JP4328641B2 - Semiconductor device - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 120
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
本発明は、撮像機能を有する半導体素子とこの半導体素子が搭載されたパッケージとからなる半導体装置に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor element having an imaging function and a package in which the semiconductor element is mounted.
図12および図13は、従来の撮像機能を有する半導体素子108をパッケージ101に塔載した半導体装置125の構造を示す斜視図および断面図である。
12 and 13 are a perspective view and a cross-sectional view showing a structure of a
従来の半導体装置125の構造は、上面が開放されている矩形の箱形のパッケージ101と、そのパッケージ101中に搭載された半導体素子108と、パッケージ101の上面を閉鎖するガラス板118とからなっている。
The structure of the
パッケージ101は、主剤のエポキシ樹脂、硬化剤のフェノール樹脂、アミン系の硬化促進剤、離型ワックス、カーボンブラック、密着剤、シリカ微粒を混合した充填剤等を所定比で混合した樹脂で形成されている。パッケージ101内には銅合金系やニッケル合金系からなる金属製のリードフレームが一体に組み込まれており、その一方の端はインナーリード106としてパッケージ101内部の底面105上に配置され、他端はパッケージ101の外方に延出したアウターリード107となっている。底面105には、ダイボンド剤112を用いて半導体素子108が実装されている。
The
半導体素子108の主面109(ダイボンド剤112で固着された実装面とは反対側の面)には、中央部分に受光部が形成されており、周辺部分に電極端子110が配置されている。電極端子110は金線等のボンディングワイヤによりインナーリード106と接続されている。
On the main surface 109 (surface opposite to the mounting surface fixed by the die bond agent 112) of the
そして、パッケージ101の上面開口部102はガラス板製の蓋体118によって閉塞され、蓋体118とパッケージ101とはシーリング剤124によって接合されて、半導体素子108はパッケージ101中に気密封止されている(特許文献1参照)。
The upper surface opening 102 of the
なお、このパッケージの形状は、DIP(Dual In-line Package)と呼ばれる形状であり、実装基板への外部端子挿入型である。
前記従来の構成では、パッケージ101の実装形態はDIP等のスルーホール型の大型パッケージであって、このような大型パッケージに適した技術が特許文献1では開示されている。それに対してこれらのパッケージを組み込んだ装置の動向は確実に軽薄短小に向かっており、従って装置内に組み込まれる構成部品も当然小型のものが要望されている。しかしながら現状は必ずしも市場の要望に沿った電子部品の小型薄型化の対応が行われていない。一方、光学的に高平坦なカバーガラス(蓋体118)の使用は、撮像機能型半導体装置125の特性(信号/ノイズ比)やコスト面において改善すべき課題かつ阻害要因であり、撮像機能型半導体装置125に重要な影響を与えている。撮像機能型半導体装置25では小型化、高い信号/ノイズ比の確保、低コスト化が技術開発方針の必須条件であるが、カバーガラスはこれらの条件を満たすことを困難にしている。
In the conventional configuration, the mounting form of the
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小型で且つ低コストである、撮像機能を備えた半導体装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having an imaging function that is small in size and low in cost.
本発明の第1の半導体装置は、撮像機能を有する半導体素子と、前記半導体素子を収容するパッケージとを有する半導体装置であって、前記半導体素子は、矩形の板状であって、一方の面の中央部分に受光部を、当該面の周辺部分に配列された複数の電極端子を備え、前記パッケージは、矩形枠の形状を有する外囲器と、一部分が当該外囲器の内部に埋設されていて前記電極端子と外部との電気的接続を行う複数の金属リードとを有し、前記外囲器は、矩形の開口を囲繞する囲繞壁の一部が当該開口内へ突出した突出部を有し、かつ当該開口内に前記半導体素子を収容し、前記複数の金属リードの一方の端部は前記突出部から前記開口内に突き出して前記電極端子と電気的に接続しており、他方の端部は前記外囲器の外周面から突き出しており、前記半導体素子と前記囲繞壁の突出部との間は樹脂によって塞がれており、前記半導体素子の前記電極端子が配設された面に相対する前記外囲器の開口が防塵膜により塞がれている。 A first semiconductor device of the present invention is a semiconductor device having a semiconductor element having an imaging function and a package for housing the semiconductor element, and the semiconductor element has a rectangular plate shape and has one surface. A light receiving portion at a central portion of the substrate, and a plurality of electrode terminals arranged in a peripheral portion of the surface. The package includes an envelope having a rectangular frame shape, and a portion of the package is embedded in the envelope. And a plurality of metal leads for electrical connection between the electrode terminal and the outside, and the envelope has a protruding portion in which a part of the surrounding wall surrounding the rectangular opening protrudes into the opening. And the semiconductor element is accommodated in the opening, and one end portion of the plurality of metal leads protrudes from the protruding portion into the opening and is electrically connected to the electrode terminal, The end protrudes from the outer peripheral surface of the envelope. The gap between the semiconductor element and the protruding portion of the surrounding wall is blocked by resin, and the opening of the envelope facing the surface on which the electrode terminal of the semiconductor element is disposed is blocked by a dustproof film. It is peeling off.
前記複数の金属リードの前記他方の端は、前記外囲器の外周面から略垂直に突き出しているままである、または略垂直に突き出してさらに略直角に折り曲げられている。 The other ends of the plurality of metal leads are projected substantially perpendicularly from the outer peripheral surface of the envelope, or are projected substantially perpendicularly and are bent at a substantially right angle.
ある好適な実施形態において、前記囲繞壁の開口内への突出部は、第1の突出部と当該第1の突出部よりも突出量の少ない第2の突出部とからなり、前記半導体素子と前記囲繞壁の前記第1の突出部との間は樹脂によって塞がれており、前記半導体素子の前記電極端子が配設された面とは反対側の面は、前記第2の突出部に固定された支持部材によって支持されている。 In a preferred embodiment, the projecting portion into the opening of the surrounding wall includes a first projecting portion and a second projecting portion having a smaller projecting amount than the first projecting portion, and the semiconductor element. A space between the first protruding portion of the surrounding wall is blocked by resin, and a surface of the semiconductor element opposite to the surface on which the electrode terminal is disposed is the second protruding portion. It is supported by a fixed support member.
前記支持部材は、前記半導体素子の前記電極端子が配設された面とは反対側の面と接着剤によって固着されている。 The support member is fixed to the surface of the semiconductor element opposite to the surface on which the electrode terminals are disposed with an adhesive.
本発明の第2の半導体装置は、撮像機能を有する半導体素子と、前記半導体素子を収容するパッケージとを有する半導体装置であって、前記半導体素子は、矩形の板状であって、一方の面の中央部分に受光部を、当該面の周辺部分に配列された複数の電極端子を備え、前記パッケージは、矩形枠の形状を有する外囲器と、一部分が当該外囲器の内部に埋設されていて前記電極端子と外部との電気的接続を行う複数の金属リードとを有し、前記外囲器は、矩形の開口を囲繞する囲繞壁の一部が当該開口内へ突出した突出部を有して、かつ当該開口内に前記半導体素子を収容し、前記複数の金属リードの一方の端部は前記突出部において前記開口内に露出して前記電極端子と電気的に接続しており、他方の端部は前記外囲器の外周表面に露出しており、前記半導体素子と前記囲繞壁の突出部との間は樹脂によって塞がれており、前記半導体素子の前記電極端子が配設された面に相対する前記外囲器の開口が防塵膜により塞がれている。 A second semiconductor device of the present invention is a semiconductor device having a semiconductor element having an imaging function and a package for housing the semiconductor element, and the semiconductor element has a rectangular plate shape and has one surface. A light receiving portion at a central portion of the substrate, and a plurality of electrode terminals arranged in a peripheral portion of the surface. The package includes an envelope having a rectangular frame shape, and a portion of the package is embedded in the envelope. And a plurality of metal leads for electrical connection between the electrode terminal and the outside, and the envelope has a protruding portion in which a part of the surrounding wall surrounding the rectangular opening protrudes into the opening. And the semiconductor element is accommodated in the opening, and one end of the plurality of metal leads is exposed in the opening at the protruding portion and is electrically connected to the electrode terminal, The other end is exposed on the outer peripheral surface of the envelope. The gap between the semiconductor element and the protruding portion of the surrounding wall is blocked by resin, and the opening of the envelope facing the surface on which the electrode terminal of the semiconductor element is disposed is formed by a dust-proof film. It is blocked.
