JP4332954B2 - Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4332954B2
JP4332954B2 JP29937599A JP29937599A JP4332954B2 JP 4332954 B2 JP4332954 B2 JP 4332954B2 JP 29937599 A JP29937599 A JP 29937599A JP 29937599 A JP29937599 A JP 29937599A JP 4332954 B2 JP4332954 B2 JP 4332954B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
magnetic
green sheet
ceramic material
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP29937599A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001119144A (en
Inventor
幸治 流郷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP29937599A priority Critical patent/JP4332954B2/en
Publication of JP2001119144A publication Critical patent/JP2001119144A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4332954B2 publication Critical patent/JP4332954B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、焼成工程において主面方向の収縮を実質的に生じさせないようにすることができる、いわゆる無収縮プロセスを適用して製造される、多層セラミック基板およびその製造方法に関するもので、特に、配線導体間のアイソレーションの確保についての改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
多層セラミック基板は、複数の積層されたセラミック層を備え、これらセラミック層間の特定の界面および多層セラミック基板の外表面には、適宜の配線導体が設けられている。これら配線導体は、多層セラミック基板に関連して設けられる複数の機能素子間の電気的接続を達成するとともに、多層セラミック基板の外表面上に搭載されるICチップやその他のチップ状電子部品等の電気的接続のための接続パッドを与える。また、多層セラミック基板の内部にあっては、配線導体によってコンデンサ素子等の必要な機能素子が構成されることがある。
【0003】
このような多層セラミック基板が高周波回路を構成する部品として用いられる場合には、多層セラミック基板に備えるセラミック層の誘電率ができるだけ低くされ、それによって、複数の配線導体間のアイソレーションを確保するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
多層セラミック基板をより多機能化、高密度化、高性能化および小型化するためには、このような多層セラミック基板において、高密度配線を施すことが有効である。しかしながら、高密度配線が進むと、上述したようなセラミック層の低誘電率化だけでは、配線導体間のアイソレーションを十分に確保するのが困難になってくる。
【0005】
他方、配線導体間のアイソレーションのためには、電磁波の吸収能力のある磁性体を配線導体間に配置することが効果的である。そのため、複数の積層された誘電体セラミック層を備える多層セラミック基板において、特定の誘電体セラミック層を磁性体セラミック層によって置き換えることが考えられる。
【0006】
しかしながら、上述のような誘電体セラミック層と磁性体セラミック層とが混在する多層セラミック基板を製造しようとする場合、誘電体セラミック材料を含む誘電体グリーンシートと磁性体セラミック材料を含む磁性体グリーンシートとの焼成工程における焼結収縮率ないしは収縮挙動に比較的大きな差があるため、チップ状の積層セラミック電子部品の場合ならともかく、規模の大きい多層セラミック基板の場合には、反りや歪みが生じやすく、現状では、このような誘電体セラミック層と磁性体セラミック層とをともに備える多層セラミック基板を量産規模で製造することは困難である。
【0007】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、多層セラミック基板およびその製造方法を提供しようとすることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明は、簡単に言えば、多層セラミック基板において磁性体セラミック層を形成することによって、配線導体間のアイソレーションの効果を高めるとともに、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシートとの焼結収縮率ないしは収縮挙動の違いによって引き起こされる問題を、いわゆる無収縮プロセスを適用することによって解決しようとするものである。
【0009】
より詳細には、この発明の第1の局面による多層セラミック基板は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層と、これら誘電体セラミック層の特定のものに接するように配置され、誘電体セラミック層の厚みより薄く、誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を未焼結状態で含み、かつ誘電体セラミック層に含まれる材料の一部が浸透している、磁性体セラミック層と、誘電体セラミック層および磁性体セラミック層からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備えることを特徴としている。
【0010】
他方、この発明の第2の局面による多層セラミック基板は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック材料の焼結温度で焼結し得る磁性体セラミック材料を含む、磁性体セラミック層と、誘電体セラミック層と磁性体セラミック層との間に配置され、誘電体セラミック層および磁性体セラミック層の各厚みより薄く、誘電体セラミック材料および磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を未焼結状態で含み、かつ誘電体セラミック層および磁性体セラミック層のそれぞれに含まれる各材料の一部が浸透している、収縮抑制層と、誘電体セラミック層、磁性体セラミック層および収縮抑制層からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備えることを特徴としている。
【0011】
上述した第1および第2の局面による各多層セラミック基板において、複数の配線導体が、積層構造物の同じ界面に沿って設けられることも、磁性体セラミック層を挟むように積層構造物の異なる界面に沿って設けられることもある。
【0012】
この発明は、また、上述したような多層セラミック基板を製造する方法にも向けられる。
【0013】
第1の局面による多層セラミック基板の製造方法は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体グリーンシートと、これら誘電体グリーンシートの特定のものに接するように配置され、誘電体グリーンシートの厚みより薄く、かつ誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を含む、磁性体グリーンシートと、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートからなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備える、生の複合積層体を用意する工程と、この生の複合積層体を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【0014】
