JP4322086B2 - Substrate processing apparatus and method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板(以下、単に基板と称する)に対して基板処理を行う基板処理装置およびその方法に関する。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method for performing substrate processing on a semiconductor substrate, a glass substrate of a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a substrate for an optical disk (hereinafter simply referred to as a substrate).

従来の基板処理装置では、基板処理を行う処理部(ユニット)の温度・湿度や処理時間の条件などといった基板処理条件や、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構による搬送順序などを設定するフローのレシピが複数個登録されている。オペレータ(術者)は、これら登録されたフローレシピを選択して基板処理を行っている。   In a conventional substrate processing apparatus, substrate processing conditions such as temperature / humidity and processing time conditions of a processing unit (unit) that performs substrate processing, a transfer order by a transfer mechanism that delivers a substrate to each processing unit, etc. A plurality of recipes for the flow to set the are registered. The operator (operator) selects these registered flow recipes and performs substrate processing.

これらのレシピについては、処理ユニットを制御する処理ステーションと全体を統括するコントローラ(管理ステーション)との間で送受信(アップロード・ダウンロード)を行えるようになっており、管理ステーション側で変更することも可能である(例えば、特許文献1参照)。
特開平9−153441号公報(第1−6頁、図1,2)
These recipes can be sent and received (upload / download) between the processing station that controls the processing unit and the controller (management station) that controls the whole, and can also be changed on the management station side. (For example, see Patent Document 1).
JP-A-9-153441 (page 1-6, FIGS. 1 and 2)

しかしながら、例えば、(1)機械的なテストを受けている処理ユニットを避けて基板処理を行う場合や、(2)逆に特定の処理ユニットを指定して基板処理を行う場合や、(3)基板を任意に選択して検査部(検査ユニット)において基板を検査する場合などのように、通常の基板処理とは違った特別の基板処理を行うときには、次のような問題がある。   However, for example, (1) when substrate processing is performed while avoiding a processing unit undergoing a mechanical test, (2) when processing a substrate by designating a specific processing unit, or (3) When performing special substrate processing different from normal substrate processing, such as when a substrate is arbitrarily selected and a substrate is inspected in an inspection unit (inspection unit), there are the following problems.

すなわち、通常の基板処理に係るレシピは既製のものであるが、上述した特別の基板処理に係るレシピについては、従来の既製のレシピから変更するか、あるいは新規に作成する必要がある。例えば、上述した検査ユニットにおいて基板を検査する場合には、検査ユニットに基板を受け渡すフローや検査ユニットに係る検査条件を既製のレシピに追加したり、既製のレシピに設定されている値を書き換える、あるいは検査ユニットに基板を受け渡す検査用のレシピを専用に新たに作成する。しかし、既製のレシピを直接変更すると、それまで発生しなかった不具合が生じるなどの問題が生じる。かかる問題を防止するために通常のレシピは変更できないように書き込み禁止となっている。また、専用のレシピを作成する場合にも作成する手間や時間が生じる。   That is, the recipe for the normal substrate processing is ready-made, but the recipe for the special substrate processing described above needs to be changed from the conventional ready-made recipe or newly created. For example, when inspecting a substrate in the above-described inspection unit, the flow for delivering the substrate to the inspection unit and the inspection conditions related to the inspection unit are added to the ready-made recipe, or the values set in the ready-made recipe are rewritten. Alternatively, a new inspection recipe for handing over the substrate to the inspection unit is created. However, if the ready-made recipe is directly changed, there arises a problem such as a problem that has not occurred until then. In order to prevent such a problem, writing is prohibited so that a normal recipe cannot be changed. Also, it takes time and effort to create a dedicated recipe.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、様々な基板処理を柔軟に行うことができる基板処理装置およびその方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a method for performing various substrate processing flexibly.

本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、既製のレシピを変更せずに、かつ新規のレシピを作成する手間を省くには、既製のレシピをコピーしてコピーされたレシピを変更する手法が考えられる。しかし、この手法の場合には、特別の基板処理の全てにおいて汎用ではなく、既製のレシピと大きく異なるときには新規のレシピを作成する手間と変わらなくなってしまう。その一方で、かかる問題を解決するために本出願人は、特願2003-111772号を先に出願している。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have obtained the following knowledge.
That is, in order to save the trouble of creating a new recipe without changing the ready-made recipe, a method of copying the ready-made recipe and changing the copied recipe can be considered. However, this method is not general in all of the special substrate processing, and when it is greatly different from a ready-made recipe, it is not different from the trouble of creating a new recipe. On the other hand, in order to solve such a problem, the present applicant has previously filed Japanese Patent Application No. 2003-111772 .

この出願では、図19に示すように、基板処理に関する選択肢fa〜fcを有したメインフローMFを作成し、指定された処理部に基づいてメインフローMF中の1つの選択肢を選択して仮フローを作成する。ここで、図19中の『PASS1』,『PASS3』は基板載置部を、『CP』は冷却プレートを,『BARC』は反射防止膜用塗布処理部を、『HP』は加熱プレートを、『WCP』は水冷式の冷却プレートをそれぞれ示す。選択肢faおよびfcは、加熱プレートHPでの加熱処理をスキップする仮フローであって、選択肢fbは、加熱プレートHPでの加熱処理を行う仮フローである。これらの選択肢fa〜fcについては指定された処理部ごとに選択して、仮フローを作成することができる。このように、メインフローMFに、各選択肢fa〜fcを有するようにしたので、メインフローMF自体を作成し直したり、メインフローMF自体を変更することなく、メインフローMF中の1つの選択肢によって仮フローを作成することができる。その結果、メインフローMF自体を作成し直したり、メインフローMF自体を変更することなく、作成された仮フローに合わせて、様々な基板処理を柔軟に行うことができる。   In this application, as shown in FIG. 19, a main flow MF having options fa to fc related to substrate processing is created, and one option in the main flow MF is selected based on a designated processing unit, and a temporary flow is selected. Create Here, “PASS1” and “PASS3” in FIG. 19 are substrate mounting portions, “CP” is a cooling plate, “BARC” is a coating processing portion for antireflection film, “HP” is a heating plate, “WCP” indicates a water-cooled cooling plate. Options fa and fc are temporary flows that skip the heat treatment on the heating plate HP, and options fb are temporary flows that perform the heat treatment on the heating plate HP. These options fa to fc can be selected for each designated processing unit to create a temporary flow. As described above, since the main flow MF has the options fa to fc, the main flow MF itself can be created by one option in the main flow MF without recreating the main flow MF itself or changing the main flow MF itself. A temporary flow can be created. As a result, various substrate processes can be flexibly performed in accordance with the created temporary flow without recreating the main flow MF itself or changing the main flow MF itself.

かかる出願とは別の手法について本発明者らは考えてみた。近年の基板処理装置では、基板処理中にレシピの値(例えば、処理部の温度・湿度や処理時間などの基板処理の条件)を変更することが可能である可変レシピ機能を有するものが開発されつつある。本発明者らは、この機能に着目して搬送順序を決定する情報にフラグを付随させて、そのフラグによって処理のスキップを設定することに想到した。すなわち、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報(処理情報の一例としてフラグ)によって基板処理を柔軟に行うという知見を得た。このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。   The present inventors have considered a method different from such an application. In recent substrate processing apparatuses, those having a variable recipe function capable of changing recipe values (for example, substrate processing conditions such as temperature / humidity and processing time of a processing unit) during substrate processing have been developed. It's getting on. The inventors of the present invention have focused on this function and conceived that a flag is attached to information for determining the transport order and processing skip is set by the flag. That is, it has been found that substrate processing is flexibly performed by processing information (a flag as an example of processing information) for setting whether or not to process a substrate for each processing unit. The present invention based on such knowledge has the following configuration.

すなわち、請求項1に記載の発明は、基板処理を行う複数の処理部と、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、処理部および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、基板の処理情報を設定する処理情報設定手段とを備え、処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であって制御手段は、搬送順序および処理情報に基づき、次のように処理部および搬送機構を制御する、(A)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(B1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(B2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。 That is, the invention described in claim 1 includes a plurality of processing units that perform substrate processing, a transport mechanism that transfers a substrate to each processing unit, and a control unit that controls the processing unit and the transport mechanism. A substrate processing apparatus, comprising: a transport order setting means for setting the transport order of the substrates by the transport mechanism; and a processing information setting means for setting the processing information of the substrates. The processing information is a processing section in each transport order. Whether to perform substrate processing for all processing units that can process a substrate is assigned by assigning one of “Perform substrate processing” or “Do not perform substrate processing” an information to the control means, based on the conveying order and processing information, controls the processing unit and the transport mechanism as follows, together with the receiving and transferring the substrates to the processing unit on the basis of (a) conveying the order When (B 1) processing information is to set that "performing the processing of the substrate" performs processing of the substrate in the processing unit based on the processing information, (B 2) processing information "of the substrate In the case of setting that “no processing is performed”, the substrate is transferred to the next processing unit without performing the processing of the substrate in the processing unit.

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、搬送順序設定手段が、搬送機構による基板の搬送順序を設定するとともに、処理情報設定手段が基板の処理情報を設定する。その処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報である。制御手段は、搬送順序および処理情報に基づき、(A)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(B1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(B2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うように、処理部および搬送機構を制御する。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, the transfer order setting means sets the transfer order of the substrates by the transfer mechanism, and the processing information setting means sets the processing information of the substrates. The processing information is assigned to all processing units capable of processing a substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. This is information for setting whether or not to process a substrate. Based on the transfer order and the processing information, the control means (A) delivers the substrate to the processing unit based on the transfer order, and (B 1 ) sets the processing information to “process the substrate”. If it is, the processing unit processes the substrate based on the processing information, and (B 2 ) if the processing information is set to “do not process the substrate”, the processing The processing unit and the transport mechanism are controlled so that the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate by the unit.

処理情報は、各々の処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であるので、上述した(B1 ),(B2 )のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」(すなわち基板の処理をスキップする)の双方について処理情報によって操作することができる。また、その処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報の設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
また、基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板の処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
Since the processing information is information for setting whether or not to process the substrate for each processing unit, as described above (B 1 ) and (B 2 ), “processing the substrate” and “ Both “do not process substrate” (ie skip substrate processing) can be manipulated by processing information. In addition, as the processing information, any one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” is assigned to each processing unit in each conveyance order, so it is necessary to change the conveyance order itself. Rather, various substrate processing can be flexibly performed according to the setting of processing information.
Further, by setting the processing information to set whether to perform processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate, the maximum for all of the processing unit capable of processing a substrate Various substrate processes can be performed more flexibly so that the substrate can be processed and, at a minimum, only the transfer can be performed without performing the substrate processing on all the processing units. .

また、請求項2に記載の発明は、基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部,処理部,および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、基板の処理情報を設定する処理情報設定手段と、基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かが設定する情報であるとともに、検査情報は、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられて制御手段に与えられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であって制御手段は、搬送順序、処理情報および検査情報に基づき、次のように検査部処理部および搬送機構を制御する、(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(B1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(B2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行い、(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項2に記載の発明によれば、搬送順序設定手段が、搬送機構による基板の搬送順序を設定するとともに、検査情報設定手段が基板の検査情報を設定する。その検査情報は、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられて制御手段に与えられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報である。制御手段は、搬送順序、処理情報および検査情報に基づき、(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うように、検査部処理部および搬送機構を制御する。
検査情報は、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であるので、上述した(D1 ),(D2 )のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」(すなわち基板の検査をスキップする)の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
また、請求項1に記載の発明の場合と同様に、基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板の処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
また、請求項3に記載の発明は、基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部,処理部,および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、検査情報は、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かが設定する情報であって制御手段は、搬送順序および検査情報に基づき、次のように検査部処理部および搬送機構を制御する、(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。
The invention described in claim 2 includes an inspection unit that inspects a substrate, a plurality of processing units that perform substrate processing, a transport mechanism that delivers the substrate to each of the processing units, and an inspection. A substrate processing apparatus comprising a control unit for controlling a transfer unit, a processing unit, and a transfer mechanism, a transfer order setting unit for setting a transfer order of substrates by the transfer mechanism, and a processing information setting for setting substrate processing information Means and inspection information setting means for setting substrate inspection information, and the processing information is either “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing section in each transport order. When one is assigned, it is information for setting whether or not to process the substrate for all processing units capable of processing the substrate , and the inspection information is sent to the inspection unit in the transport order by “inspecting the substrate. Do " Is information for setting whether to perform by given in any one of allocated control means "not to inspect such substrates", the inspection of the substrate with respect to the inspection unit, the control means, Based on the transport order , processing information and inspection information, the inspection unit , the processing unit and the transport mechanism are controlled as follows. (C) While delivering the substrate to the inspection unit and the processing unit based on the transport order, (B 1 ) When the processing information is set to “perform substrate processing”, the processing unit processes the substrate based on the processing information, and (B 2 ) the processing information indicates “substrate processing”. If it is set to “do not process”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit, and (D 1 ) the inspection information is “substrate” Is set to "inspect" Expediently, when inspecting inspects the substrate in the inspection unit based on the information, and sets that (D 2) inspection information is "not perform an inspection of the substrate", a substrate in the inspection unit The substrate is transferred to the next inspection unit or processing unit without performing the inspection.
[Operation / Effect] According to the invention described in claim 2, the transport order setting means sets the transport order of the substrates by the transport mechanism, and the inspection information setting means sets the inspection information of the substrates. The inspection information is assigned to the inspection unit in the transfer order by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to the control unit, so that the inspection unit is inspected. This is information for setting whether or not to perform inspection. The control means, based on the transport order , processing information and inspection information, (C) delivers the substrate to the inspection unit and the processing unit based on the transport order, and (D 1 ) If it is set to “perform”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information, and (D 2 ) sets the inspection information to “do not inspect the substrate”. In this case, the inspection unit , the processing unit, and the transport mechanism are controlled so that the substrate is delivered to the next inspection unit or processing unit without performing the substrate inspection by the inspection unit.
Since the inspection information is information for setting whether or not to inspect the substrate with respect to the inspection unit, the “inspection of the substrate” and the “inspection of the substrate” are performed as described above in (D 1 ) and (D 2 ). Both “do not inspect” (ie skip substrate inspection) can be manipulated by inspection information. In addition, since any one of “inspect the substrate” or “do not inspect the substrate” is assigned to the inspection unit in the transport order, it is not necessary to change the transport order itself. Various substrate processing including the inspection unit can be flexibly performed according to the setting of the inspection information.
As in the case of the invention described in claim 1, by setting the processing information to set whether to perform processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate, most Then, it is possible to process the substrate for all the processing units that can process the substrate, and at the minimum, it is possible to perform only the transfer without processing the substrate for all the processing units, Various substrate processing can be performed more flexibly.
The invention described in claim 3 includes an inspection unit that inspects a substrate, a plurality of processing units that perform substrate processing, a conveyance mechanism that delivers the substrate to each of the processing units, and an inspection unit. A substrate processing apparatus including a control unit for controlling a transport unit, a processing unit, and a transport mechanism, a transport order setting unit for setting a transport order of substrates by the transport mechanism, and an inspection information setting for setting substrate inspection information All of the inspection information can be inspected by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to each inspection unit in each transport order. Whether or not to inspect the substrate for the inspection unit is set , and the control means controls the inspection unit , the processing unit, and the transport mechanism as follows based on the transport order and the inspection information. (C) Transport order Performs transfer of a substrate with respect to the inspection unit and the processing unit on the basis of, (D 1) when the test information is used to set that "inspecting the substrate", the examination unit based on the examination information (D 2 ) If the inspection information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate and the next inspection unit or The substrate is transferred to the processing unit.

[作用・効果]請求項3に記載の発明によれば、搬送順序設定手段が、搬送機構による基板の搬送順序を設定するとともに、検査情報設定手段が基板の検査情報を設定する。その検査情報は、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かが設定する情報である。制御手段は、搬送順序および検査情報に基づき、(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うように、検査部処理部および搬送機構を制御する。 [Operation and Effect] According to the invention described in claim 3, the transfer order setting means sets the transfer order of the substrates by the transfer mechanism, and the inspection information setting means sets the inspection information of the substrates. The inspection information is assigned to all inspection units capable of inspecting the substrate by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to each inspection unit in each transport order. This is information for setting whether or not to inspect the substrate. The control means, based on the transport order and the inspection information, (C) delivers the substrate to the inspection unit and the processing unit based on the transport order, and (D 1 ) the inspection information “inspects the substrate” If the inspection information is set to “do not inspect the substrate” (D 2 ), the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information. The inspection unit , the processing unit, and the transport mechanism are controlled so that the substrate is delivered to the next inspection unit or processing unit without inspecting the substrate by the inspection unit.

検査情報は、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であるので、上述した(D1 ),(D2 )のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」(すなわち基板の検査をスキップする)の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
また、基板検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するように検査情報を設定することで、最大限では基板検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うことができるとともに、最小限では全ての検査部に対して基板の検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
Since the inspection information is information for setting whether or not to inspect the substrate with respect to the inspection unit, the “inspection of the substrate” and the “inspection of the substrate” are performed as described above in (D 1 ) and (D 2 ). Both “do not inspect” (ie skip substrate inspection) can be manipulated by inspection information. In addition, as the inspection information, any one of “perform substrate inspection” or “not perform substrate inspection” is assigned to each inspection unit in each conveyance order, so it is necessary to change the conveyance order itself. Rather, various substrate processing including the inspection unit can be flexibly performed according to the setting of the inspection information.
Further, by setting the examination information to set whether or not to perform an inspection of the substrate for all of the inspection unit capable of inspecting a substrate, the maximum for all the inspection unit capable of inspecting a substrate In addition to being able to inspect substrates, at the very least, it is possible to carry out various substrate processing including inspection units so that only inspection can be carried out without inspecting all inspection units. Can be done.

上述した各発明において、基板処理装置の一例として、前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成されており、各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、各処理ブロックの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うものがある(請求項4に記載の発明)。 In each of the above-described inventions, as an example of the substrate processing apparatus, the apparatus includes the processing unit and the transport mechanism, or includes the inspection unit, the processing unit, and the transport mechanism to form a single processing block. The processing blocks are arranged side by side, and each processing block has an entrance substrate mounting portion for mounting a substrate to receive the substrate in the processing block, and a substrate from the processing block. An exit substrate placement unit for placing a substrate is provided separately from each other, and a transfer mechanism for each processing block transfers a substrate through the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit. (Invention of Claim 4 ).

上述した装置によれば、基板処理あるいは基板の検査が並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の搬送機構が検査部または各々の処理部に対して基板の受け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの搬送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処理装置のスループットを向上させることができる。しかも、入口基板載置部と出口基板載置部とが区別して設けられているので、その処理ブロックに受け入れる基板と、その処理ブロックから払い出す基板とが、基板載置部で干渉することがなく、各処理ブロック間の基板搬送を円滑に行うことができる。   According to the above-described apparatus, substrate processing or substrate inspection is sequentially performed in a plurality of processing blocks arranged in parallel. In each processing block, each transport mechanism transfers the substrate in parallel to the inspection unit or each processing unit. That is, since the transfer mechanism of each processing block operates simultaneously and in parallel, the speed of substrate transfer to each processing unit or inspection unit is equivalently improved, so that the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. In addition, since the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit are provided separately, the substrate received in the processing block and the substrate dispensed from the processing block may interfere with each other in the substrate placement unit. In addition, the substrate can be smoothly transferred between the processing blocks.

また、基板処理装置の他の一例として、前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成されており、各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、各被制御ユニットの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、各被制御ユニットに対して一対一にそれぞれ対応し、各ユニット制御手段は、処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、その制御の対象となる被制御ユニットのみに対して行うとともに、他の被制御ユニットから各々独立して行うものがある(請求項5に記載の発明)。 As another example of the substrate processing apparatus, the apparatus includes the processing unit and the transport mechanism, or configures a single controlled unit including the inspection unit, the processing unit, and the transport mechanism. The controlled units are arranged in parallel, and each controlled unit has an inlet substrate mounting portion for mounting a substrate to receive the substrate in the controlled unit, and a substrate from the controlled unit. An exit substrate placement unit for placing a substrate to be dispensed is provided separately, and the transport mechanism of each controlled unit transfers the substrate via the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit. was carried out, and includes a unit control means for controlling at least the substrate transfer operation of the transfer mechanism of the controlled units each controlled unit, each unit control means, respectively versus the one-to-one correspondence with each of the control unit And, each unit control means, transfer of the substrate to the processing section or the inspection section and the control according to a series of substrate transfer, including the transfer of the substrate relative to the substrate platform, only for the control unit to be a control Some of them are performed independently from other controlled units ( the invention according to claim 5 ).

上述した装置は、制御面からも基板処理装置のスループットを向上することを意図している。この装置の制御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御ユニット間の基板の受け渡しを、区別された入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制御手段は、入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣接する被制御ユニットの搬送機構の動きを考慮する必要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基板処理(請求項4に記載の発明)は、搬送機構や各処理部や検査部を集中制御している関係で、搬送機構や各処理部や検査部の動作順序の決定作業(スケジューリング)が複雑であり、そのことがスループットの向上を妨げる一因ともなっている。 The above-described apparatus is intended to improve the throughput of the substrate processing apparatus from the control aspect. The control method of this apparatus is so-called distributed control. For this purpose, the transfer of the substrate between the controlled units is performed via the distinguished entrance substrate placement portion and the exit substrate placement portion. As a result, the control means of each controlled unit need only perform a series of controls starting from receipt of the substrate placed on the entrance substrate placement unit and being completed by placing the substrate on the exit substrate placement unit. That is, it is not necessary to consider the movement of the transport mechanism of the adjacent controlled unit. Therefore, the burden on the control means of each controlled unit is reduced, and the throughput of the substrate processing apparatus can be improved. In addition, the number of controlled units can be increased or decreased relatively easily. On the other hand, in the conventional substrate processing ( the invention according to claim 4 ), the operation sequence of the transport mechanism, each processing unit, and the inspection unit is performed because the transport mechanism, each processing unit, and the inspection unit are centrally controlled. The determination work (scheduling) is complicated, which is one factor that hinders the improvement of throughput.

また、この装置を請求項1から請求項3のいずれかに記載の発明と組み合わせることで、以下のような効果をも奏する。すなわち、隣接する被制御ユニットの搬送機構の動きを考慮する必要がないことから、従来の基板処理(請求項4に記載の発明)と比較すると、請求項1から請求項3のいずれかに記載の発明の効果である、検査部を含んだ柔軟な基板処理によって生じた相互の各被制御ユニット(請求項4では処理ブロックに相当)の影響が生じ難い。 Further, by combining this apparatus with the invention according to any one of claims 1 to 3 , the following effects are also obtained. That is, since it is not necessary to consider the movement of the transport mechanism of the adjacent controlled unit, it is any one of claims 1 to 3 as compared with the conventional substrate processing ( the invention according to claim 4 ). The influence of the respective controlled units (corresponding to the processing block in claim 4) caused by the flexible substrate processing including the inspection unit, which is the effect of the present invention, is unlikely to occur.

また、上述した請求項4および請求項5に記載の各発明において、入口基板載置部および出口基板載置部は、1つの処理ブロック(または、被制御ユニット)を基準にして、基板載置部の機能を捉えたものである。つまり、ある処理ブロック(または、被制御ユニット)の出口基板載置部は、その処理ブロックに隣接する処理ブロック(または、被制御ユニット)を基準にすれば入口基板載置部に相当する。このように、隣接する処理ブロック(または、被制御ユニット)間では、出口基板載置部と入口基板載置部とが一致している。 In each of the above-described inventions, the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit are configured to place the substrate on the basis of one processing block (or a controlled unit). It captures the function of the department. In other words, an exit substrate placement portion of a certain processing block (or controlled unit) corresponds to an entrance substrate placement portion based on the processing block (or controlled unit) adjacent to the processing block. Thus, between the adjacent processing blocks (or controlled units), the exit substrate placement unit and the entrance substrate placement unit coincide.

また、請求項6に記載の発明は、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が設定されており、(a)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。 The invention described in claim 6 is a substrate processing method for transferring a substrate to each processing unit and performing substrate processing in the transferred processing unit, for each processing unit in each transport order. A process for setting whether or not to process a substrate for all processing units capable of processing the substrate by assigning any one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing”. When information is set and (a) the substrate is delivered to the processing unit based on the transport order, and (b 1 ) the processing information is set to “perform substrate processing”. Performs processing of the substrate by the processing unit based on the processing information. (B 2 ) If the processing information is set to “do not perform processing of the substrate”, the processing unit processes the substrate. Of the substrate for the next processing section. It is characterized in that performing only pass.

[作用・効果]請求項6に記載の発明によれば、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が設定されており、(a)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うので、上述した(b1 ),(b2 )のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」(すなわち基板の処理をスキップする)の双方について処理情報によって操作することができる。また、その処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報の設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。 [ Operation / Effect] According to the invention described in claim 6, any one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” is assigned to each processing section in each transport order. Processing information for setting whether or not to process a substrate is set for all processing units capable of processing the substrate, and (a) the substrate is transferred to the processing unit based on the transport order. At the same time, when (b 1 ) processing information is set to “perform substrate processing”, the processing unit processes the substrate based on the processing information, and (b 2 ) processing information is “ If it is set to “do not process substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit, so that (b 1 ) described above. , (b 2) "performs the processing of the substrate" as and For both not processed substrate "(i.e. skips the processing of the substrate) can be operated on by processing information. In addition, as the processing information, any one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” is assigned to each processing unit in each conveyance order, so it is necessary to change the conveyance order itself. Rather, various substrate processing can be flexibly performed according to the setting of processing information.

