JP4350419B2

JP4350419B2 - 光電式エンコーダ

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Publication number: JP4350419B2
Application number: JP2003139061A
Authority: JP
Inventors: 健司小島; 知隆高橋
Original assignee: Mitutoyo Corp
Current assignee: Mitutoyo Corp
Priority date: 2003-05-16
Filing date: 2003-05-16
Publication date: 2009-10-21
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Also published as: US20040238728A1; CN100335863C; CN1550760A; EP1480017B1; EP1480017B2; EP1480017A1; DE602004000174T3; DE602004000174D1; US7095011B2; ATE309523T1; JP2004340815A; DE602004000174T2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、精密測定に使用される光電式エンコーダに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から直線変位や角度変位などの精密な測定に光電式エンコーダ（以下、「エンコーダ」という場合もある。）が利用されている。エンコーダは三次元測定機や画像測定機などに搭載される。エンコーダは、光源と、光学格子を含むスケールと、複数の受光素子を含むと共に光源と一緒にスケールに対して相対移動可能に配置され各々が互いに位相の異なるインデックス格子を受光面に備えた受光部と、を備えている。
【０００３】
光電式エンコーダによれば、スケールを光源および受光部に対して相対移動させながら光源からの光をスケールの光学格子に照射することにより、インデックス格子の通過光として生成された位相の異なる複数（例えば四つ）の正弦波状の光信号を、それぞれの位相に対応する複数の受光素子で受光し、光電変換されて発生した電気信号を利用して直線などの変位量が測定される。
【０００４】
位相の異なる四つの光信号とは、Ａ相（０度）の光信号、Ａ相より９０度だけ位相がずれたＢ相（９０度）の光信号、Ａ相より１８０度だけ位相がずれたＡＡ相（１８０度）の光信号およびＡ相より２７０度だけ位相がずれたＢＢ相（２７０度）の光信号のことである。Ａ相およびＢ相を利用するのは、先に検出されるのがＡ相かＢ相かによって、受光部の相対移動の方向を判断するためである。また、Ａ相やＢ相の光信号以外にこれらを反転させた、ＡＡ相やＢＢ相の光信号を利用するのは、Ａ相やＢ相の光信号に含まれる直流成分の除去、並びに、光信号の信頼性及び高速追従性の確保のためである。
【０００５】
位相の異なる複数の光信号に対応した数の受光素子があれば、原理的に測定が可能である。したがって、位相の異なる四つの光信号の場合、受光素子が四つあればよい。この第１のタイプのエンコーダは、例えば特許文献１に開示されている。
【０００６】
ところで、光源の光強度分布やスケール面の汚れ等が原因で、光量にバラツキが生じることがある。上記タイプによれば、各位相の光信号はそれぞれ一箇所で検出されるので、光量のバラツキの影響を受けやすい。例えば、Ａ相用の受光素子の配置場所が他の受光素子の配置場所に比べて照射される光の強度が弱い場合、Ａ相の出力が弱くなるため、測定精度が低下する。
【０００７】
そこで、受光素子を細かく分割してアレイ状に並べることにより、インデックス格子の機能を兼用させ、更にＡ相用の受光素子、Ｂ相用の受光素子、ＡＡ相用の受光素子、ＢＢ相用の受光素子を一つのセットとし、エンコーダの測定軸方向（ｘ方向）に沿って、複数のセットをアレイ状に配列させた第２のタイプのエンコーダがある（例えば特許文献２）。このような受光素子の配置を一次元配置という。第２のタイプによれば、各位相の光信号が検出される場所が広い範囲に分散されるため、光量のバラツキの影響を小さくできる（以下、これを「平均化効果」という。）。さらに、より平均化効果を高めるために、測定軸方向（x方向）の他にy方向に沿って複数のセットを配置した第３のタイプのエンコーダもある（例えば特許文献３）。このような受光素子の配置を二次元配置という。
