JP4321079B2

JP4321079B2 - 半導体装置を製造する方法

Info

Publication number: JP4321079B2
Application number: JP2003054558A
Authority: JP
Inventors: 昌崇渡邉; 幸洋辻; 健中田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2003-02-28
Filing date: 2003-02-28
Publication date: 2009-08-26
Anticipated expiration: 2023-02-28
Also published as: JP2004266092A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスでは、ドライエッチング法によりパターン形成することに適さない薄膜、例えば金を含む薄膜から配線、電極を形成することが求められる。リフトオフ法は、該薄膜からから配線、電極の形成に用いられる。
【０００３】
特許文献１では、エッチングに際して、レジストの溶剤に加えて霧状のドライアイスをレジストマスク層に吹き付けて、これによりドライエッチングと同程度の微細なパターンをリフトオフ法により形成している。
【０００４】
特許文献２では、バンプ金属及びパッド金属の相互拡散を防止するためにバリアメタルを製造する方法が記載されている。バリアメタル膜をレジストマスク層及びレジスト開口部上に形成した後に、粘着力を有するラミネートテープを該バリアメタル膜上に貼り付けて、ラミネートテープを剥がす際にレジストマスク層上のバリアメタル膜のみを剥離する。また、この文献では、レジストマスク層及びレジスト開口部上にバリアメタル膜を形成した後に、機械化学研磨処理(ＣＭＰ)法により機械的にバリアメタル膜を除去している。バリアメタル膜は、この機械的な処理により実質的に除去されている。しかしながら、バリアメタル膜の残さといった細かな残りかすがレジスト上に存在している。そこで、ＣＭＰ法のよる除去の後に、レジスト溶剤を浸漬させてレジストマスク層を除去している。これら両方法では、薄膜を剥離する工程は、レジストマスク層を隔離する工程と異なるので、この方法はリフトオフではない。
【０００５】
特許文献３では、リフトオフ法に最適なレジスト形状を得る方法が記載されている。この文献によれば、一般に、ネガ型レジストを用いることにより、ネガ型レジストの露光及び現像の後に、レジストの開口部のエッジはオーバーハング状になる。このレジストマスク層上に薄膜を形成することにより、開口部内に堆積された薄膜は、レジストマスク層上に堆積された薄膜と分離される。このレジスト形状により、薄膜のリフトオフが容易になる。
【０００６】
特許文献４では、金属チタンをニオブ酸リチウム基板に堆積する方法が記載されている。この文献の記載によれば、レジストをニオブ酸リチウム上に塗布して、該レジストを露光及び現像して、所定のパターンを有するレジストマスク層を形成する。この後に、金属チタンをレジストマスク層及び上記所定のパターン上に形成する。リフトオフを行う際に、ニオブ酸リチウム基板をレジスト溶剤中において該パターンの長手方向に揺動させる。この揺動によりチタン膜に剪断応力が加えられるので、レジスト上のチタン膜とパターンの開口部内のチタン膜との分離が容易になる。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−０５８５４６号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平０９−０８２７１１号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開平０６−２３１６４５号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開平０５−１３６０４７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献２に記載されている技術と異なるリフトオフ法では、基板上に形成されたマスク層上及び基板上に薄膜を堆積した後に、回転するウエハ上にレジストの溶剤をレジストマスク層に吹き付けてリフトオフを行っている。