JP4322823B2 - 電子ビーム描画装置 - Google Patents
電子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4322823B2 JP4322823B2 JP2005030787A JP2005030787A JP4322823B2 JP 4322823 B2 JP4322823 B2 JP 4322823B2 JP 2005030787 A JP2005030787 A JP 2005030787A JP 2005030787 A JP2005030787 A JP 2005030787A JP 4322823 B2 JP4322823 B2 JP 4322823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaping aperture
- shaping
- electron beam
- aperture
- blanking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 46
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 122
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
本発明の第1実施形態による電子ビーム描画装置の構成を図1に示す。この実施形態の電子ビーム描画装置は、電子源2と、第1成形アパーチャ4と、投影レンズ61、62と、ブランキング偏向器71、72と、成形偏向器8と、第2成形アパーチャ10と、ブランキングアパーチャ12と、縮小レンズ14と、対物レンズ16と、対物偏向器18と、試料100が載置され水平方向(紙面に垂直な方向)に移動可能なステージ30とを備えている。
次に、本発明の第2実施形態による電子ビーム描画装置の構成を図2に示す。この実施形態による電子ビーム描画装置は、電子源2と、コンデンサレンズ3と、第1成形アパーチャ4と、投影レンズ6と、ブランキング偏向器71、72と、成形偏向器8と、第2成形アパーチャ10と、ブランキングアパーチャ12と、縮小レンズ14と、対物レンズ16と、対物偏向器18と、試料100が載置され水平方向(紙面に垂直な方向)に移動可能なステージ30とを備えている。
次に、本発明の第3実施形態による電子ビーム描画装置の構成を図3に示す。この実施形態の電子ビーム描画装置は、図1に示す第1実施形態の電子ビーム描画装置において、成形偏向器8を削除し、成形偏向器8の機能をブランキング偏向器71、72が兼ねた構成となっている。
なお、第3の実施形態も第1実施形態と同様に、第1成形アパーチャの上流側にブランキング偏向器が設けられていないため、大電流領域の短縮化が可能となりレンズでの色収差の増大を防止することができる。また、2組のブランキング偏向器を設けてそれぞれの偏向による第1成形アパーチャの像の、第2成形アパーチャの位置での移動を打ち消すように、偏向位相、偏向強度が調整されているため、ブランキング動作時に試料面上の電流分布の変動を抑制することができる。
3 コンデンサレンズ
4 第1成形アパーチャ
6、61、62 投影レンズ
71、72 ブランキング偏向器
8 成形偏向器
9 クロスオーバ位置
10 第2成形アパーチャ
12 ブランキングアパーチャ
14 縮小レンズ
16 対物レンズ
18 対物偏向器
30 ステージ
100 試料
Claims (6)
- 電子ビームを発生する電子源と、前記電子源からの電子ビームの断面形状を成形する第1成形アパーチャと、前記第1成形アパーチャを通った電子ビームの断面形状を成形する第2成形アパーチャと、前記第1成形アパーチャの像を前記第2成形アパーチャ上に結像する投影レンズと、前記第1および第2成形アパーチャの間に設けられたブランキング偏向器と、前記第2成形アパーチャの像を前記第2成形アパーチャの下流側に設けられた試料の面に結像する対物レンズと、前記第2成形アパーチャと前記対物レンズとの間に設けられたビームブランキング用アパーチャと、を備え、
前記第1および第2成形アパーチャの間に第1クロスオーバ像が形成され、前記ビームブランキング用アパーチャが設けられた近傍に第2クロスオーバ像が形成され、前記第1成形アパーチャと前記第2成形アパーチャとの間に設けられたブランキング偏向器は少なくとも2組からなっており、ブランキング動作時に、前記2組のブランキング偏向器の偏向位相および偏向強度を調整して前記電子ビームを偏向させることにより、前記第1成形アパーチャの前記第2成形アパーチャ上の像を移動させず、かつ前記ブランキングアパーチャ上のビーム位置を移動させることを特徴とする電子ビーム描画装置。 - 前記投影レンズは第1成形アパーチャ側に設けられた第1のレンズと、第2成形アパーチャ側に設けられた第2のレンズとを備え、前記第2のレンズは、上流側から下流側に向かう磁界構造は前記第1のレンズの下流側から上流側に向かう磁界構造と同じであることを特徴とする請求項1記載の電子ビーム描画装置。
- 偏向中心と第1クロスオーバ像の位置とが略一致する他の偏向器を更に備えていることを特徴とする請求項1または2記載の電子ビーム描画装置。
- 前記少なくとも2組のブランキング偏向器は第1クロスオーバ像が成形動作時に不動となるように成形偏向を行う機能を備えていることを特徴とする請求項1または2記載の電子ビーム描画装置。
- 前記電子源からの電子ビームを絞って前記第1成形アパーチャに照射させ前記第1成形アパーチャと前記第2成形アパーチャとの間に前記第1クロスオーバ像を形成するコンデンサレンズとを備えていることを特徴とする請求項4記載の電子ビーム描画装置。
- 前記投影レンズは一組であって、前記2組のブランキング偏向器の間に設けられていることを特徴とする請求項1または3記載の電子ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005030787A JP4322823B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 電子ビーム描画装置 |
US11/348,238 US7326943B2 (en) | 2005-02-07 | 2006-02-07 | Electron beam irradiating apparatus and irradiating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005030787A JP4322823B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 電子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216905A JP2006216905A (ja) | 2006-08-17 |
JP4322823B2 true JP4322823B2 (ja) | 2009-09-02 |
Family