第2の局面による多層セラミック基板の製造方法は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体グリーンシートと、誘電体セラミック材料の焼結温度で焼結し得る磁性体セラミック材料を含む、磁性体グリーンシートと、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシートとの間に位置され、誘電体グリーンシートおよび磁性体グリーンシートの各厚みより薄く、かつ誘電体セラミック材料および磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を含む、収縮抑制用グリーンシートと、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシートおよび収縮抑制用グリーンシートからなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備える、生の複合積層体を用意する工程と、この生の複合積層体を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の一実施形態による多層セラミック基板1の一部を概略的に示す断面図である。
【0016】
多層セラミック基板1は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層2を備えている。ここで用いられる誘電体セラミック材料は、後述する理由から、低温で焼結可能であることが好ましい。そのため、この誘電体セラミック材料は、結晶化ガラス、またはガラスとセラミックとの混合物を含むことが好ましい。より具体的には、誘電体セラミック材料として、たとえば、BaO−Al2 3 −SiO2 系低温焼結セラミック材料が用いられる。
【0017】
多層セラミック基板1は、また、磁性体セラミック層3を備えている。この磁性体セラミック層3は、誘電体セラミック層2の特定のものに接するように配置される。磁性体セラミック層3は、上述した誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を未焼結状態で含んでいる。この磁性体セラミック材料としては、たとえば、Mn−Zn−フェライト系磁性体セラミック材料またはNi−Zn−フェライト系磁性体セラミック材料が用いられる。
【0018】
また、磁性体セラミック層3には、この多層セラミック基板1を得るための焼成の結果、誘電体セラミック層2に含まれる材料の一部が浸透している。このような浸透を十分なものとするため、磁性体セラミック層3の厚みは、誘電体セラミック層2の厚みより薄くされる。
【0019】
多層セラミック基板1は、また、配線導体4〜13を備えている。これらの配線導体4〜13は、たとえば銅、銀または金のような導電成分を含む導電性ペーストを焼き付けることによって形成される。
【0020】
配線導体4〜13のうち、配線導体4および5は、多層セラミック基板1の外表面上に設けられている。また、配線導体6〜13は、誘電体セラミック層2および磁性体セラミック層3からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられている。
【0021】
上述した後者の配線導体6〜13のうち、配線導体7〜10ならびに配線導体11〜13は、それぞれ、上述の積層構造物の同じ界面に沿って設けられている。また、配線導体6〜10と配線導体11〜13とは、磁性体セラミック層3を挟むように積層構造物の異なる界面に沿って設けられている。
【0022】
このような多層セラミック基板1は、次のようにして製造される。図2は、焼成されることによって多層セラミック基板1となる生の複合積層体1aの一部を分解して概略的に示す断面図である。
【0023】
生の複合積層体1aは、複数の誘電体グリーンシート2aを備えている。これら誘電体グリーンシート2aは、焼成されることによって、誘電体セラミック層2となるべきもので、それぞれ、誘電体セラミック材料を含んでいる。
【0024】
また、生の複合積層体1aは、磁性体グリーンシート3aを備えている。この磁性体グリーンシート3aは、焼成されることによって、磁性体セラミック層3となるもので、特定の誘電体グリーンシート2aに接するように配置されている。磁性体グリーンシート3aの厚みは、誘電体グリーンシート2aの厚みより薄い。また、磁性体グリーンシート3aは、誘電体グリーンシート2aに含まれる誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を含んでいる。
【0025】
また、配線導体4〜13が、上述した誘電体グリーンシート2aの特定のものの各主面上または磁性体グリーンシート3aの主面上に形成されている。
【0026】
このような誘電体グリーンシート2aおよび磁性体グリーンシート3aを積み重ねることによって、生の複合積層体1aが得られる。この生の複合積層体1aは、次いで焼成されることによって、図1に示した多層セラミック基板1が得られる。
【0027】
上述した焼成工程において、磁性体グリーンシート3aは、誘電体グリーンシート2aの収縮を抑制するように作用する。すなわち、磁性体グリーンシート3aは、そこに含まれる磁性体セラミック材料を未焼結状態のまま残し、それ自身が焼結しないので、誘電体グリーンシート2aの主面方向での収縮を抑制することになる。
【0028】
また、磁性体グリーンシート3aにあっては、焼成工程において、上述のように焼結しないので、誘電体グリーンシート2aとの間での焼結収縮率あるいは収縮挙動の差による問題を引き起こすことがなく、そのため、焼結後の多層セラミック基板1において、反りや歪みを生じにくくすることができる。
【0029】
また、得られた多層セラミック基板1において、磁性体セラミック層3は、電磁波を吸収する能力を有しているため、たとえば、同じ界面に沿って位置する、配線導体7〜10の間および配線導体11〜13の間、あるいは、磁性体セラミック層3を挟むように異なる界面に沿って位置する配線導体6〜10と配線導体11〜13との間でのそれぞれのアイソレーションの効果を大きくすることができる。
【0030】
なお、図1に示した多層セラミック基板1において、磁性体セラミック層3が配置される位置や数は、適宜変更することができる。
【0031】
図3は、この発明の他の実施形態による多層セラミック基板21の一部を概略的に示す断面図である。
【0032】
多層セラミック基板21は、誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層22を備えている。この誘電体セラミック材料は、後述する理由から、低温で焼結可能であることが好ましい。したがって、前述の図1に示した誘電体セラミック層2に含まれる誘電体セラミック材料と同様のものを用いることができる。
【0033】
多層セラミック基板21は、また、磁性体セラミック材料を含む磁性体セラミック層23を備えている。この磁性体セラミック材料は、前述した誘電体セラミック材料の場合と同様、低温で焼結可能であることが好ましい。また、この磁性体セラミック材料の焼結開始温度は、誘電体セラミック材料の焼結開始温度の概ね±100℃以内に選ばれることが好ましく、誘電体セラミック材料を焼結させるために適用される温度条件で焼結し得るようにされる。言い換えると、磁性体セラミック材料と誘電体セラミック材料とは同時の焼成工程においてともに焼結するようにされる。そのため、磁性体セラミック材料は、たとえば、ガラスとフェライトとの混合物をもって構成されることが好ましい。
【0034】
多層セラミック基板21は、また、誘電体セラミック層22と磁性体セラミック層23との間に配置される、収縮抑制層24を備えている。なお、この実施形態では、互いに隣り合う誘電体セラミック層22の間にも、収縮抑制層24が配置されている。
【0035】
収縮抑制層24は、前述した誘電体セラミック材料および磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を未焼結の状態で含んでいる。この絶縁体セラミック材料としては、たとえば、アルミナまたはジルコニアが有利に用いられる。
【0036】
また、収縮抑制層24には、この多層セラミック基板21を得るための焼成の結果、当該収縮抑制層24に接する誘電体セラミック層22および磁性体セラミック層23のそれぞれに含まれる各材料一部、最も上の収縮抑制層24にあっては、誘電体セラミック層22に含まれる材料の一部が浸透している。この浸透をより十分なものとするため、収縮抑制層24の厚みは、誘電体セラミック層22および磁性体セラミック層23の各厚みより薄くされる。
【0037】