また、基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板の処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
また、請求項7に記載の発明は、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が設定されているとともに、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行い、(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。
[作用・効果]請求項7に記載の発明によれば、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うので、上述した(d1 ),(d2 )のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」(すなわち基板の検査をスキップする)の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
また、請求項7に記載の発明の場合には、請求項6に記載の発明の場合と同様に、基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板の処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
Further, by setting the processing information to set whether to perform processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate, the maximum for all of the processing unit capable of processing a substrate Various substrate processes can be performed more flexibly so that the substrate can be processed and, at a minimum, only the transfer can be performed without performing the substrate processing on all the processing units. .
According to the seventh aspect of the present invention, the substrate is delivered to the inspection unit and each processing unit, the substrate is inspected by the delivered inspection unit, and the substrate processing is performed by the delivered processing unit. All substrate processing methods that can process a substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. The processing information for setting whether or not to process the substrate is set for the unit, and one of “inspect substrate” and “do not inspect substrate” is set in the inspection unit in the transport order. Inspection information for setting whether or not to inspect the substrate for the inspection unit is set, and (c) delivery of the substrate to the inspection unit and the processing unit based on the transport order. If you do Moni, (b 1) when the processing information is used to set that "performing the processing of the substrate" performs processing of the substrate in the processing unit based on the processing information, the (b 2) process information If it is set to “do not process the substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit, and (d 1 ) inspection information Is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information, and (d 2 ) the inspection information “does not inspect the substrate”. Is set, the substrate is transferred to the next inspection unit or processing unit without inspecting the substrate by the inspection unit.
[Operation / Effect] According to the invention described in claim 7, the inspection unit is assigned with one of "inspect substrate" and "do not inspect substrate" assigned to the inspection unit in the transport order. Inspection information for setting whether or not to inspect the substrate is set for (c) The substrate is delivered to the inspection unit and the processing unit based on the transport order, and (d 1 ) inspection When the information is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information, and (d 2 ) the inspection information “does not inspect the substrate”. If this is set, the substrate is transferred to the next inspection unit or processing unit without inspecting the substrate by the inspection unit, so that (d 1 ), (d 2 ) ) “Perform board inspection” and “ Both “do not inspect” (ie skip substrate inspection) can be manipulated by inspection information. In addition, since any one of “inspect the substrate” or “do not inspect the substrate” is assigned to the inspection unit in the transport order, it is not necessary to change the transport order itself. Various substrate processing including the inspection unit can be flexibly performed according to the setting of the inspection information.
In the case of the invention according to claim 7, as in the case of the invention described in claim 6, sets whether to perform the processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate By setting the processing information in this way, the processing of the substrate can be performed for all processing units capable of processing the substrate at the maximum, and the processing of the substrate is performed for all the processing units at the minimum. Thus, various substrate processes can be performed more flexibly so that only the transfer can be performed.

上述した発明において、上述した(b2 )の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合の一例は、その処理部に対して基板を受け渡した状態で基板の処理を行わずに、その処理部から次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことである(請求項8に記載の発明)。他の一例は、その処理部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことである(請求項9に記載の発明)。 In each of the above-described inventions, an example of the case where the processing information (b 2 ) described above is set to “do not perform substrate processing”. In the state where the substrate is delivered to the processing unit, The substrate is transferred from the processing unit to the next processing unit without performing the processing ( the invention according to claim 8 ). Another example is passing the substrate without passing the substrate to the processing unit and transferring the substrate to the next processing unit ( the invention according to claim 9 ).

また、請求項10に記載の発明は、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とするものである。 In the invention described in claim 10, the substrate is delivered to the inspection unit and each processing unit, the substrate is inspected by the delivered inspection unit, and the substrate processing is performed by the delivered processing unit. All inspections that can inspect a substrate by assigning any one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to each inspection unit in each transport order in the substrate processing method Inspection information for setting whether or not to inspect the substrate for the unit is set. (C) Deliver the substrate to the inspection unit and the processing unit based on the conveyance order, and (d 1 ) When the inspection information is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information, and (d 2 ) the inspection information “does not inspect the substrate. Is to set Expediently, without inspection of the substrate at the inspection unit, and is characterized in that for transferring the substrate for the next inspection unit or processing unit.

[作用・効果]請求項10に記載の発明によれば、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うので、上述した(d1 ),(d2 )のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」(すなわち基板の検査をスキップする)の双方について検査情報によって操作することができる。また、その検査情報は、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 10, any one of “perform substrate inspection” or “not perform substrate inspection” is assigned to each inspection unit in each transport order. Inspection information for setting whether or not to inspect the substrate is set for all inspection units that can inspect the substrate . (C) Based on the transport order, the inspection information and the processing unit are inspected. (D 1 ) When the inspection information is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information, and (d 2 ) inspection If the information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate, and the substrate is transferred to the next inspection unit or processing unit. described above (d 1), as in (d 2) For both the substrate is inspected "and" not to inspect such substrates "(i.e. skip inspection of the substrate) can be operated by the examination information. In addition, as the inspection information, any one of “perform substrate inspection” or “not perform substrate inspection” is assigned to each inspection unit in each conveyance order, so it is necessary to change the conveyance order itself. Rather, various substrate processing including the inspection unit can be flexibly performed according to the setting of the inspection information.

また、基板検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するように検査情報を設定することで、最大限では基板検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うことができるとともに、最小限では全ての検査部に対して基板の検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。 Further, by setting the examination information to set whether or not to perform an inspection of the substrate for all of the inspection unit capable of inspecting a substrate, the maximum for all the inspection unit capable of inspecting a substrate In addition to being able to inspect substrates, at the very least, it is possible to carry out various substrate processing including inspection units so that only inspection can be carried out without inspecting all inspection units. Can be done.

上述した発明において、上述した(d2 )の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合の一例は、その検査部に対して基板を受け渡した状態で基板の検査を行わずに、その検査部から次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことである(請求項11に記載の発明)。他の一例は、その検査部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことである(請求項12に記載の発明)。 In the above-described invention, an example of the case where the above-described inspection information (d 2 ) is set to “do not inspect the substrate” is an example of inspecting the substrate with the substrate delivered to the inspection unit. In this case, the substrate is transferred from the inspection unit to the next inspection unit or processing unit. Another example is passing the substrate without passing the substrate to the inspection unit and transferring the substrate to the next inspection unit or processing unit (the invention according to claim 12).

上述した発明において、検査部で合格するまで「基板の検査を行う」検査情報を設定し、搬送順序基づいてその検査部に対して基板を順に受け渡して、その検査情報に基づいてその検査部で検査を順に行い、検査部で基板が合格すれば「基板の検査を行わない」検査情報を設定し、その合格した基板よりも後続の基板については、検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う(請求項13に記載の発明)のが好ましい。検査部で合格するまで検査部に対して基板を順に受け渡して検査を行い、検査部で基板が合格すればその合格した基板よりも後続の基板については検査部で基板の検査を行わないので、基板の検査について正しく行うことができるとともに、合格した基板よりも後続の基板については検査部に対して基板の受け渡しを行わずに検査部を含んだ基板処理のスループットを向上させることができる。 In the above-described invention, the inspection information “inspect the substrate” is set until the inspection unit passes, the substrate is sequentially transferred to the inspection unit based on the transport order , and the inspection unit is based on the inspection information. If the board passes in the inspection section, set the inspection information to "Do not inspect the board", and for the subsequent board than the board that passed, do not inspect the board in the inspection section It is preferable that the substrate is transferred to the next inspection unit or processing unit (the invention according to claim 13). Since the substrate is passed to the inspection unit in order until it passes in the inspection unit, the inspection is performed, and if the substrate passes in the inspection unit, the inspection unit does not inspect the substrate subsequent to the substrate that passed, It is possible to correctly perform the inspection of the substrate, and it is possible to improve the throughput of the substrate processing including the inspection unit without transferring the substrate to the inspection unit with respect to the substrate subsequent to the passed substrate.

本発明に係る基板処理装置およびその方法によれば、(A)/(a)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(B1 )/(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、(B2 )/(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う。あるいは、(C)/(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、(D1 )/(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、(D2 )/(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う。このように「基板の処理/検査を行う」および「基板の処理/検査を行わない」(すなわち基板の処理/検査をスキップする)の双方について処理情報/検査情報によって操作することができる。また、その処理情報/検査情報は、各々の搬送順序における処理部/検査部ごとに「基板の処理/検査を行う」または「基板の処理/検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられているので、搬送順序自体を変更する必要はなく、処理情報/検査情報の設定に合わせて検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。
また、基板処理/検査し得る全ての処理部/検査部に対して基板の処理/検査を行うか否かを設定するように処理情報を設定することで、最大限では基板処理/検査し得る全ての処理部/検査部に対して基板の処理/検査を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部/検査部に対して基板の処理/検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。
According to the substrate processing apparatus and method of the present invention, (A) / (a) the substrate is transferred to the processing unit based on the transport order, and (B 1 ) / (b 1 ) processing information is received. In the case of setting “to process the substrate”, the processing unit processes the substrate based on the processing information, and (B 2 ) / (b 2 ) processing information indicates that “the substrate processing is performed”. If it is set to “not perform”, the substrate is delivered to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit. Alternatively, (C) / (c) the substrate is transferred to the inspection unit and the processing unit based on the transport order, and (D 1 ) / (d 1 ) inspection information indicates that “inspect the substrate”. If it is to be set, the substrate is inspected by the inspection unit based on the inspection information, and (D 2 ) / (d 2 ) inspection information is set to “do not inspect the substrate”. In some cases, the substrate is delivered to the next inspection unit or processing unit without inspecting the substrate by the inspection unit. In this way, both “perform substrate processing / inspection” and “not perform substrate processing / inspection” (that is, skip substrate processing / inspection) can be operated by processing information / inspection information. As the processing information / inspection information, any one of “perform substrate processing / inspection” or “not perform substrate processing / inspection” is assigned to each processing unit / inspection unit in each transport order. Therefore, there is no need to change the transport order itself, and various substrate processes including the inspection unit can be flexibly performed in accordance with the setting of the processing information / inspection information.
Further, by setting the processing information to set whether to perform processing / inspection of the substrate for all processor / inspection unit which may be treated / inspecting a substrate, the process / examine the substrate in most Substrate processing / inspection units can be processed / inspected for all possible processing units / inspection units, and at the minimum, all processing units / inspection units are not subjected to substrate processing / inspection units, but only transported. Therefore, various substrate processes including the inspection unit can be performed more flexibly.

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図1は実施例1に係る基板処理装置の平面図、図2はその正面図、図3はは熱処理部の正面図である。
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1, FIG. 2 is a front view thereof, and FIG. 3 is a front view of a heat treatment section.

ここでは、半導体ウエハ(以下、単に「基板」という)に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もちろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジスト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の薬液処理を含む。   Here, a substrate processing apparatus that applies an antireflection film or a photoresist film to a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a “substrate”) and performs chemical processing such as development processing on the exposed substrate is taken as an example. explain. Of course, the substrate which can be handled by the substrate processing apparatus according to the present invention is not limited to a semiconductor wafer, but includes various substrates such as a glass substrate for a liquid crystal display. Further, the chemical processing is not limited to coating formation processing such as a photoresist film and development processing, but includes various chemical processing.

図1を参照する。本実施例1に係る基板処理装置は大きく分けて、インデクサブロック1と、基板に対して所要の薬液処理を行う3つの処理ブロック(具体的には反射防止膜用処理ブロック2、レジスト膜用処理ブロック3、および現像処理ブロック4)と、インターフェイスブロック5とからなり、これらのブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック5には、本実施例1に係る基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置(ステッパー)STPが並設される。以下、各ブロックの構成を説明する。   Please refer to FIG. The substrate processing apparatus according to the first embodiment is roughly divided into an indexer block 1 and three processing blocks (specifically, an antireflection film processing block 2 and a resist film processing) for performing a required chemical liquid processing on the substrate. The block 3 and the development processing block 4) and the interface block 5 are configured by arranging these blocks in parallel. The interface block 5 is provided with an exposure apparatus (stepper) STP that is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus according to the first embodiment. Hereinafter, the configuration of each block will be described.

まず、インデクサブロック1について説明する。インンデクサブロック1は、基板Wを多段に収納するカセットCからの基板の取り出しや、カセットCへの基板Wの収納を行う機構である。具体的には、複数個のカッセトCを並べて載置するカセット載置台6と、各カセットCから未処理の基板Wを順に取り出すとともに、各カセットCへ処理済の基板Wを順に収納するインデクサ用搬送機構7とを備えている。インデクサ用搬送機構7は、カセット載置台6に沿って(Y方向に)水平移動可能な可動台7aを備えている。この可動台7aに基板Wを水平姿勢で保持する保持アーム7bが搭載されている。保持アーム7bは、可動台7a上を昇降(Z方向)移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。   First, the indexer block 1 will be described. The indexer block 1 is a mechanism for taking out the substrates from the cassette C that stores the substrates W in multiple stages and storing the substrates W in the cassette C. Specifically, the cassette mounting table 6 on which a plurality of cassettes C are placed side by side, and an indexer for sequentially taking out unprocessed substrates W from each cassette C and storing processed substrates W in each cassette C in order. And a transport mechanism 7. The indexer transport mechanism 7 includes a movable table 7a that can move horizontally along the cassette mounting table 6 (in the Y direction). A holding arm 7b for holding the substrate W in a horizontal posture is mounted on the movable table 7a. The holding arm 7b is configured to be able to move up and down (Z direction) on the movable table 7a, to turn in a horizontal plane, and to move back and forth in the turning radius direction.

上述したインデクサブロック1に隣接して反射防止膜処理ブロック2が設けられている。図4に示すように、インデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との間には、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13にインデクサブロック1と反射防止膜処理ブロック2との間で基板Wの受け渡しを行うために基板Wを載置する2つの基板載置部PASS1、PASS2が上下に近接して設けられている。   An antireflection film processing block 2 is provided adjacent to the indexer block 1 described above. As shown in FIG. 4, an atmosphere blocking partition wall 13 is provided between the indexer block 1 and the antireflection film processing block 2. Two substrate platforms PASS1 and PASS2 on which the substrate W is placed in order to transfer the substrate W between the indexer block 1 and the antireflection film processing block 2 are provided on the partition wall 13 close to each other in the vertical direction. Yes.

上側の基板載置部PASS1はインデクサブロック1から反射防止膜処理ブロック2へ基板Wを払い出すために、下側の基板載置部PASS2は反射防止膜処理ブロック2からインデクサブロック1へ基板Wを戻すために、それぞれ設けられている。反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、基板載置部PASS1は、反射防止膜処理ブロック2に基板Wを受け入れるための入口基板載置部に相当する。特に、インデクサブロック1から露光装置STPに向かって流れる基板Wの搬送方向を順方向とした場合に、基板載置部PASS1は、基板Wを順方向に搬送するときに使われる送り用入口基板載置部に相当する。一方、基板載置部PASS2は、反射防止膜処理ブロック2から基板Wを払い出すための出口基板載置部であり、特に、基板Wを逆方向(本実施例では、露光装置STPからインデクサブロック1に向かって流れる基板Wの搬送方向)に搬送するときに使われる戻り用出口基板載置部に相当する。   The upper substrate platform PASS1 delivers the substrate W from the indexer block 1 to the antireflection film processing block 2, so that the lower substrate platform PASS2 transfers the substrate W from the antireflection film processing block 2 to the indexer block 1. Each is provided to return. Speaking on the basis of the antireflection film processing block 2, the substrate platform PASS1 corresponds to an entrance substrate platform for receiving the substrate W in the antireflection film processing block 2. In particular, when the transport direction of the substrate W flowing from the indexer block 1 toward the exposure apparatus STP is a forward direction, the substrate platform PASS1 uses the feeding entrance substrate mounting used when transporting the substrate W in the forward direction. It corresponds to the placement part. On the other hand, the substrate platform PASS2 is an exit substrate platform for delivering the substrate W from the antireflection film processing block 2, and in particular, the substrate W is moved in the reverse direction (in this embodiment, from the exposure apparatus STP to the indexer block). This corresponds to a return exit substrate mounting portion used when transporting in the transport direction of the substrate W flowing toward 1).

基板載置部PASS1、PASS2は、隔壁13を部分的に貫通して設けられている。なお、基板載置部PASS1、PASS2は、固定設置された複数本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他の基板載置部PASS3〜PASS10も同様である。また、基板載置部PASS1、PASS2には、基板Wの有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬送機構7や、後述する反射防止膜用処理ブロック2の第1の主搬送機構10Aが、基板載置部PASS1、PASS2に対して基板を受け渡しできる状態であるかどうかを判断するようになっている。同様のセンサは他の基板載置部PASS3〜PASS10にも設けられている。   The substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided so as to partially penetrate the partition wall 13. The substrate platforms PASS1 and PASS2 are composed of a plurality of support pins fixedly installed, and this is the same for the other substrate platforms PASS3 to PASS10 described later. The substrate platforms PASS1 and PASS2 are provided with optical sensors (not shown) that detect the presence / absence of the substrate W. Based on the detection signals of the sensors, the indexer transport mechanism 7 and antireflection described later. The first main transport mechanism 10A of the film processing block 2 determines whether or not the substrate can be delivered to the substrate platforms PASS1 and PASS2. Similar sensors are also provided in the other substrate platforms PASS3 to PASS10.

反射防止膜処理ブロック2について説明する。反射防止膜処理ブロック2は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構である。具体的には、基板Wの表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理部8と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板Wを熱処理する反射防止膜用熱処理部9と、反射防止膜用塗布処理部8および反射防止膜用熱処理部9に対して基板Wの受け渡しをする第1の主搬送機構10Aとを備える。   The antireflection film processing block 2 will be described. The antireflection film processing block 2 is a mechanism for applying and forming an antireflection film below the photoresist film in order to reduce standing waves and halation generated during exposure. Specifically, an antireflection film application processing unit 8 for applying an antireflection film on the surface of the substrate W, and an antireflection film heat treatment unit 9 for heat-treating the substrate W in connection with the formation of the antireflection film, And a first main transport mechanism 10A for delivering the substrate W to the antireflection film application processing unit 8 and the antireflection film heat treatment unit 9.

反射防止膜処理ブロック2は、第1の主搬送機構10Aを挟んで反射防止膜用塗布処理部8と反射防止膜用熱処理部9とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理部8が装置正面側に、熱処理部9が装置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4においても同様である。このような配置にすれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。また、本実施例1では、熱処理部9の正面側に図示しない熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部8への熱的影響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4にも設けられている。   In the antireflection film processing block 2, the antireflection film coating processing unit 8 and the antireflection film heat treatment unit 9 are arranged to face each other with the first main transport mechanism 10 </ b> A interposed therebetween. Specifically, the coating treatment unit 8 is located on the front side of the apparatus, and the heat treatment unit 9 is located on the rear side of the apparatus. The point that the chemical solution processing unit and the heat processing unit are arranged to face each other across the main transport mechanism is the same in the other resist film processing block 3 and the development processing block 4. With such an arrangement, the chemical treatment unit and the heat treatment unit are separated from each other, so that the thermal influence on the chemical treatment unit from the heat treatment unit can be suppressed. Further, in the first embodiment, a thermal partition (not shown) is provided on the front side of the heat treatment part 9 to avoid thermal influence on the antireflection film coating treatment part 8. Similar thermal partition walls are provided in the other resist film processing block 3 and the development processing block 4.

反射防止膜用塗布処理部8は、図2に示すように、同様の構成を備えた3つの反射防止膜用塗布処理部8a〜8c(以下、特に区別しない場合は符号「8」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部8は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック11や、このスピンチャック11上に保持された基板W上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル12などを備えている。   As shown in FIG. 2, the antireflection film application processing unit 8 includes three antireflection film application processing units 8 a to 8 c having the same configuration (hereinafter, indicated by reference numeral “8” unless otherwise distinguished). Are stacked in a vertical direction. Each coating processing unit 8 includes a spin chuck 11 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, a nozzle 12 that supplies a coating liquid for an antireflection film onto the substrate W held on the spin chuck 11, and the like. It has.

反射防止膜用熱処理部9は、図3に示すように、基板Wを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱プレートHP、加熱された基板Wを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートCP、レジスト膜と基板Wとの密着性を向上させるためにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)の蒸気雰囲気で基板Wを熱処理する複数個のアドヒージョン処理部AHLなどの熱処理部を含む。これらの熱処理部9の下部には、ヒータコントローラ(CONT)が配設され、また熱処理部9の上部(図3中に「×」印で示した個所)には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。   As shown in FIG. 3, the antireflection film heat treatment section 9 includes a plurality of heating plates HP for heating the substrate W to a predetermined temperature, and a plurality of cooling plates CP for cooling the heated substrate W to room temperature. In order to improve the adhesion between the resist film and the substrate W, a heat treatment part such as a plurality of adhesion treatment parts AHL for heat treating the substrate W in a vapor atmosphere of HMDS (hexamethyldisilazane) is included. A heater controller (CONT) is disposed at the lower part of these heat treatment parts 9, and a pipe wiring part and a spare space are provided at the upper part of the heat treatment part 9 (the portion indicated by “x” in FIG. 3). Space is allocated.

反射防止膜用熱処理部9は、各熱処理部(HP,CP,AHL)を上下に積層配置して構成されているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数例(本実施例では2列)にわたり並設されている。薬液処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している点は、他のレジスト膜用処理ブロック3および現像処理ブロック4においても同様である。   The antireflection film heat treatment section 9 is configured by arranging the respective heat treatment sections (HP, CP, AHL) in a vertical stack, and a plurality of examples of a group of heat treatment sections arranged in layers (in this embodiment, two rows). ). The point that the chemical processing parts are stacked in the vertical direction and the group of heat processing parts that are stacked in the vertical direction are arranged in parallel in a plurality of rows also in the other resist film processing block 3 and the development processing block 4 It is the same.

上述したように各処理ブロック2〜4で薬液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくすることができる。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列にわたり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。   As described above, the chemical processing section and the heat treatment section are stacked one above the other in each processing block 2 to 4, thereby reducing the space occupied by the substrate processing apparatus. In addition, by arranging a group of heat treatment parts arranged in a stack over a plurality of rows, maintenance of the heat treatment part becomes easy, and it is not necessary to extend duct piping and power supply equipment necessary for the heat treatment part to a very high position. There is an advantage.

第1の主搬送機構10Aについて説明する。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック3、現像処理ブロック4、およびインターフェイスブロック5にそれぞれ備えられた第2、第3、第4の各主搬送機構10B、10C、10Dも同様に構成されている。以下、第1〜第4の主搬送機構10A〜10Dを特に区別しない場合は、主搬送機構10として説明する。   The first main transport mechanism 10A will be described. The second, third, and fourth main transport mechanisms 10B, 10C, and 10D provided in the other resist film processing block 3, the development processing block 4, and the interface block 5 described later are configured in the same manner. ing. Hereinafter, the first to fourth main transport mechanisms 10 </ b> A to 10 </ b> D will be described as the main transport mechanism 10 when they are not particularly distinguished.

図6を参照する。同図(a)は主搬送機構10の平面図、(b)はその正面図である。主搬送機構10は、基板Wを水平姿勢で保持する2個の保持アーム10a、10bを上下に近接して備えている。保持アーム10a、10bは、先端部が平面視で「C」の字状になっており、この「C」の字状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン10cで基板Wの周縁を下方から支持するようになっている。主搬送機構10の基台10dは装置基台に対して固定設置されている。この基台10d上に螺軸10eが回転可能に立設支持されている。基台10dに螺軸10eを回転駆動するモータ10fが設けられている。螺軸10eに昇降台10gが螺合されており、モータ10fが螺軸10eを回転駆動することにより、昇降台10gがガイド軸10jに案内されて昇降移動するようになっている。昇降台10g上にアーム基台10hが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台10gにはアーム基台10hを旋回駆動するモータ10iが設けられている。アーム基台10h上に上述した2つの保持アーム10a、10bが上下に配設されている。各保持アーム10a、10bは、アーム基台10h内に装備された駆動機構(図示せず)によって、各々が独立してアーム基台10hの旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。   Please refer to FIG. FIG. 4A is a plan view of the main transport mechanism 10 and FIG. The main transport mechanism 10 includes two holding arms 10a and 10b that hold the substrate W in a horizontal posture in close proximity to each other. The holding arms 10a and 10b have a "C" shape in a plan view, and a plurality of pins 10c projecting inward from the inside of the "C" -shaped arm. The periphery is supported from below. The base 10d of the main transport mechanism 10 is fixedly installed with respect to the apparatus base. A screw shaft 10e is rotatably supported on the base 10d. A motor 10f that rotationally drives the screw shaft 10e is provided on the base 10d. The lifting platform 10g is screwed to the screw shaft 10e, and the motor 10f rotationally drives the screw shaft 10e so that the lifting table 10g is guided up and down by the guide shaft 10j. An arm base 10h is mounted on the lifting platform 10g so as to be pivotable about the vertical axis. The lifting platform 10g is provided with a motor 10i that drives the arm base 10h to rotate. The above-mentioned two holding arms 10a and 10b are arranged above and below on the arm base 10h. Each holding arm 10a, 10b is configured to be able to move forward and backward independently in the turning radius direction of the arm base 10h by a drive mechanism (not shown) provided in the arm base 10h.

上述した反射防止膜処理ブロック2に隣接してレジスト膜処理ブロック3が設けられている。図4に示すように、反射防止膜処理ブロック2とレジスト膜処理ブロック3との間にも、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられている。この隔壁13に反射防止膜処理ブロック2とレジスト膜処理ブロック3との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS3、PASS4が上下に近接して設けられている。   A resist film processing block 3 is provided adjacent to the antireflection film processing block 2 described above. As shown in FIG. 4, an atmosphere blocking partition 13 is also provided between the antireflection film processing block 2 and the resist film processing block 3. Two substrate platforms PASS3 and PASS4 for transferring the substrate W between the antireflection film processing block 2 and the resist film processing block 3 are provided on the partition wall 13 close to each other in the vertical direction.