このリフトオフにより、所定のパターンを有する金属層が基板上に形成される。しかしながら、レジスト溶剤の吹き付け後に、金属層のパターンに傷がついていることが発見されている。この原因としては、剥離された薄膜片が、金属層のパターンに引っ掻き傷を付けることが考えられる。リフトオフが行われて形成された金属層のパターン上をリフトオフ片が移動するとき、金属層のパターンに引っ掻き傷がつく可能性がある。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造するときにリフトオフ片により金属パターン層に傷をつける可能性が小さい該半導体装置を製造する方法を提供することとしている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造する方法である。この方法は、(ａ)所定のパターンを有しており基板上に設けられたマスク層と、該マスク層及び基板上に設けられた一又は複数の薄膜とを備えるワークピースを準備する第１の工程と、(ｂ)ワークピースの主面上の所定の点からワークピースのエッジに向けて、マスク層を剥離するための溶剤が提供される主面上の位置をワークピースを回転させながら移動して、所定のパターンを有するパターン層を基板上に薄膜から形成する第２の工程と、を備える。主面は、回転の回転中心を含む第１のエリアと、該第１のエリアを囲む第２のエリアとを有し、所定の点は第１のエリアに位置する。
【００１４】
この方法では、ワークピースの主面上の所定の点からワークピースのエッジに向けて、溶剤を提供する位置を移動するので、該位置において剥離された薄膜のリフトオフ片は、主面上のマスク層上を移動してワークピースのエッジに到達する。
【００１５】
本発明の方法は、パターン層を基板上に薄膜から形成する第２の工程に先立って、ワークピースの中心に向けて、溶剤を吹き付ける吹き付けツールを溶剤を提供すること無く移動する工程を更に備えることができる。パターン層を基板上に薄膜から形成する第２の工程では、ワークピースを回転させながら吹き付けツールを移動して、溶剤が提供される主面上の位置を変更するようにしてもよい。
【００１６】
この方法では、ワークピースの主面上の任意の位置において剥離された薄膜のリフトオフ片は、主面上のマスク層上を移動してワークピースのエッジに到達する。
【００１７】
本発明の方法では、マスク層はレジスト膜を含むことができる。また、本発明の方法では、パターン層を基板上に薄膜から形成する第２の工程では、薄膜から半導体装置の電極を形成する。本発明の方法では、パターン層を基板上に薄膜から形成する該工程では、薄膜から半導体装置のゲート電極を形成する。ゲート電極のほかに、電極としては、電界効果トランジスタのソース及びドレインのための電極、ヘテロジャンクションバイポーラトランジスタのエミッタ、ベース及びコレクタのための電極が例示される。さらに、本発明の方法では、パターン層を基板上に薄膜から形成する該工程では、薄膜から抵抗体を形成する。
【００１８】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体装置を製造する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２０】
図１(A)〜図１(D)、図４(A)〜図４(D)、図５(A)〜図５(C)は、半導体装置を製造する方法を表す工程を示す図面である。引き続く説明では、半導体装置の電界効果トランジスタを作製する手順を説明する。
【００２１】
図１(Ａ)を参照すると、III−V化合物半導体基板といった基板１上にマスク層３が形成されている。III−V化合物半導体基板としては、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板が例示される。マスク層３は、電界効果トランジスタの活性領域を設けるための位置に開口３ａを有する。基板１には、マスク層３を用いてドーパント５がイオン注入される。イオン注入を行った後に、マスク層３を除去する。このイオン注入により、基板１の表層に活性領域７が形成される。本実施例では、活性領域７は、例えばｎ型である。
【００２２】
