JP4320641B2 - Manufacturing method of physical quantity sensor and physical quantity sensor - Google Patents
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Description
本発明は、磁界の方位や向きなどを測定する物理量センサの製造方法及び物理量センサに関する。 The present invention relates to a physical quantity sensor manufacturing method and a physical quantity sensor for measuring the azimuth and direction of a magnetic field.
近年、例えば携帯電話機に代表される携帯端末装置(装置)に、ユーザの位置情報を表示させるGPS(Global Positioning System)機能を持たせることが要求されつつある。 このGPS機能は、地磁気を検出することにより装置の3次元的な方位や向きの位置情報を特定する磁気センサや、地磁気を検出できない場所において、移動方向を検出することにより位置情報を特定する加速度センサといった物理量センサが用いられている。 In recent years, for example, mobile terminal devices (devices) represented by mobile phones have been required to have a GPS (Global Positioning System) function for displaying user position information. This GPS function is a magnetic sensor that specifies position information of the three-dimensional azimuth and orientation of the device by detecting geomagnetism, and an acceleration that specifies position information by detecting the direction of movement in places where geomagnetism cannot be detected. A physical quantity sensor such as a sensor is used.
この種の物理量センサには、複数の物理量センサチップ(磁気センサチップ)が相互に傾斜して配置されるものがある。この物理量センサチップを傾斜させる構成の物理量センサは、小型化、薄型化に寄与することに加え、傾斜方向に応じた所定軸方向の感度を高く保つことが可能とされる利点を有している。 Some types of physical quantity sensors include a plurality of physical quantity sensor chips (magnetic sensor chips) that are inclined with respect to each other. The physical quantity sensor configured to incline the physical quantity sensor chip has an advantage that sensitivity in a predetermined axial direction corresponding to the inclination direction can be kept high in addition to contributing to downsizing and thinning. .
図14から図15は、相互に傾斜した2つの物理量センサチップ2、3を有する物理量センサ1の一例を示したものである。この物理量センサ1は、外部磁界の向きと大きさを測定するものであり、金属製薄板をプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成されるリードフレーム4を用いて製造される。
14 to 15 show an example of a
図16に示すリードフレーム4は、外周矩形枠を形成する矩形枠部5aと、この矩形枠部5aの各外周辺側から内方に向けて垂直に突出する複数のリード5bと、矩形枠部5aの端部5c側から内方に向けて延出する連結リード5dと、この連結リード5dと連結されて支持される2つのステージ部6、7とにより形成されている。このとき、矩形枠部5aとリード5bと連結リード5dとを合わせて、フレーム部5とされる。
The lead frame 4 shown in FIG. 16 includes a
2つのステージ部6、7は、それぞれ矩形状に形成されており、リードフレーム4の中心線を挟んで対向するように設けられている。また、ステージ部6、7は、対向側の2つの端部6a、7aから対向するステージ部6、7側に向けて突出する一対の突出部8、9を有しており、この突出部8、9は、リードフレーム4の裏面4a側に傾斜するように形成されている。
The two
連結リード5dは、ステージ部6、7を矩形枠部5aに対して支持するための吊りリードであり、連結リード5dの一端部5eが各ステージ部6、7の側端部6b、7bに連結されている。この連結リード5dのステージ部6、7側の一端部5eは、その側面に凹状の切り欠きが設けられ、他の連結リード5dより細く形成されることで、ステージ部6、7を傾斜させる際に、変形して捻ることができる捻れ部5eとされている。
The connecting
