JP2009111334A - Optical device and method of manufacturing the same, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve heat radiation efficiency of a control circuit on an optical element and heat radiation efficiency of the whole optical element in an optical device. <P>SOLUTION: The optical device includes: a base 3 including a lead 1 which has a through-hole 7 in a center, is formed by an inner lead 1A extending from the center toward a peripheral edge and an outer lead 1B connected to the inner lead 1A and extending downward, and has an L-shaped cross-section, and a resin 2; and an optical element 4 which is provided under the base 3 so as to correspond to the through-hole 7. Electrode pads of the optical element 4 are connected to the leads 1 of the base 3 through bumps 6, respectively. The resin 2 is formed so as to cover respective inner ends Z<SB>1A</SB>of the leads 1 and respective front surfaces X<SB>1A</SB>of the inner leads 1A and to fill a gap between adjacent leads 1, and respective outer ends Z<SB>1B</SB>of the leads 1 and respective front surfaces X<SB>1B</SB>of the outer leads 1B are exposed. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光を発光または受光する光学素子を搭載する光学デバイスおよびその製造方法、並びにその光学デバイスを搭載したカメラモジュールに関する。   The present invention relates to an optical device including an optical element that emits or receives light, a manufacturing method thereof, and a camera module including the optical device.

近年、半導体デバイスの高機能化により、半導体デバイスでの発熱量も増加してきており、半導体デバイスの放熱効率の改善が大きな課題となってきている。とりわけ光学デバイスにおいては、光学素子の上方に光路を確保する必要があり、光学素子の上方に放熱部材を配置することができず、そのため、その他の半導体デバイスと比較して、放熱効率という面で不利な構造を取らざるを得ない。   In recent years, the amount of heat generated in a semiconductor device has increased due to the higher functionality of the semiconductor device, and improvement of the heat dissipation efficiency of the semiconductor device has become a major issue. In particular, in an optical device, it is necessary to secure an optical path above the optical element, and a heat dissipation member cannot be disposed above the optical element. Therefore, compared with other semiconductor devices, in terms of heat dissipation efficiency. I have to take a disadvantageous structure.

例えばイメージセンサデバイスにおいては、シリコンからなるチップ中央部に受光素子を配置し、チップ周辺部に制御回路を配置し、その制御回路の上部、または上部および外側に電極パッドを配置することが多い。そして、セラミックまたは樹脂等からなる断面形状が凹状の基台に、ペースト材またはテープ等を介して、素子形成面を表面側にチップを搭載し、細長い金線等を用いてチップ上の電極パッドと基台内部の電極とを接続し、ガラス等の透明部材を用いて基台の凹部を塞ぐ構造を採用することが多い。このとき、透明部材がチップ表面と接触しないように基台の凹部を塞ぐことが一般的である。   For example, in an image sensor device, in many cases, a light receiving element is arranged at the center of a chip made of silicon, a control circuit is arranged at the periphery of the chip, and an electrode pad is arranged above or on the outside of the control circuit. Then, a chip is mounted on the surface side of the element forming surface on a base having a concave cross section made of ceramic or resin or the like, via a paste material or tape, and an electrode pad on the chip using an elongated gold wire or the like In many cases, a structure is used in which the electrode inside the base is connected and the concave portion of the base is closed using a transparent member such as glass. At this time, it is common to close the recess of the base so that the transparent member does not contact the chip surface.

このようなイメージセンサデバイスでの主な放熱経路は、制御回路での発熱がチップ中を通ってチップ裏面に伝導し、ペースト材またはテープ等を介して基台に伝導し、基台を介してイメージセンサデバイス外部に伝導する。そして、イメージセンサデバイス外部に伝導された熱は、主にイメージセンサデバイスの実装部、またはイメージセンサデバイスに設けられた放熱板等を介して放熱される。   The main heat dissipation path in such an image sensor device is that heat generated in the control circuit is conducted through the chip to the back of the chip, and is conducted to the base via a paste material or tape, etc. Conducted outside the image sensor device. The heat conducted to the outside of the image sensor device is radiated mainly through a mounting portion of the image sensor device or a heat radiating plate provided in the image sensor device.

ところが、近年、制御回路での発熱量が増大してきており、上記の放熱経路だけでは制御回路での発熱を十分に放熱させることができず、制御回路領域が局所的に高い温度になり、制御回路が正常な動作をしなくなったり破壊したりするという懸念が認識されてきている。   However, in recent years, the amount of heat generated in the control circuit has increased, and the heat generation in the control circuit cannot be sufficiently dissipated with the above heat dissipation path alone, and the control circuit area becomes locally high in temperature. Concerns have been recognized that circuits will not operate properly or may be destroyed.

この対策の1つの方法としては次のようなものがある。制御回路に近接する電極パッドを、細長い金線を用いるのではなく、バンプを用いて基台内部の電極に接続し、熱伝導効率の高いバンプおよびリード等を介した放熱経路を確保するものである。この種の光学デバイスの一例を図12に示す。図12は、従来技術の光学デバイスの構造について示す断面図である。   One method for this countermeasure is as follows. Instead of using a long and thin gold wire, the electrode pad close to the control circuit is connected to the electrode inside the base using bumps, and a heat dissipation path is ensured via bumps and leads with high heat conduction efficiency. is there. An example of this type of optical device is shown in FIG. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional optical device.

図12に示す光学デバイスは、主要な構成要素として、外端に外部端子201tを有するリード201(詳細には、リードは、インナーリードとアウターリードとからなる)が樹脂202中に封止され、且つ中央に貫通孔207が設けられた基台203と、中央に光検知領域205を有する光学素子(イメージセンサチップ)204とを含む。光学素子204上の電極パッドと基台203のインナーリードとは、バンプ206を介して接続されている。インナーリードは、図12に示すように、中央から周縁に向かって伸びるように形成され、その裏面のうちバンプ206との接触領域が露出するように樹脂202中に封止されている。一方、アウターリードは、図12に示すように、インナーリードに接続され下方に突出するように形成されており、アウターリード上には樹脂は形成されていない。光学素子204の光検知領域205の外側には制御回路(図示せず)および電極パッドが配置されている。光学素子204の周縁には、遮光膜208が形成されており、遮光膜208により、光学素子204の裏面側から不要な光線が進入することを防止すると共に、ダスト等が進入して光学素子204の表面に付着することを防止する。このように、光学素子204上の制御回路での局所発熱に対しては、制御回路に近接する電極パッドからバンプ206を介してリード201に伝導する効率の良い放熱経路が確保されている(例えば特許文献1参照)。
特願平9−507469
In the optical device shown in FIG. 12, as a main component, a lead 201 having an external terminal 201t at the outer end (specifically, a lead is composed of an inner lead and an outer lead) is sealed in a resin 202. In addition, a base 203 having a through-hole 207 in the center and an optical element (image sensor chip) 204 having a light detection region 205 in the center are included. The electrode pads on the optical element 204 and the inner leads of the base 203 are connected via bumps 206. As shown in FIG. 12, the inner lead is formed so as to extend from the center toward the periphery, and is sealed in the resin 202 so that the contact area with the bump 206 on the back surface is exposed. On the other hand, as shown in FIG. 12, the outer lead is formed so as to be connected to the inner lead and protrude downward, and no resin is formed on the outer lead. A control circuit (not shown) and electrode pads are disposed outside the light detection region 205 of the optical element 204. A light shielding film 208 is formed on the periphery of the optical element 204. The light shielding film 208 prevents unnecessary light from entering from the back side of the optical element 204, and dust and the like enter the optical element 204. To adhere to the surface of the. As described above, an efficient heat dissipation path is secured for local heat generation in the control circuit on the optical element 204 from the electrode pad adjacent to the control circuit to the lead 201 via the bump 206 (for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Application No. 9-507469

しかしながら、従来技術の光学デバイスでは、以下に示す問題がある。   However, the conventional optical device has the following problems.

従来技術の光学デバイスでは、図12に示すように、光学素子204の裏面の大部分が空気と接する構造であり、光学素子204が他の部材と接触する領域が殆どなく、他の部材との接触領域を利用して光学素子全体での発熱を放熱する放熱経路を十分に確保することができず、光学素子全体の放熱効率の悪化を招くという問題がある。   In the prior art optical device, as shown in FIG. 12, most of the back surface of the optical element 204 is in contact with air, and there is almost no area where the optical element 204 is in contact with other members. There is a problem in that a sufficient heat dissipation path for radiating heat generated by the entire optical element cannot be ensured using the contact area, resulting in deterioration of the heat dissipation efficiency of the entire optical element.

また、上記の問題と同様の問題が、上記の光学デバイスと同様な構造を持つ半導体素子が搭載された中空タイプの半導体デバイスにおいても存在する。すなわち、中空タイプの半導体デバイスでは、半導体素子の裏面の大部分が空気と接する構造であり、半導体素子が他の部材と接触する領域が殆どなく、他の部材との接触領域を利用して半導体素子全体での発熱を放熱する放熱経路を十分に確保することができず、半導体素子全体の放熱効率の悪化を招くという問題がある。   A problem similar to the above problem also exists in a hollow type semiconductor device in which a semiconductor element having a structure similar to that of the above optical device is mounted. In other words, in the hollow type semiconductor device, most of the back surface of the semiconductor element is in contact with air, and there is almost no area where the semiconductor element contacts other members, and the semiconductor using the contact area with other members is used. There is a problem in that a sufficient heat dissipation path for dissipating the heat generated in the entire element cannot be secured, resulting in deterioration of the heat dissipation efficiency of the entire semiconductor element.

前記に鑑み、本発明は、光学デバイスにおいて、光学素子上の制御回路の放熱効率だけでなく、光学素子全体の放熱効率も改善することを第1の目的とし、半導体デバイスにおいて、半導体素子全体の放熱効率を改善することを第2の目的とする。   In view of the above, the first object of the present invention is to improve not only the heat dissipation efficiency of the control circuit on the optical element but also the heat dissipation efficiency of the entire optical element in the optical device. The second object is to improve the heat dissipation efficiency.

