JP4326314B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示す太陽電池の製造工程に従って太陽電池を製造した。まず、図1(A)において、p型単結晶シリコンからなる半導体基板1の受光面をNaOH水溶液中に浸漬することによって、半導体基板1の製造時に生じる表面の加工変質層を除去し、半導体基板1の受光面に微細なピラミッド状の凹凸を含むテクスチャ構造を形成した。
図2に示す焼成炉12において、半導体基板1の受光面側に設置されているガス供給管16から供給されるガス17の供給量を100L/minとし、裏面側に設置されているガス供給管18から供給されるガス19の供給量を0L/minとしたこと以外は実施例1と同様にして太陽電池を製造した。この太陽電池について、ピンホール発生率と出力を算出した。その結果を表1に示す。
図6に示す焼成炉12において、赤外線ヒータ15だけで半導体基板1を加熱し、半導体基板1の受光面側に設置されているガス供給管16から供給されるガス17の供給量を200L/minとしたこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を製造した。この太陽電池について、ピンホール発生率と出力を算出した。その結果を表1に示す。
図5に示す焼成炉12において、半導体基板1の受光面側に設置されているガス供給管16から供給されるガス17の供給量を100L/minとし、裏面側に設置されているガス供給管18から供給されるガス19の供給量を100L/minとしたこと以外は実施例1と同様にして太陽電池を製造した。この太陽電池について、ピンホール発生率と出力を算出した。その結果を表1に示す。
図4に示す焼成炉12において、半導体基板1の受光面側に設置されているガス供給管16から供給されるガス17の供給量を100L/minとし、裏面側に設置されているガス供給管18から供給されるガス19の供給量を50L/minとしたこと以外は実施例1と同様にして太陽電池を製造した。この太陽電池について、ピンホール発生率と出力を算出した。その結果を表1に示す。
図8に示す焼成炉112を用いて半導体基板101の裏面側のみからガス117を供給したこと以外は、実施例1と同様にして太陽電池を製造した。この太陽電池について、ピンホール発生率と出力を算出した。その結果を表1に示す。
Claims (8)
- 半導体基板の受光面に反射防止膜を形成する工程と、前記半導体基板の受光面の反対側にある裏面にアルミニウムペーストを塗布する工程と、前記アルミニウムペーストの塗布後に前記半導体基板を加熱室で加熱する工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、
前記加熱室内の前記半導体基板の受光面側には、前記半導体基板の受光面と第1ヒータとの間に第1ガス供給部が配置されており、前記半導体基板の裏面側には、前記半導体基板の裏面と第2ガス供給部との間に第2ヒータが配置されており、
前記半導体基板を加熱室で加熱する工程は、第1ガス供給部から前記半導体基板の受光面に向けてガスを供給し、前記第2ガス供給部から前記第2ヒータに向けてガスを供給することを特徴とする、太陽電池の製造方法。 - 前記第1ガス供給部を構成する複数のガス供給管が、前記第1ヒータを構成する複数のヒータの間に対応する領域に設置されていることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2ガス供給部を構成する複数のガス供給管が、前記第2ヒータを構成する複数のヒータの間に対応する領域以外の領域に設置されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1ヒータおよび前記第2ヒータは赤外線ヒータであることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1ガス供給部から供給されるガスが酸素または酸素を含むガスであることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1ガス供給部から供給されるガスが前記半導体基板に対して垂直に供給されることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記半導体基板の加熱時における前記反射防止膜の表面温度が前記導電性ペーストの表面温度よりも5℃以上50℃以下低いことを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1ガス供給部から供給されるガスの供給量が前記第2ガス供給部から供給されるガスの供給量よりも多いことを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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