ID=36931240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005030787A Expired - Fee Related JP4322823B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 電子ビーム描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7326943B2 (ja) |
JP (1) | JP4322823B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4571558B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2010-10-27 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP6951123B2 (ja) * | 2017-05-23 | 2021-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
US11291861B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-04-05 | Mevion Medical Systems, Inc. | Delivery of radiation by column and generating a treatment plan therefor |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD134582A1 (de) * | 1978-01-19 | 1979-03-07 | Eberhard Hahn | Verfahren und einrichtung zur justierung einer elektronenstrahlbearbeitungsanlage |
JP3593635B2 (ja) | 1995-05-22 | 2004-11-24 | 富士通株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
JP3889743B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2007-03-07 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
-
2005
- 2005-02-07 JP JP2005030787A patent/JP4322823B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-07 US US11/348,238 patent/US7326943B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006216905A (ja) | 2006-08-17 |
US20060192148A1 (en) | 2006-08-31 |
US7326943B2 (en) | 2008-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6208653B2 (ja) | 粒子光学装置、粒子光学部品、検査システム、検査方法、および、リソグラフィシステム | |
JP5688638B2 (ja) | 複数のマルチビーム・アレイを有するパターン定義装置 | |
JP4092280B2 (ja) | 荷電ビーム装置および荷電粒子検出方法 | |
JPH09223475A (ja) | 電磁偏向器、及び該偏向器を用いた荷電粒子線転写装置 | |
JP4316394B2 (ja) | 荷電ビーム装置 | |
JP5117652B2 (ja) | 電子線リソグラフィー方法および電子光学的リソグラフィーシステム | |
JP4571558B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置の調整方法及び荷電粒子ビーム露光装置 | |
US20040084621A1 (en) | Beam guiding arrangement, imaging method, electron microscopy system and electron lithography system | |
JP5159035B2 (ja) | レンズアレイ及び該レンズアレイを含む荷電粒子線露光装置 | |
JP7275647B2 (ja) | マルチビーム用アパーチャ基板セット及びマルチ荷電粒子ビーム装置 | |
JP4322823B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
US9336980B2 (en) | Electron beam writing apparatus, and method for adjusting convergence half angle of electron beam | |
JP4234242B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
JP4691151B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
US20220328278A1 (en) | Charged particle beam writing apparatus | |
JP5373329B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2004047766A (ja) | 電子ビーム露光制御方法とその装置 | |
JP7192254B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びその調整方法 | |
JP7480918B1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
WO2024154183A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
WO2024154184A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
WO2024154182A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
JP2001244186A (ja) | 電子ビーム描画装置及び方法 | |
JP4176131B2 (ja) | 荷電ビーム装置および荷電粒子検出方法 | |
JP2004228309A (ja) | 荷電ビーム制御方法、これを用いた半導体装置の製造方法および荷電ビーム露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090603 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120612 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130612 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |