JP4335026B2 - 臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法 - Google Patents
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化学大辞典編集委員会編、「化学大辞典」、596頁、縮刷版第37刷、共立出版
本発明の目的は、臭化タリウム単結晶内の格子欠陥を減少できる臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法を提供することにある。
なお、「臭化第一タリウムの臭素富化物」とは、臭化第一タリウムに3価のタリウムが富化されたものをいう。なお、上記の3価のタリウムには、六配位及び四配位のブロモタリウム(III)錯基のタリウム(I)が含まれる。また、「臭化第一タリウムの原料」とは、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を製造するために原料として購入した臭化タリウムであって、未だ純化工程を経ていないものであって、水分、臭化水素水、酸化タリウム等の不純物を含む臭化第一タリウムをいう。また、「臭化第一タリウムの原料を純化する」とは、購入した臭化タリウムの原料を、純化工程を施すことにより、水分、臭化水素水、酸化タリウム等の不純物を除去することをいう。更に、「臭素リッチな臭化タリウムの単結晶」とは、前述の臭化第一タリウムの臭素富化物を単結晶化したものをいう。
前記「予め設定された温度」とは、純化工程における最終設定温度をいい、臭化タリウムに含まれる不純物と臭素との置換反応を促すのに必要な温度とすることができる。
前記「予め設定された回数」とは、臭化タリウムに含まれる不純物と臭素との置換反応を行うのに必要な回数をいう。この回数は、例えば、4〜5回である。
<製造装置の全体構成>
本発明の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法について詳細な説明を行う前に、図1を参照して当該製造方法を行うための製造装置の概要を説明する。臭素リッチな臭化タリウムの単結晶は、例えば、TlBr及びTlBr3の混晶結晶、及びTlBr及びTlBr3の錯体結晶である。
次に、この製造装置1を使用した臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法について説明する。この製造方法は、主に、臭化第一タリウムの乾燥工程、臭化第一タリウムの純化工程、臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程、及び臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程を含んでいる。
まず、図2に示すように、臭化第一タリウムの原料をルツボ3内に充填する(ステップS1)。この臭化第一タリウムの原料には、臭化第一タリウムのほか、微量な水分、臭化水素水、酸化タリウム等の不純物が含まれている。次に、配管7aがルツボ3と連通するように、配管7aとルツボ3とを接続する(ステップS2)。そして、駆動装置4を駆動してルツボ3を下降させ、ルツボ3を電気炉2内に配置する。このときバルブ8a,8b,8c,8d,8eは、閉鎖されている。次いで、電気炉2内の温度を100℃程度に設定するとともに、バルブ8b、バルブ8d及びバルブ8eを開放し、真空ポンプ61を作動させることによって、昇温したルツボ3内のガスを脱気する(ステップS3)。臭化第一タリウムの原料は、このようなステップS1〜S3を経ることによって、乾燥される。
まず、トラップ6に液体窒素LNを充填する(ステップS4)。トラップ6は、液体窒素LNで冷却されることによって、後記するように真空ポンプ61でルツボ3から吸引した不純物を含むガス(以下、「不純物ガス」という)の捕集が可能になる。次に、発熱コイル21に通電することにより電気炉2内の温度を上げてルツボ3を所定の温度まで昇温する(ステップS5)。なお、この昇温幅は、後記するステップS5〜S8の工程の繰り返し回数によって適宜に設定することができ、この昇温幅については、後記する。
この富化工程では、3価のタリウム(例えば、TlBr3)が形成されるように純化された臭化第一タリウムに臭素が富化される。本実施の形態における富化工程は、ステップS14〜S17を含む。富化工程の対象となる、ルツボ3内の臭化第一タリウムに含まれる不純物は、1×10-4wt%以下となっている。これだけ、前述の純化工程で臭化第1タリウムが純化されたことになる。まず、ルツボ3内の真空脱気が行われる(ステップS14)。バルブ8aが閉じた状態で、バルブ8b、8c、8d、8eが開放される。ルツボ3内に存在するガスが、真空ポンプ61の駆動により吸引されて排出される。その後、臭素がルツボ3内に供給される(ステップS15)。このとき、バルブ8dが閉じられ、バルブ8aを開くことによって、ガスボンベ5から臭素ガスがルツボ3内に供給される。この臭素は、臭素リッチな臭化タリウムの単結晶である臭化第1タリウム及びTlBr3の混晶結晶(またはTlBr及びTlBr3の錯体結晶)が生成される程度の量が充填される。