前記第1の目的を達成するために、本発明に係る光学デバイスは、中央に貫通孔が設けられ、中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台と、基台の下方に貫通孔と対応するように配置される光学素子とを備え、光学素子の電極パッドと基台のリードとはバンプを介して接続されており、リードの内端及びインナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように樹脂が形成されて、リードの外端、およびアウターリードの表面が露出されていることを特徴とし、光学素子の裏面に配置される薄板体をさらに備えていることが好ましい。   In order to achieve the first object, an optical device according to the present invention includes a through hole provided in the center, an inner lead extending from the center toward the periphery, and an outer lead connected to the inner lead and extending downward. A cross section having an L-shaped lead; a base including a resin; and an optical element disposed below the base so as to correspond to the through hole; and an electrode pad of the optical element and a lead of the base; Are connected via bumps, and the resin is formed so as to cover the inner end of the lead and the surface of the inner lead, and to embed between adjacent leads, and the outer end of the lead and the surface of the outer lead It is preferable to further include a thin plate member that is exposed and is disposed on the back surface of the optical element.

本発明に係る光学デバイスによると、光学素子の裏面に薄板体を配置することにより、光学素子から薄板体に伝導する放熱経路を確保でき、他の部材、すなわち薄板体との接触領域を利用して光学素子全体の放熱効率を改善することができる。   According to the optical device of the present invention, by disposing the thin plate on the back surface of the optical element, a heat dissipation path can be secured from the optical element to the thin plate, and the contact area with other members, that is, the thin plate can be utilized. Thus, the heat dissipation efficiency of the entire optical element can be improved.

加えて、従来技術のようにアウターリード全面に樹脂を形成せずに露出させるのではなく、互いに隣り合うアウターリード間を埋め込むように樹脂を形成しアウターリードの外端、表面及び裏面を露出させることにより、既存の周辺部のみに端子を持つ表面実装タイプの光学デバイスと互換性のある光学デバイスを実現することができる。そのため、例えば、本光学デバイスを、既存のカメラモジュールを構成する光学デバイスと置換して適用することができる。   In addition, instead of exposing the entire outer lead without forming resin as in the prior art, resin is formed so as to embed between adjacent outer leads to expose the outer end, front surface and back surface of the outer lead. Accordingly, it is possible to realize an optical device compatible with a surface-mounting type optical device having a terminal only in an existing peripheral portion. Therefore, for example, the present optical device can be applied by being replaced with an optical device constituting an existing camera module.

また、光学素子から熱伝導効率の高い金属を介して外部端子までの効率のよい放熱経路が形成される。特に、リードと電極パッドとの間にバンプを設けることにより、従来のように細長い金線を設けた場合と比較して、熱伝導効率を向上させることができる。また、インナーリードの表面を樹脂で覆うことにより、本光学デバイスを用いてカメラモジュールを構成した場合でも、インナーリードの表面での不要な反射を防ぐことができ、必要な光線のみを光検知領域に到達させることができる。   Further, an efficient heat dissipation path from the optical element to the external terminal through the metal having high heat conduction efficiency is formed. In particular, by providing a bump between the lead and the electrode pad, the heat conduction efficiency can be improved as compared with the case where a long and thin gold wire is provided as in the prior art. Also, by covering the surface of the inner lead with resin, even when a camera module is configured using this optical device, unnecessary reflection on the surface of the inner lead can be prevented, and only the necessary light beam is detected in the light detection area. Can be reached.

本発明に係る光学デバイスにおいて、薄板体は、熱伝導効率の高い材料からなることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, the thin plate member is preferably made of a material having high heat conduction efficiency.

本発明に係る光学デバイスにおいて、光学素子と薄板体との間には、接合部材が介在されていることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, it is preferable that a bonding member is interposed between the optical element and the thin plate member.

本発明に係る光学デバイスにおいて、基台の貫通孔内に配置された透明部材をさらに備え、透明部材と薄板体とによって、基台に配置された光学素子が密封されていることが好ましい。   The optical device according to the present invention preferably further comprises a transparent member disposed in the through hole of the base, and the optical element disposed on the base is sealed by the transparent member and the thin plate member.

このようにすると、基台の貫通孔内に配置された透明部材と、基台の下方に光学素子を挟んで配置された薄板体とによって、基台は密封されるため、外部から進入するダストおよび水分等の付着による光学デバイスの不良を防ぐことができる。   In this case, since the base is sealed by the transparent member arranged in the through hole of the base and the thin plate body arranged with the optical element sandwiched below the base, dust entering from the outside In addition, it is possible to prevent defects in the optical device due to adhesion of moisture and the like.

本発明に係る光学デバイスにおいて、透明部材と基台との間には、接着剤が介在されていることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, an adhesive is preferably interposed between the transparent member and the base.

本発明に係る光学デバイスにおいて、薄板体の裏面に、リードの外端に位置する外部端子と対応するように配置された電極をさらに備えていることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, it is preferable that the back surface of the thin plate body further includes an electrode disposed so as to correspond to the external terminal located at the outer end of the lead.

このようにすると、本光学デバイスをカメラモジュール内に導入する際に、外部端子との電気的接続だけでなく、電極との電気的接続も確保することができるので、カメラモジュール内に、本光学デバイスを高信頼性で導入することができる。   In this way, when the optical device is introduced into the camera module, not only the electrical connection with the external terminal but also the electrical connection with the electrode can be secured. Devices can be introduced with high reliability.

本発明に係る光学デバイスにおいて、基台の外端領域に、薄板体の角部形状と対応する形状の段差が設けられ、段差内に薄板体が配置されて基台と薄板体とが嵌合していることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, a step having a shape corresponding to the corner shape of the thin plate is provided in the outer end region of the base, and the thin plate is disposed in the step so that the base and the thin plate are fitted. It is preferable.

このようにすると、薄板体を光学素子に取り付ける際に、薄板体の位置決めが容易になり、取り付け精度の向上を図ると共に取り付け方法の簡便化を図ることができる。   If it does in this way, when attaching a thin plate body to an optical element, positioning of a thin plate body becomes easy, and it can aim at improvement of attachment accuracy and simplification of an attachment method.

本発明に係る光学デバイスにおいて、樹脂のうちリードの内端上に形成されている部分は、貫通孔の内径が上端から下端に向かって大きくなるように、テーパー形状に形成されていることが好ましい。   In the optical device according to the present invention, the portion of the resin formed on the inner end of the lead is preferably formed in a tapered shape so that the inner diameter of the through hole increases from the upper end toward the lower end. .

このようにすると、基台の貫通孔内に入射された入射光が該貫通孔の内側面に当たって反射することはない。そのため、入射光が貫通孔の内側面に当たって反射し、その反射光が光学素子の光検知領域に到達してノイズ光が発生することを防止することができる。   If it does in this way, the incident light which entered into the through-hole of the base will not hit and reflect the inner surface of the through-hole. Therefore, it is possible to prevent incident light from being reflected by hitting the inner side surface of the through hole, and the reflected light reaching the light detection region of the optical element to generate noise light.

前記第1の目的を達成するために、本発明に係る光学デバイスの製造方法は、中央に貫通孔が設けられ、中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台を準備する工程(a)と、中央に光検知領域を有する光学素子の表面に形成された電極パッド上に、バンプを形成する工程(b)と、工程(a)および工程(b)の後に、基台の下方に貫通孔と対応するように光学素子を配置して、バンプを介して、基台のリードと光学素子の電極パッドとを接続する工程(c)と、光学素子の裏面に接合部材を介して薄板体を配置する工程(d)と、基台の貫通孔に接着剤を介して透明部材を配置する工程(e)とを備え、工程(a)は、リードの内端およびインナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように樹脂が形成された基台を準備する工程であることを特徴とする。   In order to achieve the first object, an optical device manufacturing method according to the present invention includes an inner lead that is provided with a through hole in the center and extends from the center toward the periphery, and an outer that is connected to the inner lead and extends downward. A step (a) of preparing a base including an L-shaped lead having a cross-sectional shape made of a lead and a resin, and a bump on an electrode pad formed on the surface of an optical element having a light detection region in the center After the step (b) to be formed, the step (a) and the step (b), an optical element is arranged below the base so as to correspond to the through hole, and the base lead and the optical element are arranged via the bump. A step (c) of connecting the electrode pads of the element, a step (d) of disposing a thin plate member on the back surface of the optical element via a bonding member, and a transparent member being disposed in the through hole of the base via an adhesive. A step (e), and a step (a) Covers the upper surface of the lead of the inner end and the inner lead, characterized in that it is a step of preparing a base resin is formed to fill between leads adjacent to each other.

本発明に係る光学デバイスの製造方法によると、光学素子の裏面に薄板体を配置することにより、光学素子から薄板体に伝導する放熱経路を確保でき、光学素子全体の放熱効率を改善することができる。   According to the method for manufacturing an optical device according to the present invention, by disposing a thin plate on the back surface of the optical element, a heat dissipation path conducting from the optical element to the thin plate can be secured, and the heat dissipation efficiency of the entire optical element can be improved. it can.

加えて、基台の貫通孔内に配置された透明部材と、基台の下方に光学素子を挟んで配置された薄板体とによって、基台は密封されるため、外部から進入するダストおよび水分等の付着による光学デバイスの不良を防ぐことができる。   In addition, since the base is sealed by the transparent member disposed in the through hole of the base and the thin plate body disposed with the optical element sandwiched below the base, dust and moisture entering from the outside are sealed. It is possible to prevent the optical device from being defective due to such adhesion.

さらに、既存の表面実装タイプの光学デバイスと互換性のある光学デバイスを実現することができる。そのため、例えば、本光学デバイスを、既存のカメラモジュールを構成する光学デバイスと置換して適用することができる。   Furthermore, an optical device compatible with an existing surface mount type optical device can be realized. Therefore, for example, the present optical device can be applied by being replaced with an optical device constituting an existing camera module.