【０００８】
平均化効果を高めることは、測定精度を向上させるために重要である。しかし、単に平均化効果を高めると、エンコーダの応答速度が低下する問題が生じる。これについて、詳しく説明する。
【０００９】
受光素子はｎ型半導体層とｐ型半導体層とを接合したものである。この接合の容量が大きくなるとエンコーダの応答速度が下がる。したがって、接合容量の増加はエンコーダの性能に悪影響を与える。受光素子の接合容量は、受光面の面積や受光面の周囲（エッジ）の長さと相関関係にある。つまり、面積や周囲の長さが大きくなると接合容量が増加し、面積や周囲の長さが小さくなると接合容量が減少するのである。
【００１０】
上記第２および第３のタイプでは、受光面の面積の合計が第１のタイプのそれと同じでも、第１のタイプよりも受光素子の数が多くなるので、周囲の長さの合計が大きくなる。したがって、第２および第３のタイプは第の１タイプよりも接合容量が大きくなるため、エンコーダの応答速度が下がる。以上のように、従来の技術では、平均化効果を高めようとすると受光素子の接合容量が増加する。
【００１１】
【特許文献１】
国際公開第０１／３１２９２号のパンフレット（明細書第５頁第１９行〜第６頁第７行、Fig.5）
【特許文献２】
特開平７−１５１５６５号公報（段落［００１４］、図４）
【特許文献３】
国際公開第０１／３１２９２号のパンフレット（明細書第２１頁第６行〜第２２頁第２３行、Fig.16）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
第３のタイプは受光素子を二次元配置することにより、受光素子が一次元配置の第２のタイプよりも平均化効果を高めている。しかし、二次元配置では、測定軸方向（x方向）の他にy方向に沿って受光素子が配置される。このため、第３のタイプは第２のタイプに比べてさらに受光素子の数が多くなるので、受光素子の接合容量が増え、エンコーダの応答速度が低下の問題が大きくなる。
【００１３】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、複数の受光素子の接合容量の合計が一次元配置と同様でありながら、受光素子の二次元配置と同様の平均化効果を得ることが可能な光電式エンコーダを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光電式エンコーダは、光源と、光源からの光が照射される第１の方向に延びる第１の遮光部を有する第１光学格子を含むスケールと、第１光学格子に照射された光を基にして生成された光信号が入射する受光面をそれぞれ含むと共に位相の異なる複数の光信号を検出する複数の受光素子と、複数の受光素子の各受光面上に配置された第１の方向に延びる第２の遮光部を含む第２光学格子と、を備え、複数の受光素子は、スケールに対して測定軸に沿って相対移動可能に配置されると共に各受光面の少なくとも一部が第１の方向に対して斜めになるように測定軸に沿って配置されている、ことを特徴とする。
【００１５】
本発明に係る光電式エンコーダによれば、各受光面を第２光学格子の遮光部の延びる方向に対して斜めにしながら、複数の受光素子を測定軸に沿って配置した構造を有する。したがって、複数の受光素子を一つの方向に配置しながらも、二つの方向（測定軸方向、遮光部の延びる方向）に配置したのと同様の状態にすることができる。よって、複数の受光素子の接合容量の合計が一次元配置と同様でありながら、受光素子の二次元配置と同様の平均化効果を得ることができる。
【００１６】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、複数の受光素子により、測定軸に沿って一端に凸部、他端に凹部を有する第１および第２素子群が、複数の受光素子が配置された平面上に構成されており、第１素子群と第２素子群とは、これらの凹部同士または凸部同士が、上記平面上で向かい合うように配置されている、ようにすることができる。
【００１７】
これによれば、遮光部の延びる方向に対して斜めにされている受光面を、複数の受光素子が配置される平面上に、バランスよく配置できる。
【００１８】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、複数の受光素子および第２光学格子を含む受光チップを備え、このチップは、さらに、複数の受光素子の各々に対して設けられており、導電性の第２の遮光部の下でこの第２の遮光部に接続されると共に受光面とコンタクトしているコンタクト部と、複数の受光素子の各々に対して設けられており、第２の遮光部と接続された受光素子の配線と、を含むようにすることができる。