上述した基板載置部PASS1、PASS2の場合と同様に、上側の基板載置部PASS3が基板Wの払出し用、下側の基板載置部PASS4が基板Wの戻し用になっているとともに、これらの基板載置部PASS3、PASS4は隔壁13を部分的に貫通している。ここで、基板載置部PASS3は、反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS4は、反射防止膜処理ブロック2を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。これらの基板載置部PASS3、PASS4の下側には、基板Wを大まかに冷却するために水冷式の2つの冷却プレートWCPが隔壁13を貫通して上下に設けられている。   As in the case of the above-described substrate platforms PASS1 and PASS2, the upper substrate platform PASS3 is used for dispensing the substrate W, and the lower substrate platform PASS4 is used for returning the substrate W. The substrate platforms PASS 3 and PASS 4 partially penetrate the partition wall 13. Here, the substrate platform PASS3 corresponds to the feed exit substrate platform if the antireflection film processing block 2 is used as a reference, and the feed entrance substrate if the resist film processing block 3 is used as a reference. Corresponds to the placement section. The substrate platform PASS4 corresponds to the return entrance substrate platform if the antireflection film processing block 2 is used as a reference, and the return exit substrate mount if the resist film processing block 3 is used as a reference. It corresponds to the placement part. Below these substrate platforms PASS3 and PASS4, two water-cooled cooling plates WCP are provided above and below the partition wall 13 to roughly cool the substrate W.

レジスト膜用処理ブロック3について説明する。レジスト膜用処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板W上にフォトレジスト膜を塗布形成する機構である。なお、本実施例では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処理ブロック3は、反射防止膜が塗布形成された基板Wにフォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部15と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜用熱処理部16と、レジスト膜用塗布処理部15およびレジスト膜用熱処理部16に対して基板Wの受け渡しをする第2の主搬送機構10Bとを備える。   The resist film processing block 3 will be described. The resist film processing block 3 is a mechanism for applying and forming a photoresist film on the substrate W on which an antireflection film has been applied. In this embodiment, a chemically amplified resist is used as the photoresist. The resist film processing block 3 includes a resist film coating processing unit 15 that coats and forms a photoresist film on a substrate W on which an antireflection film is coated, and a resist that heat-treats the substrate in connection with the coating formation of the photoresist film. A film heat treatment section 16 and a second main transport mechanism 10B for delivering the substrate W to the resist film coating treatment section 15 and the resist film heat treatment section 16 are provided.

レジスト膜用塗布処理部15は、図2に示すように、同様の構成を備えた3つのレジスト膜用塗布処理部15a〜15c(以下、特に区別しない場合は符号「15」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各塗布処理部15は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック17や、このスピンチャック17上に保持された基板W上にレジスト膜用の塗布液を供給するノズル18などを備えている。   As shown in FIG. 2, the resist film coating processing unit 15 moves up and down three resist film coating processing units 15 a to 15 c (hereinafter denoted by reference numeral “15” unless otherwise distinguished). Are arranged in a stacked manner. Each coating processing unit 15 includes a spin chuck 17 that rotates while adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, a nozzle 18 that supplies a coating liquid for a resist film onto the substrate W held on the spin chuck 17, and the like. I have.

レジスト膜用熱処理部16は、図3に示すように、基板Wを所定の温度にまで加熱する基板仮置部付きの複数個の加熱部PHP、基板Wを常温にまで高い精度で冷却する複数個の冷却プレートCPなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック2の場合と同様である。   As shown in FIG. 3, the resist film heat treatment section 16 includes a plurality of heating sections PHP with a temporary substrate placement section that heats the substrate W to a predetermined temperature, and a plurality of cooling sections that cool the substrate W to room temperature with high accuracy. A heat treatment part such as a single cooling plate CP is included. The points where the heat treatment parts are stacked one above the other and arranged in parallel are the same as in the case of the anti-reflection film processing block 2.

基板仮置部付きの加熱部PHPについて説明する。
図7を参照する。同図(a)は加熱部PHPの破断側面図、(b)は破断平面図である。加熱部PHPは、基板Wを載置して加熱処理をする加熱プレートHPと、この加熱プレートHPから離れた上方位置または下方位置(本実施例では上方位置)に基板Wを載置しておく基板仮置部19と、加熱プレートHPと基板仮置部19との間で基板Wを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構20とを備えている。加熱プレートHPには、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン21が設けられている。加熱プレートHPの上方には加熱処理時に基板Wを覆う昇降自在の上蓋22が設けられている。基板仮置部19には基板Wを支持する複数本の固定支持ピン23が設けられている。
A heating unit PHP with a temporary substrate placement unit will be described.
Please refer to FIG. The figure (a) is a fracture side view of heating part PHP, (b) is a fracture plan view. The heating unit PHP places the substrate W on the heating plate HP on which the substrate W is placed and performs the heat treatment, and the upper position or the lower position (upward position in this embodiment) far from the heating plate HP. A substrate temporary placement unit 19 and a local transport mechanism 20 for a heat treatment unit that transports the substrate W between the heating plate HP and the substrate temporary placement unit 19 are provided. The heating plate HP is provided with a plurality of movable support pins 21 that appear and disappear on the plate surface. Above the heating plate HP, there is provided an upper lid 22 that can be raised and lowered to cover the substrate W during the heat treatment. The temporary substrate placement portion 19 is provided with a plurality of fixed support pins 23 that support the substrate W.

ローカル搬送機構20は、基板Wを水平姿勢で保持する保持プレート24を備え、この保持プレート24がネジ送り駆動機構25によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構26によって進退移動されるようになっている。保持プレート24は、これが加熱プレートHPや基板仮置部19の上方に進出したときに、可動支持ピン21や固定支持ピン23と干渉しないように複数本のスリット24aが形成されている。また、ローカル搬送機構20は、加熱プレートHPから基板仮置部19へ基板Wを搬送する過程で基板を冷却する手段を備えている。この冷却手段は、例えば保持プレート24の内部に冷却水流路24bを設け、この冷却水流路24bに冷却水を流通させることによって構成されている。   The local transport mechanism 20 includes a holding plate 24 that holds the substrate W in a horizontal posture. The holding plate 24 is moved up and down by a screw feed drive mechanism 25 and moved forward and backward by a belt drive mechanism 26. Yes. The holding plate 24 is formed with a plurality of slits 24 a so that the holding plate 24 does not interfere with the movable support pins 21 and the fixed support pins 23 when the holding plate 24 advances above the heating plate HP and the temporary substrate placement unit 19. The local transport mechanism 20 includes means for cooling the substrate in the process of transporting the substrate W from the heating plate HP to the temporary substrate placement unit 19. This cooling means is configured, for example, by providing a cooling water channel 24b inside the holding plate 24 and circulating the cooling water through the cooling water channel 24b.

上述したローカル搬送機構20は、加熱プレートHPおよび基板仮置部19を挟んで第2の主搬送機構10Bとは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、加熱プレートHPおよび基板仮置部19を覆う筐体27の上部、すなわち基板仮置部19を覆う部位には、その正面側に第2の主搬送機構10Bの進入を許容する開口部19aが、その背面側にはローカル搬送機構20の進入を許容する開口部19bが、それぞれ設けられている。また、筐体27の下部、すなわち加熱プレートHPを覆う部位は、その正面側が閉塞し、その背面側にローカル搬送機構20の進入を許容する開口部19cが設けられている。   The local transport mechanism 20 described above is installed on the opposite side of the second main transport mechanism 10B, that is, on the back side of the apparatus, with the heating plate HP and the temporary substrate placement part 19 in between. An opening 19a that allows the second main transport mechanism 10B to enter the front side of the upper portion of the casing 27 that covers the heating plate HP and the temporary substrate placement portion 19, that is, the portion that covers the temporary substrate placement portion 19 is provided. However, an opening 19b that allows the local transport mechanism 20 to enter is provided on the back side thereof. Further, a lower part of the casing 27, that is, a part covering the heating plate HP is closed on the front side, and an opening 19c that allows entry of the local transport mechanism 20 is provided on the rear side.

上述した加熱部PHPに対する基板Wの出し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構10(レジスト膜用処理ブロック3の場合は、第2の主搬送機構10B)が基板Wを保持して、基板仮置部19の固定支持ピン23の上に基板Wを載置する。続いてローカル搬送機構20の保持プレート24が基板Wの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン23から基板Wを受け取る。基板Wを保持した保持プレート24は筐体27から退出して、加熱プレートHPに対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートHPの可動支持ピン21は下降しているとともに、上蓋22は上昇している。基板Wを保持した保持プレート24は加熱プレートHPの上方に進出する。可動支持ピン21が上昇して基板Wを受け取った後に保持プレート24が退出する。続いて可動支持ピン21が下降して基板Wを加熱プレートHP上に載せるとともに、上蓋22が下降して基板Wを覆う。この状態で基板Wが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋22が上昇するとともに、可動支持ピン21が上昇して基板Wを持ち上げる。続いて保持プレート24が基板Wの下に進出した後、可動支持ピン23が下降することにより、基板Wが保持プレート24に受け渡される。基板Wを保持した保持プレート24が退出して、さらに上昇して基板Wを基板仮置部19に搬送する。基板仮置部19内で保持プレート24に支持された基板Wが、保持プレート24が有する冷却機能によって冷却される。保持プレート24は、冷却した(常温に戻した)基板Wを基板仮置部19の固定支持ピン23上に移載する。この基板Wを主搬送機構10が取り出して搬送する。   The substrate W is taken in and out of the heating unit PHP as described above. First, the main transport mechanism 10 (second main transport mechanism 10B in the case of the resist film processing block 3) holds the substrate W and places the substrate W on the fixed support pins 23 of the temporary substrate placement section 19. Put. Subsequently, the substrate W is received from the fixed support pins 23 by slightly rising after the holding plate 24 of the local transport mechanism 20 enters the lower side of the substrate W. The holding plate 24 holding the substrate W is withdrawn from the housing 27 and lowered to a position facing the heating plate HP. At this time, the movable support pin 21 of the heating plate HP is lowered and the upper lid 22 is raised. The holding plate 24 holding the substrate W advances above the heating plate HP. After the movable support pin 21 rises and receives the substrate W, the holding plate 24 is retracted. Subsequently, the movable support pins 21 are lowered to place the substrate W on the heating plate HP, and the upper lid 22 is lowered to cover the substrate W. In this state, the substrate W is heated. When the heat treatment is finished, the upper lid 22 rises and the movable support pin 21 rises to lift the substrate W. Subsequently, after the holding plate 24 advances below the substrate W, the movable support pin 23 descends, whereby the substrate W is delivered to the holding plate 24. The holding plate 24 holding the substrate W is withdrawn and further lifted to transport the substrate W to the temporary substrate placement unit 19. The substrate W supported by the holding plate 24 in the temporary substrate placement unit 19 is cooled by the cooling function of the holding plate 24. The holding plate 24 transfers the cooled substrate W (returned to room temperature) onto the fixed support pins 23 of the temporary substrate placement unit 19. The main transport mechanism 10 takes out and transports the substrate W.

以上のように、主搬送機構10は、基板仮置部19に対して基板Wの受け渡しをするだけで、加熱プレートHPに対して基板の受け渡しをしないので、主搬送機構10が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレートHPに基板Wを出し入れするための開口部19cが、主搬送機構10が配置された側とは反対側に位置しているので、開口部19cから漏れ出た熱雰囲気で主搬送機構10が温度上昇することがなく、またレジスト膜用塗布処理部15が開口部19cから漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。   As described above, the main transport mechanism 10 only delivers the substrate W to the temporary substrate placement unit 19 and does not deliver the substrate to the heating plate HP, so the temperature of the main transport mechanism 10 rises. Can be avoided. Further, since the opening 19c for putting the substrate W in and out of the heating plate HP is located on the side opposite to the side on which the main transport mechanism 10 is disposed, the main transport is performed in a thermal atmosphere leaking from the opening 19c. The temperature of the mechanism 10 does not increase, and the resist film coating processing unit 15 is not adversely affected by the heat atmosphere leaked from the opening 19c.

上述したレジスト膜処理ブロック3に隣接して現像処理ブロック4が設けられている。図4に示すように、レジスト膜処理ブロック3と現像処理ブロック4との間にも、雰囲気遮断用の隔壁13が設けられており、この隔壁13に両処理ブロック3、4間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS5,6と、基板Wを大まかに冷却するために水冷式の2つの冷却プレートWCPが上下に積層して設けられている。ここで、基板載置部PASS5は、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、現像処理ブロック4を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS6は、レジスト膜処理ブロック3を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、現像処理ブロック4を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。   A development processing block 4 is provided adjacent to the resist film processing block 3 described above. As shown in FIG. 4, an atmosphere blocking partition 13 is also provided between the resist film processing block 3 and the development processing block 4, and the partition 13 has a substrate W between the processing blocks 3 and 4. Two substrate platforms PASS5, 6 for delivery and two water-cooled cooling plates WCP are provided in a stacked manner in order to cool the substrate W roughly. Here, the substrate platform PASS5 corresponds to the delivery exit substrate platform when the resist film processing block 3 is used as a reference, and the delivery entrance substrate placement when the development processing block 4 is used as a reference. It corresponds to the part. Further, the substrate platform PASS6 corresponds to a return entrance substrate platform if the resist film processing block 3 is used as a reference, and a return exit substrate platform if the development processing block 4 is used as a reference. It corresponds to.

現像処理ブロック4について説明する。現像処理ブロック4は、露光された基板Wに対して現像処理をする機構である。具体的には、露光された基板Wに現像処理をする現像処理部30と、現像処理に関連して基板を熱処理する現像用熱処理部31と、現像処理部30および現像用熱処理部31に対して基板Wの受け渡しをする第3の主搬送機構10Cとを備える。   The development processing block 4 will be described. The development processing block 4 is a mechanism for performing development processing on the exposed substrate W. Specifically, with respect to the development processing unit 30 that performs development processing on the exposed substrate W, the development heat treatment unit 31 that heat-treats the substrate in relation to the development processing, and the development processing unit 30 and the development heat treatment unit 31 And a third main transport mechanism 10C for delivering the substrate W.

現像処理部30は、図2に示すように、同様の構成を備えた5つの現像処理部30a〜30e(以下、特に区別しない場合は符号「30」で示す)を上下に積層配置して構成されている。各現像処理部30は、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック32や、このスピンチャック32上に保持された基板W上に現像液を供給するノズル33などを備えている。   As shown in FIG. 2, the development processing unit 30 is configured by stacking five development processing units 30a to 30e (hereinafter denoted by reference numeral “30” unless otherwise specified) having the same configuration. Has been. Each development processing unit 30 includes a spin chuck 32 that rotates by adsorbing and holding the substrate W in a horizontal posture, a nozzle 33 that supplies a developer onto the substrate W held on the spin chuck 32, and the like.

現像用熱処理部31は、図3に示すように、各々複数個の加熱プレートHP、基板仮置部付きの加熱部PHP、冷却プレートCPなどの熱処理部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置されている点は、他の処理ブロック2、3の場合と同様である。現像用熱処理部31の右側(インターフェイスブロック5に隣接している側)の熱処理部の列には、現像処理ブロック4と、これに隣接するインターフェイスブロック5との間で基板Wの受け渡しを行うための2つの基板載置部PASS7、PASS8が上下に近接して設けられている。上側の基板載置部PASS7が基板Wの払出し用、下側の基板載置部PASS8が基板Wの戻し用になっている。ここで、基板載置部PASS7は、現像処理ブロック4を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック5を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS8は、現像処理ブロック4を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスブロック5を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。   As shown in FIG. 3, the development heat treatment section 31 includes heat treatment sections such as a plurality of heating plates HP, a heating section PHP with a temporary substrate placement section, and a cooling plate CP. The points where the heat treatment units are stacked one above the other and arranged in parallel are the same as in the other processing blocks 2 and 3. In order to transfer the substrate W between the development processing block 4 and the interface block 5 adjacent to the development processing block 4 in the row of the thermal processing units on the right side (side adjacent to the interface block 5) of the development thermal processing unit 31. These two substrate platforms PASS7 and PASS8 are provided close to each other in the vertical direction. The upper substrate platform PASS7 is for dispensing the substrate W, and the lower substrate platform PASS8 is for returning the substrate W. Here, the substrate platform PASS7 corresponds to the delivery exit substrate platform when the development processing block 4 is used as a reference, and the delivery platform substrate placement unit when the interface block 5 is used as a reference. Equivalent to. Further, the substrate platform PASS8 corresponds to the return entrance substrate platform when referred to the development processing block 4, and corresponds to the return exit substrate platform when referred to the interface block 5. To do.

インターフェイスブロック5について説明する。インターフェイスブロック5は、本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置STPに対して基板Wの受け渡しをする機構である。本実施例装置におけるインターフェイスブロック5には、露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しをするためのインターフェイス用搬送機構35の他に、フォトレジストが塗布された基板Wの周縁部を露光する2つのエッジ露光部EEWと、現像処理ブロック4内に配設された基板仮置部付きの熱処理部PHPおよびエッジ露光部EEWに対して基板Wを受け渡しする第4の主搬送機構10Dを備えている。   The interface block 5 will be described. The interface block 5 is a mechanism for delivering the substrate W to the exposure apparatus STP, which is an external apparatus separate from the substrate processing apparatus. In addition to the interface transport mechanism 35 for transferring the substrate W to and from the exposure apparatus STP, the interface block 5 in this embodiment apparatus exposes the peripheral portion of the substrate W coated with the photoresist 2. And a fourth main transport mechanism 10D that delivers the substrate W to the edge exposure unit EEW and the thermal processing unit PHP with a temporary substrate placement unit disposed in the development processing block 4 and the edge exposure unit EEW. .

エッジ露光部EEWは、図2に示すように、基板Wを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック36や、このスピンチャック36上に保持された基板Wの周縁を露光する光照射器37などを備えている。2つのエッジ露光部EEWは、インターフェイスブロック5の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部EEWと現像処理ブロック4の熱処理部とに隣接して配置されている第4の主搬送機構10Dは、図6で説明した主搬送機構10と同様の構成を備えている。   As shown in FIG. 2, the edge exposure unit EEW has a spin chuck 36 that rotates by sucking and holding the substrate W in a horizontal posture, and a light irradiator 37 that exposes the periphery of the substrate W held on the spin chuck 36. Etc. The two edge exposure portions EEW are stacked in the vertical direction at the center of the interface block 5. The fourth main transport mechanism 10D disposed adjacent to the edge exposure unit EEW and the heat processing unit of the development processing block 4 has the same configuration as the main transport mechanism 10 described in FIG.

図2および図5を参照する。図5はインターフェイスブロック5の側面図である。2つのエッジ露光部EEWの下側に、基板戻し用のバッファRBFがあり、さらにその下側に2つの基板載置部PASS9、PASS10が積層配置されている。基板戻し用のバッファRBFは、故障などのために現像処理ブロック4が基板Wの現像処理をすることができない場合に、現像処理ブロック4の加熱部PHPで露光後の加熱処理を行った後に、その基板Wを一時的に収納保管しておくものである。このバッファRBFは、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。基板載置部PASS9、PASS10は、第4の主搬送機構10Dとインターフェイス用搬送機構35との間で基板Wの受け渡しを行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板戻し用になっている。   Please refer to FIG. 2 and FIG. FIG. 5 is a side view of the interface block 5. A substrate return buffer RBF is provided below the two edge exposure units EEW, and two substrate platforms PASS9 and PASS10 are stacked on the lower side. When the development processing block 4 cannot perform the development processing of the substrate W due to a failure or the like, the buffer RBF for returning the substrate is subjected to the heat treatment after the exposure by the heating unit PHP of the development processing block 4. The substrate W is temporarily stored and stored. The buffer RBF is composed of a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. The substrate platforms PASS9 and PASS10 are used to transfer the substrate W between the fourth main transport mechanism 10D and the interface transport mechanism 35, and the upper side is for substrate feeding and the lower side is for substrate return. ing.

インターフェイス用搬送機構35は、図1および図5に示すように、Y方向に水平移動可能な可動台35aを備え、この可動台35a上に基板Wを保持する保持アーム35bを搭載している。保持アーム35bは、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。インターフェイス用搬送機構35の搬送経路の一端(図5中に示す位置P1)は、積層された基板載置部PASS9、PASS10の下方にまで延びており、この位置P1で露光装置STPとの間で基板Wの受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置P2では、基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しと、送り用バッファSBFに対する基板Wの収納と取り出しとを行う。送り用バッファSBFは、露光装置STPが基板Wの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Wを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Wを多段に収納できる収納棚から構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 5, the interface transport mechanism 35 includes a movable table 35a that can move horizontally in the Y direction, and a holding arm 35b that holds the substrate W is mounted on the movable table 35a. The holding arm 35b is configured to be capable of moving up and down, turning, and moving forward and backward in the turning radius direction. One end (position P1 shown in FIG. 5) of the transport path of the interface transport mechanism 35 extends to below the stacked substrate platforms PASS9 and PASS10, and between this position P1 and the exposure apparatus STP. Deliver the substrate W. At the other end position P2 of the transport path, the substrate W is transferred to the substrate platforms PASS9 and PASS10, and the substrate W is stored and taken out from the sending buffer SBF. The sending buffer SBF temporarily stores and stores the substrate W before the exposure processing when the exposure apparatus STP cannot accept the substrate W, and includes a storage shelf that can store a plurality of substrates W in multiple stages. ing.

以上のように構成された基板処理装置は、インデクサブロック1、各処理ブロック2、3、4、およびインターフェイスブロック5内に清浄空気がダウンフローの状態で供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティクルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止膜用処理ブロック2内の気圧はインデクサブロク1内の気圧よりも高くなるように設定されている。これにより、インデクサブロック1内の雰囲気が反射防止膜用処理ブロック2に流入しないので、外部の雰囲気の影響を受けずに各処理ブロック2、3、4で処理を行うことができる。   In the substrate processing apparatus configured as described above, clean air is supplied to the indexer block 1, the processing blocks 2, 3, 4, and the interface block 5 in a downflow state. Avoids adverse effects on the process caused by hoisting and airflow. In addition, the inside of each block is kept at a slightly positive pressure with respect to the external environment of the apparatus to prevent intrusion of particles and contaminants from the external environment. In particular, the atmospheric pressure in the antireflection film processing block 2 is set to be higher than the atmospheric pressure in the index block 1. As a result, the atmosphere in the indexer block 1 does not flow into the anti-reflection film processing block 2, so that the processing blocks 2, 3, and 4 can perform processing without being affected by the external atmosphere.

次に本実施例1に係る基板処理装置の制御系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。
上述したインデクサブロック1、反射防止膜用処理ブロック2、レジスト膜用処理ブロック3、現像処理ブロック4、およびインターフェイスブロック5は、本実施例1に係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム(枠体)に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている(図8(a)参照)。
Next, a control system of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, particularly a control method related to substrate transport will be described.
The above-described indexer block 1, anti-reflection film processing block 2, resist film processing block 3, development processing block 4, and interface block 5 are elements obtained by mechanically dividing the substrate processing apparatus according to the first embodiment. . Specifically, each block is assembled to an individual block frame (frame body), and the substrate processing apparatus is configured by connecting the block frames (see FIG. 8A).

一方、本発明の特徴の1つとして、基板搬送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理装置を構成している。各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられている。そして、各被制御ユニットの主搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、各ユニット制御手段は、前記処理部に対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して行うようになっている。   On the other hand, as one of the features of the present invention, the unit of the controlled unit related to substrate conveyance is configured separately from each block which is a mechanical element. That is, a single controlled unit is configured including a processing unit that performs a required process on the substrate and a single main transport mechanism that transfers the substrate to the processing unit, and the controlled units are arranged in parallel. And a substrate processing apparatus is configured. Each controlled unit has an entrance substrate placement section for placing a substrate to receive the substrate in the controlled unit, and an exit substrate placement section for placing a substrate to eject the substrate from the controlled unit And are provided separately. Then, the main transfer mechanism of each controlled unit transfers the substrates to each other via the inlet substrate mounting portion and the outlet substrate mounting portion, and performs the substrate transfer operation of the main transfer mechanism of each controlled unit. At least unit control means for controlling is provided for each controlled unit, and each unit control means performs control related to a series of substrate transport including delivery of a substrate to the processing unit and delivery of a substrate to the substrate mounting unit. It is designed to be done independently.

以下、本実施例1での装置における被制御ユニットの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成する各セルの配置を図8(b)に示す。   Hereinafter, the unit of the controlled unit in the apparatus according to the first embodiment is referred to as “cell”. FIG. 8B shows the arrangement of each cell constituting the control system of the embodiment apparatus.

インデクサセルC1は、カセット載置台6とインデクサ用搬送機構7とを含む。このセルC1は、結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロック1と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セルC2は、反射防止膜用塗布処理部8と反射防止膜用熱処理部9と第1の主搬送機構10Aとを含む。このセルC2も、結果として機械的に分割した要素である反射防止膜用処理ブロック2と同じ構成になっている。レジスト膜用処理セルC3は、レジスト膜用塗布処理部15とレジスト膜用熱処理部16と第2の主搬送機構10Bとを含む。このセルC3も、結果として機械的に分割した要素であるレジスト膜用処理ブロック3と同じ構成になっている。   The indexer cell C1 includes a cassette mounting table 6 and an indexer transport mechanism 7. The cell C1 has the same configuration as the indexer block 1 which is a mechanically divided element as a result. The antireflection film processing cell C2 includes an antireflection film application processing unit 8, an antireflection film heat treatment unit 9, and a first main transport mechanism 10A. The cell C2 also has the same configuration as the antireflection film processing block 2 which is a mechanically divided element. The resist film processing cell C3 includes a resist film coating processing unit 15, a resist film heat treatment unit 16, and a second main transport mechanism 10B. The cell C3 also has the same configuration as the resist film processing block 3 which is a mechanically divided element.