さらに、汎用性のあるバンプ接合および接着の技術のみを用いて、光学デバイスを製造することができるため、光学デバイスを容易に且つ安価に製造することができる。すなわち、従来技術のように、遮光膜の形成のような複雑な形成を伴うことなく、光学デバイスを製造することができる。   Furthermore, since an optical device can be manufactured using only versatile bump bonding and adhesion techniques, the optical device can be manufactured easily and inexpensively. That is, as in the prior art, an optical device can be manufactured without complicated formation such as formation of a light shielding film.

本発明に係る光学デバイスの製造方法において、工程(a)は、基台に含まれるリード数と対応する数のリードフレームを所定の長さ分だけ準備する工程(a1)と、リードフレームのうち、インナーリードとアウターリードとの接続部に対応する部分を中心に折り曲げると共に、リードの外端に対応する部分を中心に折り曲げる工程(a2)と、工程(a2)の後に、リードフレームが設置された下金型と、上金型とを合わせて、下金型と上金型との間にキャビティを形成する工程(a3)と、工程(a3)の後に、キャビティ内に樹脂を充填し硬化させて、リードフレームと樹脂とからなる成形体を形成した後、下金型と上金型とを開いて、成形体を取り出す工程(a4)と、工程(a4)の後に、成形体を、該成形体のうちリードの外端に対応する部分で切断して、個片化された基台を得る工程(a5)とを有し、工程(a4)において、リードの内端となる面、およびインナーリードの表面となる面上を覆うと共に、互いに隣り合うリードフレーム間を埋め込むように樹脂が形成された成形体が形成されることが好ましい。   In the optical device manufacturing method according to the present invention, the step (a) includes a step (a1) of preparing a predetermined number of lead frames corresponding to the number of leads included in the base, The lead frame is installed after the step (a2) and the step (a2) in which the portion corresponding to the connecting portion between the inner lead and the outer lead is bent and the portion corresponding to the outer end of the lead is bent. The lower mold and the upper mold are combined to form a cavity between the lower mold and the upper mold (a3), and after the step (a3), the cavity is filled with resin and cured. Then, after forming a molded body composed of a lead frame and a resin, after opening the lower mold and the upper mold and taking out the molded body (a4), and after the step (a4), Outside the lead of the molded body And a step (a5) for obtaining a singulated base by cutting at a portion corresponding to, and in the step (a4), on the surface serving as the inner end of the lead and the surface serving as the surface of the inner lead It is preferable to form a molded body in which resin is formed so as to cover the lead frames and to embed between adjacent lead frames.

このようにすると、汎用性のあるリード加工および樹脂成形の技術のみを用いて、基台を製造することができるため、基台を容易に且つ安価で製造することができる。   In this way, since the base can be manufactured using only versatile lead processing and resin molding techniques, the base can be manufactured easily and inexpensively.

前記第2の目的を達成するために、本発明に係る半導体デバイスは、中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台と、基台の下方にリードと対応するように電極パッドが配置される半導体素子とを備え、半導体素子の電極パッドと基台のリードとはバンプを介して接続されており、リードの内端及びインナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように樹脂が形成されて、リードの外端、およびアウターリードの表面が露出されていることを特徴とし、半導体素子の裏面に配置される薄板体をさらに備えていることが好ましい。   In order to achieve the second object, a semiconductor device according to the present invention has an L-shaped cross section comprising an inner lead extending from the center toward the periphery and an outer lead connected to the inner lead and extending downward. And a base including resin, and a semiconductor element in which an electrode pad is arranged below the base so as to correspond to the lead, and the electrode pad of the semiconductor element and the lead of the base are connected via a bump The inner end of the lead and the surface of the inner lead are covered, and resin is formed so as to embed between adjacent leads, and the outer end of the lead and the surface of the outer lead are exposed. It is preferable that it further includes a thin plate member disposed on the back surface of the semiconductor element.

本発明に係る半導体デバイスによると、半導体素子の裏面に薄板体を配置することにより、半導体素子から薄板体に伝導する放熱経路を確保でき、他の部材、すなわち薄板体との接触領域を利用して半導体素子全体の放熱効率を改善することができる。   According to the semiconductor device of the present invention, by disposing the thin plate on the back surface of the semiconductor element, a heat dissipation path conducting from the semiconductor element to the thin plate can be secured, and the contact area with other members, that is, the thin plate is utilized. Thus, the heat dissipation efficiency of the entire semiconductor element can be improved.

加えて、基台の下方に半導体素子を挟んで配置された薄板体によって、基台は密封されるため、外部から進入するダストおよび水分等の付着による半導体デバイスの不良を防ぐことができる。   In addition, since the base is hermetically sealed by the thin plate body arranged with the semiconductor element sandwiched below the base, it is possible to prevent a semiconductor device from being defective due to adhesion of dust and moisture entering from the outside.

また、半導体素子から熱伝導効率の高い金属を介して外部端子までの効率のよい放熱経路が形成される。特に、リードと電極パッドとの間にバンプを設けることにより、従来のように細長い金線を設けた場合を比較して、熱伝導効率を向上させることができる。   In addition, an efficient heat dissipation path from the semiconductor element to the external terminal through the metal having high heat conduction efficiency is formed. In particular, by providing a bump between the lead and the electrode pad, the heat conduction efficiency can be improved as compared with the case where a long and thin gold wire is provided as in the prior art.

本発明に係る光学デバイスおよびその製造方法によると、光学素子の裏面に薄板体を配置することにより、光学素子から薄板体に伝導する放熱経路を確保でき、他の部材、すなわち薄板体との接触領域を利用して光学素子全体の放熱効率を改善することができる。加えて、既存の表面実装タイプの光学デバイスと互換性のある光学デバイスを実現することができる。   According to the optical device and the manufacturing method thereof according to the present invention, by disposing the thin plate on the back surface of the optical element, a heat dissipation path conducting from the optical element to the thin plate can be secured, and contact with other members, that is, the thin plate The heat dissipation efficiency of the entire optical element can be improved using the region. In addition, an optical device compatible with an existing surface mount type optical device can be realized.

本発明に係る半導体デバイスによると、半導体素子の裏面に薄板体を配置することにより、半導体素子から薄板体に伝導する放熱経路を確保でき、他の部材、すなわち薄板体との接触領域を利用して半導体素子全体の放熱効率を改善することができる。   According to the semiconductor device of the present invention, by disposing the thin plate on the back surface of the semiconductor element, a heat dissipation path conducting from the semiconductor element to the thin plate can be secured, and the contact area with other members, that is, the thin plate is utilized. Thus, the heat dissipation efficiency of the entire semiconductor element can be improved.

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中に示す各構成要素の厚みおよび長さ等はそれぞれ、図面の作成上から実際の形状とは異なる。また、各図中において、同じ構成要素については同じ符号を付しており、説明を省略する場合がある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the thickness, length, and the like of each component shown in the figure are different from the actual shape from the creation of the drawing. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected about the same component and description may be abbreviate | omitted.

(第1の実施形態)
以下に、本発明の第1の実施形態に係る光学デバイスについて、図1(a) 〜(c) を参照しながら説明する。図1(a) 〜(c) は、本発明の第1の実施形態に係る光学デバイスの構造について示す図である。具体的には、図1(a) は、光学素子の裏面側から見た光学デバイスの平面図、図1(b) は、図1(a) 中に示すIb-Ib線における断面図、図1(c) は、光学素子の表面側から見た光学デバイスの斜視図である。
(First embodiment)
The optical device according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (c). FIGS. 1A to 1C are diagrams showing the structure of an optical device according to the first embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 1 (a) is a plan view of the optical device viewed from the back side of the optical element, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along line Ib-Ib shown in FIG. 1 (a). 1 (c) is a perspective view of the optical device viewed from the surface side of the optical element.

図1(b) に示すように、本実施形態の光学デバイスは、主要な構成要素として、中央に貫通孔7が設けられリード1及び樹脂2を含む基台3と、基台3の下方に貫通孔7と対応するように配置され、中央に光検知領域5を有する光学素子4とを備えている。基台3のリード1と光学素子4の電極パッドとは、バンプ6を介して接続されている。   As shown in FIG. 1 (b), the optical device according to the present embodiment includes, as main components, a base 3 including a lead 1 and a resin 2 provided with a through hole 7 in the center, and a base 3 below. The optical element 4 is disposed so as to correspond to the through hole 7 and has the light detection region 5 in the center. The lead 1 of the base 3 and the electrode pad of the optical element 4 are connected via bumps 6.

リード1は、図1(b) に示すように、中央から周縁に向かって伸びるインナーリード1Aと、インナーリード1Aに接続され下方に伸びるアウターリード1Bとで構成されており、その断面形状はL字型である。またリード1は、その外端に外部端子1t(特に図1(a) 参照)を有している。   As shown in FIG. 1 (b), the lead 1 is composed of an inner lead 1A extending from the center toward the peripheral edge and an outer lead 1B connected to the inner lead 1A and extending downward. It is a letter shape. Further, the lead 1 has an external terminal 1t (in particular, see FIG. 1 (a)) at its outer end.

基台3は、1つの光学デバイスに含まれる複数個のリード1と、複数個のリード1全てを一体化する樹脂2とで構成されている。また基台3は、図1(b) に示すように、その中央に光学素子4の形状よりも小さい形状の貫通孔7が設けられている。   The base 3 includes a plurality of leads 1 included in one optical device and a resin 2 that integrates all of the plurality of leads 1. Further, as shown in FIG. 1B, the base 3 is provided with a through-hole 7 having a shape smaller than the shape of the optical element 4 at the center thereof.