多層セラミック基板21は、また、いくつかの配線導体25〜36を備えている。これら配線導体25〜36のうち、配線導体25および26は、多層セラミック基板21の外表面上に設けられ、配線導体27〜36は、多層セラミック基板21の内部であって、誘電体セラミック層22、磁性体セラミック層23および収縮抑制層24からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられている。
【0038】
上述の内部に設けられた配線導体27〜36のうち、配線導体28〜30、配線導体31および32、配線導体33および34ならびに配線導体35および36は、それぞれ、上述の積層構造物の同じ界面に沿って設けられている。また、配線導体27〜32と配線導体33〜36とは、磁性体セラミック層23を挟むように積層構造物の異なる界面に沿って設けられている。
【0039】
この実施形態によっても、磁性体セラミック層23が電磁波を吸収するため、たとえば、配線導体28〜30の間、配線導体31および32の間、配線導体33および34の間、配線導体35および36の間、あるいは、配線導体27〜32と配線導体33〜36と間において、アイソレーションの効果を大きくすることができる。
【0040】
上述したような多層セラミック基板21は、次のようにして製造される。図4は、焼成されることによって多層セラミック基板21となる生の複合積層体21aの一部を分解して示す断面図である。
【0041】
生の複合積層体21aは、複数の誘電体グリーンシート22aを備えている。これら誘電体グリーンシート22aは、焼成されることによって、前述した誘電体セラミック層22となるもので、誘電体セラミック材料を含んでいる。
【0042】
また、生の複合積層体21aは、磁性体グリーンシート23aを備えている。磁性体グリーンシート23aは、焼成によって、前述した磁性体セラミック層23となるもので、誘電体セラミック材料の焼結温度で焼結し得る磁性体セラミック材料を含んでいる。
【0043】
また、生の複合積層体21aは、収縮抑制用グリーンシート24aを備えている。収縮抑制用グリーンシート24aは、焼成工程の後、前述した収縮抑制層24となるもので、前述した誘電体セラミック材料および磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を含んでいる。収縮抑制用グリーンシート24aは、誘電体グリーンシート22aと磁性体グリーンシート23aとの間、あるいは、隣り合う誘電体グリーンシート22aの間に配置される。これら収縮抑制用グリーンシート24aの各厚みは、誘電体グリーンシート22aおよび磁性体グリーンシート23aの各厚みより薄くされる。
【0044】
また、前述した配線導体25〜36が、特定の誘電体グリーンシート22a、磁性体グリーンシート23aまたは収縮抑制用グリーンシート24a上に形成される。
【0045】
上述した誘電体グリーンシート22a、磁性体グリーンシート23aおよび収縮抑制用グリーンシート24aが積層されることによって、生の複合積層体21aが得られる。この生の複合積層体21aは、次いで、焼成され、それによって、図3に示す多層セラミック基板21が得られる。
【0046】
上述の焼成工程において、収縮抑制用グリーンシート24aは、そこに含まれる絶縁体セラミック材料を未焼結状態のまま残し、それ自身が焼結しないので、誘電体グリーンシート22aおよび磁性体グリーンシート23aの各々の主面方向での収縮を抑制する。したがって、誘電体グリーンシート22aと磁性体グリーンシート23aとの間での前述したような焼結収縮率ないしは収縮挙動の差は、まず、このように各々の収縮が抑制されることにより、実質的になくすことができる。
【0047】
また、誘電体グリーンシート22aと磁性体グリーンシート23aとの間には、焼結しない収縮抑制用グリーンシート24aあるいは収縮抑制層24が介在しているので、たとえ、誘電体グリーンシート22aと磁性体グリーンシート23aとの間で焼結収縮率ないしは収縮挙動の差が生じても、収縮抑制用グリーンシート24aあるいは収縮抑制層24は、このような焼結収縮率ないしは収縮挙動の差を有利に吸収することができる。
【0048】
このようにして、この実施形態によっても、焼結収縮率の差からもたらされる問題を有利に回避することができる。
【0049】
図3に示した多層セラミック基板21において、誘電体セラミック層22、磁性体セラミック層23および収縮抑制層24の積層順序や数は、適宜変更することができる。
【0050】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る多層セラミック基板によれば、磁性体セラミック層を備えているので、この磁性体セラミック層が有する電磁波吸収作用によって、配線導体間のアイソレーション効果を高めることができる。このようなアイソレーション効果は、多層セラミック基板を構成する積層構造物の同じ界面に沿って設けられる複数の配線導体間に対しても、あるいは、磁性体セラミック層を挟むように積層構造物の異なる界面に沿って設けられる配線導体間においても働かせることができる。
【0051】
したがって、この発明によれば、多層セラミック基板における配線導体に関連する高周波特性を良好なものとすることができるとともに、高密度配線への対応が容易になる。
【0052】
また、この発明に係る多層セラミック基板の製造方法によれば、磁性体グリーンシートまたは収縮抑制用グリーンシートによる収縮抑制効果を働かせた状態で、焼成が実施されるので、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシートとの間での焼結収縮率ないしは収縮挙動の差による問題を有利に回避することができる。
【0053】
また、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシートとの間に収縮抑制用グリーンシートが配置される場合には、誘電体グリーンシートと磁性体グリーンシートとの間の焼結収縮率ないしは収縮挙動の差を吸収する機能を、収縮抑制用グリーンシートによって営ませることができるので、焼結収縮率ないしは収縮挙動の差によってもたらされる問題をさらに確実に回避することができる。
【0054】
また、磁性体グリーンシートが、収縮抑制作用を及ぼす場合には、そこに含まれる磁性体セラミック材料が焼結しないので、この磁性体グリーンシートにおいて焼結収縮が生じず、したがって、誘電体グリーンシートとの間での焼結収縮率ないしは収縮挙動の差が問題となることはない。
【0055】
このようなことから、この発明に係る多層セラミック基板の製造方法によれば、たとえばRFモジュールのような大規模な多層セラミック基板を反りや歪みなく作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態による多層セラミック基板1の一部を概略的に示す断面図である。
【図2】図1に示した多層セラミック基板1を製造するために用意される生の複合積層体1aの一部を分解して示す断面図である。
【図3】この発明の他の実施形態による多層セラミック基板21の一部を概略的に示す断面図である。
【図4】図3に示した多層セラミック基板21を製造するために用意される生の複合積層体21aの一部を分解して示す断面図である。
【符号の説明】
1,21 多層セラミック基板
2,22 誘電体セラミック層
3,23 磁性体セラミック層
4〜13,25〜36 配線導体
24 収縮抑制層
1a,21a 生の複合積層体
2a,22a 誘電体グリーンシート
3a,23a 磁性体グリーンシート
24a 収縮抑制用グリーンシート
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer ceramic substrate manufactured by applying a so-called non-shrinkage process that can substantially prevent shrinkage in the main surface direction in the firing step, and particularly to a method for manufacturing the same. The present invention relates to an improvement in ensuring isolation between wiring conductors.