一方、現像処理セルC4は、現像処理部30と、露光後加熱に使われる熱処理部(実施例1では、加熱部PHP)を除いた現像用熱処理部31と、第3の主搬送機構10Cとを含む。このセルC3は、露光後加熱に使われる加熱部PHPを含んでいない点で、機械的に分割した要素である現像処理ブロック4とは異なる構成になっている。   On the other hand, the development processing cell C4 includes a development processing unit 30, a development heat treatment unit 31 excluding a heat treatment unit used in post-exposure heating (the heating unit PHP in the first embodiment), a third main transport mechanism 10C, including. The cell C3 is different from the development processing block 4 which is a mechanically divided element in that it does not include a heating part PHP used for post-exposure heating.

露光後加熱用処理セルC5は、露光された基板Wを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部(実施例では、現像処理ブロック4に設けられた加熱部PHP)と、エッジ露光部EEWと、第4の主搬送機構10Dとを含む。このセルC5は、機械的に分割した要素である現像処理ブロック4とインターフェイスブロック5とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセルである。このように露光後加熱用の熱処理部(加熱部PHP)と第4の主搬送機構10Dとを含んで1つのセルを構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部PHPに搬入して熱処理を行うことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適である。   The post-exposure heating processing cell C5 includes a post-exposure heating heat treatment section (in the embodiment, a heating section PHP provided in the development processing block 4) that heat-treats the exposed substrate W before development, and an edge exposure section. EEW and the fourth main transport mechanism 10D are included. The cell C5 extends over the development processing block 4 and the interface block 5 which are mechanically divided elements, and is a characteristic cell of the apparatus of this embodiment. As described above, since one cell is configured including the heat treatment section (heating section PHP) for post-exposure heating and the fourth main transport mechanism 10D, the exposed substrate is quickly carried into the heating section PHP. Heat treatment can be performed. This is suitable when a chemically amplified photoresist that requires rapid heating after exposure is used.

なお、上述した基板載置部PASS7、PASS8は、現像処理セルC4の第3の主搬送機構10Cと、露光後加熱用処理セルC5の第4の主搬送機構10Dとの間の基板Wの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部PASS7は、現像処理セルC4を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS8は、現像処理セルC4を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。   The above-described substrate platforms PASS7 and PASS8 transfer the substrate W between the third main transport mechanism 10C of the development processing cell C4 and the fourth main transport mechanism 10D of the post-exposure heating processing cell C5. Intervene in. Here, the substrate platform PASS7 corresponds to the feed exit substrate platform if the development cell C4 is used as a reference, and the feed entrance substrate if the post-exposure heating cell C5 is used as a reference. Corresponds to the placement section. Further, the substrate platform PASS8 corresponds to a return inlet substrate platform if the development processing cell C4 is used as a reference, and the return exit substrate mounting if the post-exposure heating processing cell C5 is used as a reference. It corresponds to the placement part.

インターフェイスセルC6は、外部装置である露光装置STPに対して基板Wの受け渡しをするインターフェイス用搬送機構35を含む。このセルC6は、第4の主搬送機構10Dやエッジ露光部EEWを含まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェイスブロック5とは異なる構成になっている。なお、上述した基板載置部PASS9、PASS10は、露光後加熱用処理セルC5の第4の主搬送機構10Dと、インターフェイス用搬送機構35との間の基板Wの受け渡しに介在する。ここで、基板載置部PASS9は、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、送り用出口基板載置部に相当し、インターフェイスセルC6を基準にして言えば、送り用入口基板載置部に相当する。また、基板載置部PASS10は、露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば、戻り用入口基板載置部に相当し、インターフェイスセルC6を基準にして言えば、戻り用出口基板載置部に相当する。   The interface cell C6 includes an interface transport mechanism 35 that delivers the substrate W to the exposure apparatus STP that is an external apparatus. The cell C6 is different from the interface block 5 which is a mechanically divided element in that it does not include the fourth main transport mechanism 10D and the edge exposure unit EEW. The above-described substrate platforms PASS9 and PASS10 are interposed in the delivery of the substrate W between the fourth main transport mechanism 10D of the post-exposure heating processing cell C5 and the interface transport mechanism 35. Here, the substrate platform PASS9 corresponds to a feed outlet substrate platform if the post-exposure heating processing cell C5 is used as a reference, and the feed inlet substrate substrate is used if the interface cell C6 is used as a reference. It corresponds to the placement part. Further, the substrate platform PASS10 corresponds to the return entrance substrate platform if the post-exposure heating processing cell C5 is used as a reference, and the return exit substrate platform if the interface cell C6 is used as a reference. It corresponds to the part.

本実施例1での装置は、上述した6つのセルC1〜C6を並設して構成されており、各セルC1〜C6間の基板の受け渡しは、基板載置部PASS1〜PASS10を介して行われる。換言すれば、単一の被制御ユニット(セル)は、単一の主搬送機構を含み、その主搬送機構が、特定の入口基板載置部から受け取った基板を特定の出口基板載置部に置くまでに、基板の受け渡しを行う処理部を含んで構成される。   The apparatus according to the first embodiment is configured by arranging the six cells C1 to C6 described above in parallel, and the transfer of the substrate between the cells C1 to C6 is performed via the substrate platform PASS1 to PASS10. Is called. In other words, a single controlled unit (cell) includes a single main transport mechanism, and the main transport mechanism receives a substrate received from a specific entrance substrate platform as a specific exit substrate platform. It is configured to include a processing unit that delivers a substrate before placing.

図9(a)に示すように、セルC1〜C6は、各々のセルの主搬送機構(インデクサ用搬送機構7およびインターフェイス用搬送機構35を含む)の基板受け渡し動作を少なくとも制御するセルコントローラ(ユニット制御手段)CT1〜CT6を個別に備えている。各セルコントローラCT1〜CT6は、所定の入口基板載置部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の出口基板載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御を、各々独立して行うようになっている。具体的には、各セルC1〜C6のセルコントローラCT1〜CT6は、所定の基板載置部に基板を置いたという情報を、隣のセルのセルコントラーラに送り、その基板を受け取ったセルのセルコントローラは、所定の基板載置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラに返すという情報のやり取りを行う。このような情報のやり取りは、各セルコントローラCT1〜CT6に接続されて、これらを統括的に管理するメインコントローラ(主制御手段)MCを介して行われる。メインコントローラMCは、後述するデータ設定部HCに接続され、データ設定部HCとの間で通信可能に構成されている。   As shown in FIG. 9 (a), the cells C1 to C6 include cell controllers (units) that at least control the substrate transfer operation of the main transport mechanism (including the indexer transport mechanism 7 and the interface transport mechanism 35) of each cell. Control means) CT1 to CT6 are provided individually. Each of the cell controllers CT1 to CT6 starts a series of controls starting from receiving a substrate placed on a predetermined entrance substrate placement unit and is completed by placing the substrate on the predetermined exit substrate placement unit. To do. Specifically, the cell controllers CT1 to CT6 of the cells C1 to C6 send information that the substrate is placed on a predetermined substrate placement unit to the cell controller of the adjacent cell, and the cell controller CT1 to CT6 receives the substrate. The cell controller exchanges information that information indicating that a substrate has been received from a predetermined substrate platform is returned to the cell controller of the original cell. Such information exchange is performed via a main controller (main control means) MC that is connected to the cell controllers CT1 to CT6 and collectively manages them. The main controller MC is connected to a data setting unit HC, which will be described later, and is configured to be able to communicate with the data setting unit HC.

各セルコントローラCT1〜CT6は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮することなく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制御を進めている。従って、各セルコントローラCT1〜CT6の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来の基板処理装置の制御手法によると、図9(b)に示すように、各ブロック1〜5が基板処理のスケジュール管理用のコントローラCT0に基板搬送に係る情報を与えて、コントローラCT0が統括的に基板搬送を管理しているので、コントローラCT10の負担が多くなる。   Each cell controller CT1 to CT6 advances the control only for the transfer of the substrate in each cell without considering the movement of the main transport mechanism in the adjacent cells. Accordingly, the control burden on each of the cell controllers CT1 to CT6 is reduced. On the other hand, according to the control method of the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIG. 9B, each of the blocks 1 to 5 gives information related to substrate transport to the controller CT0 for schedule management of the substrate processing. Since the controller CT0 comprehensively manages the substrate conveyance, the burden on the controller CT10 increases.

以上のように本実施例1によれば各セルのコントローラCT1〜CT6の制御負担が少なくなるので、それだけ基板処理装置のスループットを向上させることができる。また、図9(b)に示した従来の制御手法によると、新たに処理部を追加すると、コントローラCT0のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たにセルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないので、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用処理セルC3と現像処理セルC4との間に、基板Wに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加してもよい。この場合、検査用セルは、本実施例1での装置の他のセルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間の基板の受け渡しは、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して行われる。   As described above, according to the first embodiment, since the control burden on the controllers CT1 to CT6 of each cell is reduced, the throughput of the substrate processing apparatus can be improved accordingly. In addition, according to the conventional control method shown in FIG. 9B, when a processing unit is newly added, it is necessary to significantly modify the schedule management program of the controller CT0. Therefore, even if a new cell is added, the adjacent cells are not affected, so that the cell can be easily added. The type of cell to be added is not particularly limited. For example, the thickness of the resist film applied to the substrate W is inspected between the resist film processing cell C3 and the development processing cell C4, or the developed resist film. An inspection cell for inspecting the line width may be added. In this case, like the other cells of the apparatus in the first embodiment, the inspection cell includes a substrate inspection unit that inspects the substrate, and a main conveyance mechanism for substrate inspection that conveys the substrate to the inspection unit. It is comprised including. Further, the transfer of the substrate between the inspection cell and the adjacent cell is performed via the inlet substrate mounting portion and the outlet substrate mounting portion.

なお、図9(a)に示した制御手法は、いわゆる分散制御と呼ばれるものである。本実施例1では、この分散制御に本発明を適用しているが、図9(b)に示した従来の制御手法にも本発明を適用することができる。   The control method shown in FIG. 9A is called so-called distributed control. In the first embodiment, the present invention is applied to this distributed control. However, the present invention can also be applied to the conventional control method shown in FIG. 9B.

次に、データ設定部HCの具体的構成について図10を参照して説明する。データ設定部HCの入力部38は、マウスやキーボード38aやタッチパネル38bやボタンなどのポインティングデバイスで構成されており、オペレータが入力したデータを、メインコントローラMC、さらには各セルコントローラCT1〜CT6に転送して、各セルに関する基板制御をそれぞれ行っている。また、メインコントローラMCには、図示を省略するRAM(Random Access Memory)などに代表される記憶部を備えており、各種のデータが記憶されている。   Next, a specific configuration of the data setting unit HC will be described with reference to FIG. The input unit 38 of the data setting unit HC is configured by a pointing device such as a mouse, a keyboard 38a, a touch panel 38b, and buttons, and transfers data input by the operator to the main controller MC and further to the cell controllers CT1 to CT6. Then, the substrate control for each cell is performed. Further, the main controller MC includes a storage unit represented by a RAM (Random Access Memory) (not shown) and stores various data.

データ設定部HCの画面は、このタッチパネル38bで表示され、タッチパネル38bの操作表示にしたがって、オペレータはタッチパネル38bに直接触って、データの入力を行う。   The screen of the data setting unit HC is displayed on the touch panel 38b. According to the operation display on the touch panel 38b, the operator directly inputs the data by touching the touch panel 38b.

本実施例1の場合には、データ設定部HCの入力部38にオペレータが入力することで、後述するフローレシピ(図12参照)内のパラメータ(例えばスキップ制御フラグや基板処理条件などの処理情報)を設定変更し、設定変更されたパラメータをフローレシピごとメインコントローラMC、さらには各セルコントローラCT1〜CT6に転送している。また、フローレシピは上述した記憶部に記憶されており、必要に応じて適宜読み出し、読み出されたフローレシピ内のパラメータを変更する可変レシピ機能を備えている。マウスやキーボード38aやタッチパネル38bやボタンなどの入力部38は、本発明における搬送順序設定手段と処理情報設定手段とに相当し、メインコントローラMCは、本発明における制御手段に相当する。   In the case of the first embodiment, when an operator inputs to the input unit 38 of the data setting unit HC, parameters (for example, processing information such as a skip control flag and a substrate processing condition) in a flow recipe (see FIG. 12) described later. ) Is changed, and the changed parameters are transferred to the main controller MC and further to the cell controllers CT1 to CT6 for each flow recipe. The flow recipe is stored in the storage unit described above, and is provided with a variable recipe function for appropriately reading out as necessary and changing parameters in the read flow recipe. The input unit 38 such as a mouse, a keyboard 38a, a touch panel 38b, and buttons corresponds to the transport order setting unit and the processing information setting unit in the present invention, and the main controller MC corresponds to the control unit in the present invention.

次に、本実施例1に係る基板処理装置の基本的な動作について図11を参照して説明する。図11(a)は反射防止膜用処理セルC2に関する基板のフローチャート、図11(b)はレジスト膜用処理セルC3に関する基板のフローチャート、図11(c)は現像処理セルC4に関する基板のフローチャート、図11(d)は露光後加熱用処理セルC5に関する基板のフローチャートである。   Next, a basic operation of the substrate processing apparatus according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11A is a flowchart of the substrate relating to the antireflection film processing cell C2, FIG. 11B is a flowchart of the substrate relating to the resist film processing cell C3, and FIG. 11C is a flowchart of the substrate relating to the development processing cell C4. FIG. 11D is a flowchart of the substrate relating to the post-exposure heating processing cell C5.

まず、インデクサセルC1(インデクサブロック1)のインデクサ用搬送機構7が、所定のカセットCに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持アーム7bが昇降および進退移動することにより、そのカセットCに収納されている未処理の基板Wを取り出す。保持アーム7bに基板Wを保持した状態で、インデクサ用搬送機構7が、基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持アーム7b上の基板Wを基板払出し用の上側の基板載置部PASS1に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部PASS2に処理済みの基板Wが載置されている場合、インデクサ用搬送機構7は、その処理済みの基板Wを保持アーム7b上に受け取って、所定のカッセトCに処理済みの基板Wを収納する。以下、同様にカセットCから未処理基板Wを取り出して基板載置部PASS1に搬送するとともに、処理済み基板Wを基板載置部PASS2から受け取ってカセットCに収納するという動作を繰り返し行う。   First, the indexer transport mechanism 7 of the indexer cell C1 (indexer block 1) moves horizontally to a position facing a predetermined cassette C. Subsequently, when the holding arm 7b moves up and down and moves forward and backward, the unprocessed substrate W stored in the cassette C is taken out. With the substrate W held by the holding arm 7b, the indexer transport mechanism 7 moves horizontally to a position facing the substrate platforms PASS1 and PASS2. Then, the substrate W on the holding arm 7b is placed on the upper substrate platform PASS1 for delivering the substrate. When the processed substrate W is placed on the lower substrate platform PASS2 for returning the substrate, the indexer transport mechanism 7 receives the processed substrate W on the holding arm 7b, The processed substrate W is stored in the cassette C. Thereafter, similarly, an operation of taking out the unprocessed substrate W from the cassette C and transporting it to the substrate platform PASS1 and receiving the processed substrate W from the substrate platform PASS2 and storing it in the cassette C is repeated.

図11(a)に示すように反射防止膜用処理セルC2では、順方向においては、基板載置部PASS1(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)、冷却プレートCP、反射防止膜用塗布処理部8、加熱プレートHP、冷却プレートWCP、基板載置部PASS3(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。逆方向においては、PASS4(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)、基板載置部PASS2(反射防止膜用処理セルC2を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。なお、図11(a)中の符号BARCは反射防止膜用塗布処理部8を示している。   As shown in FIG. 11 (a), in the antireflection film processing cell C2, in the forward direction, the substrate platform PASS1 (referred to as the “antireflection film processing cell C2” is referred to as “feed inlet substrate platform”). ”), The cooling plate CP, the antireflection film coating processing section 8, the heating plate HP, the cooling plate WCP, the substrate mounting section PASS3 (referring to the processing cell C2 for the antireflection film,“ the outlet substrate mounting for feeding ” The substrate W is processed in the order of “parts”). In the reverse direction, PASS4 (“return entrance substrate mounting portion” if referred to with respect to the antireflection film processing cell C2), and substrate mounting portion PASS2 (referring to the antireflection film processing cell C2 as a reference). The substrates W are processed in the order of “return exit substrate mounting portion”). In addition, the code | symbol BARC in Fig.11 (a) has shown the application | coating process part 8 for anti-reflective films.

基板載置部PASS1に未処理基板Wが置かれると、セルC2の第1の主搬送機構10Aは、保持アーム10a、10bを基板載置部PASS1、PASS2に対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。そして、一方の保持アーム10bに保持している処理済みの基板Wを下側の戻し用の基板載置部PASS2に置き、その後、上側の送り用入口基板載置部PASS1に置かれている未処理基板Wを、空の状態になった一方の保持アーム10bを再び駆動して、その保持アーム10b上に受け取るという、保持アーム10bだけを使った処理済み基板Wおよび未処理基板Wの受け渡し動作を行う。   When the unprocessed substrate W is placed on the substrate platform PASS1, the first main transport mechanism 10A of the cell C2 raises and lowers the holding arms 10a and 10b integrally to a position facing the substrate platforms PASS1 and PASS2. Turn and move. Then, the processed substrate W held on one holding arm 10b is placed on the lower return substrate platform PASS2, and then placed on the upper feed inlet substrate platform PASS1. Transfer operation of the processed substrate W and the unprocessed substrate W using only the holding arm 10b, in which the one holding arm 10b in an empty state is driven again to receive the processing substrate W on the holding arm 10b. I do.

具体的には、保持アーム10bを前進移動させて戻り用出口基板載置部PASS2上に処理済みの基板Wを置く。処理済みの基板Wを渡した保持アーム10bは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム10a、10bを一体に少し上昇させた後、空の状態になった保持アーム10bを再び前進移動させて送り用入口基板載置部PASS1上の未処理基板Wを保持アーム10b上に受け取る。基板Wを受け取った保持アーム10bは元の位置にまで後退する。   Specifically, the holding arm 10b is moved forward to place the processed substrate W on the return exit substrate platform PASS2. The holding arm 10b that has passed the processed substrate W moves back to the original position. Subsequently, after the holding arms 10a and 10b are slightly raised together, the holding arm 10b that has been emptied is moved forward again to move the unprocessed substrate W on the feeding inlet substrate platform PASS1 to the holding arm 10b. Receive on. The holding arm 10b that has received the substrate W moves back to the original position.

上述したように、本実施例1では、基板載置部PASS1、PASS2に対する処理済み基板Wおよび未処理基板Wの受け渡し動作を保持アーム10bだけを使って行っている。一方の保持アーム10aに保持した基板Wを基板載置部PASS2に渡した後は、両方の保持アーム10a、10bは空の状態になっているので、いずれの保持アーム10a、10bを使っても基板載置部PASS1の基板Wを受け取ることができる。しかし、本実施例1では、後述する説明から明らかになるように、加熱プレートHPで処理されて加熱された基板Wを、上側に配置された保持アーム10aで受け取るために、元々空の状態にあった保持アーム10aを使わずに、保持アーム10bを再駆動して基板載置部PASS1の基板Wを受け取るように構成してある。この基板載置部PASS1、PASS2に対する未処理基板Wおよび処理済み基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(1)に相当する。   As described above, in the first embodiment, the transfer operation of the processed substrate W and the unprocessed substrate W to the substrate platforms PASS1, PASS2 is performed using only the holding arm 10b. After the substrate W held on one holding arm 10a is transferred to the substrate platform PASS2, both the holding arms 10a and 10b are in an empty state, so that no matter which holding arm 10a or 10b is used. The substrate W of the substrate platform PASS1 can be received. However, in the first embodiment, as will be apparent from the description to be described later, the substrate W that has been processed by the heating plate HP and heated is received by the holding arm 10a disposed on the upper side, so that it is originally in an empty state. Instead of using the holding arm 10a, the holding arm 10b is re-driven to receive the substrate W of the substrate platform PASS1. The delivery of the unprocessed substrate W and the processed substrate W to the substrate platforms PASS1, PASS2 corresponds to the transport step (1) of the first main transport mechanism 10A shown in FIG.

基板載置部PASS1、PASS2に対する基板Wの受け渡しが終わると、第1の主搬送機構10Aは、基板Wを保持していない空の状態の保持アーム10aと、未処理基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部9の所定の冷却プレートCPに対向させる。通常、この冷却プレートCPには、先行処理されている基板Wが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを保持アーム10a上に受け取る。続いて未処理基板Wを保持した保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。冷却プレートCPに載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却される。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(2)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS1 and PASS2 is finished, the first main transport mechanism 10A includes an empty holding arm 10a that does not hold the substrate W and a holding arm that holds the unprocessed substrate W. 10b is moved up and down and swiveled together to oppose a predetermined cooling plate CP of the heat treatment section 9 for antireflection film. Usually, this cooling plate CP contains a substrate W which has been subjected to a preceding process. First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the cooled substrate W on the cooling plate CP on the holding arm 10a. Subsequently, the holding arm 10b holding the unprocessed substrate W is moved forward to place the unprocessed substrate W on the cooling plate CP. The substrate W placed on the cooling plate CP is accurately cooled to room temperature while the main transport mechanism 10A performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the cooling plate CP corresponds to the transport step (2) of the first main transport mechanism 10A shown in FIG.

冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部8に対向させる。通常、この反射防止膜用塗布処理部8には、先行処理されている基板Wが入っている。そこで、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その反射防止膜用塗布処理部8にあるスピンチャック11上の処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。続いて基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、基板Wをそのスピンチャック11上に置く。スピンチャック11上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成される。このスピンチャック11に対する基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(3)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the cooling plate CP is completed, the holding arm 10a holding the cooled substrate W and the empty holding arm 10b are moved up and down and swiveled together to perform a predetermined antireflection film coating process. It is made to oppose the part 8. In general, the anti-reflection coating application unit 8 contains a substrate W that has been subjected to a preceding process. Therefore, first, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the spin chuck 11 in the antireflection film coating processing unit 8 on the holding arm 10b. Subsequently, the holding arm 10 a holding the substrate W is moved forward to place the substrate W on the spin chuck 11. The substrate W placed on the spin chuck 11 is coated with an antireflection film while the main transport mechanism 10A performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the spin chuck 11 corresponds to the transfer step (3) of the first main transfer mechanism 10A shown in FIG.

スピンチャック11への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、反射防止膜が塗布された基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートHPに対向させる。通常、この加熱プレートHPにも先行処理されている基板Wが入っているので、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱プレートHP上の処理済みの基板Wを保持アーム10a上に受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、基板Wを加熱プレートHP上に置く。加熱プレートHP上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板W上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートHPに対する基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(4)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the spin chuck 11 is completed, the holding arm 10a in an empty state and the holding arm 10b holding the substrate W coated with the antireflection film are moved up and down and swiveled together to form a predetermined Oppose to heating plate HP. Usually, since the substrate W that has been pre-processed is also contained in the heating plate HP, first, the empty holding arm 10a is moved forward to move the processed substrate W on the heating plate HP onto the holding arm 10a. To receive. Subsequently, the holding arm 10b is moved forward to place the substrate W on the heating plate HP. The substrate W placed on the heating plate HP is heat-treated while the main transport mechanism 10A performs another transport operation, and the excess solvent contained in the antireflection film on the substrate W is removed. The delivery of the substrate W to the heating plate HP corresponds to the transfer step (4) of the first main transfer mechanism 10A shown in FIG.

加熱プレートHPへの基板Wの載せ換えが終わると、熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、隔壁13に設置された水冷式の冷却プレートWCPに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートWCP上の処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。続いて、保持アーム10aを前進移動させて、基板Wを冷却プレートWCP上に置く。冷却プレートWCP上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この冷却プレートWCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(5)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the heating plate HP is finished, the holding arm 10a holding the heat-treated substrate W and the empty holding arm 10b are moved up and down and swung together to be installed on the partition wall 13. It is made to oppose to the water cooling type cooling plate WCP. As described above, first, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the cooling plate WCP on the holding arm 10b. Subsequently, the holding arm 10a is moved forward to place the substrate W on the cooling plate WCP. The substrate W placed on the cooling plate WCP is roughly cooled while the main transport mechanism 10A performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the cooling plate WCP corresponds to the transfer step (5) of the first main transfer mechanism 10A shown in FIG.