光学素子4は、図1(b) に示すように、その光検知領域5の外側に配置された制御回路(図示せず)および電極パッドを有している。ここで、本実施形態の光学デバイスは、光学素子4として、受光素子のみが搭載された光学デバイス、発光素子のみが搭載された光学デバイス、又は受光素子及び発光素子の双方が搭載された光学デバイスを含む。受光素子の具体例としては、例えばCMOSセンサーおよびCCDセンサー等のイメージセンサーが挙げられ、発光素子の具体例としては、例えばレーザーまたは発光ダイオード等が挙げられる。光学素子4として受光素子のみが搭載された光学デバイスの場合、光検知領域5は撮像領域を指す。   As shown in FIG. 1B, the optical element 4 has a control circuit (not shown) and electrode pads arranged outside the light detection region 5. Here, the optical device of the present embodiment is an optical device in which only the light receiving element is mounted as the optical element 4, an optical device in which only the light emitting element is mounted, or an optical device in which both the light receiving element and the light emitting element are mounted. including. Specific examples of the light receiving element include an image sensor such as a CMOS sensor and a CCD sensor. Specific examples of the light emitting element include a laser or a light emitting diode. In the case of an optical device in which only the light receiving element is mounted as the optical element 4, the light detection area 5 indicates an imaging area.

次に、本光学デバイスを構成する基台3の構成について、図2(a) 〜(c) を参照しながら説明する。図2(a) 〜(c) は、本光学デバイスを構成する基台の構成について示す図である。具体的には、図2(a) は、基台の裏側から見た基台の平面図、図2(b) は、基台の側面図、図2(c) は、基台の裏側から見た基台の斜視図である。   Next, the structure of the base 3 which comprises this optical device is demonstrated, referring FIG. 2 (a)-(c). FIGS. 2A to 2C are diagrams showing the configuration of the base constituting the optical device. Specifically, Fig. 2 (a) is a plan view of the base viewed from the back side of the base, Fig. 2 (b) is a side view of the base, and Fig. 2 (c) is from the back side of the base. It is the perspective view of the seen base.

リード1を構成するインナーリード1Aは、その内端(図1(b):Z1A参照)上、表面(図1(b):X1A参照)上、及び隣り合うインナーリード間に樹脂2が形成されている一方、裏面(図2(c):Y1A)が露出されている。 The inner lead 1A constituting the lead 1 has a resin 2 on the inner end (see FIG. 1 (b): Z 1A ), on the surface (see FIG. 1 (b): X 1A ), and between adjacent inner leads. On the other hand, the back surface (FIG. 2 (c): Y 1A ) is exposed.

アウターリード1Bは、互いに隣り合うアウターリード間に樹脂2が形成されている一方、その表面(図1(b):X1B参照)、裏面(図2(c):Y1B参照)、及び外端(図2(c):Z1B参照)が露出されている。 In the outer lead 1B, the resin 2 is formed between adjacent outer leads, while the front surface (see FIG. 1 (b): X 1B ), the back surface (see FIG. 2 (c): Y 1B ), and the outside The end (see FIG. 2 (c): Z 1B ) is exposed.

このように、リード1の内端Z1A及びインナーリード1Aの表面X1A上を覆うと共に、互いに隣り合うリード1間を埋め込むように樹脂2が形成されることによって、複数個のリード1は樹脂2で一体化されている。そして、リード1の外端Z1B、アウターリード1Bの表面X1B、およびリード1の裏面(詳細には、インナーリード1Aの裏面Y1A、およびアウターリード1Bの裏面Y1B)が露出されている。 Thus, covering over the surface X 1A of the inner end Z 1A and the inner leads 1A of the lead 1, by the resin 2 is formed to fill between the lead 1 adjacent to each other, a plurality of leads 1 are resin 2 is integrated. Then, the lead 1 of the outer end Z 1B, the surface X 1B of the outer lead 1B, and the lead 1 of the rear surface (specifically, the rear surface Y 1B of the back Y 1A and outer leads 1B, the inner lead 1A) is exposed .

リード1としては、通常のリードフレームに用いられる材料と同様な材料、例えばCu合金、または42アロイ(FeにNiが42%含有される超合金)等が用いられ、厚さは例えば100μm以上で500μm以下であり、250μm程度であることが好ましい。樹脂2としては、絶縁性の材料、例えばエポキシ樹脂等の可塑性樹脂が用いられる。   The lead 1 is made of a material similar to that used for a normal lead frame, such as a Cu alloy or 42 alloy (superalloy containing 42% Ni in Fe), and has a thickness of 100 μm or more, for example. It is 500 micrometers or less, and it is preferable that it is about 250 micrometers. As the resin 2, an insulating material, for example, a plastic resin such as an epoxy resin is used.

バンプ6としては、例えばハンダまたは金が用いられるが、その他に例えば熱伝導効率の高い異方性導電体等を用いることも可能である。   For example, solder or gold is used as the bump 6, but it is also possible to use, for example, an anisotropic conductor having high heat conduction efficiency.

本実施形態によると、従来技術のようにアウターリード全面に樹脂を形成せずに露出させるのではなく、互いに隣り合うアウターリード1B間を埋め込むように樹脂2を形成しアウターリード1Bの外端Z1B、表面X1B及び裏面Y1Bを露出させることにより、既存の周辺部のみに端子を持つ表面実装タイプの光学デバイスと互換性のある光学デバイスを実現することができる。そのため、例えば、本光学デバイスを、既存のカメラモジュールを構成する光学デバイスと置換して適用することができる。 According to the present embodiment, the resin 2 is formed so as to be embedded between the adjacent outer leads 1B, instead of exposing the entire outer lead without forming the resin as in the prior art, and the outer end Z of the outer lead 1B. 1B, by exposing the surface X 1B and back Y 1B, it is possible to realize an optical device having optical device compatible with surface mount type with the terminal only to the existing periphery. Therefore, for example, the present optical device can be applied by being replaced with an optical device constituting an existing camera module.

また、光学素子4から熱伝導効率の高い金属を介して外部端子1tまでの効率のよい放熱経路が形成される。特に、リード1と電極パッドとの間にバンプ6を設けることにより、従来のように細長い金線を設けた場合と比較して、熱伝導効率を向上させることができる。また、インナーリード1の表面X1Aを樹脂2で覆うことにより、本光学デバイスを用いてカメラモジュールを構成した場合でも、インナーリード1の表面X1Aでの不要な反射を防ぐことができ、必要な光線のみを光検知領域5に到達させることができる。 Further, an efficient heat dissipation path from the optical element 4 to the external terminal 1t is formed through a metal having high heat conduction efficiency. In particular, by providing the bump 6 between the lead 1 and the electrode pad, the heat conduction efficiency can be improved as compared with the case where a long and thin gold wire is provided as in the prior art. In addition, by covering the surface X 1A of the inner lead 1 with the resin 2, even when a camera module is configured using this optical device, unnecessary reflection on the surface X 1A of the inner lead 1 can be prevented and necessary. Only light rays can reach the light detection region 5.

(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスについて、図3を参照しながら説明する。図3は、本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。
(Second Embodiment)
An optical device according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure of an optical device according to the second embodiment of the present invention.

図3に示すように、本実施形態の光学デバイスは、第1の実施形態の構成に加えて、光学素子4の下方に接合部材9を介して配置された薄板体8と、基台3の貫通孔7内に接着剤11を介して配置された透明部材10とをさらに備えている。   As shown in FIG. 3, in addition to the configuration of the first embodiment, the optical device of the present embodiment includes a thin plate body 8 disposed below the optical element 4 via a bonding member 9, and a base 3 And a transparent member 10 disposed in the through hole 7 with an adhesive 11 interposed therebetween.

薄板体8の厚みは、例えば200μm以上で400μm以下である。薄板体8の材料としては、例えばセラミックが用いられるが、その他に例えば金属板等を用いてもよい。接合部材9としては、例えば接着剤が用いられるが、その他に例えば粘着シート等を用いてもよい。   The thickness of the thin plate member 8 is, for example, 200 μm or more and 400 μm or less. As the material of the thin plate member 8, for example, ceramic is used, but other than that, for example, a metal plate or the like may be used. As the joining member 9, for example, an adhesive is used. However, for example, an adhesive sheet or the like may be used.

透明部材10は、その表面および裏面が互いに平行となるように設計されており、利用する光学用途を満足する平坦度にて光学平面を形成している。透明部材10の厚みは、例えば300μm以上で500μm以下である。透明部材10の材料としては、例えば光学用ガラス、石英、水晶または光学用透明樹脂等が用いられる。   The transparent member 10 is designed so that the front surface and the back surface thereof are parallel to each other, and forms an optical plane with flatness that satisfies the optical application to be used. The thickness of the transparent member 10 is, for example, not less than 300 μm and not more than 500 μm. As a material of the transparent member 10, for example, optical glass, quartz, quartz, optical transparent resin, or the like is used.

本実施形態によると、前述の第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。   According to this embodiment, the same effects as those of the first embodiment described above can be obtained.

加えて、光学素子4の裏面に接合部材9を介して薄板体8を接合したことにより、光学素子4から薄板体8に伝導する放熱経路を確保でき、光学素子4全体の放熱効率を改善することができる。   In addition, since the thin plate member 8 is bonded to the back surface of the optical element 4 via the bonding member 9, a heat dissipation path conducting from the optical element 4 to the thin plate member 8 can be secured, and the heat dissipation efficiency of the entire optical element 4 is improved. be able to.

さらに、基台3の貫通孔7内に配置された透明部材10と、基台3の下方に光学素子4を挟んで配置された薄板体8とによって、基台3は密封されるため、外部から進入するダストおよび水分等の付着による光学デバイスの不良を防ぐことができる。   Further, since the base 3 is sealed by the transparent member 10 disposed in the through hole 7 of the base 3 and the thin plate member 8 disposed with the optical element 4 sandwiched below the base 3, the external base 3 is sealed. It is possible to prevent the optical device from being defective due to adhesion of dust, moisture and the like entering from the inside.