【００１９】
これによれば、第２光学格子の遮光部が受光素子に接続される配線を兼ねることにより、受光面の有効受光面積の減少を防止できる。
【００２０】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、複数の受光素子のうち隣接する受光素子の受光面上に配置された第２光学格子は、第２の遮光部の空間的位相が互いに異なっている、ようにすることができる。これによれば、隣接する受光素子において、互いに異なる位相の光信号を検出することができる。
【００２１】
本発明に係る光電式エンコーダにおいて、受光面の一部または全部が第１の方向に対して斜めになるように測定軸に沿って配置されている、ようにすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る光電式エンコーダの第１および第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態を説明する図において、第１実施形態の符号で示すものと同一のものについては、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００２３】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る光電式エンコーダ１の概略構成を示す図である。第１実施形態は受光部に含まれる受光チップの構造を主な特徴としているが、この理解の前提として光電式エンコーダ１について説明する。まず、エンコーダ１の構成を説明する。エンコーダ１は、発光ダイオード（ＬＥＤ）３と、これに近い順に沿って配置されたスケール５と、受光部７とにより構成される。
【００２４】
発光ダイオード３は光源の一例であり、ダイオード３からの光Ｌがスケール５に照射される。スケール５はガラスなどの透明材料から構成される長尺状の透明基板９を含み、図１にはその一部が表れている。透明基板９の発光ダイオード３側に向く面と反対側の面上に第１光学格子１１が形成されている。第１光学格子１１は複数の遮光部１３が所定のピッチを設けてリニヤ状に、かつ各遮光部１３が図面の奥行き方向に延びるように、配置されたものである。遮光部１３は金属（例えばクロム）などから構成される。
【００２５】
受光部７は、スケール５とギャップを設けて配置されている。受光部７はスケール５側に位置する受光チップ１５およびこれが搭載される回路基板１７を含む。受光チップ１５には、図示しない複数のフォトダイオード（以下、「フォトダイオード」をＰＤという場合がある。）が形成されている。これらのＰＤの各受光面が第１光学格子１１側を向いている。ＰＤは受光素子の一例である。受光素子として、ＰＤの替わりにフォトトランジスタを用いることもできる。回路基板１７には、演算用のＩＣチップ１９が搭載されており、受光チップ１５の複数のＰＤで検出された光信号を基にして、ＩＣチップ１９で変位量の演算が実行される。
【００２６】
受光部７は、発光ダイオード３と共にホルダ２１に取り付けられており、ホルダ２１は図中のＸで示すスケール５の長手方向に移動可能にされている。つまり、光電式エンコーダ１は、固定されたスケール５に対して、ホルダ２１を移動させることにより、変位量を測定する。よって、Ｘ方向が測定軸となる（以下、Ｘ方向を「測定軸Ｘ」とする。）。なお、発光ダイオード３と受光部７を固定し、スケール５を移動させて変位量を測定するタイプにも、本発明を適用することができる。したがって、本発明のスケールは、受光部および光源に対して、相対移動可能に配置されている。
【００２７】
次に、光電式エンコーダ１の測定動作について、簡単に説明する。発光ダイオード３から光Ｌをスケール５の第１光学格子１１に照射すると、第１光学格子１１により明暗パターンが生じる。そして、ホルダ２１を測定軸Ｘに沿って移動させることにより生じる明暗パターンの変化（正弦波状の光信号）を、受光チップ１５に形成された各フォトダイオードで検出する。つまり、Ａ相（０度）の光信号、Ａ相より９０度だけ位相がずれたＢ相（９０度）の光信号、Ａ相より１８０度だけ位相がずれたＡＡ相（１８０度）の光信号およびＡ相より２７０度だけ位相がずれたＢＢ相（２７０度）の光信号を、それぞれに対応するフォトダイオードで検出する。
【００２８】