[0002]
[Prior art]
The multilayer ceramic substrate includes a plurality of laminated ceramic layers, and appropriate wiring conductors are provided on specific interfaces between these ceramic layers and on the outer surface of the multilayer ceramic substrate. These wiring conductors achieve an electrical connection between a plurality of functional elements provided in association with the multilayer ceramic substrate, and are used for IC chips and other chip-like electronic components mounted on the outer surface of the multilayer ceramic substrate. Provides connection pads for electrical connection. Further, in the multilayer ceramic substrate, necessary functional elements such as capacitor elements may be constituted by the wiring conductor.
[0003]
When such a multilayer ceramic substrate is used as a component constituting a high frequency circuit, the dielectric constant of the ceramic layer provided in the multilayer ceramic substrate is made as low as possible, thereby ensuring isolation between a plurality of wiring conductors. I have to.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In order to increase the functionality, density, performance, and size of a multilayer ceramic substrate, it is effective to provide high-density wiring in such a multilayer ceramic substrate. However, as high-density wiring advances, it becomes difficult to ensure sufficient isolation between wiring conductors only by reducing the dielectric constant of the ceramic layer as described above.
[0005]
On the other hand, for the isolation between the wiring conductors, it is effective to arrange a magnetic body capable of absorbing electromagnetic waves between the wiring conductors. Therefore, it is conceivable to replace a specific dielectric ceramic layer with a magnetic ceramic layer in a multilayer ceramic substrate including a plurality of laminated dielectric ceramic layers.
[0006]
However, when it is intended to manufacture a multilayer ceramic substrate in which the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer are mixed, the dielectric green sheet containing the dielectric ceramic material and the magnetic green sheet containing the magnetic ceramic material are used. Since there is a relatively large difference in the sintering shrinkage rate or shrinkage behavior in the firing process, warping and distortion are likely to occur in the case of large-scale multilayer ceramic substrates, regardless of chip-shaped multilayer ceramic electronic components. At present, it is difficult to manufacture a multilayer ceramic substrate having both such a dielectric ceramic layer and a magnetic ceramic layer on a mass production scale.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a multilayer ceramic substrate and a method for manufacturing the same, which can solve the above-described problems.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In short, the present invention enhances the effect of isolation between wiring conductors by forming a magnetic ceramic layer on a multilayer ceramic substrate, and at the same time, reduces the sintering shrinkage between the dielectric green sheet and the magnetic green sheet. The problem caused by the difference in contraction behavior is to be solved by applying a so-called no-shrink process.
[0009]
More specifically, the multilayer ceramic substrate according to the first aspect of the present invention is disposed in contact with a plurality of dielectric ceramic layers including a dielectric ceramic material, and a specific one of these dielectric ceramic layers, and a dielectric A magnetic ceramic material that is thinner than the thickness of the body ceramic layer and that does not sinter at the sintering temperature of the dielectric ceramic material in an unsintered state, and a portion of the material contained in the dielectric ceramic layer is infiltrated; It is characterized by comprising a magnetic ceramic layer and a wiring conductor provided along a specific interface of a laminated structure composed of a dielectric ceramic layer and a magnetic ceramic layer.
[0010]
On the other hand, the multilayer ceramic substrate according to the second aspect of the present invention includes a plurality of dielectric ceramic layers including a dielectric ceramic material, and a magnetic ceramic material that can be sintered at a sintering temperature of the dielectric ceramic material. The magnetic ceramic layer is disposed between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer, and is thinner than the thickness of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer, and each of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material is sintered. An insulation ceramic material that does not sinter at a temperature in an unsintered state, and a part of each material contained in each of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer is infiltrated; and a dielectric A wiring conductor provided along a specific interface of the laminated structure including the ceramic layer, the magnetic ceramic layer, and the shrinkage suppression layer. It is a symptom.
[0011]
In each of the multilayer ceramic substrates according to the first and second aspects described above, a plurality of wiring conductors may be provided along the same interface of the multilayer structure, or different interfaces of the multilayer structure so as to sandwich the magnetic ceramic layer. It may be provided along.
[0012]
The present invention is also directed to a method of manufacturing a multilayer ceramic substrate as described above.
[0013]
A manufacturing method of a multilayer ceramic substrate according to a first aspect includes a plurality of dielectric green sheets including a dielectric ceramic material, and a thickness of the dielectric green sheet, which is disposed in contact with a specific one of these dielectric green sheets. Along a specific interface between a magnetic green sheet and a laminated structure composed of the dielectric green sheet and the magnetic green sheet, including a magnetic ceramic material that is thinner and does not sinter at the sintering temperature of the dielectric ceramic material. It is characterized by comprising a step of preparing a raw composite laminate including a wiring conductor, and a step of firing the raw composite laminate.