冷却プレートWCPへの基板Wの載せ換えが終わると、空の状態の保持アーム10aと、大まかに冷却された基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に上昇させて、冷却プレートWCPの上方に配設されている基板載置部PASS3、PASS4に対向させる。そして、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板載置部PASS3上に基板Wを置く。通常、下側の基板載置部PASS4に、レジスト膜用処理セルC3を介して現像処理セルC4から送られてきた現像処理済みの基板Wが置かれている。そこで、保持アーム10a、10bを一体に少し下降させた後、空の状態になった保持アーム10bを再び前進移動させて基板載置部PASS4上の現像処理済みの基板Wを保持アーム10b上に受け取る。この基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しは、図11(a)中に示した第1の主搬送機構10Aの搬送工程(6)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the cooling plate WCP is finished, the empty holding arm 10a and the holding arm 10b holding the roughly cooled substrate W are raised together so as to be above the cooling plate WCP. It is made to oppose the board | substrate mounting part PASS3 and PASS4 which are arrange | positioned. Then, the holding arm 10b is moved forward to place the substrate W on the upper substrate platform PASS3. Usually, the developed substrate W sent from the development processing cell C4 via the resist film processing cell C3 is placed on the lower substrate platform PASS4. Therefore, after the holding arms 10a and 10b are slightly lowered together, the empty holding arm 10b is moved forward again to bring the developed substrate W on the substrate platform PASS4 onto the holding arm 10b. receive. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3 and PASS4 corresponds to the transport step (6) of the first main transport mechanism 10A shown in FIG.

反射防止膜用処理セルC2に備えられた第1の主搬送機構10Aは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図11(a)に示す順方向と逆方向とを合計すると、6つの搬送工程を負担することになる。   The first main transport mechanism 10A provided in the anti-reflection film processing cell C2 repeatedly performs the transport processes described above. Here, if the forward direction and the reverse direction shown in FIG. 11 (a) are summed, six transport steps are borne.

上述した説明から明らかなように、加熱プレートHPで加熱処理された基板Wは、常に上側の保持アーム10aで保持される。加熱された基板Wからの熱的影響は上方に強く及ぶので、加熱された基板Wの影響で下側の保持アーム10bが温度上昇するのを抑制することができる。この熱的影響をあまり受けていない下側の保持アーム10bを使って、反射防止膜用処理セルC2から次のレジスト膜用処理セルC3に基板Wを払い出すようにしているので、レジスト膜の塗付処理を受ける基板Wの温度変動を抑制することができる。   As is apparent from the above description, the substrate W that has been heat-treated by the heating plate HP is always held by the upper holding arm 10a. Since the thermal influence from the heated substrate W is strongly exerted upward, it is possible to suppress the temperature increase of the lower holding arm 10b due to the influence of the heated substrate W. Since the lower holding arm 10b that is not significantly affected by this thermal effect is used, the substrate W is discharged from the antireflection film processing cell C2 to the next resist film processing cell C3. The temperature fluctuation of the substrate W subjected to the coating process can be suppressed.

なお、本実施例1の反射防止膜用処理セルC2は、基板載置部PASS1、PASS2に対する基板Wの受け渡しと、基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しとの間に、偶数回の基板Wの受け渡し(すなわち図11(a)で「CP」、「BARC」、「HP」、「WCP」で表した各処理に伴う基板Wの受け渡し」を行う。このような場合、必ずしも上述したように、一方の保持アーム10bだけを使って基板載置部PASS1〜PASS4に対して基板Wの受け渡しを行う必要はなく、基板載置部PASS1、PASS2および基板載置部PASS3、PASS4に対してそれぞれ2つの保持アーム10a、10bを使って基板Wの受け渡しを行っても、加熱処理された直後の基板Wを保持する保持アームを、一方の保持アーム10aに固定することはできる。   In addition, the processing cell C2 for antireflection film of the first embodiment has an even number of times between the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS1, PASS2 and the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3, PASS4. Delivery of the substrate W (that is, delivery of the substrate W accompanying each process represented by “CP”, “BARC”, “HP”, “WCP” in FIG. 11A) is performed. Thus, it is not necessary to transfer the substrate W to the substrate platforms PASS1 to PASS4 using only one holding arm 10b, but to the substrate platforms PASS1 and PASS2 and the substrate platforms PASS3 and PASS4. Even when the substrate W is transferred using the two holding arms 10a and 10b, the holding arm that holds the substrate W immediately after the heat treatment is placed on one of the holding arms 10a and 10b. It can be fixed to the lifting arm 10a.

しかし、基板載置部PASS1、PASS2に対する基板Wの受け渡しと基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しとの間に行われる基板Wの受け渡し回数(基板の受け渡しを伴う処理の回数)が奇数回になった場合(後述する露光後加熱用処理セルC5のような場合)に、上記のように基板載置部PASS1、PASS2および基板載置部PASS3、PASS4の両方に対して2つの保持アーム10a、10b(1つの保持アームのみを使う場合も同様であるが)を使って基板Wの受け渡しを行うと、搬送行程の1サイクルごとに、基板Wを扱う保持アームが交互に入れ代わるので、加熱処理後の基板Wを一方の保持アーム10aだけで取り扱うことができなくなる。その結果、2つの保持アーム10a、10bが加熱された基板Wから熱的影響を受けて蓄熱し、他の基板Wに熱的悪影響を与えるという不具合を招く。   However, the number of times the substrate W is transferred between the substrate platform PASS1, PASS2 and the substrate platform PASS3, PASS4 is an odd number of times (the number of processes involving the substrate transfer). Two holding arms for both the substrate platform PASS1, PASS2 and the substrate platform PASS3, PASS4 as described above when the rotation is performed (in the case of a post-exposure heating processing cell C5 described later). When the substrate W is delivered using 10a and 10b (the same applies when only one holding arm is used), the holding arms that handle the substrate W are alternately replaced every cycle of the transfer process. The processed substrate W cannot be handled by only one holding arm 10a. As a result, the two holding arms 10a and 10b receive heat from the heated substrate W and accumulate heat, which causes a problem that the other substrates W are adversely affected by heat.

これに対して、本実施例1では、2つの保持アーム10a、10bのいずれかに基板Wを保持した状態で、2つの基板載置部に対して基板Wの受け渡しを行うにあたり、一方の保持アーム上の基板Wを先に一方の基板載置部に渡すことにより、一時的に2つの保持アーム10a、10bを空の状態にしているので、他方の基板載置部上の基板Wをいずれの保持アーム10a、10bを使っても受け取ることができる。従って、基板載置部PASS1、PASS2に対する基板Wの受け渡しと基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しとの間に、奇数回の基板Wの受け渡し(基板の受け渡しを伴う処理)がある場合には、一方の2つの基板載置部(例えば、上下に近接配置された送り用入口基板載置部と戻り用出口基板載置部)に対しては1つの保持アーム(例えば、保持アーム10b)を使って基板Wの受け渡しを行い、他方の2つの基板載置部(例えば、送り用出口基板載置部と戻り用入口基板載置部)に対しては2つの保持アーム10a、10bを使って基板Wの受け渡しを行うことにより、各処理に伴う基板Wの受け渡しを常に同じ保持アームを使って行うことができる。すなわち、保持アーム10a、10bのうち、加熱プレートHPで加熱処理がなされた基板Wを受け取る保持アームが毎搬送サイクルとも同じになるという条件を満たすように、空の状態の保持アーム10a、10bのうちの1つを駆動して、入口基板載置部に置かれている基板を受け取るようにしているのである。従って、保持アーム10a、10bから基板Wに与える熱的影響を抑制することができ、また、保持アーム10a、10bから基板Wに対して何らかの熱的影響が仮にあったとしても、その熱的影響が基板Wごとに変動するということがなく、基板Wに対する熱的影響の「変動」を最小限度に抑えることができ、もって基板処理の品質を安定させることができる。   On the other hand, in the first embodiment, when the substrate W is transferred to the two substrate platforms while the substrate W is held on either of the two holding arms 10a and 10b, one holding is performed. Since the two holding arms 10a and 10b are temporarily emptied by passing the substrate W on the arm first to one of the substrate platforms, the substrate W on the other substrate platform is It can also be received using the holding arms 10a and 10b. Therefore, when there is an odd number of times of delivery of the substrate W (processing involving delivery of the substrate) between the delivery of the substrate W to the substrate platform PASS1, PASS2 and the delivery of the substrate W to the substrate platform PASS3, PASS4 In this case, one holding arm (for example, the holding arm 10b) is provided for one of the two substrate mounting portions (for example, the feeding inlet substrate mounting portion and the return outlet substrate mounting portion that are arranged close to each other in the vertical direction). ) Is used to transfer the substrate W, and the two holding arms 10a and 10b are attached to the other two substrate placement portions (for example, the sending exit substrate placement portion and the return entrance substrate placement portion). By using and transferring the substrate W, it is possible to always transfer the substrate W accompanying each process using the same holding arm. That is, among the holding arms 10a and 10b, the empty holding arms 10a and 10b are configured so as to satisfy the condition that the holding arm that receives the substrate W that has been heated by the heating plate HP is the same in each transport cycle. One of them is driven to receive the substrate placed on the entrance substrate mounting portion. Therefore, it is possible to suppress the thermal influence exerted on the substrate W from the holding arms 10a and 10b, and even if there is any thermal influence on the substrate W from the holding arms 10a and 10b, the thermal influence is exerted. Does not fluctuate from one substrate W to another, and the “fluctuation” of the thermal effect on the substrate W can be minimized, thereby stabilizing the quality of substrate processing.

上記のような2つの基板載置部に対して一方の保持アーム10bだけを使って基板Wの受け渡しをする手法は、後述する他の処理セルC2〜C4(ただし、露光後加熱用処理セルC5を除く)においても同様である。なお、本発明はこのような基板Wの受け渡し手法に限定されるものでなく、保持アームから基板Wに与える熱的影響を考慮する必要がない場合などでは、全ての基板載置部に対して2つの保持アームを使って基板Wの受け渡しを行っても良い。   The method for delivering the substrate W to the two substrate platforms as described above using only one holding arm 10b is the following other processing cells C2 to C4 (however, the post-exposure heating processing cell C5). The same applies to (except for). Note that the present invention is not limited to such a delivery method of the substrate W, and in the case where it is not necessary to consider the thermal influence exerted on the substrate W from the holding arm, all the substrate mounting portions are applied. The substrate W may be transferred using two holding arms.

図11(b)に示すようにレジスト膜用処理セルC3では、順方向においては、基板載置部PASS3(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)、冷却プレートCP、レジスト膜用塗布処理部15、加熱部PHP、冷却プレートCP、基板載置部PASS5(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。逆方向においては、基板載置部PASS6(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)、基板載置部PASS4(レジスト膜用処理セルC3を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。なお、図11(b)中の符号PRはレジスト膜用塗布処理部15を示している。   As shown in FIG. 11B, in the resist film processing cell C3, in the forward direction, the substrate platform PASS3 (“feed inlet substrate platform” on the basis of the resist film processing cell C3). , The cooling plate CP, the resist film coating processing section 15, the heating section PHP, the cooling plate CP, and the substrate platform PASS5 (“outlet substrate mounting section for feeding” based on the resist film processing cell C3). The substrate W is processed in order. In the reverse direction, the substrate platform PASS6 (“return entrance substrate platform” on the basis of the resist film processing cell C3), and the substrate platform PASS4 (based on the resist film processing cell C3). In other words, the substrates W are processed in the order of “return exit substrate mounting portion”). Note that the symbol PR in FIG. 11B indicates the resist film coating processing section 15.

反射防止膜が塗付形成された基板Wが基板載置部PASS3に置かれると、セルC3の第2の主搬送機構10Bは、上述した第1の主搬送機構10Aの場合と同様に、一方の保持アーム10bに保持した現像処理済みの基板Wを基板載置部PASS4上に置く。そして、基板載置部PASS3上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。この基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(1)に相当する。   When the substrate W coated with the antireflection film is placed on the substrate platform PASS3, the second main transport mechanism 10B of the cell C3 is similar to the first main transport mechanism 10A described above. The development-processed substrate W held on the holding arm 10b is placed on the substrate platform PASS4. Then, the substrate W on the substrate platform PASS3 is received again on the holding arm 10b. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3 and PASS4 corresponds to the transport process (1) of the second main transport mechanism 10B shown in FIG.

基板載置部PASS3、PASS4に対する基板Wの受け渡しが終わると、第2の主搬送機構10Bは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、レジスト膜用熱処理部16の所定の冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(2)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS3 and PASS4 is finished, the second main transport mechanism 10B moves the holding arm 10a in the empty state and the holding arm 10b holding the substrate W into the resist film heat treatment unit 16. To a position facing a predetermined cooling plate CP. First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the cooled substrate W on the cooling plate CP, and then the holding arm 10b is moved forward to move the unprocessed substrate W to the cooling plate CP. put on top. The delivery of the substrate W to the cooling plate CP corresponds to the transport step (2) of the second main transport mechanism 10B shown in FIG.

冷却プレートCPへの基板Wの載せ換えが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、所定のレジスト膜用塗布処理部15に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、そのレジスト膜用塗布処理部15にあるスピンチャック17上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、その基板Wをスピンチャック17上に置く。スピンチャック17上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Bが他の搬送動作を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。このスピンチャック17に対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(3)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the cooling plate CP is completed, the holding arm 10a holding the cooled substrate W and the empty holding arm 10b are opposed to a predetermined resist film coating processing unit 15. Move to. First, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the spin chuck 17 in the resist film coating processing section 15, and the holding arm 10a holding the substrate W is moved forward. The substrate W is placed on the spin chuck 17. The substrate W placed on the spin chuck 17 is coated with a resist film while the main transport mechanism 10B performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the spin chuck 17 corresponds to the transfer step (3) of the second main transfer mechanism 10B shown in FIG.

スピンチャック17への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、レジスト膜が塗布形成された基板Wを保持した保持アーム10bとを、所定の基板仮置部付きの加熱部PHPに対向させる。先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱部PHP上の基板仮置部19に載置されている処理済みの基板Wを受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wを基板仮置部19上に置く。基板仮置部19上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Bが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部PHPのローカル搬送機構20によって、その加熱部PHPの加熱プレートHP上に移されて熱処理される。この加熱プレートHP上で熱処理された基板Wは、同じローカル搬送機構20によって基板仮置部19に戻される。その基板Wは、ローカル搬送機構20の保持プレート24に保持されて基板仮置部19に戻され、基板載置部20内で保持プレート24の冷却機構によって冷却される。この加熱部PHPに対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(4)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the spin chuck 17 is finished, the holding arm 10a in an empty state and the holding arm 10b holding the substrate W on which a resist film is applied and formed are heated to a heating unit with a predetermined temporary substrate placement unit. Opposite to PHP. First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the processed substrate W placed on the temporary substrate placement part 19 on the heating part PHP. Subsequently, the holding arm 10 b is moved forward to place the unprocessed substrate W on the temporary substrate placement unit 19. The substrate W placed on the temporary substrate placement unit 19 is placed on the heating plate HP of the heating unit PHP by the local transport mechanism 20 of the heating unit PHP while the main transport mechanism 10B performs another transport operation. To be heat treated. The substrate W that has been heat-treated on the heating plate HP is returned to the temporary substrate placement unit 19 by the same local transport mechanism 20. The substrate W is held by the holding plate 24 of the local transport mechanism 20 and returned to the temporary substrate placement unit 19, and is cooled by the cooling mechanism of the holding plate 24 in the substrate platform 20. The delivery of the substrate W to the heating unit PHP corresponds to the transport process (4) of the second main transport mechanism 10B shown in FIG.

加熱部PHPへの基板Wの受け渡しが終わると、熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、レジスト膜用熱処理部16の冷却プレートCPに対向させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、未処理基板Wを冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(5)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the heating unit PHP is completed, the holding arm 10a holding the heat-treated substrate W and the empty holding arm 10b are opposed to the cooling plate CP of the resist film heat-treating unit 16. Then, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the cooling plate CP, and the holding arm 10a is moved forward to place the unprocessed substrate W on the cooling plate CP. The delivery of the substrate W to the cooling plate CP corresponds to the transport step (5) of the second main transport mechanism 10B shown in FIG.

冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、冷却された基板Wを保持した保持アーム10bとを、基板載置部PASS5、PASS6に対向させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS5上に基板Wを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部PASS6に載置されている現像処理済みの基板Wを再び保持アーム10bで受け取る。この基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しは、図11(b)中に示した第2の主搬送機構10Bの搬送工程(6)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the cooling plate CP is completed, the empty holding arm 10a and the holding arm 10b holding the cooled substrate W are opposed to the substrate platforms PASS5 and PASS6. Subsequently, the holding arm 10b is moved forward to place the substrate W on the upper substrate loading portion PASS5 and the development processing placed on the lower substrate returning portion PASS6. The used substrate W is received again by the holding arm 10b. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS5 and PASS6 corresponds to the transport step (6) of the second main transport mechanism 10B shown in FIG.

レジスト膜用処理セルC3に備えられた第2の主搬送機構10Bは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図11(b)に示す順方向と逆方向とを合計すると、第1の主搬送機構10Aと同様に6つの搬送工程を負担することになる。   The second main transport mechanism 10B provided in the resist film processing cell C3 repeatedly performs the transport processes described above. Here, when the forward direction and the reverse direction shown in FIG. 11B are summed, six transport steps are borne similarly to the first main transport mechanism 10A.

図11(c)に示すように現像処理セルC4では、順方向においては、基板載置部PASS5(現像処理セルC4を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)、基板載置部PASS7(現像処理セルC4を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。逆方向においては、PASS8(現像処理セルC4を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)、冷却プレートCP、現像処理部30、加熱プレートHP、冷却プレートWCP、基板載置部PASS6(現像処理セルC4を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。なお、図11(c)中の符号SDは現像処理部30を示している。   As shown in FIG. 11C, in the development cell C4, in the forward direction, the substrate platform PASS5 (“feeding substrate substrate platform” on the basis of the development cell C4), the substrate platform Substrate W is processed in the order of part PASS7 (“exit substrate mounting part for sending” on the basis of development processing cell C4). In the reverse direction, PASS8 (“return entrance substrate mounting portion” on the basis of the development processing cell C4), cooling plate CP, development processing portion 30, heating plate HP, cooling plate WCP, substrate mounting portion PASS6. The substrates W are processed in the order of “returning exit substrate mounting portion” based on the development processing cell C4. Note that the symbol SD in FIG. 11C indicates the development processing unit 30.

レジスト膜が塗付形成された基板Wが基板載置部PASS5に置かれると、セルC4の第3の主搬送機構10Cは、先ず保持アーム10bに保持した現像処理済みの基板Wを基板載置部PASS6上に置き、その後、基板載置部PASS5上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。この基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(1)に相当する。   When the substrate W coated with the resist film is placed on the substrate platform PASS5, the third main transport mechanism 10C of the cell C4 first places the developed substrate W held on the holding arm 10b on the substrate platform. Then, the substrate W on the substrate platform PASS5 is received again on the holding arm 10b. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS5 and PASS6 corresponds to the transport step (1) of the third main transport mechanism 10C shown in FIG.

基板載置部PASS5、PASS6に対する基板Wの受け渡しが終わると、第3の主搬送機構10Cは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の積層構造の中に配設された基板載置部PASS7、PASS8に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS7上に、レジスト膜が塗付形成された基板Wを置き、その後、下側の基板戻し用の基板載置部PASS8に載置されている露光後の加熱処理済みの基板Wを再び保持アーム10bで受け取る。この基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(2)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS5 and PASS6 is finished, the third main transport mechanism 10C transfers the empty holding arm 10a and the holding arm 10b holding the substrate W to the developing heat treatment unit 31. The substrate is moved to a position facing the substrate platforms PASS7 and PASS8 disposed in the laminated structure. Subsequently, the holding arm 10b is moved forward to place the substrate W on which the resist film is applied on the upper substrate discharge portion PASS7, and then the lower substrate return substrate placement. The post-exposure heat-treated substrate W placed on the part PASS8 is received again by the holding arm 10b. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 corresponds to the transport step (2) of the third main transport mechanism 10C shown in FIG.

基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しが終わると、第3の主搬送機構10Cは、空の状態の保持アーム10aと、露光後の加熱処理済みの基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の所定の冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その冷却プレートCP上の冷却処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをその冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(3)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 ends, the third main transport mechanism 10C includes an empty holding arm 10a and a holding arm 10b that holds the heated substrate W after the exposure. Is moved to a position facing a predetermined cooling plate CP of the heat treatment section 31 for development. First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the cooled substrate W on the cooling plate CP, and then the holding arm 10b is moved forward to move the unprocessed substrate W to the cooling plate CP. put on top. The delivery of the substrate W to the cooling plate CP corresponds to the transfer step (3) of the third main transfer mechanism 10C shown in FIG.

冷却プレートCPへの基板Wの受け渡しが終わると、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、所定の現像処理部30に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その現像処理部30にあるスピンチャック32上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、その基板Wをスピンチャック32上に置く。スピンチャック32上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Cが他の搬送動作を行っている間に、現像処理される。このスピンチャック32に対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(4)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the cooling plate CP is finished, the holding arm 10a holding the cooled substrate W and the holding arm 10b in an empty state are moved to a position facing a predetermined development processing unit 30. . First, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the spin chuck 32 in the development processing unit 30, and the holding arm 10a holding the substrate W is moved forward to move the substrate. W is placed on the spin chuck 32. The substrate W placed on the spin chuck 32 is developed while the main transport mechanism 10C performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the spin chuck 32 corresponds to the transport step (4) of the third main transport mechanism 10C shown in FIG.

スピンチャック32への基板Wの受け渡しが終わると、空の状態の保持アーム10aと、現像処理された基板Wを保持した保持アーム10bとを、現像用熱処理部31の所定の加熱プレートHPに対向させる。先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱プレートHP上に載置されている処理済みの基板Wを受け取る。続いて、保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wを加熱プレートHP上に置く。この加熱プレートHPに対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(5)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the spin chuck 32 is finished, the empty holding arm 10a and the holding arm 10b holding the developed substrate W are opposed to a predetermined heating plate HP of the development heat treatment section 31. Let First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the processed substrate W placed on the heating plate HP. Subsequently, the holding arm 10b is moved forward to place the unprocessed substrate W on the heating plate HP. The delivery of the substrate W to the heating plate HP corresponds to the transfer step (5) of the third main transfer mechanism 10C shown in FIG.

加熱プレートHPへの基板Wの載せ換えが終わると、加熱処理された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、レジスト膜用処理セルC3の側にある隔壁13に設置された水冷式の冷却プレートWCPに対向させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートWCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、未処理基板Wを冷却プレートWCP上に置く。この冷却プレートWCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(c)中に示した第3の主搬送機構10Cの搬送工程(6)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the heating plate HP is completed, the holding arm 10a holding the heated substrate W and the empty holding arm 10b are placed on the partition wall 13 on the resist film processing cell C3 side. It is made to oppose the installed water cooling type cooling plate WCP. Then, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the cooling plate WCP, and the holding arm 10a is moved forward to place the unprocessed substrate W on the cooling plate WCP. The delivery of the substrate W to the cooling plate WCP corresponds to the transfer step (6) of the third main transfer mechanism 10C shown in FIG.

現像処理セルC4に備えられた第3の主搬送機構10Cは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図11(c)に示す順方向と逆方向とを合計すると、第1、第2の主搬送機構10A、10Bと同様に6つの搬送工程を負担することになる。   The third main transport mechanism 10C provided in the development processing cell C4 repeatedly performs the transport processes described above. Here, when the forward direction and the reverse direction shown in FIG. 11C are summed, six transport steps are borne in the same manner as the first and second main transport mechanisms 10A and 10B.

図11(d)に示すように露光後加熱用処理セルC5では、順方向においては、基板載置部PASS7(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)、エッジ露光部EEW、冷却プレートCP、基板載置部PASS9(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「送り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処理される。逆方向においては、基板載置部PASS10(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「戻り用入口基板載置部」)、加熱部PHP、基板載置部PASS8(露光後加熱用処理セルC5を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)の順に基板Wが処置される。なお、図11(d)中の符号PEBは、露光済みの基板Wを加熱するための加熱部PHPを示しており、露光後加熱(Post Exposure Bake)を行うためのものである。   As shown in FIG. 11 (d), in the post-exposure heating processing cell C5, in the forward direction, the substrate platform PASS7 (“feed inlet substrate platform” is referred to based on the post-exposure heating processing cell C5). ”), The substrate W is processed in the order of the edge exposure unit EEW, the cooling plate CP, and the substrate platform PASS9 (“ exit substrate mounting unit for feeding ”on the basis of the post-exposure heating processing cell C5). In the reverse direction, the substrate platform PASS10 (“return entrance substrate platform” on the basis of the post-exposure heating process cell C5), the heating unit PHP, and the substrate platform PASS8 (post-exposure heating process) Speaking on the basis of the cell C5, the substrates W are treated in the order of “return exit substrate mounting portion”). In addition, the code | symbol PEB in FIG.11 (d) has shown the heating part PHP for heating the exposed substrate W, and is for performing post-exposure heating (Post Exposure Bake).

レジスト膜が塗付形成された基板Wが基板載置部PASS7に置かれると、セルC5の第4の主搬送機構10Dは、保持アーム10bに保持した露光後加熱処理済みの基板Wを基板載置部PASS8上に置き、その後で基板載置部PASS7上の基板Wを再び保持アーム10b上に受け取る。この基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しは、図11(d)中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(1)に相当する。   When the substrate W coated with the resist film is placed on the substrate platform PASS7, the fourth main transport mechanism 10D of the cell C5 mounts the post-exposure heat-treated substrate W held on the holding arm 10b on the substrate. Then, the substrate W on the substrate platform PASS7 is received again on the holding arm 10b. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 corresponds to the transport step (1) of the fourth main transport mechanism 10D shown in FIG.