前記外囲器には、位置決め用のガイド穴が少なくとも1つ設けられていることが好ましい。 The envelope is preferably provided with at least one guide hole for positioning.
ある好適な実施形態において、前記防塵膜と前記半導体素子との間に光学フィルタあるいはレンズを設けている。 In a preferred embodiment, an optical filter or a lens is provided between the dust-proof film and the semiconductor element.
パッケージを矩形枠の形状にして底面を取り除いているので、小型軽量の半導体装置とすることができる。そして、カバーガラスを使用せずに防塵膜を設けているので、光学特性に優れた半導体装置とすることができる。また、低コストで製造できる半導体装置とすることができる。 Since the package has a rectangular frame shape and the bottom surface is removed, a small and lightweight semiconductor device can be obtained. Since the dust-proof film is provided without using the cover glass, a semiconductor device having excellent optical characteristics can be obtained. Further, the semiconductor device can be manufactured at low cost.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、実質的に同じ機能を有する部材は同じ符号を付して説明をする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the member which has the substantially same function attaches | subjects and demonstrates the same code | symbol.
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における半導体装置25の斜視図であり、図2は図1のA−A’線断面図である。本実施形態の説明は熱硬化型樹脂で形成されるパッケージ1を用いた場合を例にして説明する。なお、図1においては説明をし易いように半導体装置25の上面に設けられている防塵膜26を省略している。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view of a
パッケージ1は、矩形枠の形状を有する外囲器19と複数の金属リード31とを有している。外囲器19は矩形の内部に貫通して設けられた開口部2を備え、開口部2の大きさは撮像機能型半導体素子8の収納と組立作業が可能な程度に設計されている。そして、開口部2の周囲は外囲器19で囲まれて、この囲んでいる外囲器19の内壁が囲繞壁である。
The
外囲器19は、ともに矩形枠状の外囲器上部3と外囲器下部4を備えており、外囲器上部3と外囲器下部4とでは、外囲器上部3の方が外囲器下部4よりもその内壁(囲繞壁)が開口内に突き出していて突出部5を形成している。
The
金属リード31は、その長手方向の中央部分が外囲器19内に埋め込まれていて、その一方の端部は開口内に突きだしてインナーリード6となり、他方の端部は外囲器19の外周面14から外方に突き出してアウターリード7となっている。アウターリード7は外部の基板に取り付けられて電気的に接続される。インナーリード6は突出部5から開口内に突き出しており、図面ではインナーリード6の下面と突出部5の下面とが略面一になっており、インナーリード6の下面は開口内に露出している。一方アウターリード7は外囲器19外周面14から略垂直に突き出してすぐに下方に直角に曲げられ、さらに外囲器19の下面近辺で外囲器19から離れるように直角に曲げられている。これにより、基板に直接半田付けをして面実装できる。
The
そして外囲器19上面には、対象とするモジュール系とパッケージ1を精度良く接続するために、位置関係を規制する3個の位置決め用のガイド穴16を備えている。
The top surface of the
撮像機能を有する半導体素子8は矩形の薄板形状を有しており、その一方の面(主面9)の中央部分には受光部が設けられている。また、主面9の周辺部分には、複数の電極端子10が各辺に一列ずつ配置されている。
The
半導体素子8とパッケージ1の開口とは略同じ大きさの矩形であって、半導体素子8はパッケージ1の開口内に収容されて、各電極端子10と各インナーリード6とが電気的に接続される。この接続は、電極端子10の上に形成された金属突起11とインナーリード6の下面とが精度良く位置合せされてフリップチップボンディングによって行われる。金属突起11の形成はメッキや印刷であっても構わない。