−基台の製造方法−
次に、本光学デバイスを構成する基台3の製造方法について、図4(a) 〜(e) を参照しながら説明する。図4(a) 〜(e) は、本光学デバイスを構成する基台の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。なお、以下の説明では、2個の基台3を製造する場合を具体例に挙げて説明する。
-Manufacturing method of base-
Next, the manufacturing method of the base 3 which comprises this optical device is demonstrated, referring FIG. 4 (a)-(e). 4 (a) to 4 (e) are cross-sectional views of essential steps showing a manufacturing method of a base constituting the optical device in the order of steps. In the following description, a case where two bases 3 are manufactured will be described as a specific example.

まず、図4(a) に示すように、1つの光学デバイスに含まれる複数個のリード数と対応する数のリードフレーム1fを所定の長さ分だけ準備する。ここで、リードフレーム1fの長さは、製造される基台の数に応じて決定される。例えば、2個の基台を製造予定の場合、個片化されるために打ち抜かれる領域に応じた長さl1,l2,l3(図4(d) 参照)と、基台を構成するのに必要とされる長さL1,L2(図4(e) 参照)とを総和した長さのリードフレーム1fが準備される。またここで、リードフレーム1fには、製造される基台の数に応じた開口が設けられ、その開口位置は、基台の貫通孔位置と対応している。 First, as shown in FIG. 4A, a predetermined number of lead frames 1f corresponding to the number of leads included in one optical device are prepared. Here, the length of the lead frame 1f is determined according to the number of bases to be manufactured. For example, when two bases are planned to be manufactured, the lengths l 1 , l 2 , and l 3 (see FIG. 4 (d)) corresponding to the areas to be punched out to be separated into pieces are configured. A lead frame 1f having a length obtained by adding up the lengths L 1 and L 2 (see FIG. 4 (e)) required for the preparation is prepared. Here, the lead frame 1f is provided with openings corresponding to the number of bases to be manufactured, and the opening positions thereof correspond to the through-hole positions of the bases.

その後、リードフレーム1fのうち、リードを構成するインナーリードとアウターリードとの接続部に対応する部分P1Aを中心に折り曲げると共に、リードの外端に対応する部分P1Bを中心に折り曲げた後、リードフレーム1fを下金型12上に設置する。 Then, out of the lead frame 1f, with folded around the portion P 1A corresponding to the connection portion between the inner lead and the outer lead which constitute lead, after folding around the portion P 1B corresponding to the outer end of the lead, The lead frame 1 f is set on the lower mold 12.

次に、図4(b) に示すように、リードフレーム1fが設置された下金型12と、上金型13とを合わせて、上金型13と下金型12との間にキャビティ14を形成する。   Next, as shown in FIG. 4 (b), the lower mold 12 on which the lead frame 1 f is installed and the upper mold 13 are combined, and the cavity 14 is interposed between the upper mold 13 and the lower mold 12. Form.

次に、図4(c) に示すように、キャビティ14内に樹脂2を充填し硬化させた後、下金型12と上金型13とを開いて、成形体15を取り出す。成形体15は、1つの光学デバイスに含まれる複数個のリード数と対応する数のリードフレーム1fと、リードフレーム1fを一体化する樹脂2とからなる。成形体15のうち、基台と対応する領域の中央には、貫通孔7が設けられている。このようにして、リードの内端(図4(e):Z1A参照)となる面Z1f、及びインナーリードの表面(図4(e):X1A参照)となる面X1f上を覆うと共に、互いに隣り合うリードフレーム1f間を埋め込むように樹脂2を形成する。 Next, as shown in FIG. 4C, after the resin 2 is filled in the cavity 14 and cured, the lower mold 12 and the upper mold 13 are opened, and the molded body 15 is taken out. The molded body 15 includes a number of lead frames 1f corresponding to the number of leads included in one optical device, and a resin 2 that integrates the lead frames 1f. A through hole 7 is provided in the center of the region corresponding to the base in the molded body 15. In this way, the inner ends of the leads (Fig. 4 (e): see Z 1A) to become plane Z 1f, and the inner lead surface (FIG. 4 (e): see X 1A) and covers the upper surface X 1f comprising At the same time, the resin 2 is formed so as to embed between the adjacent lead frames 1f.

次に、図4(d) に示すように、受け金型16と押さえ金型17とを、成形体15を挟んで対向させる。受け金型16と押さえ金型17との間に挟んで固定させた成形体15を押し金型18でパンチして、成形体15のうち押し金型18でパンチされた部位を打ち抜く。ここで、押さえ金型17には、押し金型18でパンチされた部位を打ち抜くためのスペース17aが設けられている。   Next, as shown in FIG. 4D, the receiving mold 16 and the pressing mold 17 are opposed to each other with the molded body 15 interposed therebetween. The molded body 15 sandwiched and fixed between the receiving mold 16 and the presser mold 17 is punched by the pressing mold 18, and the portion punched by the pressing mold 18 in the molded body 15 is punched out. Here, the presser mold 17 is provided with a space 17 a for punching out a portion punched by the push mold 18.

最後に、図4(e) に示すように、受け金型16と押さえ金型17とを開くことによって、個片化された2個の基台3が得られる。このように、成形体15を、リードの外端に対応する部分P1Bで切断して、個片化された基台3を得る。各基台3は、1つの光学デバイスに含まれる複数個のリード1と、複数個のリード1を一体化する樹脂2とで構成されており、その中央には、貫通孔7が設けられている。リード1は、中央から周縁に向かって伸びるインナーリード1Aと、インナーリード1Aに接続され下方に伸びるアウターリード1Bとで構成され、その断面形状はL字型である。そして、リード1の内端Z1A及びインナーリードの表面X1A上を覆うと共に、互いに隣り合うリード1間を埋め込むように樹脂2が形成されている。 Finally, as shown in FIG. 4 (e), by opening the receiving mold 16 and the pressing mold 17, the two bases 3 separated into pieces are obtained. In this way, the molded body 15 is cut at the portion P 1B corresponding to the outer end of the lead to obtain the separated base 3. Each base 3 is composed of a plurality of leads 1 included in one optical device and a resin 2 that integrates the plurality of leads 1, and a through hole 7 is provided in the center thereof. Yes. The lead 1 is composed of an inner lead 1A extending from the center toward the periphery and an outer lead 1B connected to the inner lead 1A and extending downward, and the cross-sectional shape thereof is L-shaped. A resin 2 is formed so as to cover the inner end Z 1A of the lead 1 and the surface X 1A of the inner lead, and to embed between the adjacent leads 1.

このようにして、本光学デバイスを構成する基台を製造することができる。   In this way, the base constituting the optical device can be manufactured.

本光学デバイスを構成する基台の製造方法では、汎用性のあるリード加工および樹脂成形の技術のみを用いて、基台を製造することができるため、基台を容易に且つ安価で製造することができる。   In the manufacturing method of the base that constitutes the optical device, the base can be manufactured using only versatile lead processing and resin molding techniques, so that the base can be manufactured easily and inexpensively. Can do.

なお、上記の説明では、2個の基台を製造する場合を具体例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。   In the above description, the case where two bases are manufactured has been described as a specific example, but the present invention is not limited to this.

−光学デバイスの製造方法−
次に、本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスの製造方法について、図5(a) 〜(e) を参照しながら説明する。図5(a) 〜(e) は、本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスの製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。
-Optical device manufacturing method-
Next, an optical device manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (e). 5 (a) to 5 (e) are cross-sectional views of main steps showing the optical device manufacturing method according to the second embodiment of the present invention in the order of steps.

まず、図5(a) に示すように、表面中央に光検知領域5を有する光学素子4の電極パッド上に、バンプ6が形成されたものを準備する。   First, as shown in FIG. 5 (a), an electrode having bumps 6 formed on an electrode pad of an optical element 4 having a light detection region 5 at the center of the surface is prepared.

次に、図5(b) に示すように、上記の製造方法で製造された基台3を、基台3の貫通孔7と光学素子4とが対応するように光学素子4の上方に配置して、基台3のリード1と光学素子4の電極パッドとをバンプ6を介して接続する。   Next, as shown in FIG. 5 (b), the base 3 manufactured by the above manufacturing method is disposed above the optical element 4 so that the through hole 7 of the base 3 and the optical element 4 correspond to each other. Then, the lead 1 of the base 3 and the electrode pad of the optical element 4 are connected via the bumps 6.

次に、図5(c) に示すように、薄板体8に接合部材9が形成されたものを準備する。   Next, as shown in FIG. 5 (c), a thin plate 8 having a joining member 9 formed thereon is prepared.

次に、図5(d) に示すように、光学素子4の裏面に、接合部材9を介して、薄板体8を接続する。   Next, as shown in FIG. 5 (d), the thin plate member 8 is connected to the back surface of the optical element 4 via the bonding member 9.

次に、図5(e) に示すように、基台3の貫通孔7に透明部材10を配置して、透明部材10を接着剤11を介して基台3に接続する。   Next, as shown in FIG. 5 (e), the transparent member 10 is disposed in the through hole 7 of the base 3, and the transparent member 10 is connected to the base 3 through the adhesive 11.

以上のようにして、本実施形態の光学デバイスを製造することができる。   As described above, the optical device of this embodiment can be manufactured.

本実施形態では、汎用性のあるリード加工および樹脂成形(図4(a) 〜(e) 参照)、並びに汎用性のあるバンプ接合および接着(図5(a) 〜(e) 参照)の技術のみを用いて、光学デバイスを製造することができるため、光学デバイスを容易に且つ安価に製造することができる。すなわち、従来技術のように、遮光膜(図12:208参照)の形成のような複雑な形成を伴うことなく、光学デバイスを製造することができる。   In this embodiment, versatile lead processing and resin molding (see FIGS. 4 (a) to (e)), and versatile bump bonding and bonding (see FIGS. 5 (a) to (e)). Since the optical device can be manufactured using only the optical device, the optical device can be manufactured easily and inexpensively. That is, as in the prior art, an optical device can be manufactured without complicated formation such as formation of a light-shielding film (see FIG. 12: 208).

(第1の実施形態の変形例)
以下に、本発明の第1の実施形態の変形例に係る光学デバイスについて、図6を参照しながら説明する。図6は、本発明の第1の実施形態の変形例に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。
(Modification of the first embodiment)
Hereinafter, an optical device according to a modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the structure of an optical device according to a modification of the first embodiment of the present invention.

本変形例と第1の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。   The structural differences between this modification and the first embodiment are as follows.

樹脂のうちリード1の内端Z1A上に形成されている部分が、第1の実施形態では、貫通孔7の内径が上端から下端に向かって一定の内径を有するように形成されているのに対し、本実施形態では、図6に示すように、貫通孔7の内径が上端から下端に向かって大きくなるように、テーパー形状に形成されている点である。ここで、樹脂19は、図6に示すように、テーパー角αが想定される入射光の入射角βよりも大きくなるように形成されている。 In the first embodiment, the portion of the resin formed on the inner end Z 1A of the lead 1 is formed so that the inner diameter of the through hole 7 has a constant inner diameter from the upper end to the lower end. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG. 6, it is a point formed in the taper shape so that the internal diameter of the through-hole 7 may become large toward the lower end from an upper end. Here, as shown in FIG. 6, the resin 19 is formed so that the taper angle α is larger than the incident angle β of the incident light.

本変形例によると、基台3の貫通孔7内に入射された入射光が貫通孔7の内側面に当たって反射することはない。そのため、入射光が貫通孔7の内側面に当たって反射し、その反射孔が光学素子4の光検知領域5に到達してノイズ光が発生することを防止することができる。   According to this modification, incident light that has entered the through hole 7 of the base 3 does not hit the inner surface of the through hole 7 and is not reflected. Therefore, it is possible to prevent the incident light from being reflected by hitting the inner side surface of the through hole 7 and reaching the light detection region 5 of the optical element 4 to generate noise light.

(第2の実施形態の変形例1)
以下に、本発明の第2の実施形態の変形例1に係る光学デバイスについて、図7を参照しながら説明する。図7は、本発明の第2の実施形態の変形例1に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。
(Modification 1 of 2nd Embodiment)
Hereinafter, an optical device according to Modification 1 of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7: is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the modification 1 of the 2nd Embodiment of this invention.

本変形例と第2の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。   The structural differences between this modification and the second embodiment are as follows.

図7に示すように、本実施形態の光学デバイスは、第2の実施形態の光学デバイスの構成に加えて、薄板体8の裏面に外部端子1tと対応するように配置された電極20をさらに備えている点である。   As shown in FIG. 7, in addition to the configuration of the optical device of the second embodiment, the optical device of this embodiment further includes an electrode 20 disposed on the back surface of the thin plate member 8 so as to correspond to the external terminal 1t. It is a point that has.

本変形例によると、本光学デバイスをカメラモジュール内に導入する際に、外部端子1tとの電気的接続だけでなく、電極20との電気的接続も確保することができるので、カメラモジュール内に、本光学デバイスを高信頼性で導入することができる(後述の第3の実施形態参照)。   According to this modification, when the present optical device is introduced into the camera module, not only the electrical connection with the external terminal 1t but also the electrical connection with the electrode 20 can be ensured. The optical device can be introduced with high reliability (see the third embodiment described later).

(第2の実施形態の変形例2)
以下に、本発明の第2の実施形態の変形例2に係る光学デバイスについて、図8を参照しながら説明する。図8は、本発明の第2の実施形態の変形例2に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。
(Modification 2 of the second embodiment)
Hereinafter, an optical device according to Modification 2 of the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 8: is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the modification 2 of the 2nd Embodiment of this invention.

本変形例と第2の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。   The structural differences between this modification and the second embodiment are as follows.

図8に示すように、本実施形態の光学デバイスでは、基台3の外端領域に、薄板体8の角部形状と対応する形状の段差21が設けられ、段差21内に薄板体8が配置されて基台3と薄板体8とが嵌合している。   As shown in FIG. 8, in the optical device of the present embodiment, a step 21 having a shape corresponding to the corner shape of the thin plate 8 is provided in the outer end region of the base 3, and the thin plate 8 is provided in the step 21. It arrange | positions and the base 3 and the thin-plate body 8 are fitting.

本変形例によると、薄板体8を光学素子4に取り付ける際に、薄板体8の位置決めが容易になり、第2実施形態と比較して、取り付け精度の向上を図ると共に取り付け方法の簡便化を図ることができる。   According to this modification, when the thin plate member 8 is attached to the optical element 4, the positioning of the thin plate member 8 is facilitated, and the attachment accuracy is improved and the attachment method is simplified as compared with the second embodiment. You can plan.

(第3の実施形態)
以下に、本発明の第3の実施形態に係るカメラモジュール(すなわち、本光学デバイスを備えたカメラモジュール)について、第2の実施形態の変形例1に係る光学デバイスを備えたカメラモジュールを具体例に挙げて説明する。図9は、本発明の第3の実施形態に係るカメラモジュールの構造について示す断面図である。
(Third embodiment)
Hereinafter, a camera module including the optical device according to the first modification of the second embodiment will be described as a specific example of the camera module according to the third embodiment of the present invention (that is, the camera module including the present optical device). Will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view showing a structure of a camera module according to the third embodiment of the present invention.

ここで、「カメラモジュール」とは、例えばデジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、携帯電話用ムービー、車載用カメラ、監視カメラ、ビデオカメラ、医療用カメラ、放送用カメラ、Webカメラ、テレビ電話用カメラ、ゲーム機用カメラ、光学マウス、DVDドライブ、およびCDドライブ等に代表される、種々の機器のことを指す。なお、本光学デバイスがカメラモジュールに用いられる場合、本光学デバイスを構成する光学素子は、イメージセンサー等の受光素子である。   Here, the “camera module” refers to, for example, a digital still camera, a mobile phone camera, a mobile phone movie, an in-vehicle camera, a surveillance camera, a video camera, a medical camera, a broadcast camera, a Web camera, and a video phone camera. It refers to various devices represented by a game machine camera, an optical mouse, a DVD drive, a CD drive, and the like. In addition, when this optical device is used for a camera module, the optical element which comprises this optical device is light receiving elements, such as an image sensor.

本実施形態のカメラモジュールは、図9に示すように、配線基板101と、配線基板101上に搭載された光学デバイス100と、光学デバイス100の周囲に配置された位置決めスペーサー102と、配線基板101の上方にスペーサー102を挟んで固定され、光学素子4の光検知領域(具体的には受光領域)5の上方に中空を有する筒状の鏡筒ベース103と、受光領域5の上方に配置され、鏡筒ベース103の底部に固定されたガラス板104と、鏡筒ベース103の中空内に設けられたレンズ収納部105と、レンズ収納部105内に固定されたレンズホルダー107と、レンズホルダー107によって支持され、受光領域5の上方に配置されたレンズ106と備えている。   As shown in FIG. 9, the camera module of this embodiment includes a wiring board 101, an optical device 100 mounted on the wiring board 101, a positioning spacer 102 arranged around the optical device 100, and a wiring board 101. And a cylindrical barrel base 103 having a hollow above the light detection region (specifically, light receiving region) 5 of the optical element 4 and a light receiving region 5. The glass plate 104 fixed to the bottom of the lens barrel base 103, the lens storage portion 105 provided in the hollow of the lens barrel base 103, the lens holder 107 fixed in the lens storage portion 105, and the lens holder 107 And a lens 106 disposed above the light receiving region 5.

本光学デバイスの外部端子1tは、配線基板101上に形成されたはんだ108を介して、配線基板101に設けられた配線(図示せず)と接続している。   The external terminal 1t of this optical device is connected to a wiring (not shown) provided on the wiring board 101 via a solder 108 formed on the wiring board 101.

本実施形態によると、光学素子4上の制御回路(図示せず)の良好な放熱効率を維持しながら、光学素子全体の放熱効率を改善することができるため、本光学デバイスを備えたカメラモジュールの放熱効率も改善することができる。   According to the present embodiment, since the heat dissipation efficiency of the entire optical element can be improved while maintaining good heat dissipation efficiency of a control circuit (not shown) on the optical element 4, a camera module including the optical device is provided. The heat radiation efficiency can be improved.

加えて、既存のカメラモジュールを構成する光学デバイスに代えて、本光学デバイス100を既存のカメラモジュール内に導入することができる。すなわち、既存のカメラモジュールに対して、何ら設計変更を加えることなく、本光学デバイス100を適用することができる。   In addition, the present optical device 100 can be introduced into an existing camera module in place of the optical device constituting the existing camera module. That is, the present optical device 100 can be applied to the existing camera module without any design change.

さらに、本光学デバイス100を配線基板101に実装して、本光学デバイスを既存のカメラモジュール内に導入するする際に、はんだ108の接合面積として、外部端子1tとの接合面積だけでなく電極20との接合面積も確保することができるので、既存のカメラモジュール内に、本光学デバイスを高信頼性で導入することができる。   Further, when the optical device 100 is mounted on the wiring board 101 and the optical device is introduced into an existing camera module, the bonding area of the solder 108 is not only the bonding area with the external terminal 1t but also the electrode 20. Therefore, the present optical device can be introduced with high reliability into an existing camera module.

また、光学デバイスを容易に且つ安価に製造することができる(前述の第2の実施形態参照)ため、本光学デバイスを備えたカメラモジュールも容易に且つ安価に提供することができる。   In addition, since the optical device can be easily and inexpensively manufactured (see the second embodiment described above), a camera module including the optical device can be easily and inexpensively provided.