図１(Ｂ)を参照すると、基板１上にマスク層９が形成されている。マスク層９は、電界効果トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する位置に開口９ａ、９ｂを有する。基板１には、マスク層９を用いてドーパント１１がイオン注入される。イオン注入を行った後に、マスク層９を除去する。このイオン注入により、基板１の表層にソース領域及びドレイン領域１３ａ、１３ｂが形成される。ドレイン領域１３ａ、１３ｂは、例えばｎ型である
図１(Ｃ)を参照すると、基板１上にマスク層１５が形成されている。マスク層１５は、電界効果トランジスタのソース電極及びドレイン電極の位置に開口１５ａ、１５ｂといった所定のパターンを有する。本実施の形態では、マスク層１５は、基板１上に形成されたレジスト膜１７ａと、該レジスト膜１７ａ上に形成された絶縁膜１７ｂとを備える。絶縁膜１７ｂとしては、ＳｉＯ₂といった絶縁性シリコン無機化合物から形成される膜が例示される。レジスト膜１７ａは、絶縁膜１７ｂをマスクとして用いて、等方性プラズマを用いてエッチングされる。開口部１５ａ、１５ｂにおいて、絶縁膜１７ｂは、レジスト膜１７ａに対して突き出る庇を有する。好適な実施例では、レジスト膜１７ａの膜厚は１６００ナノメートル程度であり、絶縁膜１７ｂの膜厚は３００ナノメートル程度である。
【００２３】
図１(Ｄ)を参照すると、基板１及びマスク層１５上に導電膜１９が形成される。導電膜１９は、一又は複数の薄膜を備えることができる。本実施の形態では、オーミック金属の膜が形成される。オーミック金属としてはＡｕＧｅＮｉが例示される。導電膜１９は、基板１及びマスク層１５の両方の上に堆積されており、開口部１５ａ、１５ｂに形成される部分１９ａと、マスク層１５上に形成される部分１９ｂとから成る。導電膜１９は、開口部１５ａ、１５ｂのエッジにおいて、連続していない。導電膜１９の非連続を形成するために、絶縁膜１７ｂの庇は役立っている。
【００２４】
この後に、リフトオフにより、電界効果トランジスタのソース電極及びドレイン電極を形成する。リフトオフの概要を説明すれば、基板１の主面上の所定の点から基板１のエッジに向けて、マスク層１５を剥離するための溶剤が提供される主面上の位置を基板１を回転させながら移動して、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極を基板上に導電膜１９から形成する。導電膜９は、基板の主面上に設けられており、主面は、回転中心を含む第１のエリアと、これを囲む第２のエリアとを有する。好適な実施例では、所定の点は、第１のエリアに位置する。この方法では基板１の主面上の所定の点から基板のエッジに向けて、溶剤を提供する位置を移動するので、該位置において剥離された薄膜のリフトオフ片は、主面上のマスク層１５上を移動して基板のエッジに到達する。したがって、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造するときにリフトオフ片により金属パターン層に傷をつける可能性が小さい。
【００２５】
図２(Ａ)〜図２(Ｃ)及び図３(Ａ)〜図３(Ｃ)は、リフトオフ処理のための手順を詳細に示す図面である。図２(Ａ)は、レジストの剥離に先立つ前処理を示す。カセット２１に複数の基板１ａ〜１ｃが配置されており、このカセット２１を第１の槽２３において第１の液剤２５に浸す。第１の液剤２５は、レジスト膜１７ａを膨潤させるために使用され、例えばＮ−メチルー２ピロリドンである。次いで、カセット２１を第２の槽２７において第２の液剤２９に浸す。第２の液剤は、レジスト膜１７ａのリンスを行うために使用され、例えばイソプロピルアルコールである。リンス処理の後に、基板を一枚毎に処理される。
【００２６】
図２(Ｂ)を参照すると、カセット２１から基板１ａが取り出されて、この基板１ａは、リフトオフ装置３１のステージ３３上に位置合わせして置かれる。リフトオフ装置３１は、剥離液を吹き付けるためのノズルといった吹き付けツール３５を備える。吹き付けツール３５は、ステージ３３から離れた場所に位置している。また、リフトオフ装置３１は、別のノズルといった吹き付けツール３７を備える。吹き付けツール３７は、基板１の裏面に対面する位置に設けられている。吹き付けツール３７は、基板の回転中に窒素ガスを基板の裏面に吹き付けて、剥離されたレジスト片及び薄膜片が基板の裏面に回り込むことを防止する。