The
そして外囲器19内壁(囲繞壁)と半導体素子8側面及び突出部5と半導体素子8の主面9周辺との間に生じた微小間隙に熱硬化型アンダーフィルとしての液状の樹脂15を充填し加熱硬化を行って、インナーリード6と半導体素子8との間の機械的接続強度を強化するとともに半導体素子8と突出部5との間を塞いでパッケージ1の下面開口部から侵入する塵埃が半導体素子8の主面9側に到達することを防止する。
Then, a
最後に、撮像機能型半導体素子8に求められる寸法の検査と半導体素子8上及びその周辺の塵埃を除去した後、外囲器19の上面17の開口部2を覆うように下面に弱粘着性糊を備えた防塵膜26を貼り付けて本実施形態の半導体装置が完成する。なお、この半導体装置は、基板等に組み込む直前に防塵膜26を剥がして使用する。
Finally, after inspection of the dimensions required for the imaging function
以上の構成と方法により、小型で高性能、安価な撮像機能を有する半導体装置が実現できる。ガラスレス化により、小型化、薄型化、ガラスでの入射光の吸収防止、ガラス表裏面での反射光によるフレア防止、部品材料コストの削減、半導体素子面上の塵埃の除去容易性等が実現できる。また、ガイド穴16を形成することでセットとの組み立て精度の向上を図ることができる。なお、このガイド穴16は少なくとも一つあればよい。
With the above configuration and method, a small-sized semiconductor device having high performance and an inexpensive imaging function can be realized. Realization of glassless size, thickness reduction, prevention of incident light absorption by glass, flare prevention by reflected light on glass front and back, reduction of component material cost, easy removal of dust on semiconductor element surface, etc. it can. Further, by forming the
また、これらの部品の小型化、薄型化は取り付けるセットを小型化できるという効果も得られる。パッケージ1材料に熱硬化型樹脂をもちいて説明したが、これに限定されるものではない。
In addition, the miniaturization and thinning of these components also provide the effect that the set to be attached can be miniaturized. Although the thermosetting resin has been described as the material of the
なお、本実施の形態としてパッケージ1の外形にクワッド型を用いて説明したが、デュアルインライン型、ノンリード型、を用いても良い。また、アンダーフィル材として液状樹脂を用いて説明したが半硬化型のシート状樹脂を用いても構わない。
Although the quad type is used for the outer shape of the
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2における半導体装置25の斜視図であり、図4は図2のB−B’線断面図である。本実施形態の説明は熱硬化型樹脂で形成されるパッケージ1を用いた場合を例にして説明する。なお、本実施形態は実施の形態1とは、ガイド穴を形成せず支持部材13を取り付けている点が異なっているので、異なっている点について説明をする。なお、図3においては説明をし易いように半導体装置25の上面に設けられている防塵膜26を省略している。
(Embodiment 2)
3 is a perspective view of the
本実施形態では外囲器上部3に第1の突出部35が形成されており、外囲器下部4にも第1の突出部35よりも開口内への突出量が少ない第2の突出部45が形成されている。また、実施の形態1とは異なり、外囲器19の上面にはガイド穴は設けられていない。
In the present embodiment, the
そして外囲器19内壁(囲繞壁)と半導体素子8側面及び第1の突出部35と半導体素子8の主面9周辺との間に生じた微小間隙に熱硬化型アンダーフィルとしての液状の樹脂15を充填し加熱硬化を行って、インナーリード6と半導体素子8との間の機械的接続強度を強化する。