[0014]
A manufacturing method of a multilayer ceramic substrate according to a second aspect includes a plurality of dielectric green sheets including a dielectric ceramic material, and a magnetic body including a magnetic ceramic material that can be sintered at a sintering temperature of the dielectric ceramic material. The green sheet is positioned between the dielectric green sheet and the magnetic green sheet, and is thinner than each thickness of the dielectric green sheet and the magnetic green sheet, and each sintering temperature of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material. A wiring conductor provided along a specific interface of a laminate structure comprising a dielectric sheet, a magnetic green sheet, and a shrinkage suppression green sheet containing an insulating ceramic material that does not sinter. A step of preparing a raw composite laminate, and a step of firing the raw composite laminate It is characterized in that to obtain.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a multilayer ceramic substrate 1 according to an embodiment of the present invention.
[0016]
The multilayer ceramic substrate 1 includes a plurality of dielectric ceramic layers 2 containing a dielectric ceramic material. The dielectric ceramic material used here is preferably sinterable at a low temperature for the reason described later. Therefore, the dielectric ceramic material preferably contains crystallized glass or a mixture of glass and ceramic. More specifically, for example, a BaO—Al 2 O 3 —SiO 2 low temperature sintered ceramic material is used as the dielectric ceramic material.
[0017]
The multilayer ceramic substrate 1 also includes a magnetic ceramic layer 3. The magnetic ceramic layer 3 is disposed so as to be in contact with a specific one of the dielectric ceramic layers 2. The magnetic ceramic layer 3 contains a magnetic ceramic material that is not sintered at the sintering temperature of the dielectric ceramic material described above in an unsintered state. As this magnetic ceramic material, for example, a Mn—Zn-ferrite-based magnetic ceramic material or a Ni—Zn-ferrite-based magnetic ceramic material is used.
[0018]
In addition, as a result of firing to obtain the multilayer ceramic substrate 1, a part of the material contained in the dielectric ceramic layer 2 has permeated into the magnetic ceramic layer 3. In order to ensure such penetration, the magnetic ceramic layer 3 is made thinner than the dielectric ceramic layer 2.
[0019]
The multilayer ceramic substrate 1 also includes wiring conductors 4 to 13. These wiring conductors 4 to 13 are formed by baking a conductive paste containing a conductive component such as copper, silver or gold.
[0020]
Of the wiring conductors 4 to 13, the wiring conductors 4 and 5 are provided on the outer surface of the multilayer ceramic substrate 1. Further, the wiring conductors 6 to 13 are provided along a specific interface of the laminated structure composed of the dielectric ceramic layer 2 and the magnetic ceramic layer 3.
[0021]
Among the latter wiring conductors 6 to 13 described above, the wiring conductors 7 to 10 and the wiring conductors 11 to 13 are respectively provided along the same interface of the above-described laminated structure. Moreover, the wiring conductors 6 to 10 and the wiring conductors 11 to 13 are provided along different interfaces of the laminated structure so as to sandwich the magnetic ceramic layer 3.
[0022]
Such a multilayer ceramic substrate 1 is manufactured as follows. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a part of the raw composite laminate 1a that is to be fired to become the multilayer ceramic substrate 1 in an exploded manner.
[0023]
The raw composite laminate 1a includes a plurality of dielectric green sheets 2a. These dielectric green sheets 2a are to become the dielectric ceramic layer 2 by being fired, and each includes a dielectric ceramic material.
[0024]
The raw composite laminate 1a includes a magnetic green sheet 3a. The magnetic green sheet 3a becomes the magnetic ceramic layer 3 by being fired, and is disposed in contact with the specific dielectric green sheet 2a. The magnetic green sheet 3a is thinner than the dielectric green sheet 2a. The magnetic green sheet 3a includes a magnetic ceramic material that does not sinter at the sintering temperature of the dielectric ceramic material included in the dielectric green sheet 2a.
[0025]
Further, the wiring conductors 4 to 13 are formed on each main surface of the specific one of the dielectric green sheets 2a described above or on the main surface of the magnetic green sheet 3a.
[0026]
By stacking such dielectric green sheets 2a and magnetic green sheets 3a, a raw composite laminate 1a is obtained. This raw composite laminate 1a is then fired to obtain the multilayer ceramic substrate 1 shown in FIG.
[0027]
In the firing step described above, the magnetic green sheet 3a acts to suppress shrinkage of the dielectric green sheet 2a. That is, the magnetic green sheet 3a leaves the magnetic ceramic material contained therein in an unsintered state and does not sinter itself, thereby suppressing shrinkage in the main surface direction of the dielectric green sheet 2a. become.
[0028]
Further, since the magnetic green sheet 3a is not sintered in the firing process as described above, it may cause a problem due to a difference in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior with respect to the dielectric green sheet 2a. Therefore, warpage and distortion can be made difficult to occur in the multilayer ceramic substrate 1 after sintering.
[0029]
Moreover, in the obtained multilayer ceramic substrate 1, since the magnetic ceramic layer 3 has the capability to absorb electromagnetic waves, for example, between the wiring conductors 7 to 10 and the wiring conductor located along the same interface. To increase the effect of isolation between the wiring conductors 6 to 10 and the wiring conductors 11 to 13 positioned along the different interfaces so as to sandwich the magnetic ceramic layer 3. Can do.
[0030]
In the multilayer ceramic substrate 1 shown in FIG. 1, the position and number of the magnetic ceramic layers 3 can be appropriately changed.
[0031]
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a part of a multilayer ceramic substrate 21 according to another embodiment of the present invention.
[0032]
The multilayer ceramic substrate 21 includes a plurality of dielectric ceramic layers 22 including a dielectric ceramic material. This dielectric ceramic material is preferably sinterable at a low temperature for the reason described later. Therefore, the same dielectric ceramic material contained in the dielectric ceramic layer 2 shown in FIG. 1 can be used.