【００２７】
図２(Ｃ)を参照すると、矢印Ａに示されように、ステージ３３の回転の中心軸Ａｘに向けて、溶剤を提供すること無く吹き付けツール３５を移動する。ステージ３３を中心軸Ａｘの回りに回転することを開始する。
【００２８】
図３(Ａ)を参照すると、中心軸Ａｘの近傍に吹き付けツール３５を配置した後に、吹き付けツール３５から溶剤が基板１ａ上に提供されている。矢印Ｂにより示されるように、基板１ａを回転させながら吹き付けツール３５を基板１のエッジに向けて移動して、溶剤が提供される主面上の位置を変更する。この方法では、基板１ａから剥離されたリフトオフ片は、矢印Ｃにより示されるように基板１ａ上のマスク層１５上を移動して基板１ａのエッジに到達する。
【００２９】
図３(Ｂ)に示されるように、引き続いて基板１のエッジに向けて、マスク層１５を剥離するための溶剤が提供される基板１ａ上の位置を基板１を回転させながら移動すると、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極が基板上に導電膜１９(図１(Ｃ)参照)から形成される。
【００３０】
図３(Ｃ)に示されるように、吹き付けツール３５が基板１ａのエッジの外側に到達すると、基板１ａのリフトオフ処理が完了する。次いで、基板１ａを搬出カセットに移される。この後に、カセット２１から次の基板１ｂが取り出されて、リフトオフ装置３１のステージ３３上に位置合わせして置かれる。
【００３１】
このリフトオフ処理の結果、図４(Ａ)に示されるように、電界効果トランジスタのためのソース電極及びドレイン電極３９ａ、３９ｂが基板１上に形成されている。ソース電極及びドレイン電極３９ａ、３９ｂは、基板１の表層にソース領域及びドレイン領域１３ａ、１３ｂ上に形成されている。
【００３２】
図４(Ｂ)を参照すると、基板１上にマスク層４５が形成されている。マスク層４５は、電界効果トランジスタのチャネル領域の位置に開口４５ａといった所定のパターンを有する。本実施の形態では、マスク層４５は、基板１上に形成されたレジスト膜４７ａと、該レジスト膜４７ａ上に形成された絶縁膜４７ｂとを備える。絶縁膜４７ｂは、ＳｉＯ₂といった絶縁性シリコン無機化合物から形成されることができる。レジスト膜４７ａは、絶縁膜４７ｂをマスクとして用いて、等方性プラズマを用いてエッチングされる。開口部４５において、絶縁膜４７ｂは、レジスト膜４７ａに対して突出する庇を有する。好適な実施例では、レジスト膜４７ａの膜厚は１６００ナノメートル程度であり、絶縁膜４７ｂの膜厚は３００ナノメートル程度である。
【００３３】
図４(Ｃ)を参照すると、基板１及びマスク層４５上に導電膜４９が形成される。導電膜４９は、一又は複数の薄膜を備えることができる。本実施の形態では、ゲート金属のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜が形成される。導電膜４９は、基板１及びマスク層４５の両方の上に堆積されており、開口部４５ａに形成される部分４９ａと、マスク層４５上に形成される部分４９ｂとから成る。導電膜４９は、開口部４５ａのエッジにおいて、連続していない。この非連続を形成するために、絶縁膜１７ｂの庇は役立っている。
【００３４】
この後に、リフトオフにより、電界効果トランジスタのゲート電極を形成する。このリフトオフ処理は、図２(Ａ)〜図２(Ｃ)及び図３(Ａ)〜図３(Ｃ)に示された手順により行うことができる。このリフトオフの概要を説明すれば、基板１の主面上の所定の点から基板１のエッジに向けて、マスク層４５を剥離するための溶剤が提供される主面上の位置を基板１を回転させながら移動して、所定のパターンを有するゲート電極を基板１上に導電膜４９から形成する。この方法では基板１の主面上の所定の点から基板のエッジに向けて、溶剤を提供する位置を移動するので、該位置において剥離された薄膜のリフトオフ片は、主面上のマスク層４５上を移動して基板のエッジに到達する。したがって、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造するときにリフトオフ片によりゲート電極に傷をつける可能性が小さい。
【００３５】
このリフトオフ処理の結果、図４(Ｄ)に示されるように、電界効果トランジスタのためのゲート電極４９ａが基板１上に形成されている。ゲート電極４９ａは、基板１の表層のチャネル領域７上に形成されている。