Then, a liquid resin as a thermosetting underfill is formed in the minute gap formed between the inner wall (enclosure wall) of the
また、第2の突出部45にはシート状の支持部材13の端部が固定されている。そしてこの支持部材13は半導体素子8の下面を支持している。半導体素子8の下面には接着剤12が塗布されており、半導体素子8と支持部材13とが固着されている。この支持部材13には、金属やガラス等のような無機材質や、樹脂成形物、又はガラスエポキシ基板、金属膜を備えるフレキシブルなシート等を用いることができる。
Further, the end of the sheet-
なお半導体素子8下面と支持部材13上面との間の固着及び第2の突出部45と支持部材13との固定は、前者を先に処理しても、両者を同時に処理してもどちらでも構わない。
The fixing between the lower surface of the
以上の構成と方法により、小型で高性能、安価な撮像機能を有する半導体装置25が実現できる。ガラスレス化により、小型化、薄型化、ガラスでの入射光の吸収防止、ガラス表裏面での反射光によるフレア防止、部品材料コストの削減、半導体素子面上の塵埃の除去容易性等が実現できる。また、半導体素子8の下側に金属膜等を有する支持台13を設けることで、半導体素子8の下面側から侵入する水分の阻止、およびパッケージ1の熱抵抗が下がることによって高電力半導体素子の搭載が可能になる。
With the above configuration and method, the
なお、実施の形態1および2ではパッケージ1のアウターリード7形成の説明に外囲器下部4側面に沿って下方に曲げられ、先端部近傍は基板実装が可能になる形状に成形されることを述べているが、図7(a)、図7(b)、図7(c)に示すように実装形態に合わせて外囲器下部4側面に沿って下方に曲げられ、先端部近傍は基板実装が可能になる形状に成形される仕上げや、外囲器上部3側面に沿って上方に曲げられ、先端部近傍は基板実装が可能になる形状に成形される仕上げや、外囲器19側面から折り曲げられずにそのまま延在し所定の長さで切断する仕上げであっても良い。
In the first and second embodiments, the
実施の形態1および2は、パッケージの外囲器上部3の外形寸法が外囲器下部4の外形寸法よりも大きい半導体装置25であったが、図8(a)から図8(c)に示すようにパッケージ1の外囲器上部3の外形寸法が外囲器下部4の外形寸法よりも小さくても、または同じであっても構わない。
In the first and second embodiments, the
また、実施の形態1、2で図9に示すように段差部5より上方の開口部2に光学フィルター18を装着することで、全体の厚みを小さくすることができ小型高密度の半導体装置25が実現できる。光学フィルター18の代わりにレンズ等の光学部品を装着しても同じことが言える。さらに、半導体装置25形成時に光学調整を施すことで半導体装置25を組み込んだセットの組み立て工数を削減することが出来る。
Further, as shown in FIG. 9 in the first and second embodiments, the entire thickness can be reduced by mounting the
(実施の形態3)
図5(a)は本発明の実施の形態3における半導体装置25の上面側から見た斜視図であり、図5(b)は下面側から見た斜視図であり、図6は図5(a)のC−C’線断面図である。本実施形態の説明は熱硬化型樹脂で形成されるパッケージ1を用いた場合を例にして説明する。
(Embodiment 3)
FIG. 5A is a perspective view seen from the upper surface side of the
パッケージ1は樹脂製の外囲器19と、外囲器19の中に一部が埋設されている複数の金属リード31とを有している。
The
本実施形態の複数の金属リード31は、銅、ニッケル、鉄を母材とする合金材料からなる金属板を打抜き及び押出し加工を施して得る。各金属リード31はインナーリード6とアウターリード7とを有しており、各インナーリード6の先端は本発明のパッケージ1が備える矩形の開口部2の輪郭に位置するように周辺部分に一列に配置されて並べられている。
The plurality of metal leads 31 of this embodiment are obtained by punching and extruding a metal plate made of an alloy material having copper, nickel, and iron as a base material. Each
金属リード31を有するパッケージ1は、外囲器19の内部に開口部2を備え、開口部2の大きさは撮像機能を有する半導体素子8の収納と組立作業が可能な程度に設計され、開口部2の周囲は外囲器19で囲まれる構造となっている。