(第4の実施形態)
以下に、本発明の第4の実施形態に係る半導体デバイスについて、図10(a) 〜(c) を参照しながら説明する。図10(a) 〜(c) は、本発明の第4の実施形態に係る半導体デバイスの構造について示す図である。具体的には、図10(a) は、半導体素子の裏面側から見た半導体デバイスの平面図、図10(b) は、図10(a) 中に示すXb-Xb線における断面図、図10(c) は、半導体素子の表面側から見た半導体デバイスの斜視図である。なお、本実施形態では、第1の実施形態における構成要素と同一の構成要素については、図1(a) 〜(c) に示す符号と同一の符号を付す。
(Fourth embodiment)
A semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 10 (a) to 10 (c). 10A to 10C are views showing the structure of a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 10A is a plan view of a semiconductor device viewed from the back side of the semiconductor element, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line Xb-Xb shown in FIG. 10 (c) is a perspective view of the semiconductor device viewed from the surface side of the semiconductor element. In the present embodiment, the same reference numerals as those shown in FIGS. 1A to 1C are assigned to the same components as those in the first embodiment.

図10(b) に示すように、本実施形態の半導体デバイスは、主要な構成要素として、リード1及び樹脂22を含む基台23と、基台23の下方にリード1と対応するように電極パッドが配置される半導体素子24とを備えている。基台23のリード1と半導体素子24の電極パッドとは、バンプ6を介して接続されている。   As shown in FIG. 10B, the semiconductor device of the present embodiment includes a base 23 including the lead 1 and the resin 22 as main constituent elements, and an electrode so as to correspond to the lead 1 below the base 23. And a semiconductor element 24 on which pads are arranged. The lead 1 of the base 23 and the electrode pad of the semiconductor element 24 are connected via the bump 6.

インナーリード1Aは、図10(b) に示すように、その内端Z1A上、表面X1A上、及び互いに隣り合うインナーリード間に樹脂22が形成されている一方、裏面Y1Aが露出されている。一方、アウターリード1Bは、図10(b) に示すように、互いに隣り合うアウターリード間に樹脂22が形成されている一方、その表面X1B、裏面Y1B、及び外端Z1Bが露出されている。 As shown in FIG. 10B, the inner lead 1A has a resin 22 formed on its inner end Z 1A, on the front surface X 1A , and between adjacent inner leads, while the back surface Y 1A is exposed. ing. On the other hand, as shown in FIG. 10B, the outer lead 1B has a resin 22 formed between adjacent outer leads, while its front surface X 1B , rear surface Y 1B , and outer end Z 1B are exposed. ing.

このように、リード1の内端Z1A及びインナーリード1Aの表面X1Aを覆うと共に、互いに隣り合うリード1間を埋め込むように樹脂22が形成されることによって、複数個のリード1は樹脂22で一体化されている。そして、リード1の外端Z1B、アウターリード1Bの表面X1B、及びリード1の裏面(詳細には、インナーリード1Aの裏面Y1A、およびアウターリード1Bの裏面Y1Bが露出されている。 As described above, the resin 22 is formed so as to cover the inner end Z 1A of the lead 1 and the surface X 1A of the inner lead 1A and to embed between the adjacent leads 1, so that the plurality of leads 1 are made of the resin 22. It is integrated with. Then, the lead 1 of the outer end Z 1B, the surface X 1B of the outer lead 1B, and the lead 1 of the back (for more information, the back surface Y 1B of the back Y 1A and outer leads 1B, the inner leads 1A is exposed.

以上のように、本実施形態と第1の実施形態との構造上の相違点は、以下に示す点である。   As described above, the structural differences between the present embodiment and the first embodiment are as follows.

本実施形態では、第1の実施形態における光学素子(図1(a) 〜(c):4参照)の代わりに、図10(a) 〜(b) に示すように、半導体素子24を備えている点である。また、第1の実施形態における基台(図1(b)〜(c):3参照)の中央には、貫通孔(図1(b)〜(c):7参照)が設けられているのに対し、本実施形態における基台23には、貫通孔が設けられていない点である。   In the present embodiment, a semiconductor element 24 is provided as shown in FIGS. 10A to 10B instead of the optical element in the first embodiment (see FIGS. 1A to 1C: 4). It is a point. In addition, a through hole (see FIGS. 1 (b) to (c): 7) is provided at the center of the base (see FIGS. 1 (b) to (c): 3) in the first embodiment. On the other hand, the base 23 in this embodiment is not provided with a through hole.

本実施形態によると、半導体素子24から熱伝導効率の高い金属を介して外部端子1tまでの効率のよい放熱経路が形成される。特に、リード1と電極パッドとの間にバンプ6を設けることにより、従来のように細長い金線を設けた場合と比較して、熱伝導効率を向上させることができる。   According to the present embodiment, an efficient heat dissipation path from the semiconductor element 24 to the external terminal 1t is formed through the metal having high heat conduction efficiency. In particular, by providing the bump 6 between the lead 1 and the electrode pad, the heat conduction efficiency can be improved as compared with the case where a long and thin gold wire is provided as in the prior art.

(第5の実施形態)
以下に、本発明の第5の実施形態に係る半導体デバイスについて、図11を参照しながら説明する。図11は、本発明の第5の実施形態に係る半導体デバイスの構造について示す断面図である。なお、本実施形態では、第4の実施形態における構成要素と同一の構成要素については、図10(b) に示す符号と同一の符号を付す。
(Fifth embodiment)
A semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view showing the structure of a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, the same components as those in the fourth embodiment are denoted by the same reference numerals as those shown in FIG.

図11に示すように、本実施形態の半導体デバイスは、第4の実施形態の構成に加えて、半導体素子24の下方に接合部材26を介して配置された薄板体25をさらに備えている。   As shown in FIG. 11, the semiconductor device of the present embodiment further includes a thin plate member 25 disposed below the semiconductor element 24 via a bonding member 26 in addition to the configuration of the fourth embodiment.

なお、本実施形態における薄板体25としては、第2の実施形態における薄板体8と同様の構成が挙げられる。また、本実施形態における接合部材26としては、第2の実施形態における接合部材9と同様の構成が挙げられる。   In addition, as the thin plate body 25 in this embodiment, the structure similar to the thin plate body 8 in 2nd Embodiment is mentioned. Moreover, as the joining member 26 in this embodiment, the structure similar to the joining member 9 in 2nd Embodiment is mentioned.

本実施形態によると、前述の第4の実施形態と同様の効果を得ることができる。   According to the present embodiment, the same effect as that of the fourth embodiment described above can be obtained.

加えて、半導体素子24の裏面に接合部材26を介して薄板体25を接合したことにより、半導体素子24から薄板体25に伝導する放熱経路を確保でき、半導体素子24全体の放熱効率を改善することができる。   In addition, by bonding the thin plate member 25 to the back surface of the semiconductor element 24 via the bonding member 26, a heat dissipation path conducting from the semiconductor element 24 to the thin plate member 25 can be secured, and the heat dissipation efficiency of the entire semiconductor element 24 is improved. be able to.

さらに、基台23の下方に半導体素子24を挟んで配置された薄板体25によって、基台23は密封されるため、外部から進入するダストおよび水分等の付着による半導体デバイスの不良を防ぐことができる。   Furthermore, since the base 23 is hermetically sealed by the thin plate member 25 disposed below the base 23 with the semiconductor element 24 interposed therebetween, it is possible to prevent a semiconductor device from being defective due to adhesion of dust and moisture entering from the outside. it can.

本発明は、光学デバイスにおいて、光学素子上の制御回路の良好な放熱効率を維持しながら、光学素子全体の放熱効率を改善することができるので、例えばデジタルスチルカメラ、携帯電話用カメラ、監視カメラ、およびビデオカメラ等に有用である。さらに、本発明は、半導体デバイスにおいて、半導体素子全体の放熱効率を改善することができるので、例えばディスクリートデバイス(パワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)、SAWデバイス)等に有用である。   Since the present invention can improve the heat dissipation efficiency of the entire optical element while maintaining good heat dissipation efficiency of the control circuit on the optical element in the optical device, for example, a digital still camera, a mobile phone camera, a surveillance camera It is useful for video cameras and the like. Furthermore, since the present invention can improve the heat dissipation efficiency of the entire semiconductor element in a semiconductor device, it is useful for, for example, a discrete device (power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor), SAW device). is there.

(a) 〜(c) は、本発明の第1の実施形態に係る光学デバイスの構造について示す図である。(a)-(c) is a figure shown about the structure of the optical device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. (a) 〜(c) は、本光学デバイスを構成する基台の構造について示す図である。(a)-(c) is a figure shown about the structure of the base which comprises this optical device. 本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. (a) 〜(e) は、本光学デバイスを構成する基台の製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。(a)-(e) is principal part process sectional drawing which shows the manufacturing method of the base which comprises this optical device in order of a process. (a) 〜(e) は、本発明の第2の実施形態に係る光学デバイスの製造方法を工程順に示す要部工程断面図である。(a)-(e) is principal part process sectional drawing which shows the manufacturing method of the optical device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention in process order. 本発明の第1の実施形態の変形例に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the modification of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態の変形例1に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the modification 1 of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態の変形例2に係る光学デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the optical device which concerns on the modification 2 of the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施形態に係るカメラモジュールの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the camera module which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. (a) 〜(c) は、本発明の第4の実施形態に係る半導体デバイスの構造について示す図である。(a)-(c) is a figure shown about the structure of the semiconductor device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5の実施形態に係る半導体デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the semiconductor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 従来技術の光学デバイスの構造について示す断面図である。It is sectional drawing shown about the structure of the optical device of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