【００３６】
図５(Ａ)を参照すると、基板１上にマスク層５５が形成されている。マスク層５５は、電界効果トランジスタのチャネル領域の位置に開口５５ａといった所定のパターンを有する。本実施の形態では、マスク層５５は、基板１上に形成されたレジスト膜を備える。好適な実施例では、このレジスト膜の膜厚は１６００ナノメートル程度である。
【００３７】
図５(Ｂ)を参照すると、本実施の形態では、金属抵抗のためのＮｉＣｒＳｉ膜が形成される。抵抗膜５９が基板１及びマスク層５５上に形成される。抵抗膜５９は、一又は複数の薄膜を備えることができる。抵抗膜５９は、基板１及びマスク層５５の両方の上に堆積されており、開口部５５ａに形成される部分５９ａと、マスク層５５上に形成される部分５９ｂとから成る。抵抗膜５９は、開口部５５ａのエッジにおいて、連続していない。
【００３８】
この後に、リフトオフにより、電界効果トランジスタに接続される金属抵抗素子を形成する。このリフトオフ処理は、図２(Ａ)〜図２(Ｃ)及び図３(Ａ)〜図３(Ｃ)に示された手順により行うことができる。リフトオフの概要を説明すれば、基板１の主面上の所定の点から基板１のエッジに向けて、マスク層５５を剥離するための溶剤が提供される主面上の位置を基板１を回転させながら移動して、所定のパターンを有するゲート電極を基板１上に導電膜５９から形成する。この方法では基板１の主面上の所定の点から基板のエッジに向けて、溶剤を提供する位置を移動するので、該位置において剥離された薄膜のリフトオフ片は、主面上のマスク層５５上を移動して基板のエッジに到達する。したがって、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造するときにリフトオフ片により金属パターン層に傷をつける可能性が小さい。
【００３９】
このリフトオフ処理の結果、図５(Ｃ)に示されるように、電界効果トランジスタのための金属抵抗素子の抵抗膜５９ａが基板１上に形成されている。抵抗膜５９ａは、電界効果トランジスタの位置とは異なる基板１の表層に形成されている。これまでの製造ステップにより、いくつかの場面でリフトオフ処理が使用されている。しかしながら、図２(Ａ)〜図２(Ｃ)及び図３(Ａ)〜図３(Ｃ)に示されたリフトオフ処理は、本実施の形態において具体例として説明された特定の事例に限定されるものではない。
【００４０】
次いで、図６(Ａ)、図６(Ｂ)、図７(Ａ)及び図７(Ｂ)を参照しながら、本実施の形態におけるリフトオフ処理の利点を説明する。
【００４１】
図６(Ａ)及び図６(Ｂ)を参照すると、基板６１が、回転中心を含む領域６１ａを通過する軸Ａｘの周りに回転されている。領域６１ａと基板６１のエッジとの間には、領域６１ａを囲むように領域６１ｃが設けられている。ノズル６３が、矢印で示されるように回転軸Ａｘから基板６１のエッジ６１ｂに向けて移動される。ノズル６３からは、イソプロピルアルコールといった剥離剤６５が提供される。リフトオフ処理により、リフトオフ片６９、７０が剥がれて、所望のパターン層７１が順に形成される。基板６１の中心領域６１ａからエッジ領域６１ｂに順にリフトオフ処理を進めると、リフトオフ片６９、７０は、剥離液と共に回転による遠心力を受けながら、未だ剥離されていないマスク層７３及び薄膜７５上を移動して基板６１の外側に移動する。故に、リフトオフ片６９、７０は、既に剥離された基板６１の主面上を通過しない。したがって、形成された所望のパターン層に接触することがない。
【００４２】
図７(Ａ)及び図７(Ｂ)を参照すると、基板８１が、中心８１ａを通過する軸Ａｘの周りに回転されている。ノズル８３が、矢印で示されるように基板８１のエッジ８１ｂから回転軸Ａｘに向けて移動される。ノズル８３からは、イソプロピルアルコールといった剥離剤８５が提供される。リフトオフ処理により、リフトオフ片８９が剥がれて、所望のパターン層９１が順に形成される。基板８１のエッジ領域８１ｂから中心領域８１ａに順にリフトオフ処理を進めると、リフトオフ片８９は、剥離液と共に回転による遠心力を受けながら、既に剥離されている基板８１の主面上を通過して基板８１の外側に移動する。したがって、形成された所望のパターン層に接触する可能性がある。
【００４３】