図3に示すように、この単結晶生成工程では、まず、電気炉2内において、その上部から下部にかけて温度が徐々に低下していく温度勾配が形成される(ステップS18)。この温度勾配は、臭化第一タリウムの臭素富化物の融点を中心に、電気炉2内の上部でルツボ3内に当該臭化第一タリウムの臭素富化物の液層が形成され、電気炉2内の下部で当該臭化第一タリウムの臭素富化物の固層が形成されるように設定される。具体的には、発熱コイル21の発熱量を温度制御装置22、温度センサ23及び発熱コイル21の温度測定装置24で制御することによって、電気炉2内には、その上部から下部にかけて、500℃〜150℃、好ましくは480℃〜150℃の範囲で温度勾配が形成される。
(1)富化工程において臭化第一タリウムに臭素を富化することによって、3価のタリウムを含む臭化第一タリウムの単結晶を得ることができる。3価のタリウムを含む臭化第一タリウムの単結晶は、単結晶内の格子欠陥が低減されている。すなわち、結晶内の格子欠陥が減少した臭化第一タリウムの単結晶が得られる。特に、純化工程の後に富化工程を実施するため、単結晶内の格子欠陥の低減を効率良く行うことができる。
(2)臭化第一タリウムの原料内に水分が存在すると、臭化第一タリウムと水分が反応して酸化タリウムが生成される。この酸化タリウムは純度の高い臭化第一タリウムの単結晶の生成を阻害する。純化工程の前に乾燥工程を実行することによって、純化工程で不純物を少なくでき、純度が向上した臭化第一タリウムの単結晶を製造できる。
(3)Br2ガス雰囲気中で臭化第一タリウムの原料の純化を行うので、純化工程でその原料内に不純物が入り込むことを防止でき、純度が向上した臭化第一タリウムの単結晶を製造できる。
(4)純化工程終了後の富化工程でBr2ガスをルツボ3内に再度注入するため、臭化第一タリウムへのBr富化量の調節が容易になる。
(5)単結晶生成工程において、ルツボ3内の臭化第一タリウム及び臭素富化物が溶融するので、臭化第一タリウムと臭素富化物が均一に混ざり合い均質な単結晶を得ることができる。
(6)ステップS16で形成された温度分布が保持される電気炉2内で、臭化第一タリウムの臭素富化物を入れたルツボ3を移動させるため、ルツボ3の移動速度が容易に調節でき、ルツボ3内の臭化第一タリウム及び臭素富化物の冷却速度の調節が容易になる。臭化第一タリウム及び臭素富化物の冷却速度を遅くすることができるため、歪の少ない臭素リッチな臭化第一タリウムの単結晶を製造できる。
(7)純化工程においてBr2ガスを、臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ3内に充填する操作(ステップS5〜S9の操作)を設定温度になるまで複数回繰り返すため、臭化第一タリウムの原料内への臭素の取り込みが徐々に行われて原料内の不純物との置換効率が増大する。従って、製造された単結晶の純度が増大する。特に、ルツボ3の加熱温度も複数回にわたって変えるため、その温度に応じた純化を段階的に行うことができる。
(8)ルツボ3内へのBr2ガス充填後、Br2ガスの色が無色になる(又は、臭化第一タリウムの臭素富化物を入れた前記ルツボ内の圧力の低下が止まる)まで放置するため、ルツボ3内に注入したBr2ガスによる純化の度合いを確認でき、Br2ガスのルツボ3内への注入をタイムリーに行うことができる。
(9)ステップS11でのBr2ガスのルツボ3内への充填及びステップS12での臭素ガスの退色の有無に基づいて純化工程の終了を簡単に判断することができる。
(10)純化工程において、ルツボ3内にBr2ガスを充填して行われる臭化第一タリウムの純化終了毎に、ルツボ3内の不純物ガスを脱気する(ステップS8)ので、新たに充填するBr2ガスによる純化を促進できる。
(11)HBrガス雰囲気中で臭化第一タリウムの原料の純化を行うので、純化工程でその原料内に不純物が入り込むことを防止でき、純度が向上した臭化第一タリウムの単結晶を製造できる。また、HBrガスを用いることにより、酸化物を形成した臭化第一タリウムを還元することができ、臭化第一タリウムの効果的な純化を行うことができる。
(12)純化工程終了後の富化工程でHBrガスをルツボ3内に再度注入するため、臭化第一タリウムへのBr富化量の調節が容易になる。
(13)純化工程においてHBrガスを、臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ3内に充填する操作(ステップS5〜S9の操作)を設定温度になるまで複数回繰り返すため、臭化第一タリウムの原料内への臭素の取り込みが徐々に行われて原料内の不純物との置換効率が増大する。従って、製造された単結晶の純度が増大する。特に、ルツボ3の加熱温度も複数回にわたって変えるため、その温度に応じた純化を段階的に行うことができる。これらの効果は、HBrガスにBr2ガスを混入しても得ることができる。