[0033]
The multilayer ceramic substrate 21 also includes a magnetic ceramic layer 23 containing a magnetic ceramic material. This magnetic ceramic material is preferably sinterable at a low temperature as in the case of the dielectric ceramic material described above. Further, the sintering start temperature of the magnetic ceramic material is preferably selected within about ± 100 ° C. of the sintering start temperature of the dielectric ceramic material, and is a temperature applied to sinter the dielectric ceramic material. It can be sintered under the conditions. In other words, the magnetic ceramic material and the dielectric ceramic material are sintered together in the simultaneous firing step. Therefore, it is preferable that the magnetic ceramic material is composed of, for example, a mixture of glass and ferrite.
[0034]
The multilayer ceramic substrate 21 also includes a shrinkage suppression layer 24 disposed between the dielectric ceramic layer 22 and the magnetic ceramic layer 23. In this embodiment, the shrinkage suppression layer 24 is also disposed between the dielectric ceramic layers 22 adjacent to each other.
[0035]
The shrinkage suppression layer 24 includes an insulating ceramic material that is not sintered at each sintering temperature of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material described above in an unsintered state. As this insulator ceramic material, for example, alumina or zirconia is advantageously used.
[0036]
Further, in the shrinkage suppression layer 24, as a result of firing to obtain the multilayer ceramic substrate 21, a part of each material included in each of the dielectric ceramic layer 22 and the magnetic ceramic layer 23 in contact with the shrinkage suppression layer 24, In the uppermost shrinkage suppression layer 24, a part of the material contained in the dielectric ceramic layer 22 penetrates. In order to make this permeation more sufficient, the thickness of the shrinkage suppression layer 24 is made thinner than each thickness of the dielectric ceramic layer 22 and the magnetic ceramic layer 23.
[0037]
The multilayer ceramic substrate 21 also includes several wiring conductors 25-36. Among these wiring conductors 25 to 36, the wiring conductors 25 and 26 are provided on the outer surface of the multilayer ceramic substrate 21, and the wiring conductors 27 to 36 are inside the multilayer ceramic substrate 21, and are the dielectric ceramic layer 22. The laminated structure is formed along a specific interface of the magnetic ceramic layer 23 and the shrinkage suppression layer 24.
[0038]
Among the wiring conductors 27 to 36 provided in the above, the wiring conductors 28 to 30, the wiring conductors 31 and 32, the wiring conductors 33 and 34, and the wiring conductors 35 and 36 are respectively the same interface of the above laminated structure. It is provided along. Further, the wiring conductors 27 to 32 and the wiring conductors 33 to 36 are provided along different interfaces of the multilayer structure so as to sandwich the magnetic ceramic layer 23.
[0039]
Also in this embodiment, since the magnetic ceramic layer 23 absorbs electromagnetic waves, for example, between the wiring conductors 28 to 30, between the wiring conductors 31 and 32, between the wiring conductors 33 and 34, and between the wiring conductors 35 and 36. The isolation effect can be increased between the wiring conductors 27 to 32 and the wiring conductors 33 to 36.
[0040]
The multilayer ceramic substrate 21 as described above is manufactured as follows. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a part of the raw composite laminate 21a that becomes the multilayer ceramic substrate 21 by being fired.
[0041]
The raw composite laminate 21a includes a plurality of dielectric green sheets 22a. These dielectric green sheets 22a become the above-described dielectric ceramic layer 22 by being fired, and contain a dielectric ceramic material.
[0042]
The raw composite laminate 21a includes a magnetic green sheet 23a. The magnetic green sheet 23a becomes the above-described magnetic ceramic layer 23 by firing, and includes a magnetic ceramic material that can be sintered at the sintering temperature of the dielectric ceramic material.
[0043]
The raw composite laminate 21a includes a shrinkage-suppressing green sheet 24a. The shrinkage-suppressing green sheet 24a becomes the shrinkage-suppressing layer 24 after the firing step, and includes an insulating ceramic material that does not sinter at each sintering temperature of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material. It is out. The shrinkage-suppressing green sheet 24a is disposed between the dielectric green sheet 22a and the magnetic green sheet 23a or between the adjacent dielectric green sheets 22a. Each thickness of the shrinkage-suppressing green sheet 24a is made thinner than each thickness of the dielectric green sheet 22a and the magnetic green sheet 23a.
[0044]
Further, the above-described wiring conductors 25 to 36 are formed on the specific dielectric green sheet 22a, the magnetic green sheet 23a, or the shrinkage suppressing green sheet 24a.
[0045]
The above-described dielectric green sheet 22a, magnetic green sheet 23a, and shrinkage suppressing green sheet 24a are laminated to obtain a raw composite laminate 21a. This raw composite laminate 21a is then fired, whereby the multilayer ceramic substrate 21 shown in FIG. 3 is obtained.
[0046]
In the firing step described above, the shrinkage-suppressing green sheet 24a leaves the insulating ceramic material contained therein in an unsintered state and does not sinter itself. Therefore, the dielectric green sheet 22a and the magnetic green sheet 23a The shrinkage | contraction in the main surface direction of each is suppressed. Therefore, the difference in the sintering shrinkage rate or the shrinkage behavior between the dielectric green sheet 22a and the magnetic green sheet 23a as described above is first caused by the suppression of the respective shrinkage in this manner. Can be eliminated.
[0047]
Further, since the shrinkage-suppressing green sheet 24a or the shrinkage-suppressing layer 24 that is not sintered is interposed between the dielectric green sheet 22a and the magnetic green sheet 23a, for example, the dielectric green sheet 22a and the magnetic substance Even if a difference in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior occurs with the green sheet 23a, the shrinkage-suppressing green sheet 24a or shrinkage suppression layer 24 advantageously absorbs such a difference in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior. can do.
[0048]
Thus, this embodiment also advantageously avoids problems resulting from differences in sintering shrinkage.