電界効果トランジスタのゲート電極をリフトオフにより形成するとき、基板のエッジから基板の回転中心に向けてノズルを移動して剥離液を順に吹き付ける方法では、ゲート電極に約１０パーセントの不良率が生じている。一方、基板の回転中心から基板のエッジに向けてノズルを移動して剥離液を順に吹き付ける方法では、ゲート電極に約１パーセントの不良率が生じている。電界効果トランジスタの故障率は、前者が１０Ｆｉｔであるが、後者は１Ｆｉｔである。また、リフトオフされた金属片が基板の表面に付着することも防止できる。故に、本実施の形態のリフトオフ方法は、金属膜のリフトオフの他にも、シリコン酸化膜といった絶縁膜のリフトオフにも使用でき、上記の利点を発揮する。
【００４４】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。例えば、リフトオフ処理は配線金属パターンの形成だけでなく、絶縁性シリコン化合物膜といった絶縁膜のパターンの形成にも使用でき、本リフトオフの手法は、これらの以外の薄膜のリフトオフにも使用できる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、リフトオフ法を用いて半導体装置を製造するときにリフトオフ片により金属パターン層に傷をつける可能性が小さい該半導体装置を製造する方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１(A)〜図１(D)は、それぞれ、半導体装置を製造する方法を表す工程を示す図面である。
【図２】図２(Ａ)〜図２(Ｃ)は、それぞれ、リフトオフ処理のための手順を詳細に示す図面である。
【図３】図３(Ａ)〜図３(Ｃ)は、それぞれ、リフトオフ処理のための手順を詳細に示す図面である。
【図４】図４(A)〜図４(D)は、それぞれ、半導体装置を製造する方法を表す工程を示す図面である。
【図５】図５(A)〜図５(C)は、それぞれ、半導体装置を製造する方法を表す工程を示す図面である。
【図６】図６(Ａ)及び図６(Ｂ)は、それぞれ、本実施の形態におけるリフトオフ処理の利点を説明する図面である。
【図７】図７(Ａ)及び図７(Ｂ)は、それぞれ、本実施の形態におけるリフトオフ処理の利点を説明する図面である。
【符号の説明】
３…マスク層、５…ドーパント、７…活性領域、９…マスク層、１１…ｎ型ドーパント、１３ａ、１３ｂ…ソース領域及びドレイン領域、１５…マスク層、１７ａ…レジスト膜、１７ｂ…絶縁膜、１９…導電膜、２１…カセット、２３…第１の槽、２５…第１の液剤、２７…第２の槽、２９…第２の液剤、３１…リフトオフ装置、３５…吹き付けツール、３３…ステージ、３９ａ、３９ｂ…ソース電極及びドレイン電極、４５…マスク層、レジスト膜４７ａ…、４７ｂ…絶縁膜、４９ａ…ゲート電極、５５…マスク層、５７ａ…レジスト膜、５９…抵抗膜

Claims

リフトオフ法を用いて半導体装置を製造する方法であって、
所定のパターンを有しており基板上に設けられたマスク層と、該マスク層及び前記基板上に設けられた一又は複数の薄膜とを備えるワークピースを準備する第１の工程と、
前記ワークピースの主面上の所定の点から前記ワークピースのエッジに向けて、前記マスク層を剥離するための溶剤が提供される前記主面上の位置を前記ワークピースの回転を行いながら移動して、所定のパターンを有するパターン層を前記基板上に前記薄膜から形成する第２の工程と
を備え、
前記主面は、前記回転の回転中心を含む第１のエリアと、該第１のエリアを囲む第２のエリアとを有し、前記所定の点は前記第１のエリアに位置する、方法。
パターン層を前記基板上に前記薄膜から形成する前記第２の工程に先立って、前記溶剤を吹き付ける吹き付けツールを前記溶剤を提供すること無く前記ワークピースの中心に向けて移動する工程を更に備え、
前記薄膜から前記基板上にパターン層を形成する前記第２の工程では、前記吹き付けツールを移動して、前記溶剤が提供される前記主面上の位置を変更する、請求項１に記載の方法。
前記マスク層はレジスト膜を含む、請求項１または請求項２に記載の方法。
パターン層を前記基板上に前記薄膜から形成する前記第２の工程では、前記薄膜から前記半導体装置のゲート電極を形成する、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の方法。