図14から図15に示す物理量センサ1は、上記のリードフレーム4に対して、ステージ部6、7に各々固着される平面視矩形の板状に形成された2つの物理量センサチップ2、3と、物理量センサチップ2、3とリード5bとを電気的に接続するための金属製のワイヤー10と、物理量センサチップ2、3およびリード5bを樹脂により一体化する樹脂モールド部11とを加えて構成されるとともに、リードフレーム4のうち、樹脂モールド部11から外方に位置するリード5bと連結リード5dとを切り離して形成されている(例えば、特許文献1参照。)。
The
また、樹脂モールド部11は、図14から図16中に示す二点破線で囲まれた部分であり、側断面が略台形に形成されている。この樹脂モールド部11内には、突出部8、9の先端部8a、9aがリード5bの裏面5gと連続する水平面上に位置されており、これにより、ステージ部6、7および物理量センサチップ2、3は、傾斜した状態で樹脂によって固定されている。
Moreover, the
次に、この物理量センサ1の製造方法について図16から図17を参照して説明する。
Next, a method for manufacturing the
はじめに、図16から図17(a)に示すように、フォトエッチング加工によって、ステージ部6、7を含むリード5bよりも内側の金属製薄板を、例えば半分の厚さ寸法に、リードフレーム4の他の部分よりも薄く形成する。そして、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって、ステージ部6、7が連結リード5dに支持されたリードフレーム4を形成する。このとき、ステージ部6、7とリード5bと連結リード5dと捻れ部5eとが形成されるとともに、突出部8、9がリード5bに対して傾斜した状態で形成される。
First, as shown in FIG. 16 to FIG. 17A, the metal thin plate inside the
さらに、ステージ部6、7の表面6c、7cにそれぞれ物理量センサチップ2、3を接着するとともに、ワイヤー10を配して物理量センサチップ2、3とリード5bとを電気的に接続する。
Further, the physical
ついで、図17(b)に示すように、フレーム部5のうち、矩形枠部5aおよびリード5bと連結リード5dの一部を除いた部分を金型D、Eに挟み込んで固定する。この金型D、Eの型締め時には、金型Eの内面E1に突出部8、9の先端部8a、9aが押圧され、捻れ部5eが捻れるように変形し、ステージ部6、7および物理量センサチップ2、3が、図17(c)に示すように、リード5bに対して所定の角度で傾斜される。
Next, as shown in FIG. 17B, the frame portion 5 except for the
金型Eの内面E1が突出部8、9の先端部8a、9aを押圧して傾斜を保持した状態で、金型D、Eのキャビティ11e内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ2、3を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部11を形成する。これにより、所定の傾斜角度で相互に傾斜した物理量センサチップ2、3が、樹脂モールド部11内に固定される。
In a state where the inner surface E1 of the mold E presses the
ついで、金型D、Eを取り外し、樹脂モールド部11が形成されたリードフレーム4をメッキ液に浸漬させる。このとき、直流電源の陰極とリードフレーム4を、陽極とメッキ液を接続し直流電流を通電することで、樹脂モールド部11から露出された部分にメッキ層5hが形成される。このメッキ層5hは、物理量センサ1を回路基板に搭載する際に、リード5bとパターンとを接続する半田付けのぬれ性を向上させるためのものである。樹脂モールド部11から露出されたリード5bにメッキ層5hが形成された段階で、図14から図16中の二点破線で示される樹脂モールド部11の外方に位置するリード5bと連結リード5dとを切り離して物理量センサ1の製造が完了する。
しかしながら、この物理量センサ1の製造方法では、図15のA−A線矢視図を示した図18のように、金型D、Eの内面E1と、突出部8、9との当接部分に樹脂が行き渡らないために、樹脂モールド部11の下面11aに突出部8、9の先端8a、9aが露出される。突出部8、9の先端8a、9aが樹脂モールド部11から露出したリードフレーム4をメッキ液に浸漬した場合には、この露出部分にもメッキ層が形成されてしまう。この不要なメッキ層は、物理量センサ1を回路基板に実装する際に、回路基板と物理量センサ1との間に介在されて、実装した物理量センサ1を不安定な状態にするという問題があった。
However, in the manufacturing method of the
また、この不要なメッキ層が介在された場合には、回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じさせる恐れがあった。さらに、不要なメッキ層が介在されることにより、回路基板と接続されるリードが、回路基板と好適に接触されず、物理量センサが電気的に不連続となる場合もあった。 Further, when this unnecessary plating layer is interposed, there is a risk of causing an electrical short circuit in contact with the circuit board pattern. In addition, since an unnecessary plating layer is interposed, the lead connected to the circuit board is not preferably in contact with the circuit board, and the physical quantity sensor may be electrically discontinuous.