基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、空の状態の保持アーム10aと基板Wを保持した保持アーム10bとを、所定のエッジ露光部EEWに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10aを前進移動させて、そのエッジ露光部EEWのスピンチャック36上にある周辺露光済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10bを前進移動させて、未処理基板Wをそのスピンチャック36上に置く。スピンチャック36上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Dが他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光される。このスピンチャック36に対する基板Wの受け渡しは、図11(d)中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(2)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS7 and PASS8 is finished, the fourth main transport mechanism 10D moves the holding arm 10a in an empty state and the holding arm 10b holding the substrate W into a predetermined edge exposure unit EEW. Move to a position opposite to. First, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the peripherally exposed substrate W on the spin chuck 36 of the edge exposure unit EEW, and then the holding arm 10b is moved forward to move the unprocessed substrate. W is placed on the spin chuck 36. The peripheral portion of the substrate W placed on the spin chuck 36 is exposed while the main transport mechanism 10D performs another transport operation. The delivery of the substrate W to the spin chuck 36 corresponds to the transport step (2) of the fourth main transport mechanism 10D shown in FIG.

スピンチャック36に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、周辺露光された基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、現像用熱処理部31にある冷却プレートCPに対向する位置にまで移動させる。そして、空の保持アーム10bを前進移動させて、その冷却プレートCP上の処理済みの基板Wを受け取るとともに、保持アーム10aを前進移動させて、周辺露光された基板Wを冷却プレートCP上に置く。この冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しは、図11(d)中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(3)に相当する。   When the transfer of the substrate W to the spin chuck 36 is finished, the fourth main transport mechanism 10D transfers the holding arm 10a holding the peripherally exposed substrate W and the empty holding arm 10b to the developing heat treatment section 31. Move to a position facing a certain cooling plate CP. Then, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the processed substrate W on the cooling plate CP, and the holding arm 10a is moved forward to place the peripherally exposed substrate W on the cooling plate CP. . The delivery of the substrate W to the cooling plate CP corresponds to the transport process (3) of the fourth main transport mechanism 10D shown in FIG.

冷却プレートCPに対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Dは、空の状態の保持アーム10aと、冷却処理された基板Wを保持した保持アーム10bとを、基板載置部PASS9、PASS10に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム10bを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部PASS9上に基板Wを置くとともに、下側の基板戻し用の基板載置部PASS10に載置されている、露光装置STPで露光された基板Wを保持アーム10aで受け取る。この基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しは、図11(d)中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(4)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the cooling plate CP is finished, the fourth main transport mechanism 10D transfers the holding arm 10a in an empty state and the holding arm 10b holding the cooled substrate W to the substrate platform PASS9. And move to a position facing the PASS 10. Subsequently, the holding arm 10b is moved forward to place the substrate W on the upper substrate placement portion PASS9 for substrate ejection, and the exposure is carried on the lower substrate placement portion PASS10 for returning the substrate. The substrate W exposed by the apparatus STP is received by the holding arm 10a. The delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10 corresponds to the transport step (4) of the fourth main transport mechanism 10D shown in FIG.

なお、本実施例では、基板載置部PASS9、PASS10に対してだけ、2つの保持アーム10a、10bを使って基板Wの受け渡しを行っている。これは、反射防止膜用処理セルC2で説明したように、基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しと、基板載置部PASS7、PASS8との間に後述する加熱部PHPに対する基板Wの受け渡しを(1回:奇数回)行う関係で、基板載置部PASS9、PASS10に対して一方の保持アーム10bだけを使って基板の受け渡しを行うと、基板載置部PASS7、PASS8に対する基板Wの受け渡しに使う保持アームが、搬送行程の1サイクルごとに入れ代わるので、これを避けるためである。   In this embodiment, the substrate W is delivered only to the substrate platforms PASS9 and PASS10 using the two holding arms 10a and 10b. As described in the processing cell C2 for the antireflection film, this is because the transfer of the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10 and the heating of the substrate W to the heating unit PHP described later between the substrate platforms PASS7 and PASS8. When the substrate is transferred using only one holding arm 10b to the substrate platforms PASS9 and PASS10 in a relationship of performing delivery (once: odd number of times), the substrate W is transferred to the substrate platforms PASS7 and PASS8. This is to avoid this because the holding arm used for delivery is replaced every cycle of the transfer process.

基板載置部PASS9、PASS10に対する基板Wの受け渡しが終わると、第4の主搬送機構10Cは、露光済みの基板Wを保持した保持アーム10aと空の状態の保持アーム10bとを、現像用熱処理部31にある所定の基板仮置部付きの加熱部PHPに対向する位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム10bを前進移動させて、その加熱部PHP(具体的には、基板仮置部19の上)にある露光後の加熱処理済みの基板Wを受け取り、続いて保持アーム10aを前進移動させて、露光済みの基板Wを加熱部PHP(具体的には、基板仮置部19の上)に置く。基板仮置部19に置かれた基板Wは、主搬送機構10Dが他の搬送動作を行っている間に、ローカル搬送機構20によって加熱プレートHPに移されて加熱処理された後に、同じくローカル搬送機構20によって基板仮置部19に戻され、基板仮置部19内で冷却される。この加熱部PHPに対する基板Wの受け渡しは、図11(d)中に示した第4の主搬送機構10Dの搬送工程(5)に相当する。   When the delivery of the substrate W to the substrate platforms PASS9 and PASS10 is finished, the fourth main transport mechanism 10C causes the holding arm 10a holding the exposed substrate W and the holding arm 10b in an empty state to heat treatment for development. It moves to the position which opposes the heating part PHP with the predetermined | prescribed board | substrate temporary placement part in the part 31. FIG. First, the empty holding arm 10b is moved forward to receive the post-exposure heat-treated substrate W in the heating unit PHP (specifically, on the temporary substrate placement unit 19), and then hold it. The arm 10a is moved forward to place the exposed substrate W on the heating unit PHP (specifically, on the temporary substrate placement unit 19). The substrate W placed on the temporary substrate placement unit 19 is transferred to the heating plate HP by the local transport mechanism 20 and subjected to heat treatment while the main transport mechanism 10D performs another transport operation, and then is also transported locally. The mechanism 20 returns the substrate to the temporary substrate placement portion 19 and cools the temporary substrate placement portion 19. The delivery of the substrate W to the heating unit PHP corresponds to the transport process (5) of the fourth main transport mechanism 10D shown in FIG.

露光後加熱用処理セルC5に備えられた第4の主搬送機構10Dは、上述した各搬送工程を繰り返し行う。ここで、図11(d)に示す順方向と逆方向とを合計すると、第1〜第3の主搬送機構10A〜10Cよりも1つ少ない5つの搬送工程を負担することになる。   The fourth main transport mechanism 10D provided in the post-exposure heating processing cell C5 repeatedly performs the transport processes described above. Here, if the forward direction and the reverse direction shown in FIG. 11 (d) are summed, five transport steps, which are one less than the first to third main transport mechanisms 10A to 10C, are borne.

インターフェイスセルC6の動作を説明する。周辺露光された基板Wが基板載置部PASS9(インターフェイスセルC6を基準にして言えば「送り用入口基板載置部」)に置かれると、インターフェイスセルC6のインターフェイス用搬送機構35が基板載置部PASS9から基板Wを受け取って、隣接する露光装置STPに渡す。さらに、インターフェイス用搬送機構35は、露光装置STPから露光済みの基板Wを受け取って、その基板を基板戻し用の基板載置部PASS10(インターフェイスセルC6を基準にして言えば「戻り用出口基板載置部」)に載せる。インターフェイス用搬送機構35は、このような基板搬送動作を繰り返し行う。   The operation of the interface cell C6 will be described. When the peripherally exposed substrate W is placed on the substrate platform PASS9 (“feeding inlet substrate platform” on the basis of the interface cell C6), the interface transport mechanism 35 of the interface cell C6 causes the substrate platform to be placed. The substrate W is received from the part PASS9 and transferred to the adjacent exposure apparatus STP. Further, the interface transport mechanism 35 receives the exposed substrate W from the exposure apparatus STP, and the substrate is returned to the substrate platform PASS10 for returning the substrate (referring to the interface cell C6 as “return exit substrate mounting”). Place it on the mounting section)). The interface transport mechanism 35 repeatedly performs such a substrate transport operation.

次に、フローレシピおよびパラメータについて図12を参照して説明する。図12(a)は、フローレシピの全体の概要を示す図であって、図12(b)は、各フローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、図12(c)は、基板処理条件に係るパラメータの内容を示す図である。フローレシピは、処理部の温度・湿度や処理時間の条件などといった基板処理条件や、各々の処理部に対して基板Wの受け渡しを行う搬送順序などを設定するものであって、パラメータは、例えば後述するスキップ制御フラグや上述した基板処理条件などの処理情報であって、基板処理中に変更することが可能になるように構成されている。   Next, a flow recipe and parameters will be described with reference to FIG. FIG. 12A is a diagram showing an overview of the entire flow recipe, FIG. 12B is a diagram showing the contents of each flow recipe and parameters, and FIG. It is a figure which shows the content of the parameter which concerns on conditions. The flow recipe sets the substrate processing conditions such as the temperature / humidity of the processing unit and the processing time, the transfer order for transferring the substrate W to each processing unit, and the parameters are, for example, Processing information such as a skip control flag, which will be described later, and the substrate processing conditions described above, can be changed during the substrate processing.

図12(a)に示すように、フローレシピ39は、レシピ番号と各フローレシピとから構成されているとともに、レシピ番号の種類だけ各フローレシピを設定登録することができるように構成されている。上述したようにフローレシピ39は、メインコントローラMCに備えられた記憶部に記憶されており、マウスやキーボード38aやタッチパネル38bやボタンなどの入力部38によって各フローレシピを設定することができる。   As shown in FIG. 12A, the flow recipe 39 is composed of a recipe number and each flow recipe, and is configured so that each flow recipe can be set and registered for the type of the recipe number. . As described above, the flow recipe 39 is stored in the storage unit provided in the main controller MC, and each flow recipe can be set by the input unit 38 such as a mouse, a keyboard 38a, a touch panel 38b, or a button.

図12(b)に示すように、各々のフローレシピ40は、搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとから構成されているとともに、パラメータは、基板処理条件とスキップ制御フラグとから構成されている。スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Wの処理を行うか否かを設定するものである。搬送順序は、例えば図11(a)〜図11(d)に示すフローが設定されている。図12(b)の搬送順序では、レシピ番号の「1」には図11(a)の反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローが登録されており、レシピ番号の「2」には図11(b)のレジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローが登録されている。   As shown in FIG. 12B, each flow recipe 40 is composed of information for determining the transfer order and parameters associated therewith, and the parameters are composed of substrate processing conditions and a skip control flag. ing. The skip control flag sets whether to process the substrate W for each processing unit. For example, the flow shown in FIGS. 11A to 11D is set as the transport order. In the transport order of FIG. 12B, the forward flow related to the antireflection film processing cell C2 of FIG. 11A is registered in the recipe number “1”, and the recipe number “2” is registered in the recipe number “2”. A forward flow relating to the resist film processing cell C3 in FIG. 11B is registered.

パラメータのうち、基板処理条件に係るパラメータには、各々の搬送順序ごとに番号が割り当てられており、割り当てられた番号は、図12(c)に示すように具体的な基板処理条件41にさらに割り当てられている。例えば、レシピ番号の「1」の搬送順序「CP」には、図12(b)に示すように基板処理条件の欄に番号「1」が割り当てられているが、「CP」の具体的な基板処理条件41については、図12(c)に示すように「冷却温度」や「冷却時間」などが記載されており、割り当てられた番号「1」に対応する箇所に「冷却温度」や「冷却時間」などのように具体的な基板処理条件41がさらに割り当てられる。同じように、レシピ番号の「1」の搬送順序「BARC」には、図12(b)に示すように基板処理条件の欄に番号「2」が割り当てられているが、「BARC」の具体的な基板処理条件41については、図12(c)に示すように「塗布液の種類」や「スピンチャックの回転数」などが記載されており、割り当てられた番号「2」に対応する箇所に「塗布液の種類」や「スピンチャックの回転数」などのように具体的な基板処理条件41がさらに割り当てられる。つまり、図12(c)に示す、これらの具体的な基板処理条件41が、図12(b)に示す基板処理条件に対応することになる。   Of the parameters, parameters relating to the substrate processing conditions are assigned numbers for each transport order, and the assigned numbers are further added to specific substrate processing conditions 41 as shown in FIG. Assigned. For example, in the transfer order “CP” of the recipe number “1”, the number “1” is assigned to the column of the substrate processing condition as shown in FIG. Regarding the substrate processing condition 41, as shown in FIG. 12C, “cooling temperature”, “cooling time”, and the like are described, and “cooling temperature” and “ Specific substrate processing conditions 41 such as “cooling time” are further assigned. Similarly, in the transfer order “BARC” of the recipe number “1”, the number “2” is assigned to the substrate processing condition column as shown in FIG. As for the typical substrate processing conditions 41, as shown in FIG. 12C, “type of coating solution”, “rotation number of spin chuck”, etc. are described, and the location corresponding to the assigned number “2”. Specific substrate processing conditions 41 such as “type of coating solution” and “rotation number of spin chuck” are further assigned. That is, these specific substrate processing conditions 41 shown in FIG. 12C correspond to the substrate processing conditions shown in FIG.

パラメータのうち、スキップ制御フラグには、各々の搬送順序における処理部ごとに「ON」または「OFF」のいずれか1つが割り当てられており、フラグが「OFF」の場合には、そのフラグにおける処理部で基板の処理を行い、フラグが「ON」の場合には、そのフラグにおける処理部で基板Wの処理を行わずに、次の処理部に対して基板Wの受け渡しを行う。すなわち、フラグが「ON」の場合には、そのフラグにおける処理部でスキップする。例えば、図11(a)での反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローにおいて加熱プレートHPでの加熱処理をスキップする場合には、図12(b)に示すレシピ番号の「1」におけるフローレシピ40では、搬送順序「HP」におけるフラグは「ON」となり、それ以外の搬送順序「PASS1」,「CP」,「BARC」,「WCP」,「PASS3」における各フラグは「OFF」となる。図11(b)でのレジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローにおいて冷却プレートCPでの冷却処理をスキップする場合には、図12(b)に示すレシピ番号の「2」におけるフローレシピ40では、搬送順序「CP」におけるフラグは「ON」となり、それ以外の搬送順序「PASS3」,「PR」,「PHP」,「PASS5」における各フラグは「OFF」となる。レシピ番号の「2」の場合には、冷却プレートCPでの冷却処理は、「PASS3」と「PR」との間の「CP」と、「PHP」と「PASS5」との間の「CP」と2つある。例えば「PASS3」と「PR」との間の「CP」をスキップして、「PHP」と「PASS5」との間の「CP」を行う場合には、「PASS3」と「PR」との間の「CP」におけるフラグを「ON」として、「PHP」と「PASS5」との間の「CP」におけるフラグを「OFF」とすればよい。   Among the parameters, one of “ON” and “OFF” is assigned to the skip control flag for each processing unit in each conveyance order, and when the flag is “OFF”, processing in the flag is performed. When the processing of the substrate is performed and the flag is “ON”, the processing of the substrate in the flag is not performed, and the substrate W is transferred to the next processing unit. That is, when the flag is “ON”, the processing unit in the flag skips. For example, in the case of skipping the heating process on the heating plate HP in the forward flow related to the antireflection film processing cell C2 in FIG. 11A, the recipe number “1” shown in FIG. In the flow recipe 40, the flag in the transport order “HP” is “ON”, and the other flags in the other transport orders “PASS1”, “CP”, “BARC”, “WCP”, “PASS3” are “OFF”. Become. When skipping the cooling process on the cooling plate CP in the forward flow related to the resist film processing cell C3 in FIG. 11B, the flow recipe 40 in the recipe number “2” shown in FIG. Then, the flag in the transport order “CP” is “ON”, and the other flags in the other transport orders “PASS3”, “PR”, “PHP”, and “PASS5” are “OFF”. In the case of the recipe number “2”, the cooling process on the cooling plate CP is “CP” between “PASS3” and “PR” and “CP” between “PHP” and “PASS5”. There are two. For example, when “CP” between “PHP” and “PASS5” is performed by skipping “CP” between “PASS3” and “PR”, between “PASS3” and “PR” The flag in “CP” of “CP” may be set to “ON”, and the flag in “CP” between “PHP” and “PASS5” may be set to “OFF”.

これらの搬送順序およびスキップ制御フラグといったパラメータは基板処理中に変更することも可能となっており、マウスやキーボード38aやタッチパネル38bやボタンなどの入力部38によって各パラメータを設定変更することができる。なお、本実施例1では、並設しているセル間で基板Wの受け渡しが行われることから基板Wは基板載置部PASS1,PASS3,PASS5を必ず通る。したがって、本実施例1では「PASS1」,「PASS3」,「PASS5」における各フラグについては、入力部38の設定に関わらず常に「OFF」にするのが好ましい。   Parameters such as the transport order and the skip control flag can be changed during the substrate processing, and each parameter can be set and changed by the input unit 38 such as a mouse, a keyboard 38a, a touch panel 38b, or a button. In the first embodiment, since the substrate W is transferred between the cells arranged side by side, the substrate W always passes through the substrate platforms PASS1, PASS3, and PASS5. Therefore, in the first embodiment, it is preferable that the flags in “PASS1”, “PASS3”, and “PASS5” are always “OFF” regardless of the setting of the input unit 38.

このように設定された基板処理条件やスキップ制御フラグなどのパラメータは、搬送順序を決定する情報に付随されて、記憶部に記憶されたフローレシピ39を読み出して、設定されたこれらのパラメータに書き換える。スキップ制御フラグを例に採ると、図13に示すように、入力部38からの設定により「ON」または「OFF」の設定が行われ、搬送順序を決定する情報に付随してメインコントローラMCに与えられて、記憶部に記憶されたフローレシピ39を読み出して、設定されたフラグに関して「ON」または「OFF」に書き換える。   The parameters such as the substrate processing conditions and the skip control flag set in this way are attached to the information for determining the transfer order, and the flow recipe 39 stored in the storage unit is read and rewritten with these set parameters. . Taking the skip control flag as an example, as shown in FIG. 13, “ON” or “OFF” is set according to the setting from the input unit 38, and the main controller MC is attached to the information for determining the transport order. Given, the flow recipe 39 stored in the storage unit is read out, and the set flag is rewritten to “ON” or “OFF”.

書き換えられたフローレシピ39内の各フローレシピ40は、各セルに対応したセルコントローラCT1〜CT6に送られる。例えば、各フローレシピ40において、レシピ番号の「1」には図11(a)の反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローが、レシピ番号の「2」には図11(b)のレジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローが、それぞれ登録されているが、図13に示すように、レシピ番号「1」に係るフローレシピ40が、反射防止膜用処理セルC2に対応したセルコントローラCT2に送られるとともに、レシピ番号の「2」に係るフローレシピ40が、レジスト膜用処理セルC3に対応したセルコントローラCT3に送られる。このとき、各フローレシピ40内のパラメータも搬送順序を決定する情報に付随して各セルコントローラCT1〜CT6に送られる。したがって、スキップする命令であるスキップ制御フラグの「ON」、または基板Wの処理を行う命令であるスキップ制御フラグの「OFF」も搬送順序を決定する情報に付随して各セルコントローラCT1〜CT6に送られる。フローレシピ40に関する各セルコントローラCT1〜CT6への送信は、基板処理の開始のときに行われる。   Each flow recipe 40 in the rewritten flow recipe 39 is sent to the cell controllers CT1 to CT6 corresponding to each cell. For example, in each flow recipe 40, the recipe number “1” indicates a forward flow related to the anti-reflection film processing cell C2 of FIG. 11A, and the recipe number “2” indicates FIG. 11B. Although the forward flow for the resist film processing cell C3 is registered, as shown in FIG. 13, the flow recipe 40 associated with the recipe number “1” corresponds to the antireflection film processing cell C2. While being sent to the controller CT2, the flow recipe 40 related to the recipe number “2” is sent to the cell controller CT3 corresponding to the resist film processing cell C3. At this time, the parameters in each flow recipe 40 are also sent to the cell controllers CT1 to CT6 along with the information for determining the transfer order. Accordingly, the skip control flag “ON”, which is a command to skip, or the skip control flag “OFF”, which is a command to process the substrate W, is also attached to the cell controllers CT1 to CT6 along with the information for determining the transport order. Sent. Transmission to each cell controller CT1-CT6 regarding the flow recipe 40 is performed at the time of the start of a substrate process.

また、これらのパラメータは上述したように基板処理中に変更することができる。すなわち、基板処理の開始時にメインコントローラMCを介して各セルコントローラCT1〜CT6に送られた各フローレシ40ピ内のパラメータは、各セルコントローラCT1〜CT6内の図示を省略する記憶部に一時的に記憶され、基板処理中にこれらのパラメータを書き換えることが可能である。スキップ制御フラグを例に採ると、レシピ番号の「2」に係るフローレシピ40において、基板処理前に設定された冷却プレートCPでのスキップ制御フラグ「ON」(図12(b)参照)を、基板処理中に「OFF」に変更するとともに、基板処理前に設定されたレジスト膜用塗布処理部15でのスキップ制御フラグ「OFF」(図12(b)では「PR」はレジスト膜用塗布処理部15)を、基板処理中に「ON」に変更する場合には、基板処理中に入力部38からの設定により「ON」または「OFF」の設定が行われ、搬送順序「CP」,「PR」に付随されてメインコントローラMCを介してレジスト膜用処理セルC3に対応したセルコントローラCT3に送られて、セルコントローラCT3内の記憶部に記憶されたレシピ番号の「2」に係るフローレシピ40を読み出して、設定されたフラグに関して「ON」または「OFF」に書き換える。   Also, these parameters can be changed during substrate processing as described above. That is, the parameters in each flow recipe 40P sent to the cell controllers CT1 to CT6 via the main controller MC at the start of substrate processing are temporarily stored in a storage unit (not shown) in each cell controller CT1 to CT6. These parameters are stored and can be rewritten during substrate processing. Taking the skip control flag as an example, in the flow recipe 40 related to the recipe number “2”, the skip control flag “ON” (see FIG. 12B) for the cooling plate CP set before the substrate processing is set. While being changed to “OFF” during the substrate processing, the skip control flag “OFF” in the resist film application processing unit 15 set before the substrate processing (“PR” in FIG. 12B is the resist film application processing). When the unit 15) is changed to “ON” during the substrate processing, “ON” or “OFF” is set according to the setting from the input unit 38 during the substrate processing, and the transfer order “CP”, “ "PR" is sent to the cell controller CT3 corresponding to the resist film processing cell C3 via the main controller MC, and the recipe number stored in the storage unit in the cell controller CT3 is stored. It reads the flow recipe 40 according to the 2 "is rewritten to" ON "or" OFF "with respect to the set flag.

次に、スキップ制御フラグが「ON」の場合、すなわち基板処理をスキップする場合での搬送について、反射防止膜用処理セルC2を例に採って説明する。ここで、反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローにおいて加熱プレートHPでの加熱処理をスキップする(図12(b)を参照)場合、すなわちレシピ番号の「1」におけるフローレシピ40において搬送順序「HP」における制御フラグを「ON」にして、それ以外の搬送順序「PASS1」,「CP」,「BARC」,「WCP」,「PASS3」における各フラグを「OFF」にする場合での搬送について説明する。基板Wが「PASS1」,「CP」,「BARC」の順に搬送されて処理されるが、ここでの搬送における基板Wの受け渡しは、図11(a)で説明した基板処理装置の基本的な動作と同じであるのでその説明を省略する。   Next, conveyance when the skip control flag is “ON”, that is, when substrate processing is skipped, will be described by taking the antireflection film processing cell C2 as an example. Here, in the case of skipping the heating process on the heating plate HP in the forward flow related to the antireflection film processing cell C2 (see FIG. 12B), that is, in the flow recipe 40 in the recipe number “1”. In the case where the control flag in the order “HP” is set to “ON” and the other flags in the transfer order “PASS1”, “CP”, “BARC”, “WCP”, “PASS3” are set to “OFF”. The conveyance will be described. The substrate W is transferred and processed in the order of “PASS1”, “CP”, and “BARC”. The transfer of the substrate W in the transfer here is the basic of the substrate processing apparatus described with reference to FIG. Since it is the same as the operation, its description is omitted.

「BARC」、すなわち反射防止膜用塗布処理部8にあるスピンチャック11上の処理済みの基板Wを保持アーム10bが受け取り、それに続いて未処理の基板Wを保持した保持アーム10aを前進移動させて、基板Wをそのスピンチャック11上に置くと、空の状態の保持アーム10aと、反射防止膜が塗布された基板Wを保持した保持アーム10bとを一体に昇降・旋回移動させて、加熱プレートHPに対向させる。そして、空の保持アーム10aを前進移動させて、その加熱プレートHP上の処理済みの基板Wを保持アーム10a上に受け取り、それに続いて保持アーム10bを前進移動させて、基板Wを加熱プレートHP上に置く。通常の基板処理では、加熱プレートHP上に載せられた基板Wは、主搬送機構10Aが他の搬送動作を行っている間に熱処理されて、基板W上の反射防止膜に含まれる余剰の溶剤が除去されるが、搬送順序「HP」における制御フラグが「ON」で加熱プレートHPでの加熱処理を行わずにスキップするので、他の搬送動作を行っている間に加熱プレートHP上に基板Wを載せた状態で加熱処理を行わないように加熱プレートHPのヒータコントローラ(CONT)(図3を参照)を制御する。   The holding arm 10b receives “BARC”, that is, the processed substrate W on the spin chuck 11 in the coating processing unit 8 for the antireflection film, and subsequently moves the holding arm 10a holding the unprocessed substrate W forward. Then, when the substrate W is placed on the spin chuck 11, the empty holding arm 10a and the holding arm 10b holding the substrate W coated with the antireflection film are moved up and down and swung together to heat the substrate W. Opposite the plate HP. Then, the empty holding arm 10a is moved forward to receive the processed substrate W on the heating plate HP on the holding arm 10a, and then the holding arm 10b is moved forward to move the substrate W to the heating plate HP. put on top. In normal substrate processing, the substrate W placed on the heating plate HP is heat-treated while the main transport mechanism 10A performs another transport operation, and an excess solvent contained in the antireflection film on the substrate W. However, since the control flag in the transfer order “HP” is “ON” and skips without performing the heating process on the heating plate HP, the substrate is placed on the heating plate HP during another transfer operation. The heater controller (CONT) (see FIG. 3) of the heating plate HP is controlled so that the heat treatment is not performed in a state where W is placed.