The
外囲器19は、ともに矩形枠状の外囲器上部3と外囲器下部4を備えており、外囲器上部3と外囲器下部4とでは、外囲器上部3の方が外囲器下部4よりもその内壁(囲繞壁)が開口内に突き出していて突出部5を形成している。
The
金属リード31は、その長手方向の中央部分が外囲器19内に埋め込まれていて、その一方の端部は突出部5の下面部分と略面一となって開口内に露出したインナーリード6となっており、他方の端部は外囲器19の外周面と略面一となって露出したアウターリード7となっている。アウターリード7は外部の基板に取り付けられて電気的に接続される。これにより、基板に面実装できる。また、インナーリード6やアウターリード7の露出表面は金やパラジウムで外装メッキが施されている。
The
そして外囲器19上面には対象とするモジュール系とパッケージ1を精度良く接続するために位置関係を規制する3個のガイド穴16を備えている。
The upper surface of the
撮像機能を有する半導体素子8は矩形の薄板形状を有しており、その一方の面(主面9)の中央部分には受光部が設けられている。また、主面9の周辺部分には、複数の電極端子10が各辺に一列ずつ配置されている。
The
半導体素子8とパッケージ1の開口とは略同じ大きさの矩形であって、半導体素子8はパッケージ1の開口内に収容されて、各電極端子10と各インナーリード6とが電気的に接続される。この接続は、電極端子10の上に形成された金属突起11とインナーリード6の下面とが精度良く位置合せされてフリップチップボンディングによって行われる。金属突起11の形成はメッキや印刷であっても構わない。
The
それから外囲器19内壁(囲繞壁)と半導体素子8側面及び突出部5と半導体素子8の主面9周辺との間に生じた微小間隙に熱硬化型アンダーフィルとしての液状の樹脂15を充填し加熱硬化を行って、インナーリード6と半導体素子8との間の機械的接続強度を強化するとともに半導体素子8と突出部5との間を塞いでパッケージ1の下面開口部から侵入する塵埃が半導体素子8の主面9側に到達することを防止する。
Then, a
最後に、撮像機能型半導体素子8に求められる寸法の検査と半導体素子8上及びその周辺の塵埃を除去した後、外囲器19の上面17の開口部2を覆うように下面に弱粘着性糊を備えた防塵膜26を貼り付けて本実施形態の半導体装置が完成する。なお、この半導体装置は、基板等に組み込む直前に防塵膜26を剥がして使用する。
Finally, after inspection of the dimensions required for the imaging function
以上の構成と方法により、さらに薄型構造の撮像機能を有する半導体装置25が実現できる。ガラスレス化により、小型化、薄型化、ガラスでの入射光の吸収防止、ガラス表裏面での反射光によるフレア防止、部品材料コストの削減、半導体素子面上の塵埃の除去容易性等が実現できる。
With the above configuration and method, the
パッケージ1材料に熱硬化型樹脂をもちいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
Although the thermosetting resin was used for the material of the
なお、本実施の形態としてパッケージ1の外形にLGA型を用いて説明したがSON型、BGA型を用いても良い。また、アンダーフィル材として液状樹脂を用いて説明したが半硬化型のシート状樹脂であっても構わない。
Although the LGA type is used for the outer shape of the
さらに、図10に示すように、パッケージ1において外囲器19下面に露出しているアウターリード7が外囲器19下面の最外周に達していないと、パッケージ1を個片化する際の仕上がり品質が向上するので好ましい。
Furthermore, as shown in FIG. 10, if the outer leads 7 exposed on the lower surface of the
そして、パッケージ1を系に組む際に外形の基準部として使用する外囲器19上面周辺部に図11に示す所定の大きさの段差55があると一層高精度に組み上げられるため好ましい。
When the
以上説明したように、本発明に係る半導体装置は、低コストで小型に製造することができ、撮像機能を有した半導体素子を搭載した半導体装置として有用である。 As described above, the semiconductor device according to the present invention can be manufactured at a low cost and in a small size, and is useful as a semiconductor device on which a semiconductor element having an imaging function is mounted.