[0049]
In the multilayer ceramic substrate 21 shown in FIG. 3, the stacking order and number of the dielectric ceramic layer 22, the magnetic ceramic layer 23, and the shrinkage suppression layer 24 can be appropriately changed.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the multilayer ceramic substrate according to the present invention, since the magnetic ceramic layer is provided, the isolation effect between the wiring conductors can be enhanced by the electromagnetic wave absorbing action of the magnetic ceramic layer. . Such an isolation effect is caused by the difference in the multilayer structure between a plurality of wiring conductors provided along the same interface of the multilayer structure constituting the multilayer ceramic substrate or by sandwiching the magnetic ceramic layer. It can also work between the wiring conductors provided along the interface.
[0051]
Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the high-frequency characteristics related to the wiring conductor in the multilayer ceramic substrate, and it is easy to deal with high-density wiring.
[0052]
In addition, according to the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the present invention, the firing is performed in a state where the shrinkage suppression effect is exerted by the magnetic green sheet or the shrinkage suppression green sheet. Problems due to differences in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior with the green sheet can be advantageously avoided.
[0053]
Also, when a shrinkage-inhibiting green sheet is placed between the dielectric green sheet and the magnetic green sheet, the difference in sintering shrinkage or shrinkage behavior between the dielectric green sheet and the magnetic green sheet Since the function of absorbing heat can be performed by the shrinkage-suppressing green sheet, problems caused by differences in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior can be avoided more reliably.
[0054]
In addition, when the magnetic green sheet exerts a shrinkage-inhibiting action, the magnetic ceramic material contained therein does not sinter, so that no sintering shrinkage occurs in this magnetic green sheet, and therefore the dielectric green sheet The difference in sintering shrinkage rate or shrinkage behavior between them is not a problem.
[0055]
For this reason, according to the method for manufacturing a multilayer ceramic substrate according to the present invention, a large-scale multilayer ceramic substrate such as an RF module can be manufactured without warping or distortion.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a multilayer ceramic substrate 1 according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded cross-sectional view showing a part of a raw composite laminate 1a prepared for manufacturing the multilayer ceramic substrate 1 shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a sectional view schematically showing a part of a multilayer ceramic substrate 21 according to another embodiment of the present invention.
4 is an exploded sectional view showing a part of a raw composite laminate 21a prepared for manufacturing the multilayer ceramic substrate 21 shown in FIG. 3;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,21 Multilayer ceramic substrate 2,22 Dielectric ceramic layer 3,23 Magnetic ceramic layer 4-13, 25-36 Wiring conductor 24 Shrinkage suppression layer 1a, 21a Raw composite laminated body 2a, 22a Dielectric green sheet 3a, 23a Magnetic green sheet 24a Green sheet for shrinkage suppression

Claims (10)

誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層と、
前記誘電体セラミック層の特定のものに接するように配置され、前記誘電体セラミック層の厚みより薄く、前記誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を未焼結状態で含み、かつ前記誘電体セラミック層に含まれる材料の一部が浸透している、磁性体セラミック層と、
前記誘電体セラミック層および前記磁性体セラミック層からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体と
を備える、多層セラミック基板。
A plurality of dielectric ceramic layers comprising a dielectric ceramic material;
A magnetic ceramic material that is disposed in contact with a specific one of the dielectric ceramic layers and is thinner than the thickness of the dielectric ceramic layers and that does not sinter at the sintering temperature of the dielectric ceramic material is included in an unsintered state. And a part of the material contained in the dielectric ceramic layer is infiltrated, a magnetic ceramic layer,
A multilayer ceramic substrate comprising: a wiring conductor provided along a specific interface of a laminated structure including the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer.
複数の前記配線導体が、前記積層構造物の同じ界面に沿って設けられる、請求項1に記載の多層セラミック基板。The multilayer ceramic substrate according to claim 1, wherein the plurality of wiring conductors are provided along the same interface of the multilayer structure. 複数の前記配線導体が、前記磁性体セラミック層を挟むように前記積層構造物の異なる界面に沿って設けられる、請求項1または2に記載の多層セラミック基板。The multilayer ceramic substrate according to claim 1 or 2, wherein a plurality of the wiring conductors are provided along different interfaces of the multilayer structure so as to sandwich the magnetic ceramic layer. 誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体グリーンシートと、前記誘電体グリーンシートの特定のものに接するように配置され、前記誘電体グリーンシートの厚みより薄く、かつ前記誘電体セラミック材料の焼結温度では焼結しない磁性体セラミック材料を含む、磁性体グリーンシートと、前記誘電体グリーンシートおよび前記磁性体グリーンシートからなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備える、生の複合積層体を用意する工程と、
前記生の複合積層体を焼成する工程と
を備える、多層セラミック基板の製造方法。
A plurality of dielectric green sheets including a dielectric ceramic material, and disposed so as to be in contact with a specific one of the dielectric green sheets, being thinner than the thickness of the dielectric green sheets and sintering the dielectric ceramic material A magnetic green sheet containing a magnetic ceramic material that does not sinter at a temperature; and a wiring conductor provided along a specific interface of the dielectric green sheet and the laminated structure composed of the magnetic green sheet. Preparing a raw composite laminate;
And a step of firing the raw composite laminate.
請求項4に記載の製造方法によって得られた、多層セラミック基板。A multilayer ceramic substrate obtained by the production method according to claim 4. 誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体セラミック層と、
前記誘電体セラミック材料の焼結温度で焼結し得る磁性体セラミック材料を含む、磁性体セラミック層と、
前記誘電体セラミック層と前記磁性体セラミック層との間に配置され、前記誘電体セラミック層および前記磁性体セラミック層の各厚みより薄く、前記誘電体セラミック材料および前記磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を未焼結状態で含み、かつ前記誘電体セラミック層および前記磁性体セラミック層のそれぞれに含まれる各材料の一部が浸透している、収縮抑制層と、
前記誘電体セラミック層、前記磁性体セラミック層および前記収縮抑制層からなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体と
を備える、多層セラミック基板。
A plurality of dielectric ceramic layers comprising a dielectric ceramic material;
A magnetic ceramic layer comprising a magnetic ceramic material that can be sintered at a sintering temperature of the dielectric ceramic material;
Each of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material is disposed between the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer, and is thinner than each thickness of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer. A shrinkage suppression layer comprising an insulating ceramic material that is not sintered at temperature in an unsintered state, and a portion of each of the materials contained in each of the dielectric ceramic layer and the magnetic ceramic layer is infiltrated;
A multilayer ceramic substrate comprising: a wiring conductor provided along a specific interface of a laminated structure including the dielectric ceramic layer, the magnetic ceramic layer, and the shrinkage suppression layer.