本発明は、上記事情を鑑み、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防ぐことで、好適に実装可能な物理量センサの製造方法および物理量センサを提供することを目的とする。 In view of the circumstances described above, an object of the present invention is to provide a physical quantity sensor manufacturing method and a physical quantity sensor that can be suitably mounted by preventing a plating layer from being formed on a protrusion exposed from a resin mold part. And
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。 In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
請求項1記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記樹脂モールド部を形成する前の段階で、前記突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成しておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。
The physical quantity sensor manufacturing method according to
請求項2記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層を形成しておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。
請求項3記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記連結リードを切断し、前記リードと前記突出部とを電気的に不連続にしておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。 3. physical quantity production how the sensor described, a rectangular frame portion, is connected to the plurality of leads projecting from該矩shape frame portion inwardly, and extends out the connected lead inwardly from the rectangular frame portion The physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame using a lead frame including a stage portion and a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion. Then, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion by pressing the tip end portion of the protruding portion to deform the connecting lead, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity The sensor chip, the protruding portion, and the lead are integrated with resin in the mold cavity to form a resin mold portion, and the mold is removed and then immersed in the plating solution. The method of manufacturing a physical quantity sensor for forming a plating layer by, before the step of immersing the plating solution, cutting the connecting leads, leave electrically discontinuous and said leads and said projection, By dipping in the plating solution, the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion.
請求項4記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部を被覆して前記メッキ液と非接触とする絶縁部材を取り付けておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。 4. physical quantity production how the sensor described, a rectangular frame portion, is connected to the plurality of leads projecting from該矩shape frame portion inwardly, and extends out the connected lead inwardly from the rectangular frame portion The physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame using a lead frame including a stage portion and a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion. Then, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion by pressing the tip end portion of the protruding portion to deform the connecting lead, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity The sensor chip, the protruding portion, and the lead are integrated with resin in the mold cavity to form a resin mold portion, and the mold is removed and then immersed in the plating solution. Insulating method of manufacturing a physical quantity sensor for forming a plating layer by, before the step of immersing the plating solution, the said plating solution and the non-contact to cover the protruding portion that is exposed from the resin mold unit to The plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold part excluding the projecting part by attaching a member and immersing in the plating solution.
請求項5記載の物理量センサは、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて製造される物理量センサであって、前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層が形成されて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする。 The physical quantity sensor according to claim 5 is a rectangular frame, a plurality of leads protruding inward from the rectangular frame, and a stage connected to a connecting lead extending inward from the rectangular frame. A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a projecting portion that projects from the stage portion while being inclined toward the back surface side of the rectangular frame portion, wherein the physical quantity sensor chip is provided on the stage portion. There is secured, the physical quantity sensor chip, wherein are together with the stage portion is inclined with respect to the lead, and the physical quantity sensor chip that is at least inclined, and the lead is a resin molded portion is integrally by resin formation together are exposed is from the resin mold portion except at least said projection is formed non-conductive insulating layer on the protruding portion that is exposed from the resin mold portion Wherein the main Tsu key layer is formed on the portion.
請求項6記載の物理量センサは、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて製造される物理量センサであって、前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記連結リードが切断され、前記ステージ部および前記突出部と前記リードとが電気的に不連続とされて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする。
Physical quantity sensor according to
請求項1記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部を形成する前の段階で、突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成することによって、メッキ液に浸漬させた際に、突出部がメッキ液と接触しないため、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。
According to the method for manufacturing a physical quantity sensor according to
請求項2記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部を形成し、メッキ液に浸漬する前の段階で、樹脂モールド部から露出された突出部に非導電性の絶縁層を形成することによって、メッキ液に浸漬させた際に、突出部がメッキ液と接触しないため、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the method of manufacturing a physical quantity sensor according to
請求項3記載の物理量センサの製造方法によれば、メッキ液に浸漬する前の段階で、連結リードを切断することによって、リードと突出部とを電気的に不連続にすることができる。これにより、リードフレームと電気的に接続されたリードにはメッキ層が形成されるのに対し、電気的に不連続とされた突出部には、通電が生じないため、樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されることを防止できる。よって、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the physical quantity sensor manufacturing method of the third aspect , the lead and the protruding portion can be made electrically discontinuous by cutting the connecting lead in a stage before being immersed in the plating solution. As a result, while the plating layer is formed on the lead electrically connected to the lead frame, the electrically discontinuous protruding portion is not energized, so that it is exposed from the resin mold portion. It is possible to prevent the plating layer from being formed on the part. Therefore, since a plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold part excluding the protruding part, an unnecessary plating layer is provided between the protruding part and the circuit board even when the physical quantity sensor is mounted on the circuit board. Therefore, it is possible to mount the physical quantity sensor in a stable state. For this reason, the possibility that an unnecessary plating layer may come into contact with the pattern of the circuit board to cause an electrical short circuit can be eliminated. Moreover, the lead electrically connected to the circuit board can be suitably connected to the circuit board, and the physical quantity sensor can be prevented from being electrically discontinuous.
請求項4記載の物理量センサの製造方法によれば、メッキ液に浸漬させる際に、絶縁部材で樹脂モールド部から露出された突出部とメッキ液とを非接触とすることができるため、突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the method of manufacturing a physical quantity sensor according to claim 4, since the protruding portion exposed from the resin mold portion and the plating solution can be made non-contact with the insulating member when immersed in the plating solution, the protruding portion It is possible to prevent the plating layer from being formed. As a result, a plating layer is formed on the lead frame that is exposed from at least the resin mold part excluding the protruding part. Therefore, even when the physical quantity sensor is mounted on the circuit board, unnecessary plating is provided between the protruding part and the circuit board. It is possible to mount the physical quantity sensor in a stable state without intervening layers. For this reason, the possibility that an unnecessary plating layer may come into contact with the pattern of the circuit board to cause an electrical short circuit can be eliminated. Moreover, the lead electrically connected to the circuit board can be suitably connected to the circuit board, and the physical quantity sensor can be prevented from being electrically discontinuous.
請求項5または請求項6に記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されていないため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間にメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することができる。これにより、メッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できるとともに、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。
According to the manufacturing method of the physical quantity sensor according to claim 5 or
以下、図1から図4を参照し、本発明の第1実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図14から図17に示した物理量センサと共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Hereinafter, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are given to the same components as those of the physical quantity sensor shown in FIGS. 14 to 17, and the detailed description thereof will be omitted.
図1から図3に示す本実施形態の物理量センサ1は、例えばQFN(Quad Flat Non-leaded package)やSON(Small Outline Non-leaded package)などの表面実装型パッケージタイプの物理量センサ1である。この物理量センサ1は、図16のリードフレーム4を用いて製造され、ステージ部6、7に各々固着されて相互に傾斜した2つの物理量センサチップ2、3と、物理量センサチップ2、3とリード5bとを電気的に接続するための金属製のワイヤー10と、物理量センサチップ2、3およびリード5bを樹脂により一体化する樹脂モールド部11とから構成されている。
The
また、突出部8、9の少なくとも先端部8a、9aには、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などからなる絶縁層12が被覆形成されており、図3に示すように、樹脂モールド部11の下面11a側には、リード5bの裏面5gに形成されたメッキ層5hと、突出部8、9に被覆形成された絶縁層12の一部とが露出されている。ここで、本実施形態において、突出部8、9の先端部8a、9aとは、突出部8、9の少なくとも樹脂モールド部11から露出される部分を示している。
In addition, an insulating
ついで、この物理量センサ1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
図16と同様のリードフレーム4が製造され、樹脂モールド部11を形成する前の段階で、図4(a)に示すように、突出部8、9の少なくとも先端部8a、9aに、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの非導電性の絶縁材料を塗布して絶縁層12を被覆形成する。
In the stage before the lead frame 4 similar to that shown in FIG. 16 is manufactured and the
ついで、図4(b)から図4(c)に示すように、フレーム部5のうち、矩形枠部5aおよびリード5bの一部を除いた部分を金型D、Eにより挟み込んで固定する。このとき、金型D、Eの型締めによって、金型Eの内面E1に突出部8、9の絶縁層12が形成された先端部8a、9aが押圧され、金型D、Eの移動とともに捻れ部5eが捻れ変形を生じて、ステージ部6、7が傾斜される。型締めを完了した段階で、ステージ部6、7が所定の傾斜角度で傾斜されるとともに、物理量センサチップ2、3が所定の傾斜角度で傾斜され、金型Eの内面E1に突出部8、9が当接された状態で、この傾斜が保持される。
Next, as shown in FIGS. 4B to 4C, a portion of the frame portion 5 excluding the
ついで、金型D、Eのキャビティ11e内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ2、3を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部11を形成する。このとき、キャビティ11e内に射出された溶融樹脂は、細部の間隙にまで行き渡る一方で、金型Eの内面E1と突出部8、9との当接された間にまでは行き渡らない。このため、キャビティ11e内に充填した樹脂が固結し樹脂モールド部11が形成された段階では、樹脂モールド部11の下面11aから、図3に示すように、リード5bの裏面5gと、突出部8、9の先端部8a、9aの絶縁層12が露出されている。
Next, molten resin is injected into the
ついで、樹脂モールド部11が形成されたリードフレーム4を、直流電源の陰極を接続しつつメッキ液に浸漬し、樹脂モールド部11から露出された部分にメッキ層5hを形成する。このとき、図2に示すように、樹脂モールド部11から露出されたリード5bの裏面5gには、リード5bとメッキ液との間に電気が通電されるためメッキ層が形成される。一方で、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9の先端部8a、9aには絶縁層12が被覆形成されているため、突出部8、9とメッキ液とが不連続となりメッキ層5hは形成されない。
Next, the lead frame 4 on which the
所定厚のメッキ層5hが形成された段階で、リードフレーム4をメッキ液から取り出し、樹脂モールド部11の外方に位置するリード5bと連結リード5dとを切り離し、図1に示す物理量センサ1の製造が完了する。
When the
このように製造された物理量センサ1は、回路基板に実装される際に、例えば回路基板のパターンにリード5bの裏面5gがメッキ層5hを介して接続される。このとき、回路基板に突出部8、9の先端部8a、9aと回路基板との間にメッキ層5hが介在されることがないため、リード5bの裏面5gのメッキ層5hとパターンとを確実に面接触させることが可能とされ、物理量センサ1が安定した状態で実装される。
When the
したがって、上記の物理量センサ1の製造方法においては、樹脂モールド部11を形成する前の段階で、突出部8、9の先端部8a、9aに絶縁層12を被覆形成することで、樹脂モールド部11の下面11aに突出部8、9の金属部分が露出されることを防止できる。これにより、メッキ液に浸漬させた際に、突出部8、9とメッキ液とを非接触状態に保持することができ、突出部8、9の先端部8a、9aにメッキ層5hが形成されることを防止することができる。
Therefore, in the manufacturing method of the
よって、このように製造された物理量センサ1を回路基板に実装した際には、突出部8、9と回路基板との間にメッキ層5hが介在されないため、リード5bを回路基板と好適に接続しつつ物理量センサ1を搭載することができる。また、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9にメッキ層5hが形成されないことにより、突出部8、9が回路基板のパターンと接触し電気的な短絡を生じさせることを防止できる。
Therefore, when the
なお、本発明は、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第1実施形態では、突出部8、9の少なくとも先端部8a、9aに、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの非導電性の絶縁材料を塗布して、絶縁層12を形成するものとしたが、例えばポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性の絶縁部材を突出部8、9に貼り付けて、絶縁層12を形成してもよいものである。また、エポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの絶縁材料は、塗布に限らず、ポッティングやディッピング、コーティングなどによって突出部8、9に固着されてもよいものである。さらに、リードフレーム4を形成する段階で、非導電性材料で形成された突出部8、9をステージ部6、7に固着して、突出部8、9全体を絶縁層12としてもよい。
In addition, this invention is not limited to said 1st Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the first embodiment, a non-conductive insulating material such as an epoxy resin or a tetrafluoroethylene resin is applied to at least the
また、本実施形態では、樹脂モールド部11を形成する前の段階で絶縁層12を形成するものとしたが、樹脂モールド部11を形成した段階で、樹脂モールド部11から露出した突出部8、9の先端部8a、9aに絶縁材料を被覆形成してもよいものである。
In the present embodiment, the insulating
さらに、本実施形態では、突出部8、9が棒状に形成され、ステージ部6、7の端部6a、7aから対向するステージ部6、7側に突出されるものとしたが、この限りではない。例えばステージ部6、7の幅方向に沿って交互に並べて配されてもよく、その設置位置が限定されるものではない。また、この突出部8、9の形状も特に棒状に限定されるものではない。さらに、突出部8、9は、例えば図5に示すように、先端側に屈曲部8b、9bを備えて形成されてもよいものである。この場合には、屈曲部8b、9bの少なくとも下面側が先端部8a、9aとされる。
Further, in the present embodiment, the protruding
ついで、図6から図7を参照し、本発明の第2実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図14から図17に示した物理量センサと第1実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the physical quantity sensor illustrated in FIGS. 14 to 17 and the first embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態では、図6から図7に示すように、相互に傾斜した2つの物理量センサチップ2、3と、金属製のワイヤー10と、樹脂モールド部11とから構成されている。その一方で、樹脂モールド部11から露出されたリード5bの裏面5gにはメッキ層5hが形成されているのに対し、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9の先端部8a、9aは、突出部8、9の金属がそのまま露出されメッキ層5hは形成されていない。また、連結リード5dは、その一部が切断されており、この切断部13によってステージ部6、7および突出部8、9がリード5bと電気的に不連続とされている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 6 to 7, the physical
ついで、この物理量センサ1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
樹脂モールド部11を形成し、リードフレーム4をメッキ液に浸漬させる前の段階で、樹脂モールド部11の内方に位置する連結リード5dを、樹脂モールド部11の下面11a側から例えばレーザーやサンドブラストなどによって切断する。これにより、樹脂モールド部11内のステージ部6、7と突出部8、9と連結リード5dの一部とが他のリードフレーム4に対して電気的に不連続とされる。ここで、連結リード5dを切断した場合においても、樹脂モールド部11は、矩形枠部5aと繋がるリード5dが一体形成されているため、個片化されない状態で保持されている。
Before forming the
ついで、連結リード5dが切断されたリードフレーム4をメッキ液に浸漬させる。浸漬されたリードフレーム4のリード5dには、電気が通電されるため、その裏面5gにメッキ層5hが形成される。一方で、突出部8、9には、連結リード5dが切断されて電気的に不連続とされているため、電気の通電はなく、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9の先端部8a、9aにメッキ層5hが形成されない。
Next, the lead frame 4 from which the connecting
したがって、上記の物理量センサ1の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部11を形成したリードフレーム4を浸漬する前の段階で、連結リード5dを切断することによって、突出部8、9をリード5bに対し電気的に不連続にすることができる。これにより、メッキ液にリードフレーム4を浸漬させた場合においても、突出部8、9に電気が流れないため、樹脂モールド部11から露出された先端部8a、9aにメッキ層5hが形成されることを防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第2実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第2実施形態では、樹脂モールド部11の内方に位置する連結リード5dを切断するものとしたが、樹脂モールド部11の外方に位置する連結リード5dを切断してもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 2nd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the second embodiment, the
また、連結リード5dの切断が、レーザーやサンドブラストを用いて行なわれるものとしたが、例えばエッチングやドリルで切断してもよく、さらに、樹脂モールド部11の外方に位置する連結リード5dを切断する場合には、プレス加工によって切断されてもよいものであり、特に切断方法が限定されるものではない。
In addition, the
また、本実施形態では、連結リード5dを、樹脂モールド部11を形成した後に切断するものとして説明を行なったが、リードフレーム4の形成時に切断を行い、例えば図8に示すように、切断部13に非導電性の絶縁材14を介在させつつ固着して連結リード5dを再度一体化し、突出部8、9をリード5dに対して電気的に不連続としてもよいものである。この場合には、ステージ部6、7の傾斜時に、捻れ部5eではなくこの切断部13の絶縁材が変形してステージ部6、7および物理量センサチップ2、3が傾斜されてもよい。