1 パッケージ
2 開口部
5 突出部
6 インナーリード
7 アウターリード
8 半導体素子
9 主面
10 電極端子
12 接着剤
13 支持部材
14 外周壁
15 樹脂
16 ガイド穴
18 光学フィルター
19 外囲器
25 半導体装置
26 防塵膜
35 第1の突出部
45 第2の突出部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記半導体素子を収容するパッケージと
を有する半導体装置であって、
前記半導体素子は、矩形の板状であって、一方の面の中央部分に受光部を、当該面の周辺部分に配列された複数の電極端子を備え、
前記パッケージは、矩形枠の形状を有する外囲器と、一部分が当該外囲器の内部に埋設されていて前記電極端子と外部との電気的接続を行う複数の金属リードとを有し、
前記外囲器は、矩形の開口を囲繞する囲繞壁の一部が当該開口内へ突出した突出部を有し、かつ当該開口内に前記半導体素子を収容し、
前記複数の金属リードの一方の端部は前記突出部から前記開口内に突き出して前記電極端子と電気的に接続しており、他方の端部は前記外囲器の外周面から突き出しており、
前記半導体素子と前記囲繞壁の突出部との間は樹脂によって塞がれており、
前記半導体素子の前記電極端子が配設された面に相対する前記外囲器の開口が防塵膜により塞がれており、
前記囲繞壁の開口内への突出部は、第1の突出部と当該第1の突出部よりも突出量の少ない第2の突出部とからなり、
前記半導体素子と前記囲繞壁の前記第1の突出部との間は樹脂によって塞がれており、
前記半導体素子の前記電極端子が配設された面とは反対側の面は、前記第2の突出部に固定された支持部材によって支持されている、半導体装置。 A semiconductor element having an imaging function;
A package containing the semiconductor element;
A semiconductor device comprising:
The semiconductor element has a rectangular plate shape, and includes a light receiving portion in a central portion of one surface and a plurality of electrode terminals arranged in a peripheral portion of the surface,
The package includes an envelope having a rectangular frame shape, and a plurality of metal leads that are partly embedded in the envelope and electrically connect the electrode terminal and the outside.
The envelope has a protruding portion in which a part of the surrounding wall surrounding the rectangular opening protrudes into the opening, and the semiconductor element is accommodated in the opening,
One end of the plurality of metal leads protrudes from the protrusion into the opening and is electrically connected to the electrode terminal, and the other end protrudes from the outer peripheral surface of the envelope,
Between the semiconductor element and the protruding portion of the surrounding wall is blocked by resin,
The opening of the envelope facing the surface on which the electrode terminal of the semiconductor element is disposed is closed by a dust-proof film,
The projecting portion into the opening of the surrounding wall is composed of a first projecting portion and a second projecting portion having a smaller projecting amount than the first projecting portion,
Between the semiconductor element and the first projecting portion of the surrounding wall is blocked by resin,
Wherein the surface opposite to the electrode terminals disposed to face the semiconductor element is supported by a supporting member fixed to the second protrusion, the semi-conductor device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005235975A JP2005235975A (en) | 2005-09-02 |
JP4328641B2 true JP4328641B2 (en) | 2009-09-09 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4328641B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4921286B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-04-25 | キヤノン株式会社 | Imaging device and photoelectric conversion element package holding unit |
JP6329065B2 (en) * | 2014-12-25 | 2018-05-23 | 京セラ株式会社 | Electronic device mounting substrate and electronic device |
JP6493589B2 (en) * | 2018-03-26 | 2019-04-03 | セイコーエプソン株式会社 | Package, electronic device, moving body, and manufacturing method of package |
-
2004
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Publication number | Publication date |
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JP2005235975A (en) | 2005-09-02 |
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