各光信号により発生した電気信号がＩＣチップ１９に送られる。ＩＣチップ１９では、Ａ相およびＢ相に所定の処理（直流成分の除去等）をした後に、処理されたＡ相およびＢ相を基にして変位量が演算される。この結果を図示しない表示部に出力する。以上が光電式エンコーダ１の動作である。
【００２９】
さて、第１実施形態の主な特徴は受光チップ１５であり、これについて詳細に説明する。まず、受光チップ１５の平面構造から説明する。図２は、第１光学格子側から見た受光チップ１５の全体を模式的に表した平面図である。図３は、図２のうちフォトダイオード２３のみを模式的に表した図である。図４は、図２のうち第２光学格子２５のみを模式的に表した図である。
【００３０】
図２〜図４を参照して、複数のＰＤ２３の受光面２７および受光面２７を覆うように形成された第２光学格子２５が、第１光学格子と向かい合うｘｙ面に配置されている。なお、ｘ軸は図１で説明した測定軸Ｘと向きが一致している。第２光学格子２５は、各受光面２７上に間隔を設けて配置されたｙ方向に延びる複数の遮光部２９を有する。
【００３１】
第１光学格子に照射された光を基にして生成された位相の異なる四つ（Ａ相、Ｂ相、ＡＡ相、ＢＢ相）の光信号が、対応する受光面２７に入射する。これにより、位相の異なる四つの光信号が複数のＰＤ２３で検出される。Ａ相、Ｂ相、ＡＡ相及びＢＢ相の光信号をそれぞれ検出するＰＤ２３Ａ，２３Ｂ，２３ＡＡ，２３ＢＢのセットが測定軸Ｘに沿って繰り返し配置されている。
【００３２】
受光面２７は、平行部３１と、この両端に位置すると共に平行部３１に対して対称に配置された一対の傾斜部３３で構成される。平行部３１は、第２光学格子２５の遮光部２９が延びる方向、つまりｙ方向と平行に配置されている。傾斜部３３は、遮光部２９の延びる方向に対して斜めに配置されている。このため、受光面２７の一部が遮光部２９の延びる方向に対して斜めにされていることになる。なお、受光面２７の全部が遮光部２９の延びる方向に対して斜めにされていてもよい。
【００３３】
複数のＰＤ２３の配列のうち、図３の右半分の配列を構成するＰＤ２３の集まりが第１素子群３５であり、左半分の配列を構成するＰＤ２３の集まりが第２素子群３７である。第１素子群３５および第２素子群３７は、それぞれ、測定軸Ｘに沿って一端に凸部３６を有し、他端に凹部３８を有する。第１素子群３５の凹部３８と第２素子群３７の凹部３８とが向かい合うように、ｘｙ面上に配置されている。
【００３４】
図２のVで示す領域を拡大したものが図５である。遮光部２９は各受光面２７上に所定のピッチで形成されている。隣接するＰＤ２３の受光面２７上に配置された第２光学格子２５は、遮光部２９の空間的位相が互いに異なっている。具体的には、隣接する受光面２７上において、遮光部２９が測定軸Ｘに沿って、λ／４ずらして配置されている。ここで、λは光信号の波長である。図６は図５の領域をVI(a)-VI(b)断面から見た模式図である。受光チップ１５は、ｎ型の半導体基板３９を備える。この基板３９の一方の面には、ｐ型の拡散領域４１が間隔を設けて形成されている。半導体基板３９と拡散領域４１との接合部がＰＤ２３となる。半導体基板３９の一方の面のうち、ｐ型の拡散領域４１が形成されている領域が受光面２７となる。拡散領域４１どうしの間の半導体基板３９には、ｎ⁺型の拡散領域４３が形成されている。これにより、ｐ型の拡散領域４１が隣の拡散領域４１と分離、つまり、各ＰＤ２３が素子分離される。
【００３５】
半導体基板３９の一方の面は、拡散領域４１，４３を覆うようにシリコン酸化膜のような絶縁膜４５で覆われている。絶縁膜４５上には、複数の遮光部２９が間隔を設けて形成されている。遮光部２９は光を透過しない性質を有すればよく、したがって、その材料は金属（例えば、クロム、アルミニウム）や樹脂が挙げられる。これらの遮光部２９を覆うように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜のような保護膜４７が形成されている。半導体基板３９の他方の面の全面には各ＰＤ２３の共通電極（例えばＡｕ電極）４９が形成されている。
【００３６】
第１実施形態に係る光電式エンコーダ１の効果を説明する。
【００３７】
▲１▼第１実施形態によれば、フォトダイオードの一次元配置の場合のエンコーダの応答速度で、二次元配置の場合の測定精度を得ることができる。これを図２〜図４を用いて詳細に説明する。フォトダイオード２３は測定軸Ｘに沿って配置されている。よって、エンコーダ１のＰＤ２３は一次元配置となるため、ＰＤ２３の接合容量の増加を抑制できる。一方、受光面２７の傾斜部３３は、第２光学格子２５の遮光部２９の延びる方向（ｙ方向）に対して斜めにされているので、傾斜部３３は、測定軸Ｘ方向（ｘ方向）と遮光部２９の延びる方向（ｙ方向）とに二次元配置されていることになる。このため、エンコーダ１によれば、フォトダイオードの二次元配置と同様の平均化効果を得ることができる。