複数の前記配線導体が、前記積層構造物の同じ界面に沿って設けられる、請求項6に記載の多層セラミック基板。The multilayer ceramic substrate according to claim 6, wherein the plurality of wiring conductors are provided along the same interface of the multilayer structure. 複数の前記配線導体が、前記磁性体セラミック層を挟むように前記積層構造物の異なる界面に沿って設けられる、請求項6または7に記載の多層セラミック基板。The multilayer ceramic substrate according to claim 6 or 7, wherein the plurality of wiring conductors are provided along different interfaces of the multilayer structure so as to sandwich the magnetic ceramic layer. 誘電体セラミック材料を含む、複数の誘電体グリーンシートと、前記誘電体セラミック材料の焼結温度で焼結し得る磁性体セラミック材料を含む、磁性体グリーンシートと、前記誘電体グリーンシートと前記磁性体グリーンシートとの間に配置され、前記誘電体グリーンシートおよび前記磁性体グリーンシートの各厚みより薄く、かつ前記誘電体セラミック材料および前記磁性体セラミック材料の各焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を含む、収縮抑制用グリーンシートと、前記誘電体グリーンシート、前記磁性体グリーンシートおよび前記収縮抑制用グリーンシートからなる積層構造物の特定の界面に沿って設けられる、配線導体とを備える、生の複合積層体を用意する工程と、
前記生の複合積層体を焼成する工程と
を備える、多層セラミック基板の製造方法。
A plurality of dielectric green sheets including a dielectric ceramic material, a magnetic green sheet including a magnetic ceramic material that can be sintered at a sintering temperature of the dielectric ceramic material, the dielectric green sheet, and the magnetic An insulator that is disposed between the dielectric green sheet and the magnetic green sheet and is not sintered at each sintering temperature of the dielectric ceramic material and the magnetic ceramic material. A shrinkage-suppressing green sheet containing a ceramic material; and a wiring conductor provided along a specific interface of the laminated structure including the dielectric green sheet, the magnetic green sheet, and the shrinkage-suppressing green sheet. Preparing a raw composite laminate,
And a step of firing the raw composite laminate.
請求項9に記載の製造方法によって得られた、多層セラミック基板。A multilayer ceramic substrate obtained by the production method according to claim 9.
JP29937599A 1999-10-21 1999-10-21 Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof Expired - Lifetime JP4332954B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29937599A JP4332954B2 (en) 1999-10-21 1999-10-21 Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29937599A JP4332954B2 (en) 1999-10-21 1999-10-21 Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001119144A JP2001119144A (en) 2001-04-27
JP4332954B2 true JP4332954B2 (en) 2009-09-16

Family

ID=17871759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29937599A Expired - Lifetime JP4332954B2 (en) 1999-10-21 1999-10-21 Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4332954B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4171244B2 (en) * 2002-05-31 2008-10-22 三洋電機株式会社 Magnetic ceramic sintered body and manufacturing method thereof
DE102006000935B4 (en) * 2006-01-05 2016-03-10 Epcos Ag Monolithic ceramic component and method of manufacture
JP5527048B2 (en) * 2010-06-29 2014-06-18 株式会社村田製作所 Ceramic multilayer substrate
KR101504798B1 (en) * 2011-09-05 2015-03-23 삼성전기주식회사 Magnetic substrate, common mode filter, method for manufacturing magnetic substrate and mehtod for manufacturing common mode filter
JP6195479B2 (en) * 2013-06-21 2017-09-13 日本特殊陶業株式会社 Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof
CN106032076B (en) * 2015-03-20 2019-12-20 深圳光启高等理工研究院 Ceramic-based metamaterial and preparation method thereof
CN113845360B (en) * 2021-10-14 2022-08-02 电子科技大学 Coated high-frequency magnetic medium material and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001119144A (en) 2001-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6153290A (en) Multi-layer ceramic substrate and method for producing the same
JP4793447B2 (en) Multilayer ceramic substrate, method for manufacturing the same, and electronic component
US20050126682A1 (en) Monolithic ceramic substrate and method for making the same
JP2011040604A (en) Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
CN104589738A (en) Multilayer ceramic substrate and method for producing the same
JP4332954B2 (en) Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof
JP2010245088A (en) Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component
JP2009196885A (en) Low temperature co-fired ceramic substrate having diffusion barrier layer and method of manufacturing the same
KR101175412B1 (en) Method for the production of laminated ceramic electronic parts
JP3646587B2 (en) Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof
JPH10308584A (en) Ceramic multilayered board and its manufacture
JP4432170B2 (en) Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof
JP2970652B1 (en) Multilayer ceramic component and method of manufacturing the same
KR100956212B1 (en) Manufacturing method of multi-layer substrate
JP2001144438A (en) Multilayer ceramic board and method of production
JPH0795630B2 (en) Composite monolithic ceramic parts
JP4610066B2 (en) Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP2005268391A (en) Glass ceramic board with built-in coil
JP2001196253A (en) Method for manufacturing laminated type electronic component
JP2605306B2 (en) Multilayer circuit board
JP3463689B1 (en) Manufacturing method of laminated electronic components
JPH06283335A (en) Chip inductor and its manufacture
JP3948269B2 (en) Coil parts manufacturing method
JP2004063812A (en) Method of manufacturing multilayer wiring board
JP5046099B2 (en) Manufacturing method of multilayer ceramic substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090602

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090615

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4332954

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703

Year of fee payment: 4

EXPY Cancellation because of completion of term