その後、基板Wは「WCP」,「PASS3」の順に搬送されて処理されるが、ここでの搬送における基板Wの受け渡しは、図11(a)で説明した基板処理装置の基本的な動作と同じであるのでその説明を省略する。なお、処理を行わずにスキップする場合において、スキップの対象である加熱プレートHPに基板Wを載置せずに加熱プレートHPを通過して、「HP」の次の搬送順序である「WCP」、すなわち水冷式の冷却プレートWCPに基板Wを渡してもよい。   Thereafter, the substrate W is transferred and processed in the order of “WCP” and “PASS3”. The transfer of the substrate W in the transfer here is the same as the basic operation of the substrate processing apparatus described in FIG. Since it is the same, the description is omitted. In the case of skipping without performing the process, the substrate W is not placed on the heating plate HP to be skipped but passes through the heating plate HP, and “WCP”, which is the next transport order of “HP”. That is, the substrate W may be transferred to the water-cooled cooling plate WCP.

以上のように、本実施例1によれば、入力部38が、主搬送機構10A〜10Dによる基板Wの搬送順序を含んだフローレシピ39、各フローレシピ40を設定するとともに、基板Wの処理情報であるパラメータも設定する。その搬送順序を決定する情報に図12(b)に示すようにパラメータが付随して、メインコントローラMCに転送されて与えられる。これらの情報が与えられたメインコントローラMCは、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報であるパラメータに基づき、(α)搬送順序を決定する情報に基づいて処理部に対して基板Wの受け渡しを行うとともに、(β1 )パラメータが「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、すなわち本実施例1ではパラメータの1つであるスキップ制御フラグを「OFF」に設定した場合には、そのフラグに基づいてフラグにおけるその処理部で基板Wの処理を行い、(β2 )パラメータが「基板の処理を行わない」ことを設定する場合には、すなわち本実施例1ではスキップ制御フラグを「ON」に設定した場合には、そのフラグにおける処理部で基板Wの処理を行わずに、次の処理部に対して基板Wの受け渡しを行うように、処理部および主搬送機構10A〜10Dを制御する。 As described above, according to the first embodiment, the input unit 38 sets the flow recipe 39 and the flow recipes 40 including the transfer order of the substrates W by the main transfer mechanisms 10A to 10D, and processes the substrates W. Information parameters are also set. As shown in FIG. 12B, parameters accompanying the information for determining the transport order are transferred and given to the main controller MC. The main controller MC given these pieces of information is based on the information for determining the transport order and the parameters that are the processing information accompanying the information, and (α) the substrate to the processing unit based on the information for determining the transport order. In the case where W is transferred and the parameter (β 1 ) is set to “process the substrate”, that is, in the first embodiment, the skip control flag which is one of the parameters is set to “OFF”. In the case where the substrate W is processed by the processing unit in the flag based on the flag and the (β 2 ) parameter is set to “do not perform substrate processing”, that is, in the present embodiment In Example 1, when the skip control flag is set to “ON”, the substrate W is delivered to the next processing unit without processing the substrate W by the processing unit in the flag. As controls processing unit and a main transport mechanism 10A to 10D.

スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Wの処理を行うか否かを設定する情報であるので、上述した(β1 ),(β2 )のように「基板の処理を行う」および「基板の処理を行わない」(すなわち基板Wの処理をスキップする)の双方についてスキップ制御フラグによって操作することができる。また、そのスキップ制御フラグは搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体、さらにはフローレシピ39,各フローレシピ40全体を変更する必要はなく、スキップ制御フラグの設定に合わせて様々な基板処理を柔軟に行うことができる。 Since the skip control flag is information for setting whether or not to process the substrate W for each processing unit, “process the substrate” is performed as in (β 1 ) and (β 2 ) described above. Both “do not process the substrate” (that is, skip the processing of the substrate W) can be operated by the skip control flag. Further, since the skip control flag is attached to the information for determining the transport order, there is no need to change the transport order itself, and further, the flow recipe 39 and each flow recipe 40 as a whole, according to the setting of the skip control flag. Various substrate processing can be performed flexibly.

また、本実施例1では図9(a)に示した分散制御に本発明を適用していることで、隣接するセル間の主搬送機構10A〜10Dの動きを考慮する必要がなくなる。すなわち、図9(b)に示した従来の制御手法に本発明を適用した場合には、柔軟な基板処理によって生じた相互のセル(従来の場合ではブロック)の影響が生じ易い。例えば、図12(b)において、反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローにおいて加熱プレートHPでの加熱処理をスキップする場合には「PASS1」,「CP」,「BARC」,「WCP」,「PASS3」の順で搬送が行われ、レジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローにおいて冷却プレートCPでの冷却処理をスキップする場合には「PASS3」,「PR」,「PHP」,「PASS5」の順で搬送が行われ、搬送工程の数がブロック間で異なってくる。一方、分散制御の場合では、搬送工程の数が異なることで生じる待ち時間はセル間での基板載置部に基板Wを載置することで吸収されるので、以上の理由から、従来の制御手法と比較すると、搬送工程の数がセル間で異なったとしても、柔軟な基板処理によって生じた相互の各セルの影響が生じ難くなる。   In the first embodiment, since the present invention is applied to the distributed control shown in FIG. 9A, it is not necessary to consider the movement of the main transport mechanisms 10A to 10D between adjacent cells. That is, when the present invention is applied to the conventional control method shown in FIG. 9B, the influence of mutual cells (blocks in the conventional case) caused by flexible substrate processing is likely to occur. For example, in FIG. 12B, when skipping the heating process on the heating plate HP in the forward flow related to the anti-reflection film processing cell C2, “PASS1”, “CP”, “BARC”, “WCP” , “PASS3” in order, and when the cooling process on the cooling plate CP is skipped in the forward flow related to the resist film processing cell C3, “PASS3”, “PR”, “PHP”, “ Transport is performed in the order of “PASS5”, and the number of transport processes differs between blocks. On the other hand, in the case of distributed control, the waiting time caused by the difference in the number of transfer processes is absorbed by placing the substrate W on the substrate placing portion between the cells. Compared with the technique, even if the number of transport steps differs between cells, the influence of each cell caused by flexible substrate processing is less likely to occur.

なお、本実施例1では、反射防止膜用処理セルC2に関する順方向のフローおよびレジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローを例に採って説明したが、逆方向のフロー、あるいは他のセルに関する順方向または逆方向のフローについても同様である。   In the first embodiment, the forward flow related to the antireflection film processing cell C2 and the forward flow related to the resist film processing cell C3 have been described as examples, but the reverse flow or other cells are described. The same applies to the forward flow or reverse flow.

次に、本発明の実施例2を、図14を参照して説明する。図14(a)は、レジスト膜用処理セルC3でのレジスト膜用熱処理部16に基板検査部T1を追加して配設した正面図であって、図14(b)は、反射防止膜処理セルC2とレジスト膜用処理セルC3との間にある基板載置部PASS3,PASS4に基板検査部T1を追加して配設した正面図である。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 14A is a front view in which a substrate inspection part T1 is added to the resist film heat treatment part 16 in the resist film processing cell C3, and FIG. 14B is an antireflection film process. It is the front view which added and arrange | positioned the board | substrate test | inspection part T1 to the board | substrate mounting parts PASS3 and PASS4 between the cell C2 and the processing cell C3 for resist films.

なお、本実施例2でのパラメータは、基板Wの処理情報のみならず、基板Wの検査を行うか否かを設定する検査情報も含んでいる。また、上述した実施例1でのスキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Wの処理を行うか否かを設定するものであったが、本実施例2でのスキップ制御フラグは、実施例1でのフラグの機能の他に、基板検査部に対して基板Wの検査を行うか否かを設定する情報も備えている。したがって、本実施例2での入力部38は、本発明における搬送順序設定手段と処理情報設定手段と検査情報設定手段とに相当する。   The parameters in the second embodiment include not only processing information on the substrate W but also inspection information for setting whether or not to inspect the substrate W. In addition, the skip control flag in the first embodiment described above sets whether or not to process the substrate W for each processing unit, but the skip control flag in the second embodiment is as follows. In addition to the function of the flag in the first embodiment, information for setting whether or not to inspect the substrate W with respect to the substrate inspection unit is also provided. Therefore, the input unit 38 in the second embodiment corresponds to the transport order setting unit, the processing information setting unit, and the inspection information setting unit in the present invention.

実施例2では、図14(a)に示すように、レジスト膜用処理セルC3でのレジスト膜用熱処理部16に、基板Wに塗布された反射防止膜の厚みを検査する基板検査部T1を配設している。具体的には、加熱部PHPや冷却プレートCPなどによる熱の影響を防止するために、配管配線部や、予備の空きスペース(図14(a)中に「×」印で示した個所)を間に介在させてもっとも上部に基板検査部T1を配設している。膜厚の断面を行って膜厚を測定する走査顕微鏡(SEM)または、膜厚を形成する領域とそれ例外の領域とからの分光反射スペクトルに基づいて膜厚を測定する分光器で構成されている。なお、図14(b)に示すように、反射防止膜処理セルC2とレジスト膜用処理セルC3との間で基板Wの受け渡しを行う基板載置部PASS3,PASS4の上部あるいは下部に近接して基板検査部Tを配設してもよい。   In Example 2, as shown in FIG. 14A, a substrate inspection unit T1 for inspecting the thickness of the antireflection film applied to the substrate W is provided in the resist film heat treatment unit 16 in the resist film processing cell C3. It is arranged. Specifically, in order to prevent the influence of heat due to the heating part PHP, the cooling plate CP, etc., a piping wiring part and a spare empty space (locations indicated by “x” in FIG. 14A) are provided. A substrate inspection portion T1 is disposed at the uppermost portion with a gap therebetween. It consists of a scanning microscope (SEM) that measures the film thickness by measuring the film thickness or a spectroscope that measures the film thickness based on the spectral reflection spectrum from the region where the film thickness is formed and the region where it is an exception. Yes. As shown in FIG. 14B, close to the upper or lower portion of the substrate platforms PASS3 and PASS4 for transferring the substrate W between the antireflection film processing cell C2 and the resist film processing cell C3. A substrate inspection unit T may be provided.

次に、本実施例2でのフローレシピおよびパラメータについて図15を参照して説明するとともに、スキップ制御フラグの設定の手順について図16を参照して説明する。図15は、基板検査部T1を追加したときのフローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、図15(a)は、スキップ制御フラグの「OFF」の設定時での内容、図15(b)は、スキップ制御フラグの「ON」の設定時での内容をそれぞれ示す図であって、図16は、スキップ制御フラグの設定を示すフローチャートである。   Next, the flow recipe and parameters in the second embodiment will be described with reference to FIG. 15, and the procedure for setting the skip control flag will be described with reference to FIG. FIG. 15 is a diagram showing the contents of the flow recipe and parameters when the board inspection unit T1 is added. FIG. 15A shows the contents when the skip control flag is set to “OFF”, and FIG. FIGS. 16A and 16B are diagrams showing contents when the skip control flag is set to “ON”, and FIG. 16 is a flowchart showing setting of the skip control flag.

図15に示すレシピ番号の「2」に係るフローレシピ40は、実施例1における図12(b)に示すレシピ番号の「2」に係るフローレシピ40と同様に、搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとから構成されているとともに、パラメータは、基板処理条件とスキップ制御フラグとから構成されている。搬送順序は、図12(b)に示す搬送順序に、搬送順序「T1」を追加した形となっており、レジスト膜用熱処理部16に基板検査部T1を配設する場合(図14(a)参照)には、図15に示すように基板載置部PASS3での受け渡し後であって、冷却プレートCPによる冷却処理前に基板検査部T1による反射防止膜の厚みの検査を行うように設定されている。なお、基板載置部PASS3,PASS4の上部あるいは下部に近接して基板検査部Tを配設する場合(図14(b)参照)には、基板載置部PASS3での受け渡し前に基板検査部T1による検査を行う、あるいは受け渡しを兼用して基板検査部T1による検査を行うように搬送順序を設定すればよい。以下、レジスト膜用熱処理部16に基板検査部T1を配設する場合において説明する。   The flow recipe 40 related to the recipe number “2” shown in FIG. 15 is similar to the flow recipe 40 related to the recipe number “2” shown in FIG. In addition to parameters associated therewith, the parameters include substrate processing conditions and a skip control flag. The transfer order is such that the transfer order “T1” is added to the transfer order shown in FIG. 12B, and the substrate inspection part T1 is provided in the resist film heat treatment part 16 (FIG. 14A). 15) is set so that the thickness of the antireflection film is inspected by the substrate inspection unit T1 after the delivery by the substrate platform PASS3 and before the cooling process by the cooling plate CP as shown in FIG. Has been. In the case where the substrate inspection unit T is provided close to the upper or lower portion of the substrate platforms PASS3 and PASS4 (see FIG. 14B), the substrate inspection unit before the delivery at the substrate platform PASS3. What is necessary is just to set a conveyance order so that the test | inspection by T1 may be performed, or the inspection by the board | substrate test | inspection part T1 may also be used for delivery. Hereinafter, the case where the substrate inspection portion T1 is disposed in the resist film heat treatment portion 16 will be described.

基板処理の開始前において、図15(a)に示すように、搬送順序「T1」も含めて全ての搬送順序でスキップ制御フラグを「OFF」に設定する(ステップS1)。これにより基板処理中において基板Wは「PASS3」,「T1」,「CP」,「PR」,「PHP」,「CP」,「PASS5」の順に搬送されて検査および処理が行われる。これらの設定によってフローレシピ40を、レジスト膜用処理セルC3に対応したセルコントローラCT3に送信して、基板検査および基板処理を開始する。基板処理を開始し、反射防止膜塗布形成後の最初の基板Wが基板載置部PASS3に載置されたら、この最初の基板Wを基板載置部PASS3から受け取る(ステップS2)。   Prior to the start of substrate processing, as shown in FIG. 15A, the skip control flag is set to “OFF” in all the transport orders including the transport order “T1” (step S1). Thus, during the substrate processing, the substrate W is transported in the order of “PASS3”, “T1”, “CP”, “PR”, “PHP”, “CP”, and “PASS5” for inspection and processing. With these settings, the flow recipe 40 is transmitted to the cell controller CT3 corresponding to the resist film processing cell C3, and substrate inspection and substrate processing are started. When the substrate processing is started and the first substrate W after the formation of the antireflection coating is placed on the substrate platform PASS3, the first substrate W is received from the substrate platform PASS3 (step S2).

一連の反射膜用塗布処理が終了した基板Wが基板検査部T1で検査で合格したか否かを判断する(ステップS3)。基板Wが合格していなければ、反射防止膜塗布形成後の後続の基板Wについても基板Wの検査を行う必要があることから、搬送順序「T1」でのスキップ制御フラグを「OFF」のままで設定する。後続の基板Wが基板載置部PASS3に載置されたら、この後続の基板Wを基板載置部PASS3から受け取る(ステップS4)。そしてステップS3に戻って後続の基板Wについても検査を行う。基板Wが合格するまでステップS3とS4との処理を繰り返し行う。なお、検査時には前の基板Wとは別の条件で検査を行うようにする。また、不合格の基板Wについてはレジスト膜用塗布処理を行わないように待機状態にする。   It is determined whether or not the substrate W on which the series of reflection film coating processes has passed the inspection by the substrate inspection unit T1 (step S3). If the substrate W does not pass, the subsequent substrate W after the formation of the antireflection film needs to be inspected, so the skip control flag in the transport sequence “T1” remains “OFF”. Set with. When the subsequent substrate W is placed on the substrate platform PASS3, the subsequent substrate W is received from the substrate platform PASS3 (step S4). Then, returning to step S3, the subsequent substrate W is also inspected. Steps S3 and S4 are repeated until the substrate W passes. At the time of inspection, the inspection is performed under conditions different from those of the previous substrate W. Further, the rejected substrate W is set in a standby state so as not to perform the resist film coating process.

基板Wが合格していれば、後続の基板Wについては基板Wの検査を行う必要がないので、搬送順序「T1」でのスキップ制御フラグを「ON」に変える(ステップS5)。この時点では、基板処理中であるので可変レシピ機能を利用する。すなわち、基板処理開始時にメインコントローラMCを介してセルコントローラCT3に送られたフローレシピ40内のパラメータは、セルコントローラCT3内の図示を省略する記憶部に一時的に記憶され、基板処理中におけるスキップ制御フラグの「ON」の設定変更時に、フラグを「OFF」から「ON」に書き換える。このときのフローレシピ40およびパラメータは、図15(b)に示すような内容となる。なお、スキップ制御フラグを「ON」に変える場合には、入力部38から入力を手動で行う形態であってもよいし、基板Wの合格後にフラグを「ON」に自動的に設定してセルコントローラCT3に送信する手順のプログラムをデータ設定部HCに記憶してそのプログラムから実行するようにしてもよい。   If the substrate W has passed, there is no need to inspect the substrate W for the subsequent substrate W, so the skip control flag in the transport order “T1” is changed to “ON” (step S5). At this point, since the substrate is being processed, the variable recipe function is used. That is, the parameters in the flow recipe 40 sent to the cell controller CT3 via the main controller MC at the start of substrate processing are temporarily stored in a storage unit (not shown) in the cell controller CT3 and skipped during substrate processing. When the setting of the control flag “ON” is changed, the flag is rewritten from “OFF” to “ON”. The flow recipe 40 and parameters at this time are as shown in FIG. When the skip control flag is changed to “ON”, the input may be manually performed from the input unit 38, or the cell may be automatically set to “ON” after the substrate W is passed. A program of a procedure to be transmitted to the controller CT3 may be stored in the data setting unit HC and executed from the program.

搬送順序「T1」でのスキップ制御フラグを「ON」に変えて後続の基板Wについて基板検査部T1での検査をスキップして、検査をスキップした後続の基板Wについては、通常のレジスト膜用塗布処理を行うべく「CP」,「PR」,「PHP」,「CP」,「PASS5」の順で搬送して処理を行う(ステップS6)。   The skip control flag in the transfer order “T1” is changed to “ON”, the inspection in the substrate inspection unit T1 is skipped for the subsequent substrate W, and the subsequent substrate W for which the inspection is skipped is used for a normal resist film In order to perform the coating process, “CP”, “PR”, “PHP”, “CP”, and “PASS5” are conveyed and processed in this order (step S6).

このことから明らかなように、基板検査部T1で合格するまで「基板の検査を行う」スキップ制御フラグを設定、すなわち基板検査部T1でのフラグを「OFF」に設定し、その基板検査部T1に対して基板Wを順に受け渡して、そのフラグに基づいてその基板検査部T1で検査を順に行い、基板検査部T1で基板Wが合格すれば「基板の検査を行わない」スキップ制御フラグを設定、すなわち基板検査部T1でのフラグを「ON」に設定し、その合格した基板Wよりも後続の基板Wについては、基板検査部T1で基板Wの検査を行わずに、基板検査部が他にあれば次の基板検査部または処理部(本実施例2では「CP」,「PR」,「PHP」,「CP」,「PASS5」)に対して基板の受け渡しを行う。基板検査部T1で合格するまで基板検査部T1に対して基板Wを順に受け渡して検査を行い、基板検査部T1で基板Wが合格すればその合格した基板Wよりも後続の基板Wについては基板検査部T1で基板Wの検査を行わないので、基板Wの検査について正しく行うことができるとともに、合格した基板Wよりも後続の基板Wについては基板検査部T1に対して基板Wの受け渡しを行わずに基板検査部T1を含んだ基板処理のスループットを向上させることができる。   As is clear from this, a skip control flag for “inspecting the substrate” is set until the board inspection unit T1 passes, that is, the flag in the substrate inspection unit T1 is set to “OFF”, and the substrate inspection unit T1 The substrate inspection unit T1 sequentially performs the inspection based on the flag, and if the substrate inspection unit T1 passes the substrate W, the “no substrate inspection” skip control flag is set. That is, the flag in the substrate inspection unit T1 is set to “ON”, and the substrate inspection unit T1 does not inspect the substrate W in the subsequent substrate W, and the substrate inspection unit does not inspect the substrate W. If it is, the substrate is transferred to the next substrate inspection unit or processing unit (“CP”, “PR”, “PHP”, “CP”, “PASS5” in the second embodiment). The substrates W are sequentially transferred to the substrate inspection unit T1 until the substrate inspection unit T1 passes the inspection, and if the substrate W passes the substrate inspection unit T1, the substrate W subsequent to the substrate W that has passed the substrate is checked. Since the inspection of the substrate W is not performed in the inspection unit T1, the inspection of the substrate W can be performed correctly, and the substrate W is transferred to the substrate inspection unit T1 with respect to the substrate W subsequent to the passed substrate W. In addition, the throughput of the substrate processing including the substrate inspection unit T1 can be improved.

以上のように、本実施例2によれば、入力部38が、主搬送機構10A〜10Dによる基板Wの搬送順序を含んだフローレシピ40を設定するとともに、基板Wの処理情報/検査情報であるパラメータも設定する。その搬送順序を決定する情報には図12(b)に示すように基板の処理情報/検査情報であるパラメータが付随して、メインコントローラMCに転送されて与えられる。これらの情報が与えられたメインコントローラMCは、搬送順序を決定する情報と、これに付随する処理情報/検査情報であるパラメータに基づき、(γ)搬送順序を決定する情報に基づいて基板検査部および処理部に対して基板Wの受け渡しを行うとともに、(δ1 )パラメータが「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、すなわち本実施例2ではパラメータの1つであるスキップ制御フラグを「OFF」に設定した場合には、そのフラグに基づいてフラグにおけるその基板検査部で基板Wの検査を行い、(δ2 )パラメータが「基板の検査を行わない」ことを設定する場合には、すなわち本実施例2ではスキップ制御フラグを「ON」に設定した場合には、そのフラグにおける基板検査部で基板Wの検査を行わずに、基板検査部が他にあれば次の基板検査部または処理部に対して基板Wの受け渡しを行うように、基板検査部,処理部,および主搬送機構10A〜10Dを制御する。 As described above, according to the second embodiment, the input unit 38 sets the flow recipe 40 including the transport order of the substrates W by the main transport mechanisms 10A to 10D, and the processing information / inspection information of the substrates W. Some parameters are also set. As shown in FIG. 12B, the information for determining the transport order is accompanied by a parameter which is substrate processing information / inspection information, and is transferred to the main controller MC. The main controller MC to which the information is given, based on the information for determining the transport order and the parameters which are the processing information / inspection information accompanying the information, (γ) the substrate inspection unit based on the information for determining the transport order When the substrate W is delivered to the processing unit and the parameter (δ 1 ) is set to “inspect the substrate”, that is, one of the parameters in the second embodiment. When the skip control flag is set to “OFF”, the substrate inspection unit in the flag inspects the substrate W based on the flag, and the parameter (δ 2 ) is set to “do not inspect the substrate”. In this case, that is, when the skip control flag is set to “ON” in the second embodiment, the substrate inspection unit in the flag does not inspect the substrate W, and the substrate査部 to perform the transfer of the substrate W for the next substrate inspection unit or the processing unit if there is the other, the substrate inspection unit, and controls the processing unit, and the main transport mechanisms 10A to 10D.

スキップ制御フラグは、各々の処理部に対して基板Wの処理を行うか否かを設定する情報であるとともに、基板検査部に対して基板Wの検査を行うか否かを設定する情報でもあるので、上述した(δ1 ),(δ2 )のように「基板の検査を行う」および「基板の検査を行わない」(すなわち基板Wの検査をスキップする)の双方についてスキップ制御フラグによって操作することができる。また、そのスキップ制御フラグは搬送順序を決定する情報に付随しているので、搬送順序自体、さらにはフローレシピ40全体を変更する必要はなく、スキップ制御フラグの設定に合わせて基板検査部を含んだ様々な基板処理を柔軟に行うことができる。 The skip control flag is information for setting whether or not to process the substrate W for each processing unit, and information for setting whether or not the substrate inspection unit is to inspect the substrate W. Therefore, as in the above (δ 1 ) and (δ 2 ), both “perform substrate inspection” and “do not perform substrate inspection” (that is, skip inspection of the substrate W) are operated by the skip control flag. can do. Further, since the skip control flag is attached to the information for determining the transport order, it is not necessary to change the transport order itself or the entire flow recipe 40, and includes a board inspection unit according to the setting of the skip control flag. Various substrate processing can be performed flexibly.

なお、基板検査部T1で基板Wの検査を行わずに、次の基板検査部または処理部に対して基板Wの受け渡しを行う場合には、基板検査部T1に対して基板Wを載置した状態で基板Wの検査を行わずに、その基板検査部T1から次の基板検査部または処理部に基板Wを受け渡してもよいし、その基板検査部T1に対して基板Wの受け渡しを行わずに通過して、次の基板検査部または処理部に対して基板Wを受け渡してもよい。ただ、基板Wの検査を行わない処理が通常の基板処理であるので、後者のように基板検査部T1に対して基板Wの受け渡しを行わずに通過して受け渡しを行うのが好ましく、基板処理のスループットを向上させることができる。   When the substrate W is transferred to the next substrate inspection unit or processing unit without performing the substrate inspection by the substrate inspection unit T1, the substrate W is placed on the substrate inspection unit T1. Without inspecting the substrate W in the state, the substrate W may be delivered from the substrate inspection unit T1 to the next substrate inspection unit or processing unit, or the substrate W is not delivered to the substrate inspection unit T1. And the substrate W may be delivered to the next substrate inspection unit or processing unit. However, since the processing that does not inspect the substrate W is normal substrate processing, it is preferable to pass the substrate W without passing it to the substrate inspection unit T1 as in the latter, and to transfer the substrate W. Throughput can be improved.