【００３８】
以上により、第１実施形態によれば、複数のフォトダイオードの接合容量の合計が一次元配置と同様でありながら、フォトダイオードの二次元配置と同様の平均化効果を得ることができる。したがって、エンコーダ１の応答速度の向上と測定精度の向上との両立を図ることができる。
【００３９】
上記効果は、傾斜部３３により生じるので、平行部３１を含まないで一対の傾斜部３３により受光面２７を構成してよいし、一対の傾斜部３３の一方だけで受光面２７を構成してよい。
【００４０】
▲２▼図３に示すように、第１実施形態によれば、複数のＰＤ２３を第１素子群３５と第２素子群３７とに分けている。そして、ｘｙ面上で、第１素子群３５の凹部３８と第２素子群３７の凹部３８とが向かい合うように配置している。したがって、複数のＰＤ２３の受光面２７により構成される形状は、ｘ方向およびｙ方向に対して対称の形状となる。よって、複数のＰＤ２３の受光面２７をｘｙ面上にバランスよく配置できる。
【００４１】
なお、図７に示すように、第１素子群３５の凸部３６と第２素子群３７の凸部３６とが向かい合うように配置しても、図３と同様に、複数のＰＤ２３の受光面２７をバランスよく配置できる。
【００４２】
［第２実施形態］
第２実施形態については、第１実施形態との相違を中心に説明する。図８は第２実施形態の光電式エンコーダに備えられる受光チップ１５の一部を模式的に表した平面図であり、図５と対応する。図９、図１０は、それぞれ図８の受光チップ１５をIX(a)-IX(b)、X(a)-X(b)断面から見た模式図である。第２実施形態では、第２光学格子の遮光部２９を、フォトダイオード２３に接続される配線５１の一部にしている。以下、詳細に説明する。
【００４３】
遮光部２９は、アルミニウムのような導電性の金属である。配線５１は遮光部２９と同じ層に位置している。配線５１は、遮光部２９と接続するように遮光部２９と同時にパターニングして形成されたものである。遮光部２９と受光面２７との間の絶縁膜４５には、コンタクトホール５３が形成されている。コンタクトホール５３には導電プラグ（例えばアルミニウム）からなるコンタクト部５５が形成されている。コンタクト部５５は、遮光部２９の下でこれに接続されると共に受光面２７とコンタクトしている。したがって、配線５１は、遮光部２９およびコンタクト部５５により、フォトダイオード２３に接続されている。なお、この実施形態では、導電プラグをコンタクト部５５にしているが、遮光部２９となる膜を絶縁層４５上に形成する際に、コンタクトホール５３にこの膜を埋め込んで、これをコンタクト部にしてもよい。
【００４４】
第２実施形態は第１実施形態と同様の効果の他に次の効果を有する。配線をフォトダイオードと接続するために、遮光部２９と同じ層の受光面２７上に新たな導電膜を形成した構造の場合、この導電膜により、受光面２７の有効受光面積が減少する。これに対して、第２実施形態では、配線５１とフォトダイオード２３との接続に導電性の遮光部２９を利用している。したがって、受光面２７の有効受光面積の減少を防止できる。
【００４５】
また、上記新たな導電膜を形成した構造の場合、図１０の断面にコンタクト部５５が存在していないことになる。したがって、遮光部２９と拡散領域４１とで絶縁膜４５が挟まれた構造の寄生容量が形成される。これがエンコーダの応答速度を下げる原因となる。これに対して、第２実施形態では、遮光部２９と拡散領域４１とがコンタクト部５５で接続されているので、上記のような寄生容量は発生しない。
【００４６】
なお、第１および第２実施形態では、四つの位相の異なる光信号（Ａ相、Ｂ相、ＡＡ相、ＢＢ相の光信号）を用いて変位量を測定しているが、本発明に係る光電式エンコーダはこれに限定されない。例えば、三つの位相の異なる光信号（０度の位相の光信号、０度より１２０度だけ位相がずれた光信号、０度より２４０度だけ位相がずれた光信号）についても、本発明に係る光電式エンコーダに適用できる。
【００４７】
