素は、画素電極と、これを駆動するスイッチング素子と、該画素電極と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線と部分的に重なり該寄生容量を形成する透明導体膜とを含んでおり、該透明導体膜は該先の一本の信号線に絶縁膜を介して部分的に重なる延長部により必要な寄生容量を形成する。前記透明導体膜は、多結晶シリコン薄膜又は非晶質シリコン薄膜から成る。前記スイッチング素子は、透明なシリコン薄膜を素子領域とし、信号線に接続したソース領域、画素電極と同電位のドレイン領域及び走査線と同電位のゲート電極を備えた薄膜トランジスタから成る。この場合、前記透明導体膜は、該ドレイン領域が形成された該シリコン薄膜により形成されている。好ましくは、前記寄生容量は、該ゲート電極と同層の導体膜から成り且つ該先の一本の信号線に絶縁膜を介して下から接続する配線と、該ドレイン領域が形成された該シリコン薄膜から該先の一本の信号線に伸び且つ絶縁膜を介して該配線に下から重なる延長部とで形成されている。各画素は、画像信号に応じて透過率が変化する電気光学物質として例えば液晶を用いる。
【０００９】
本発明によれば、ノイズＲ，ノイズＧ，ノイズＢの飛び込みのレベルを同程度にしているので、デルタ配列であっても偶奇行で画素への信号線からのノイズ飛び込みの総量に差がなくなり、横縞が発生しなくなる。例えば、図１０に示す様に、画素Ｇに着目すると、従来と同様、ノイズＧ及びノイズＢの飛び込みが大きいばかりでなく、意図的にノイズＲの飛び込みも大きくなる様にしている。これにより、デルタ配列であっても奇数行と偶数行とで飛び込みノイズの総量に差がなくなる。一態様では、上述した横縞を抑制する為に必要な寄生容量が、遮光膜を利用して形成されている。この場合、遮光膜の延長部が画素の開口部を越えて距離的に隔たった先の一本の信号線に伸びる為、画素開口率が若干低下する。これに対し、他の態様では、透明導体膜を利用して必要な寄生容量を形成しているので、画素開口率は低下しない。又、透明導体膜は例えば画素スイッチング用の薄膜トランジスタの素子領域となる多結晶シリコンなどの半導体薄膜を利用できるので、特に製造プロセス上の負担が増すことはない。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係るカラー表示装置の一画素分を示す模式的な部分平面図である。図示する様に、画素１は列状の信号線２と行状の走査線３との間の交差部に配されており、基本的には、画素電極４と、これを駆動するスイッチング素子とで構成されている。スイッチング素子としては例えば薄膜トランジスタが用いられる。本発明では、画素１は更に遮光膜５を含んでいる。この遮光膜５は金属Ｔｉなどから成り、同じく金属Ａｌなどから成る信号線２と組み合わせて画素電極４の周囲を覆い、所謂ブラックマスクとなっている。遮光膜５は画素電極４と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線２と部分的に重なり寄生容量を形成する。なお、参照番号６は信号線２と薄膜トランジスタのソース電極との間のコンタクトホールを示す。参照番号７は遮光膜５と薄膜トランジスタのドレイン電極との間のコンタクトホールを示す。参照番号８は画素電極４と遮光膜５との間のコンタクトホールを示す。以上の説明から明らかな様に、信号線２はコンタクトホール６を介して薄膜トランジスタのソース電極に接続され、画素電極４はコンタクトホール７，８を介して薄膜トランジスタのドレイン電極に接続される。なお、走査線３は、図示しないが、薄膜トランジスタのゲート電極に接続されている。又、画素電極４と整合して各画素に赤緑青を割り当てるカラーフィルタが形成されている。係る構成において、信号線２と画素電極４の間の寄生容量に最も寄与しているのは、信号線２と遮光膜５との間のオーバーラップである。前述した様に、信号線２及び遮光膜５はブラックマスクを構成しており、両者の間のオーバーラップが小さいと、パターニング時のばらつきなどにより光抜けが起きる。これを防止する為、一定のマージンを残して信号線２と遮光膜５がオーバーラップしており、これが寄生容量となる。
【００１１】
図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。図示する様に、本カラー表示装置は上下一対の基板２０，１０から成り、両者の間に液晶３０などの電気光学物質が保持されている。対向基板２０側には対向電極２１及び配向膜２２が形成されている。一方、駆動基板１０側には画素電極４、遮光膜５、薄膜トランジスタＴｒ、信号線２などが集積形成されている。薄膜トランジスタＴｒは多結晶シリコンなどの半導体薄膜１１を素子領域とする。半導体薄膜１１は層間絶縁膜１２により被覆されている。その上にはアルミニウムなどから成る信号線２がパターニング形成されており、コンタクトホール６を介して薄膜トランジスタＴｒのソース電極に電気的に接続されている。信号線２は更に層間絶縁膜１３により被覆されている。その上には金属Ｔｉなどから成る遮光膜５がパターニング形成されている。遮光膜５は二層の層間絶縁膜１３，１２に開口したコンタクトホール７を介して薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極に電気的に接続されている。図から明らかな様に、層間絶縁膜１３を介して遮光膜５と信号線２との間に寄生容量Ｃｐが生じている。遮光膜５は平坦化膜１４により被覆されている。平坦化膜１４の上には画素電極４がパターニング形成されている。画素電極４は、コンタクトホール８を介して遮光膜５に接続されている。画素電極４は配向膜１５により被覆されている。なお、カラーフィルタは図に表れないが、平坦化膜１４と同層のレベルで形成されている。これに代えて、対向基板２０側にカラーフィルタを形成してもよい。
【００１２】
図３は、図１及び図２に示したカラー表示装置の平面構造を示す模式図であり、特に理解を容易にする為、信号線２及び遮光膜５のパターンを示してある。図示する様に、本カラー表示装置はデルタ配列を採用しており、画素電極（図示省略）はコンタクトホール８を介して対応する遮光膜５に接続されている。特徴事項として、赤緑青に分かれた近接する三本の信号線２からそれぞれ寄生容量結合を介して一つの画素に飛び込んでくる画像信号のノイズが赤緑青間で同程度となる様に寄生容量が形成されている。具体的には、隣り合う二行（奇数行と偶数行）に属する赤緑青三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置するデルタ配列を有し、各画素は両側に隣接する二本の信号線及びその先の一本の信号線から赤緑青同程度のノイズが飛び込む様に寄生容量が形成されている。即ち、遮光膜５は両側に隣接する二本の信号線２に加え、その先の一本の信号線２に絶縁膜を介して部分的に重なる延長部５ｚを備えている。この延長部５ｚは横縞キャンセラーと呼ばれる。この横縞キャンセラーを採用した構造では、画素の開口部を横切らせて本来なら重ならないはずの信号線にも遮光膜５の延長部５ｚをオーバーラップさせることにより、ノイズＲ，ノイズＧ，ノイズＢの飛び込みのレベルを同程度にしている。
【００１３】
例えば奇数行に位置する画素Ｇに着目すると、両側の信号線２からノイズＲ及びノイズＧが飛び込む他、一つ先の信号線２からもノイズＢが同程度に飛び込む様、延長部５ｚ（横縞キャンセラー）が形成されている。偶数行の画素Ｇに着目すると、両側の信号線２からノイズＧ及びノイズＢが飛び込んでいる。更に、一本先の信号線２から延長部５ｚ（横縞キャンセラー）を介してノイズＲが同程度に飛び込む。
【００１４】
図４は、従来のカラー表示装置の平面構成を示す模式図であり、図３と対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。奇数行の画素Ｇに着目すると、両側の信号線からノイズＲ及びノイズＧが飛び込むが、ノイズＢはほとんど飛び込まない。逆に偶数行の画素Ｇに着目すると、両側の信号線２からノイズＧ及びノイズＢが飛び込むが、ノイズＲはほとんど飛び込まない。画素が表示すべき色相によっては、奇数行と偶数行で飛び込みノイズの総量が異なる様になる為、横縞が発生してしまう。
【００１５】
図５は、図３に示したカラー表示装置の具体的な構成を示す回路図である。図示する様に、本カラー表示装置の画面内には信号線２と走査線３が交差配列している。信号線２と走査線３の各交差部に画素１が配置されている。個々の画素は微細な液晶セルＬＣとスイッチング素子との結合から成る。本例では、スイッチング素子は薄膜トランジスタＴｒから成り、そのゲート電極は対応する走査線３に接続され、ソース電極は対応する信号線２に接続され、ドレイン電極は対応する液晶セルＬＣの一方の端子を構成する画素電極に接続されている。なお、液晶セルＬＣの他方の端子を構成する対向電極２１が設けられている。又、液晶セルＬＣと並列に補助容量Ｃｓも接続されている。走査線３の一端には垂直駆動回路４３が接続されており、タイミングジェネレータから供給されるスタート信号ＶＳＴやクロック信号ＶＣＫ１，ＶＣＫ２などに応じて順次走査信号を一水平期間毎に出力する。走査信号（ゲートパルス）に応答して薄膜トランジスタＴｒが導通し、各画素の行を順次選択する。各信号線２の上端部には、トランスミッションゲート素子ＴＧを介してビデオライン４４が接続されている。ビデオライン４４は、三本に分かれており、三原色ドライバからＲＧＢに分かれた画像信号ＶＲ，ＶＧ，ＶＢの供給を受ける。三個単位のトランスミッションゲート素子ＴＧは一組となって水平スイッチＨＳＷ（図６参照）を構成し、水平走査回路４５から順次出力されるサンプリングパルスによって開閉制御され、画像信号ＶＲ，ＶＧ，ＶＢを同時サンプリングし、上述した順次選択に同期して画素列に画像信号を書き込む。水平走査回路４５は、タイミングジェネレータから供給されるスタート信号ＨＳＴ及びクロック信号ＨＣＫ１，ＨＣＫ２に応じて順次サンプリングパルスを出力する。
【００１６】
図１１は、本発明に係るカラー表示装置の他の実施形態を示す模式的な部分平面図である。図１乃至図３に示した先の実施形態では、横縞キャンセラーとして遮光膜の延長部を用いている。横縞キャンセラーを画素の開口部を横切って設ける為、遮光膜を利用した場合には必然的に開口率が若干犠牲になる。そこで、本実施形態は、透明導体膜を利用して横縞キャンセラーを形成し、画素開口率の低下を防いでいる。本実施形態では、特に、透明導体膜として画素スイッチング用の薄膜トランジスタの素子領域になる半導体薄膜の一部を利用している。半導体薄膜は例えば多結晶シリコン又は非晶質シリコンから成り、膜厚を例えば５０ｎｍ程度にすれば、実質的に画素電極と同様、透明である。
【００１７】
図示する様に、本実施形態に係るカラー表示装置も画素はデルタ配列となっており、隣り合う二行（奇数行と偶数行）に属するＲＧＢ三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置する。各信号線２と走査線３の交差部に画素が規定されている。図では、三本の信号線２がほぼ列状に配されており、それぞれＲＧＢに対応した画像信号が印加される。又、行方向に沿って二本の走査線３が形成されている。従って、図では三本の信号線２と二本の走査線３の各交差部に合計で六個の画素が形成されている。尚、走査線３とほぼ平行に補助容量線３Ａが形成されている。図１１で例えば右上の画素に着目すると、これは基本的に画素電極４と薄膜トランジスタＴｒとから成る。尚、画素電極４は透明なので、図では画素開口として現れている。この他、画素電極４の周囲を囲む遮光膜も形成されているが、理解を容易にする為、図示を省略している。
【００１８】
薄膜トランジスタＴｒは、多結晶シリコンもしくは非晶質シリコンから成る半導体薄膜１１を素子領域としている。半導体薄膜１１は所定の形状にパターニングされており、ソース領域Ｓ、ドレイン領域Ｄ及びチャネル領域を備えている。ソース領域Ｓは不純物注入により低抵抗化されており、コンタクトホール６を介して信号線２に接続されている。ドレイン領域Ｄも低抵抗化されており、コンタクトホール７，８を介して画素電極４に接続されている。ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄを結ぶコの字状の部分が走査線３と重なってチャネル領域となる。即ち、走査線３の一部がゲート電極を兼ねており、一個の薄膜トランジスタＴｒに付きチャネル領域が二個あるので、ダブルゲート構造となっている。半導体薄膜１１の内、ドレイン領域Ｄから延設された部分は補助容量線３Ａと重なっており、補助容量Ｃｓを形成している。尚、走査線３と補助容量線３Ａは同一の導体層に属し、例えばＤＯＰＯＳから成る。更に、半導体薄膜１１の内、補助容量を形成する部分から延長部１１Ｃが伸びており、横縞キャンセラーを構成する。前述した様に、半導体薄膜１１は厚みが例えば５０ｎｍ程度の多結晶シリコンもしくは非晶質シリコンから成り、ほぼ透明であるので、横縞キャンセラーは画素を横切っているにも拘わらず、開口率を犠牲にすることはない。この横縞キャンセラーは信号線との間で形成された寄生容量Ｃｐである。図示の例では、例えば右上の画素に着目すると、その両側に位置する二本の信号線２からノイズＧとノイズＢが飛び込むことになり、ノイズＲはほとんど飛び込まない。このノイズＲを拾うために、前述した寄生容量Ｃｐが、Ｒの割り当てられた一本先の信号線２と重なる様に形成されている。この例では、横縞キャンセラーとなる補助容量Ｃｐは、信号線２と延長部１１Ｃとの間にパッド配線３Ｃを介在させた構造となっている。尚、パッド配線３Ｃは走査線３及び補助容量線３Ａと同一の導体層を利用している。このパッド配線３Ｃは、コンタクトホール６Ｃを介してその上に位置する信号線２と電気的に接続されている。以上の様に、本実施形態では、同一基板上にＲＧＢの画素を有しており、各画素に画像信号を供給する信号線２は、同色の画素にのみ画像信号を供給すると共に、画素の左右に位置する二本の信号線の画像信号に割り当てられた色が奇数段と偶数段において異なるデルタ配列となっている。着目画素に隣接しない一本先の信号線との間で横縞キャンセラーを形成する為、特に透明導体膜を利用している。
【００１９】
図１２は、図１１に示したＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図であり、横縞キャンセラーの構造を表している。基本的には、図２に示した先の実施形態の断面構造と同様であり、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。下側の基板１０には半導体薄膜の延長部１１Ｃが形成されている。この延長部１１Ｃは薄膜トランジスタＴｒの素子領域を形成する半導体薄膜１１のドレイン領域Ｄから延設されたものであり、画素電極と同電位である。その上にゲート絶縁膜ＯＸを介してパッド配線３Ｃが形成されている。このパッド配線３Ｃは走査線３や補助容量線３Ａと同一の導体層であり、例えばＤＯＰＯＳから成る。従って、導体層３Ｃ、ゲート絶縁膜ＯＸ、延長部１１Ｃの積層構造は、薄膜トランジスタのゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体薄膜の積層構造と同一である。パッド配線３Ｃの上には、第一層間絶縁膜１２を介して信号線２が形成されている。信号線２とパッド配線３Ｃはコンタクトホール６Ｃを介して互いに接続されている。このコンタクトホール６Ｃは、信号線２と薄膜トランジスタＴｒのソース領域Ｓを接続するコンタクトホール６を開口する時に同時に形成できる。図示の構造から明らかな様に、横縞キャンセラーを構成する寄生容量Ｃｐは、信号線２と同電位のパッド配線３Ｃと画素電極に同電位の延長部１１Ｃとの間で形成され、ゲート絶縁膜ＯＸを誘電体としている。ゲート絶縁膜ＯＸは極めて薄いので、必要な寄生容量値を容易に確保することが可能である。尚、信号線２の上には、第二層間絶縁膜１３を介して遮光膜５が形成されている。
【００２０】
図１３は、図１１及び図１２に示した横縞キャンセラーの変形例を示す模式的な平面図である。前述した様に、横縞キャンセラーは、パッド配線３Ｃと半導体薄膜の延長部１１Ｃとが重なった部分に形成される。その補助容量Ｃｐの値は、パッド配線３Ｃ又は延長部１１Ｃのパタンを変えることで最適に設定することが可能である。
【００２１】
図１４は、図１２に示したカラー表示装置の他の変形例を示す模式的な部分断面図である。この変形例では、補助容量Ｃｐが半導体薄膜の延長部１１Ｃと信号線２との間に形成されており、層間絶縁膜１２とゲート絶縁膜ＯＸの積層が誘電体となっている。パッド配線が介在していない構造である。誘電体がゲート絶縁膜ＯＸに加えて層間絶縁膜１２を含む為、図１２の構造に比較すると単位面積当りの容量値は小さくなる。尚、この変形例でも透明導体膜として薄膜トランジスタの素子領域となる半導体薄膜を用いているが、場合によっては走査線や補助容量を透明化した導体層を用いてもよい。
【００２２】
【発明の効果】
以上に説明した様に、本発明によれば、アクティブマトリクス型のカラー表示装置において、赤緑青に分かれた近接する三本の信号線からそれぞれ寄生容量結合を介して一つの画素に飛び込んでくる画像信号のノイズが、赤緑青間で同程度となる様に寄生容量が形成されている。具体的には、隣り合う二行に属する赤緑青三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置するデルタ配列を有し、各画素は両側に隣接する二本の信号線及びその先の一本の信号線から赤緑青同程度のノイズが飛び込む様に寄生容量が形成されている。係る構成により、デルタ配列特有の横縞を完全に除去することができる。各画素は、画素電極と、これを駆動するスイッチング素子と、該画素電極と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線と部分的に重なり該寄生容量を形成する遮光膜とを含んでいる。信号線と遮光膜とを組み合わせることにより所謂ブラックマスクを構成している。この様な構成の場合、信号線と画素電極との間のノイズ飛び込みが大きくなる為、本発明に係る横縞キャンセラー構造が顕著な効果を発する。特に、横縞キャンセラーとして透明導体膜を用いることにより、画素の開口率を犠牲にすることなく画質の改善が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係るカラー表示装置の一画素分を示す模式的な部分平面図である。