1 リード
1A インナーリード
1B アウターリード
1t 外部端子
1f リードフレーム
2 樹脂
3 基台
4 光学素子
5 光検知領域
6 バンプ
7 貫通孔
1A インナーリードの表面
1A インナーリードの裏面
1A リードの内端
1B アウターリードの表面
1B アウターリードの裏面
1B リードの外端
1f インナーリードの表面となる面
1f リードの内端となる面
8 薄板体
9 接合部材
10 透明部材
11 接着剤
12 下金型
13 上金型
14 キャビティ
15 成形体
16 受け金型
17 押さえ金型
17a スペース
18 押し金型
19 樹脂
α テーパー角
β 入射角
20 電極
21 段差
22 樹脂
23 基台
24 半導体素子
25 薄板体
26 接合部材
100 光学デバイス
101 配線基板
102 スペーサー
103 鏡筒ベース
104 ガラス板
105 レンズ収納部
106 レンズ
107 レンズホルダー
108 はんだ
1 Lead 1A Inner Lead 1B Outer Lead 1t External Terminal 1f Lead Frame 2 Resin 3 Base 4 Optical Element 5 Light Detection Area
6 bumps 7 a through hole X 1A inner lead surface Y 1A inner leads back surface Z 1A lead inner ends X 1B outer lead surface Y 1B outer leads on the back surface Z 1B outer end X 1f inner leads of the surface of the lead surface Z 1f Lead inner surface 8 Thin plate member 9 Joining member 10 Transparent member 11 Adhesive 12 Lower die 13 Upper die 14 Cavity 15 Molded body 16 Receiving die 17 Holding die 17a Space 18 Pushing die 19 Resin α Taper angle β Incident angle 20 Electrode 21 Step 22 Resin 23 Base 24 Semiconductor element 25 Thin plate body 26 Joining member 100 Optical device 101 Wiring substrate 102 Spacer 103 Lens barrel base 104 Glass plate 105 Lens housing portion 106 Lens 107 Lens holder 108 Solder

Claims (13)

中央に貫通孔が設けられ、中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台と、
前記基台の下方に前記貫通孔と対応するように配置される光学素子とを備え、
前記光学素子の電極パッドと前記基台の前記リードとはバンプを介して接続されており、
前記リードの内端及び前記インナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように前記樹脂が形成されて、前記リードの外端、および前記アウターリードの表面が露出されていることを特徴とする光学デバイス。
A base having a through-hole in the center, an L-shaped lead having an inner lead extending from the center toward the periphery and an outer lead connected to the inner lead and extending downward, and a resin,
An optical element disposed below the base so as to correspond to the through hole,
The electrode pad of the optical element and the lead of the base are connected via a bump,
The resin is formed so as to cover the inner end of the lead and the surface of the inner lead, and to fill the space between adjacent leads, and the outer end of the lead and the surface of the outer lead are exposed. An optical device characterized by.
請求項1に記載の光学デバイスにおいて、
前記光学素子の裏面に配置される薄板体をさらに備えていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 1.
An optical device further comprising a thin plate disposed on a back surface of the optical element.
請求項2に記載の光学デバイスにおいて、
前記薄板体は、熱伝導効率の高い材料からなることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 2.
The thin plate is made of a material having high heat conduction efficiency.
請求項2に記載の光学デバイスにおいて、
前記光学素子と前記薄板体との間には、接合部材が介在されていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 2.
An optical device, wherein a joining member is interposed between the optical element and the thin plate member.
請求項2に記載の光学デバイスにおいて、
前記基台の前記貫通孔内に配置された透明部材をさらに備え、
前記透明部材と前記薄板体とによって、前記基台に配置された前記光学素子が密封されていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 2.
A transparent member disposed in the through hole of the base;
The optical device, wherein the optical element disposed on the base is sealed by the transparent member and the thin plate member.
請求項5に記載の光学デバイスにおいて、
前記透明部材と前記基台との間には、接着剤が介在されていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 5.
An optical device, wherein an adhesive is interposed between the transparent member and the base.
請求項2に記載の光学デバイスにおいて、
前記薄板体の裏面に、前記リードの外端に位置する外部端子と対応するように配置された電極をさらに備えていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 2.
An optical device further comprising an electrode arranged on the back surface of the thin plate so as to correspond to an external terminal located at an outer end of the lead.
請求項2に記載の光学デバイスにおいて、
前記基台の外端領域に、前記薄板体の角部形状と対応する形状の段差が設けられ、
前記段差内に前記薄板体が配置されて前記基台と前記薄板体とが嵌合していることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 2.
A step having a shape corresponding to the shape of the corner of the thin plate is provided in the outer end region of the base,
An optical device, wherein the thin plate member is disposed in the step and the base and the thin plate member are fitted to each other.
請求項1に記載の光学デバイスにおいて、
前記樹脂のうち前記リードの内端上に形成されている部分は、前記貫通孔の内径が上端から下端に向かって大きくなるように、テーパー形状に形成されていることを特徴とする光学デバイス。
The optical device according to claim 1.
The optical device is characterized in that a portion of the resin formed on the inner end of the lead is formed in a tapered shape so that the inner diameter of the through hole increases from the upper end toward the lower end.
中央に貫通孔が設けられ、中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台を準備する工程(a)と、
中央に光検知領域を有する光学素子の表面に形成された電極パッド上に、バンプを形成する工程(b)と、
前記工程(a)および前記工程(b)の後に、前記基台の下方に前記貫通孔と対応するように前記光学素子を配置して、前記バンプを介して、前記基台の前記リードと前記光学素子の前記電極パッドとを接続する工程(c)と、
前記光学素子の裏面に接合部材を介して薄板体を配置する工程(d)と、
前記基台の前記貫通孔に接着剤を介して透明部材を配置する工程(e)とを備え、
前記工程(a)は、前記リードの内端および前記インナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように前記樹脂が形成された前記基台を準備する工程であることを特徴とする光学デバイスの製造方法。
A base including a through hole provided in the center, an inner lead extending from the center toward the periphery and an outer lead connected to the inner lead and extending downward, and a resin base is prepared. Step (a);
A step (b) of forming a bump on the electrode pad formed on the surface of the optical element having a light detection region in the center;
After the step (a) and the step (b), the optical element is disposed below the base so as to correspond to the through hole, and the lead of the base and the lead are interposed via the bumps. Connecting the electrode pads of the optical element (c);
A step (d) of disposing a thin plate member via a bonding member on the back surface of the optical element;
A step (e) of disposing a transparent member in the through hole of the base via an adhesive;
The step (a) is a step of preparing the base on which the resin is formed so as to cover the inner end of the lead and the surface of the inner lead and to embed between adjacent leads. A method for manufacturing an optical device.
請求項10に記載の光学デバイスの製造方法において、
前記工程(a)は、
前記基台に含まれるリード数と対応する数のリードフレームを所定の長さ分だけ準備する工程(a1)と、
前記リードフレームのうち、前記インナーリードと前記アウターリードとの接続部に対応する部分を中心に折り曲げると共に、前記リードの外端に対応する部分を中心に折り曲げる工程(a2)と、
前記工程(a2)の後に、前記リードフレームが設置された下金型と、上金型とを合わせて、前記下金型と前記上金型との間にキャビティを形成する工程(a3)と、
前記工程(a3)の後に、前記キャビティ内に樹脂を充填し硬化させて、前記リードフレームと前記樹脂とからなる成形体を形成した後、前記下金型と前記上金型とを開いて、前記成形体を取り出す工程(a4)と、
前記工程(a4)の後に、前記成形体を、該成形体のうち前記リードの外端に対応する部分で切断して、個片化された前記基台を得る工程(a5)とを有し、
前記工程(a4)において、前記リードの内端となる面、および前記インナーリードの表面となる面上を覆うと共に、互いに隣り合うリードフレーム間を埋め込むように前記樹脂が形成された前記成形体が形成されることを特徴とする光学デバイスの製造方法。
In the manufacturing method of the optical device according to claim 10,
The step (a)
Preparing a predetermined number of lead frames corresponding to the number of leads included in the base (a1);
A step of bending the lead frame around a portion corresponding to the connection portion between the inner lead and the outer lead, and bending the portion corresponding to the outer end of the lead (a2);
After the step (a2), a step (a3) of forming a cavity between the lower die and the upper die by combining the lower die provided with the lead frame and the upper die. ,
After the step (a3), the resin is filled in the cavity and cured to form a molded body composed of the lead frame and the resin, and then the lower mold and the upper mold are opened, A step (a4) of taking out the molded body;
After the step (a4), the molded body is cut at a portion corresponding to the outer end of the lead in the molded body to obtain the singulated base (a5). ,
In the step (a4), the molded body on which the resin is formed so as to cover the surface serving as the inner end of the lead and the surface serving as the surface of the inner lead and burying between the adjacent lead frames. A method for manufacturing an optical device, comprising: forming an optical device.
中央から周縁に向かって伸びるインナーリードおよび該インナーリードに接続され下方に伸びるアウターリードからなる断面形状がL字型のリードと、樹脂とを含む基台と、
前記基台の下方に前記リードと対応するように電極パッドが配置される半導体素子とを備え、
前記半導体素子の前記電極パッドと前記基台の前記リードとはバンプを介して接続されており、
前記リードの内端及び前記インナーリードの表面上を覆うと共に、互いに隣り合うリード間を埋め込むように前記樹脂が形成されて、前記リードの外端、および前記アウターリードの表面が露出されていることを特徴とする半導体デバイス。
A base including an L-shaped lead having an inner lead extending from the center toward the periphery and an outer lead connected to the inner lead and extending downward, and a resin;
A semiconductor element in which an electrode pad is disposed below the base so as to correspond to the lead;
The electrode pad of the semiconductor element and the lead of the base are connected via a bump,
The resin is formed so as to cover the inner end of the lead and the surface of the inner lead, and to fill the space between adjacent leads, and the outer end of the lead and the surface of the outer lead are exposed. A semiconductor device characterized by the above.
請求項12に記載の半導体デバイスにおいて、
前記半導体素子の裏面に配置される薄板体をさらに備えていることを特徴とする半導体デバイス。
The semiconductor device according to claim 12, wherein
A semiconductor device further comprising a thin plate disposed on a back surface of the semiconductor element.
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