また、上述した実施例1,2から明らかなように、基板検査部Tによる基板Wの検査を追加することによって実施例1と実施例2との間で搬送工程の数が異なる。通常の基板処理は、基板Wの検査を行わない実施例1に係る処理であって、実施例2に係る処理は、検査を追加した特別の処理である。したがって、実施例1に係るフローレシピで実施例2に係る検査を追加した処理を行おうとすると、新たにフローレシピを作成しなければならない。これは、基板の検査のみ限定されずに、基板の処理を新たに追加して特別の処理を行う場合にも同様のことが言える。そこでかかる特別の処理を考慮して、基板W処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する、あるいは基板W検査し得る全ての基板検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するようにスキップ制御フラグを設定するのが好ましい。つまり、特別の基板処理をも考慮してフローレシピを作成するのが好ましい。そして、通常の基板処理を行う場合には、特別の基板処理に係る搬送順序のスキップ制御フラグを「ON」にして、特別の基板処理を行う場合には、特別の基板処理に係る搬送順序のスキップ制御フラグを「OFF」にすればよい。 Further, as is clear from the first and second embodiments, the number of transport steps differs between the first embodiment and the second embodiment by adding the inspection of the substrate W by the substrate inspection section T. The normal substrate process is a process according to the first embodiment in which the inspection of the substrate W is not performed, and the process according to the second embodiment is a special process in which an inspection is added. Therefore, if it is going to perform the process which added the test | inspection which concerns on Example 2 with the flow recipe which concerns on Example 1, you must create a new flow recipe. This is not limited to the inspection of the substrate, and the same can be said when a special processing is performed by newly adding a processing of the substrate. So considering such special processing to set whether to perform processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate W, or to all the substrate inspection unit capable of inspecting a substrate W It is preferable to set the skip control flag so as to set whether or not to inspect the substrate. That is, it is preferable to create a flow recipe in consideration of special substrate processing. When normal substrate processing is performed, the skip control flag of the transfer order related to special substrate processing is set to “ON”, and when special substrate processing is performed, the transfer order related to special substrate processing is changed. The skip control flag may be set to “OFF”.

このように、基板W処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する、あるいは基板W検査し得る全ての基板検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定するようにスキップ制御フラグを設定することで、以下のような効果を奏する。すなわち、処理部の場合には、最大限では基板W処理し得る全ての処理部に対して基板Wの処理を行うことができるとともに、最小限では全ての処理部に対して基板Wの処理を行わずに搬送のみを行うことができるように、様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。そして基板検査部の場合には、最大限では基板W検査し得る全ての基板検査部に対して基板Wの検査を行うことができるとともに、最小限では全ての基板検査部に対して基板Wの検査を行わずに搬送のみを行うことができるように、基板検査部を含んだ様々な基板処理をより一層柔軟に行うことができる。 Is this way, sets whether to perform the processing of the substrate for all of the processing unit capable of processing a substrate W, or inspecting the substrate for all the substrate inspection unit capable of inspecting a substrate W By setting the skip control flag so as to set whether or not, the following effects can be obtained. That is, in the case of the processing unit, the processing of the substrate W can be performed on all processing units capable of processing the substrate W at the maximum, and the processing of the substrate W on all processing units is performed at the minimum. Various substrate processing can be performed more flexibly so that only the transfer can be performed without performing the above. In the case of the substrate inspection unit, the substrate W can be inspected for all substrate inspection units that can inspect the substrate W at the maximum, and the substrate W for all substrate inspection units at the minimum. Various substrate processing including the substrate inspection unit can be performed more flexibly so that only the conveyance can be performed without performing the inspection.

本実施例2では、基板Wに塗布された反射防止膜の厚みを検査する基板検査部T1を例に採って説明したが、他の検査を行う検査部、例えば基板Wに塗布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像後のレジスト膜の線幅を検査する検査部についても同様である。また、同一セルに基板検査部を2つ以上備えた場合にも本発明を適用することができる。   In the second embodiment, the substrate inspection unit T1 that inspects the thickness of the antireflection film applied to the substrate W has been described as an example. The same applies to the inspection section for inspecting the thickness of the resist film or for inspecting the line width of the resist film after development. The present invention can also be applied to a case where two or more substrate inspection units are provided in the same cell.

本発明は、上述した実施例のものに限らず、例えば次のように変形実施することができる。   The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as follows, for example.

(1)上述した実施例1,2では、各々のセルコントローラCT1〜CT6が、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にした制御、いわゆる分散制御であったが、処理ブロックを並設して構成される基板処理装置にも本発明を適用することができる。この場合には、並設された複数個の処理ブロックで順に行われる。各処理ブロックでは各々の主搬送機構が、隣接する処理ブロックから入口基板載置部を介して受け入れられた基板の搬送、処理部に対して基板の受け渡し、および隣接する処理ブロックへ出口基板載置部を介して払い出す基板の搬送を並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構は同時並行的に作動する。   (1) In the first and second embodiments described above, each cell controller CT1 to CT6 is a control only for the transfer of the substrate in each cell, so-called distributed control, but the processing blocks are arranged in parallel. The present invention can also be applied to a configured substrate processing apparatus. In this case, the processing is sequentially performed by a plurality of processing blocks arranged in parallel. In each processing block, each main transport mechanism transports the substrate received from the adjacent processing block via the entrance substrate mounting unit, transfers the substrate to the processing unit, and places the exit substrate on the adjacent processing block. The substrate to be dispensed through the unit is transported in parallel. That is, the main transport mechanism of each processing block operates simultaneously in parallel.

(2)上述した実施例1,2では、各セルC1〜C6内のフローレシピについて搬送順序を決定する情報にパラメータを付随させたが、各セルを処理部の単位としてみた場合には、基板処理は、インデクサセルC1、反射防止膜用処理セルC2、レジスト膜用処理セルC3、露光後加熱用処理セルC5、インターフェイスセルC6、露光後加熱用処理セルC5、現像処理セルC4、インデクサセルC1の順に処理されるフローレシピからなるとも言える。したがって、図17に示すように、フローレシピ42を、セル間に関する搬送順序を決定する情報とそれに付随したパラメータとで構成してもよい。パラメータについては、実施例1でも説明したように、基板処理条件とスキップ制御フラグとで構成する。例えば、反射防止膜用処理セルC2での一連の反射防止膜塗布処理をスキップする場合には、図17に示すように、スキップ制御フラグを「ON」にすればよい。また、各セル間に検査用セルを追加する場合もそのセルを基板検査部として取り扱えば、実施例2と同じように検査用セルについてもスキップ制御フラグを設定することができる。   (2) In the first and second embodiments described above, parameters are attached to the information for determining the transfer order for the flow recipes in the cells C1 to C6. However, when each cell is viewed as a unit of the processing unit, the substrate The processing includes the indexer cell C1, the antireflection film processing cell C2, the resist film processing cell C3, the post-exposure heating processing cell C5, the interface cell C6, the post-exposure heating processing cell C5, the development processing cell C4, and the indexer cell C1. It can be said that it consists of a flow recipe processed in this order. Therefore, as shown in FIG. 17, the flow recipe 42 may be configured with information for determining the transfer order between cells and parameters associated therewith. As described in the first embodiment, the parameters are configured by the substrate processing conditions and the skip control flag. For example, when a series of antireflection film coating processes in the antireflection film processing cell C2 are skipped, the skip control flag may be set to “ON” as shown in FIG. Further, when an inspection cell is added between cells, if the cell is handled as a substrate inspection unit, a skip control flag can be set for the inspection cell as in the second embodiment.

(3)上述した実施例1,2と、変形例(2)とを組み合わせてもよい。すなわち、図18(a)に示すように、フローレシピ42を、変形例(2)と同じようにセル間に関する搬送順序を決定する情報とそれに付随したスキップ制御フラグとで構成し、搬送順序とレシピ番号とをそれぞれ対応させる。そして、図18(b)に示すように各セルでのレシピに対応して各フローレシピ43を、実施例1,2と同じように搬送順序とそれに付随したパラメータとでさらに構成する。図18(b)では、レシピ番号の「3」に係るフローレシピ、すなわちレジスト膜用処理セルC3に関する順方向のフローを図示している。   (3) You may combine Example 1, 2 mentioned above, and a modification (2). That is, as shown in FIG. 18 (a), the flow recipe 42 is composed of information for determining the transfer order with respect to the cell and the accompanying skip control flag as in the modification (2). Each recipe number is associated with each other. Then, as shown in FIG. 18B, each flow recipe 43 corresponding to the recipe in each cell is further configured with a conveyance order and parameters associated therewith as in the first and second embodiments. FIG. 18B illustrates a flow recipe relating to the recipe number “3”, that is, a forward flow relating to the resist film processing cell C3.

本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構成を示した平面図である。It is the top view which showed schematic structure of the substrate processing apparatus which concerns on one Example of this invention. 実施例1での装置の概略構成を示した正面図である。1 is a front view showing a schematic configuration of an apparatus in Example 1. FIG. 熱処理部の正面図である。It is a front view of a heat treatment part. 隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す破断正面図である。It is a fracture | rupture front view which shows the periphery structure of the board | substrate mounting part provided in the partition. インターフェイスブロックの概略構成を示す側面図である。It is a side view which shows schematic structure of an interface block. (a)は主搬送機構の概略構成を示す平面図、(b)はその正面図である。(A) is a top view which shows schematic structure of a main conveyance mechanism, (b) is the front view. (a)は基板仮置部付きの加熱部の破断側面図、(b)は破断平面図である。(A) is a fracture | rupture side view of the heating part with a substrate temporary placement part, (b) is a fracture | rupture top view. (a)は実施例1での装置のブロック配置を示した平面図、(b)は実施例1での装置のセル配置を示した平面図である。FIG. 2A is a plan view showing a block arrangement of the apparatus in the first embodiment, and FIG. 2B is a plan view showing a cell arrangement of the apparatus in the first embodiment. (a)は実施例1での装置の制御系を示したブロック図、(b)は比較のために示した従来装置の制御系のブロック図である。(A) is the block diagram which showed the control system of the apparatus in Example 1, (b) is the block diagram of the control system of the conventional apparatus shown for the comparison. 実施例1での装置のデータ設定部の構成を示した図である。It is the figure which showed the structure of the data setting part of the apparatus in Example 1. FIG. (a)〜(d)は、基板処理装置の基本的な動作の説明に供するフローチャートである。(A)-(d) is a flowchart with which it uses for description of the fundamental operation | movement of a substrate processing apparatus. (a)は、フローレシピの全体の概要を示す図であって、(b)は、各フローレシピおよびパラメータの内容を示す図であって、(c)は、基板処理条件に係るパラメータの内容を示す図である。(A) is a figure which shows the outline | summary of the whole flow recipe, (b) is a figure which shows the content of each flow recipe and a parameter, (c) is the content of the parameter which concerns on substrate processing conditions FIG. 制御系における各データの流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of each data in a control system. (a)は、レジスト膜用処理セルでのレジスト膜用熱処理部に基板検査部を追加して配設した正面図であって、(b)は、反射防止膜処理セルとレジスト膜用処理セルとの間にある基板載置部に基板検査部を追加して配設した正面図である。(A) is the front view which added and arrange | positioned the board | substrate test | inspection part in the heat processing part for resist films in the processing cell for resist films, (b) is the antireflection film processing cell and the resist film processing cell It is the front view which added and arrange | positioned the board | substrate test | inspection part to the board | substrate mounting part in between. (a)は、スキップ制御フラグの「OFF」の設定時での内容を示す図であって、(b)は、スキップ制御フラグの「ON」の設定時での内容を示す図である。(A) is a figure which shows the content at the time of setting "OFF" of a skip control flag, (b) is a figure which shows the content at the time of setting "ON" of a skip control flag. 実施例2に係るスキップ制御フラグの設定を示すフローチャートである。10 is a flowchart illustrating setting of a skip control flag according to the second embodiment. 変形例に係るフローレシピおよびパラメータの内容を示す図である。It is a figure which shows the content of the flow recipe and parameter which concern on a modification. (a),(b)は、さらなる変形例に係るフローレシピおよびパラメータの内容を示す図である。(A), (b) is a figure which shows the content of the flow recipe and parameter which concern on the further modification. 本発明とは別の発明に係る基板のフローチャートである。It is a flowchart of the board | substrate which concerns on invention different from this invention.

符号の説明Explanation of symbols

CT1〜CT6 …セルコントローラ
MC …メインコントローラ
HC …データ設定部
38 …入力部
39,40 …フローレシピ
W …基板
CT1 to CT6 ... cell controller MC ... main controller HC ... data setting part 38 ... input part 39, 40 ... flow recipe W ... substrate

Claims (13)

基板処理を行う複数の処理部と、各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、処理部および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、
基板の処理情報を設定する処理情報設定手段とを備え、
処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する情報であって
制御手段は、搬送順序および処理情報に基づき、次のように処理部および搬送機構を制御する、
(A)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(B1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
(B2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus comprising a plurality of processing units that perform substrate processing, a transport mechanism that transfers a substrate to each processing unit, and a control unit that controls the processing unit and the transport mechanism,
A transport order setting means for setting the transport order of the substrates by the transport mechanism;
Processing information setting means for setting the processing information of the substrate,
Processing information is assigned to all processing units capable of processing a substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. Information for setting whether or not to process the substrate ,
The control means controls the processing unit and the transport mechanism as follows based on the transport order and the processing information.
(A) While delivering a board | substrate with respect to a process part based on a conveyance order,
(B 1 ) When the processing information is set to “perform processing of the substrate”, the processing unit processes the substrate based on the processing information,
(B 2 ) When the processing information is set to “do not process substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit. A substrate processing apparatus.
基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部,処理部,および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、
基板の処理情報を設定する処理情報設定手段と、
基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、
処理情報は、各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かが設定する情報であるとともに、
検査情報は、搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられて制御手段に与えられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する情報であって
制御手段は、搬送順序、処理情報および検査情報に基づき、次のように検査部処理部および搬送機構を制御する、
(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(B1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
(B2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行い、
(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理装置。
Controls an inspection unit that inspects a substrate, a plurality of processing units that perform substrate processing, a conveyance mechanism that delivers a substrate to the inspection unit and each processing unit, and an inspection unit, a processing unit, and a conveyance mechanism A substrate processing apparatus comprising a control means,
A transport order setting means for setting the transport order of the substrates by the transport mechanism;
Processing information setting means for setting processing information of the substrate;
Including inspection information setting means for setting inspection information of the substrate,
Processing information is assigned to all processing units capable of processing a substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. Information to set whether or not to process the substrate ,
The inspection information is assigned to the inspection unit by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to the inspection unit in the transport order, and inspecting the inspection unit with respect to the inspection unit. is information for setting whether to perform,
The control means controls the inspection unit , the processing unit, and the transport mechanism as follows based on the transport order , processing information, and inspection information .
(C) While delivering a board | substrate with respect to an inspection part and a process part based on a conveyance order,
(B 1 ) When the processing information is set to “perform processing of the substrate”, the processing unit processes the substrate based on the processing information,
(B 2 ) If the processing information is set to “do not process the substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit. ,
(D 1 ) If the inspection information is set to “perform substrate inspection”, inspect the substrate at the inspection unit based on the inspection information,
(D 2 ) If the inspection information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate and the next inspection unit or processing unit is inspected. A substrate processing apparatus that performs delivery.
基板の検査を行う検査部と、基板処理を行う複数の処理部と、検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行う搬送機構と、検査部,処理部,および搬送機構を制御する制御手段とを備えた基板処理装置であって、
搬送機構による基板の搬送順序を設定する搬送順序設定手段と、
基板の検査情報を設定する検査情報設定手段とを備え、
検査情報は、各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かが設定する情報であって
制御手段は、搬送順序および検査情報に基づき、次のように検査部処理部および搬送機構を制御する、
(C)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(D1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
(D2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理装置。
Controls an inspection unit that inspects a substrate, a plurality of processing units that perform substrate processing, a conveyance mechanism that delivers a substrate to the inspection unit and each processing unit, and an inspection unit, a processing unit, and a conveyance mechanism A substrate processing apparatus comprising a control means,
A transport order setting means for setting the transport order of the substrates by the transport mechanism;
Including inspection information setting means for setting inspection information of the substrate,
The inspection information is assigned to any inspection unit that can inspect a substrate by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” for each inspection unit in each transport order. Information to set whether or not to inspect the board ,
The control means controls the inspection unit , the processing unit, and the transport mechanism as follows based on the transport order and the inspection information.
(C) While delivering a board | substrate with respect to an inspection part and a process part based on a conveyance order,
(D 1 ) If the inspection information is set to “perform substrate inspection”, inspect the substrate at the inspection unit based on the inspection information,
(D 2 ) If the inspection information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate and the next inspection unit or processing unit is inspected. A substrate processing apparatus that performs delivery.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の処理ブロックを構成し、処理ブロックを並設して構成されており、
各処理ブロックには、その処理ブロックに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その処理ブロックから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
各処理ブロックの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The apparatus includes the processing unit and the transport mechanism, or includes a single processing block including the inspection unit, the processing unit, and the transport mechanism, and is configured by arranging the processing blocks in parallel.
Each processing block is divided into an inlet substrate mounting portion for mounting the substrate to receive the substrate in the processing block and an outlet substrate mounting portion for mounting the substrate to eject the substrate from the processing block. It is provided separately,
A substrate processing apparatus, wherein the transfer mechanism of each processing block delivers a substrate via an entrance substrate placement portion and an exit substrate placement portion.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記装置は、前記処理部と搬送機構とを含んで、あるいは前記検査部と処理部と搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御ユニットを並設して構成されており、
各被制御ユニットには、その被制御ユニットに基板を受け入れるために基板を載置する入口基板載置部と、その被制御ユニットから基板を払い出すために基板を載置する出口基板載置部とが区別して設けられており、
各被制御ユニットの搬送機構は、入口基板載置部と出口基板載置部とを介して基板の受け渡しを行い、
かつ、各被制御ユニットの搬送機構の基板受け渡し動作を少なくとも制御するユニット制御手段を各被制御ユニットごとに備え、
各ユニット制御手段は、各被制御ユニットに対して一対一にそれぞれ対応し、各ユニット制御手段は、処理部あるいは検査部に対する基板の受け渡しおよび基板載置部に対する基板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、その制御の対象となる被制御ユニットのみに対して行うとともに、他の被制御ユニットから各々独立して行うことを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus in any one of Claims 1-3,
The apparatus includes the processing unit and the transport mechanism, or includes the inspection unit, the processing unit, and the transport mechanism to form a single controlled unit, and is configured by arranging the controlled units in parallel. And
Each controlled unit has an entrance substrate placement section for placing a substrate to receive the substrate in the controlled unit, and an exit substrate placement section for placing a substrate to eject the substrate from the controlled unit And is provided separately,
The transport mechanism of each controlled unit delivers the substrate via the entrance substrate placement unit and the exit substrate placement unit,
In addition, each controlled unit is provided with unit control means for controlling at least the substrate transfer operation of the transport mechanism of each controlled unit,
Each unit control means corresponds to each controlled unit on a one-to-one basis, and each unit control means includes a series of substrate transports including substrate delivery to the processing unit or inspection unit and substrate delivery to the substrate mounting unit. The substrate processing apparatus is characterized in that the control according to the above is performed only on the controlled unit to be controlled, and is independently performed from the other controlled units.
各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、
各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が設定されており、
(a)搬送順序に基づいて処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for transferring a substrate to each processing unit and performing substrate processing in the transferred processing unit,
The processing of the substrate is performed on all processing units capable of processing the substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. Processing information to set whether or not to perform is set,
(A) While delivering a board | substrate with respect to a process part based on a conveyance order,
(B 1 ) When the processing information is set to “perform processing of the substrate”, the processing unit processes the substrate based on the processing information,
(B 2 ) When the processing information is set to “do not process substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit. And a substrate processing method.
検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、
各々の搬送順序における処理部ごとに「基板の処理を行う」または「基板の処理を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を処理し得る全ての処理部に対して基板の処理を行うか否かを設定する処理情報が設定されているとともに、
搬送順序における検査部に「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、
(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(b1 )処理情報が「基板の処理を行う」ことを設定するものである場合には、処理情報に基づいてその処理部で基板の処理を行い、
(b2 )処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部で基板の処理を行わずに、次の処理部に対して基板の受け渡しを行い、
(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for delivering a substrate to an inspection unit and each processing unit, inspecting a substrate with the passed inspection unit, and performing substrate processing with the passed processing unit,
The processing of the substrate is performed on all processing units capable of processing the substrate by assigning one of “perform substrate processing” or “not perform substrate processing” for each processing unit in each transport order. Processing information to set whether to perform or not , and
Inspection information for setting whether or not to inspect a substrate to the inspection unit by assigning any one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to the inspection unit in the transport order Is set,
(C) While delivering a board | substrate with respect to an inspection part and a process part based on a conveyance order,
(B 1 ) When the processing information is set to “perform processing of the substrate”, the processing unit processes the substrate based on the processing information,
(B 2 ) When the processing information is set to “do not process the substrate”, the substrate is transferred to the next processing unit without processing the substrate in the processing unit. ,
(D 1 ) When the inspection information is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information,
(D 2 ) If the inspection information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate, and the next inspection unit or processing unit is inspected. The substrate processing method characterized by performing delivery.
請求項6または請求項7に記載の基板処理方法において、
前記(b2 )の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部に対して基板を受け渡した状態で基板の処理を行わずに、その処理部から次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
In the substrate processing method of Claim 6 or Claim 7,
If the processing information of (b 2 ) is set to “do not process the substrate”, the processing is performed without processing the substrate while the substrate is delivered to the processing unit. A substrate processing method comprising transferring a substrate from one section to the next processing section.
請求項6または請求項7に記載の基板処理方法において、
前記(b2 )の処理情報が「基板の処理を行わない」ことを設定するものである場合には、その処理部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
In the substrate processing method of Claim 6 or Claim 7,
When the processing information of (b 2 ) is set to “do not process the substrate”, the processing information is passed to the next processing unit without passing the substrate to the processing unit. A substrate processing method comprising transferring a substrate to the substrate.
検査部および各々の処理部に対して基板の受け渡しを行い、渡された検査部で基板の検査を行うとともに、渡された処理部で基板処理を行う基板処理方法であって、
各々の搬送順序における検査部ごとに「基板の検査を行う」または「基板の検査を行わない」のいずれか1つが割り当てられることにより、基板を検査し得る全ての検査部に対して基板の検査を行うか否かを設定する検査情報が設定されており、
(c)搬送順序に基づいて検査部および処理部に対して基板の受け渡しを行うとともに、
(d1 )検査情報が「基板の検査を行う」ことを設定するものである場合には、検査情報に基づいてその検査部で基板の検査を行い、
(d2 )検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行う
ことを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method for delivering a substrate to an inspection unit and each processing unit, inspecting a substrate with the passed inspection unit, and performing substrate processing with the passed processing unit,
All inspection units that can inspect a substrate are inspected by assigning one of “inspect substrate” or “not inspect substrate” to each inspection unit in each transport order. Inspection information to set whether or not to perform is set,
(C) While delivering a board | substrate with respect to an inspection part and a process part based on a conveyance order,
(D 1 ) When the inspection information is set to “inspect the substrate”, the inspection unit inspects the substrate based on the inspection information,
(D 2 ) If the inspection information is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit does not inspect the substrate, and the next inspection unit or processing unit is inspected. The substrate processing method characterized by performing delivery.
請求項10に記載の基板処理方法において、
前記(d2 )の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部に対して基板を受け渡した状態で基板の検査を行わずに、その検査部から次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 10,
When the inspection information of (d 2 ) is set to “do not inspect the substrate”, the inspection is performed without inspecting the substrate in a state where the substrate is delivered to the inspection unit. A substrate processing method characterized in that a substrate is transferred from one section to the next inspection section or processing section.
請求項10に記載の基板処理方法において、
前記(d2 )の検査情報が「基板の検査を行わない」ことを設定するものである場合には、その検査部に対して基板の受け渡しを行わずに通過して、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 10,
When the inspection information of (d 2 ) is set to “do not inspect the substrate”, the inspection unit passes without passing the substrate to the next inspection unit or A substrate processing method comprising delivering a substrate to a processing unit.
請求項10から請求項12のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記検査部で合格するまで「基板の検査を行う」検査情報を設定し、搬送順序に基づいてその検査部に対して基板を順に受け渡して、その検査情報に基づいてその検査部で検査を順に行い、
検査部で基板が合格すれば「基板の検査を行わない」検査情報を設定し、その合格した基板よりも後続の基板については、検査部で基板の検査を行わずに、次の検査部または処理部に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理方法。
In the substrate processing method in any one of Claims 10-12,
Set inspection information to “inspect the substrate” until it passes by the inspection unit, sequentially pass the substrate to the inspection unit based on the transport order, and sequentially inspect the inspection unit based on the inspection information Done
If the board passes the inspection section, set the inspection information to "Do not inspect the board". Subsequent to the board that has passed, the inspection section does not inspect the board, and the next inspection section or A substrate processing method comprising delivering a substrate to a processing unit.
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