また、図１に示すように、第１および第２実施形態に係る光電式エンコーダ１は、スケール５の第１光学格子１１を透過した発光ダイオード３からの光Ｌを用いて変位量の測定をする、いわゆる透過型のタイプである。しかしながら、反射型のタイプ、つまり、スケール５の第１光学格子１１で反射された発光ダイオード３からの光Ｌを用いて変位量を測定する場合にも、本発明を適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係る光電式エンコーダによれば、複数の受光素子の接合容量の合計が一次元配置と同様でありながら、受光素子の二次元配置と同様の平均化効果を得ることができる。したがって、光電式エンコーダの応答速度の向上と測定精度の向上との両立を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光電式エンコーダの概略構成を示す図である。
【図２】図１の第１光学格子側から見た受光チップの全体を模式的に表した平面図である。
【図３】図２のうちフォトダイオードのみを模式的に表した図である。
【図４】図２のうち第２光学格子のみを模式的に表した図である。
【図５】図２のVで示す領域の拡大図である。
【図６】図５で示す領域をVI(a)-VI(b)断面から見た模式図である。
【図７】第１実施形態のフォトダイオード配列の変形例を模式的に表した図である。
【図８】第２実施形態に係る光電式エンコーダに備えられる受光チップの一部を模式的に表した平面図である。
【図９】図８の受光チップをIX(a)-IX(b)断面から見た模式図である。
【図１０】図８の受光チップをX(a)-X(b)断面から見た模式図である。
【符号の説明】
１・・・光電式エンコーダ、３・・・発光ダイオード、５・・・スケール、７・・・受光部、９・・・透明基板、１１・・・第１光学格子、１３・・・遮光部、１５・・・受光チップ、１７・・・回路基板、１９・・・ＩＣチップ、２１・・・ホルダ、２３・・・フォトダイオード（ＰＤ）、２５・・・第２光学格子、２７・・・受光面、２９・・・遮光部、３１・・・平行部、３３・・・傾斜部、３５・・・第１素子群、３６・・・凸部、３７・・・第２素子群、３８・・・凹部、３９・・・ｎ型半導体基板、４１・・・ｐ型拡散領域、４３・・・ｎ⁺型拡散領域、４５・・・絶縁膜、４７・・・保護膜、４９・・・共通電極、５１・・・配線、５３・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクト部

Claims

光源と、
前記光源からの光が照射される第１の方向に延びる第１の遮光部を有する第１光学格子を含むスケールと、
前記第１光学格子に照射された光を基にして生成された光信号が入射する受光面をそれぞれ含むと共に位相の異なる複数の光信号を検出する複数の受光素子と、
前記複数の受光素子の各受光面上に配置された前記第１の方向に延びる第２の遮光部を含む第２光学格子と、
を備え、
前記複数の受光素子は、前記スケールに対して測定軸に沿って相対移動可能に配置されると共に各受光面の少なくとも一部が前記第１の方向に対して斜めになるように前記測定軸に沿って配置されている、
ことを特徴とする光電式エンコーダ。
前記複数の受光素子により、前記測定軸に沿って一端に凸部、他端に凹部を有する第１および第２素子群が、前記複数の受光素子が配置された平面上に構成されており、
前記第１素子群と前記第２素子群とは、前記凹部同士または凸部同士が、前記平面上で向かい合うように配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光電式エンコーダ。
前記複数の受光素子および前記第２光学格子を含む受光チップを備え、
前記受光チップは、さらに、
前記複数の受光素子の各々に対して設けられており、導電性の前記第２の遮光部の下でこの第２の遮光部に接続されると共に前記受光面とコンタクトしているコンタクト部と、
前記複数の受光素子の各々に対して設けられており、前記第２の遮光部と接続された前記受光素子の配線と、
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の光電式エンコーダ。
前記複数の受光素子のうち隣接する受光素子の受光面上に配置された前記第２光学格子は、前記第２の遮光部の空間的位相が互いに異なっている、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電式エンコーダ。
前記受光面の一部が前記第１の方向に対して斜めになるように前記測定軸に沿って配置されている、
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電式エンコーダ。
前記受光面の全部が前記第１の方向に対して斜めになるように前記測定軸に沿って配置されている、
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電式エンコーダ。