(14)純化工程において、ルツボ3内にHBrガスを充填して純化する操作が予め設定された回数行われる場合、HBrガス充填後、設定時間の間、放置しておくことにより、HBrガスのルツボ3内への注入をタイムリーに行うことができる。
(15)純化工程において、ルツボ3内にHBrガスを充填して行われる臭化第一タリウムの純化終了毎に、ルツボ3内の不純物ガスを脱気する(ステップS8)ので、新たに充填するHBrガスによる純化を促進できる。この効果は、ルツボ3内にHBrガスにBr2ガスの両方を充填して純化を行う場合でも、得ることができる。
2 電気炉
21 発熱コイル
22 温度制御装置
23 温度センサ
24 温度制御装置
3 ルツボ
4 駆動装置
5 ガスボンベ
6 トラップ
61 真空ポンプ
7a,7b,7c,7d 配管
8a,8b,8c,8d,8e バルブ
Claims (12)
- 臭化第一タリウムの原料を純化する純化工程と、
純化された前記臭化第一タリウムに臭素を富化する富化工程と、
前記富化工程で得られた前記臭化第一タリウムの臭素富化物の単結晶を生成する単結晶生成工程と、
を備えたことを特徴とする臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。 - 前記純化工程の前工程として、前記臭化第一タリウムの原料を乾燥する乾燥工程を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記純化工程が、Br2ガス雰囲気中で前記臭化第一タリウムの原料の純化を行うことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記純化工程が、HBrガス雰囲気中で前記臭化第一タリウムの原料の純化を行うことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記富化工程が、前記純化工程終了後、再度Br2ガスを注入し、これを密封することによって前記臭化第一タリウムに臭素を富化することを特徴とする請求項1から請求項3のうちのいずれか一項に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記単結晶生成工程が、前記富化工程において臭素を富化された臭化第一タリウムの臭素富化物を溶融した後に固化する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記臭化第一タリウムの臭素富化物を溶融した後に固化する工程は、温度分布が形成された電気炉内で、前記臭化第一タリウムの臭素富化物を入れたルツボを移動させることにより行うことを特徴とする請求項6に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記純化工程は、前記臭化第一タリウムの原料を加温し、Br2ガス及びHBrガスのうちの少なくともいずれか一方を、前記臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ内に充填する操作を行うとともに、
この操作を、予め設定された温度になるまで予め設定された回数を繰り返して行うことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。 - 前記純化工程において、前記臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ内にBr 2 ガスを充填する場合は、前記Br2ガス充填後、当該Br2ガスの色が無色になる、又は、臭化第一タリウムの原料及び臭素富化物のうちの少なくともいずれか一方が入ったルツボ内の圧力の低下が止まるまで放置しておくことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記純化工程において、前記臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ内にHBrガスを充填する場合は、前記HBrガス充填後、設定時間の間、放置しておくことを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 前記純化工程において、前記臭化第一タリウムの原料を入れたルツボ内にBr 2 ガス及びHBrガスのうちの少なくともいずれか一方を充填する操作を予め設定された回数行われる臭化第一タリウムの純化終了毎に、不純物ガスを脱気することを特徴とする請求項1に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
- 耐熱ガラス製のルツボを用いて前記臭素リッチな臭化タリウムの単結晶を製造することを特徴とする請求項1から請求項11のうちのいずれか一項に記載の臭素リッチな臭化タリウムの単結晶の製造方法。
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