In the present embodiment, the
ついで、図9から図11を参照し、本発明の第3実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態においては、図14から図16に示した物理量センサ1と第1から第2実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
Next, a physical quantity sensor and a method for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same reference numerals are given to configurations common to the
第3実施形態の物理量センサ1は、図9から図10に示すように、相互に傾斜した2つの物理量センサチップ2、3と、金属製のワイヤー10と、樹脂モールド部11とから構成されている。その一方で、樹脂モールド部11から露出されたリード5bの裏面5gにはメッキ層5hが形成されているのに対し、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9の先端部8a、9aは、突出部8、9の金属がそのまま露出されメッキ層5hは形成されていない。
The
ついで、この物理量センサ1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
図9に示すように、樹脂モールド部11が形成された段階で、樹脂モールド部11の下面11aの少なくとも突出部8、9が露出された部分に、例えばポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性シール(絶縁部材)20を貼り付ける。この状態で、樹脂モールド部11が形成されたリードフレーム4をメッキ液に浸漬させる。このとき、リード5bの樹脂モールド部11から露出された裏面5gは、メッキ液と接触されてリード5bとメッキ液との間に電気が通電されるため、メッキ層5hが形成される。一方で、非導電性シール20が貼り付けられた部分は、メッキ液と非接触とされて樹脂モールド部11から露出した突出部8、9の先端部8a、9aにメッキ層5hは形成されない。
As shown in FIG. 9, at the stage where the
所定厚でメッキ層5hが形成された段階で、リードフレーム4をメッキ液から取り出し、樹脂モールド部11の下面11aに貼り付けた非導電性シール20を取り除くとともに、樹脂モールド部11の外方に位置するリード5bと連結リード5dとを切り離し、物理量センサ1の製造が完了する。
When the
したがって、上記の物理量センサ1の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部11を形成したリードフレーム4を浸漬させる前の段階で、樹脂モールド部11の下面11aの突出部8、9が露出された部分に非導電性シール(絶縁部材)20を貼り付けることで、突出部8、9の露出部分とメッキ液とを非接触状態に保持することが可能となる。これにより、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9にメッキ層5hが形成されることを防止でき、リード5bが回路基板と好適に接続された状態で物理量センサ1を搭載することができるとともに、電気的な短絡を防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第3実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第3実施形態では、突出部8、9とメッキ液とを非接触とする絶縁部材20を、ポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性シールであるものとしたが、浸漬時にメッキ液と突出部8、9が非接触状態で保持されていれば、突出部8、9に電気が通電されてもメッキ層5hは形成されないため、絶縁部材20は非導電性であることに限定される必要はない。また、絶縁部材20は、シールに限定される必要はなく、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの液体状のものが硬化して絶縁部材20とされても、液体状を維持するものであってもよい。
In addition, this invention is not limited to said 3rd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the third embodiment, the insulating
ついで、図12を参照し、本発明の第4実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図14から図16に示した物理量センサと第1から第3実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the physical quantity sensor illustrated in FIGS. 14 to 16 and the first to third embodiments, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態の物理量センサ1は、第3実施形態と同様に、樹脂モールド部11から露出されたリード5bの裏面5gにメッキ層5hが形成されている一方で、樹脂モールド部11から露出された突出部8、9の先端部8a、9aには、メッキ層5hが形成されず、突出部8、9の先端部8a、9aがそのまま露出されている。
As in the third embodiment, the
ついで、この物理量センサ1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
樹脂モールド部11が形成されたリードフレーム4をメッキ液に浸漬させる。このとき、図12に示すように、リードフレーム4を保持してメッキ液に浸漬させるための冶具(絶縁部材)21の当接位置と突出部8、9の露出位置とを一致させる。また、冶具21の樹脂モールド部11と当接する当接面21aを樹脂モールド部11の下面11aと面接触するように形成することで露出した突出部8、9の先端部8a、9aを被覆して保持することが可能とされる。よって、メッキ液に浸漬させた状態では、樹脂モールド部11から露出した突出部8、9とメッキ液とが非接触状態とされ、露出した突出部8、9には、メッキ層が形成されず、それ以外の露出部分にはメッキ層が形成される。
The lead frame 4 on which the
したがって、上記の物理量センサ1の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部11を形成したリードフレーム4を浸漬させる際に、リードフレーム4を保持する冶具21で樹脂モールド部11から露出された突出部8、9を被覆することができる。これにより、突出部8、9の露出部分とメッキ液とを非接触状態に保持することが可能となり、突出部8、9にメッキ層が形成されることを防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第4実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第4実施形態では、冶具21の当接面21aと樹脂モールド部11の下面11aとが面接触されることにより、露出した突出部8、9を被覆可能であるものとしたが、例えば図13に示すように、冶具21の当接面21aに凹部21bを設け、冶具21を樹脂モールド部11の下面11aに当接させてリードフレーム4を保持した状態で、この凹部21bと樹脂モールド部11の下面11aとにより密閉状態の中空部が画成可能とされてもよい。この場合には、中空部内に露出した突出部8、9が位置されるように冶具21を配することで、露出した突出部8、9とメッキ液とを非接触状態にすることが可能となる。