【図２】 本発明に係るカラー表示装置の一画素分を示す部分断面図である。
【図３】 図１及び図２に示したカラー表示装置の平面構造を示す模式図である。
【図４】 従来のカラー表示装置の平面構造を示す模式図である。
【図５】 図３に示したカラー表示装置の具体的な構成例を示す回路図である。
【図６】 従来のカラー表示装置の構成例を示す回路図である。
【図７】 図６に示したカラー表示装置におけるノイズの飛び込み状態を示す模式図である。
【図８】 図６に示したカラー表示装置におけるノイズの飛び込み状態を示す模式図である。
【図９】 デルタ配列を有する従来のカラー表示装置におけるノイズの飛び込み状態を示す模式図である。
【図１０】 本発明に係るカラー表示装置の基本的な概念を示す模式図である。
【図１１】 本発明に係るカラー表示装置の他の実施形態を示す模式的な部分平面図である。
【図１２】 図１１に示したＸ−Ｘ線に沿った部分断面図である。
【図１３】 図１１に示したカラー表示装置の変形例を示す模式的な部分平面図である。
【図１４】 図１２に示したカラー表示装置の変形例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
０・・・カラー表示装置、１・・・画素、２・・・信号線、３・・・走査線、４・・・画素電極、５・・・遮光膜、１０・・・駆動基板、１１・・・半導体薄膜、１２・・・層間絶縁膜、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・平坦化膜、２０・・・対向基板、２１・・・対向電極、３０・・・液晶

Claims (9)

1. 赤緑青に分かれて画像信号が供給されるほぼ列状の信号線と、走査信号が印加されると共に各信号線と交差して配されるほぼ行状の走査線と、各信号線及び各走査線の交差部に配され、走査信号に応じて選択された時画像信号が書き込まれる複数の画素と、赤緑青に分かれた各信号線に対応して各画素に赤緑青を割り当てるカラーフィルタとを備え、隣り合う二行に属する赤緑青三個の画素がほぼ三角形の頂点に位置するデルタ配列を有するカラー表示装置であって、
   赤緑青に分かれた近接する三本の信号線からそれぞれ寄生容量結合を介して一つの画素に飛び込んでくる画像信号のノイズが、赤緑青間で同程度となる様に寄生容量が形成されていることを特徴とするカラー表示装置。
2. 両側に隣接する二本の信号線及びその先の一本の信号線から赤緑青同程度のノイズが画素に飛び込む様に寄生容量が形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラー表示装置。
3. 各画素は、画素電極と、これを駆動するスイッチング素子と、該画素電極と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線と部分的に重なり該寄生容量を形成する遮光膜とを含んでおり、該遮光膜は両側に隣接する二本の信号線に加えその先の一本の信号線に絶縁膜を介して部分的に重なる延長部を備えていることを特徴とする請求項２記載のカラー表示装置。
4. 各画素は、画素電極と、これを駆動するスイッチング素子と、該画素電極と同電位で且つ絶縁膜を介して信号線と部分的に重なり該寄生容量を形成する透明導体膜とを含んでおり、該透明導体膜は該先の一本の信号線に絶縁膜を介して部分的に重なる延長部により必要な寄生容量を形成することを特徴とする請求項２記載のカラー表示装置。
5. 前記透明導体膜は、多結晶シリコン薄膜から成ることを特徴とする請求項４記載のカラー表示装置。
6. 前記透明導体膜は、非晶質シリコン薄膜から成ることを特徴とする請求項４記載のカラー表示装置。
7. 前記スイッチング素子は、透明なシリコン薄膜を素子領域とし、信号線に接続したソース領域、画素電極と同電位のドレイン領域及び走査線と同電位のゲート電極を備えた薄膜トランジスタから成ると共に、
   前記透明導体膜は、該ドレイン領域が形成された該シリコン薄膜により構成されていることを特徴とする請求項４記載のカラー表示装置。
8. 前記寄生容量は、該ゲート電極と同層の導体膜から成り且つ該先の一本の信号線に絶縁膜を介して下から接続する配線と、該ドレイン領域が形成された該シリコン薄膜から該先の一本の信号線に延び且つ絶縁膜を介して該配線に下から重なる延長部とで形成されていることを特徴とする請求項７記載のカラー表示装置。
9. 各画素は、画像信号に応じて透過率が変化する電気光学物質として液晶を有することを特徴とする請求項１記載のカラー表示装置。

Images