In addition, this invention is not limited to said 4th Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the fourth embodiment, the exposed
1・・・物理量センサ、2,3・・・物理量センサチップ、4・・・リードフレーム、5・・・フレーム部、5a・・・矩形枠部、5b・・・リード、5d・・・連結リード、5g・・・リードの裏面、5h・・・メッキ層、6,7・・・ステージ部、8,9・・・突出部、8a,9a・・・先端部、11・・・樹脂モールド部、11a・・・下面、12・・・絶縁層、13・・・切断部、20,21・・・絶縁部材
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記樹脂モールド部を形成する前の段階で、前記突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成しておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before forming the resin mold part, a non-conductive insulating layer is formed at least at the tip part of the protruding part,
A method of manufacturing a physical quantity sensor, wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution.
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層を形成しておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before immersing in the plating solution, a non-conductive insulating layer is formed on the protruding portion exposed from the resin mold portion ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記連結リードを切断し、前記リードと前記突出部とを電気的に不連続にしておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
Before immersing in the plating solution, cutting the connecting lead, leaving the lead and the protruding portion electrically discontinuous ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部を被覆して前記メッキ液と非接触とする絶縁部材を取り付けておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before immersing in the plating solution, an insulating member that covers the protruding portion exposed from the resin mold portion and is not in contact with the plating solution is attached ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、
少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層が形成されて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする物理量センサ。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion,
Wherein the stage unit is fixed physical quantity sensor chip, the physical quantity sensor chip is inclined with respect to the lead with the stage portion,
At least the inclined physical quantity sensor chip and the lead are integrated with a resin to form a resin mold portion, and a non-conductive insulating layer is formed on the protruding portion exposed from the resin mold portion a physical quantity sensor, characterized in that the main Tsu key layer on the exposed portion is formed from the resin mold portion except at least said projection being.
前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、
少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記連結リードが切断され、前記ステージ部および前記突出部と前記リードとが電気的に不連続とされて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする物理量センサ。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion,
A physical quantity sensor chip is fixed to the stage part, and the physical quantity sensor chip is inclined with respect to the lead together with the stage part,
At least tilted the physical quantity sensor chip, wherein together with leads and a resin mold portion are integrated by resin is formed, the connecting leads are disconnected, the stage portion and the projecting portion and the front Symbol lead The physical quantity sensor is characterized in that a plating layer is formed on a portion exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion .
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