JP4320641B2 - Manufacturing method of physical quantity sensor and physical quantity sensor - Google Patents
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Description
本発明は、磁界の方位や向きなどを測定する物理量センサの製造方法及び物理量センサに関する。 The present invention relates to a physical quantity sensor manufacturing method and a physical quantity sensor for measuring the azimuth and direction of a magnetic field.
近年、例えば携帯電話機に代表される携帯端末装置（装置）に、ユーザの位置情報を表示させるＧＰＳ（Global Positioning System）機能を持たせることが要求されつつある。 このＧＰＳ機能は、地磁気を検出することにより装置の３次元的な方位や向きの位置情報を特定する磁気センサや、地磁気を検出できない場所において、移動方向を検出することにより位置情報を特定する加速度センサといった物理量センサが用いられている。 In recent years, for example, mobile terminal devices (devices) represented by mobile phones have been required to have a GPS (Global Positioning System) function for displaying user position information. This GPS function is a magnetic sensor that specifies position information of the three-dimensional azimuth and orientation of the device by detecting geomagnetism, and an acceleration that specifies position information by detecting the direction of movement in places where geomagnetism cannot be detected. A physical quantity sensor such as a sensor is used.
この種の物理量センサには、複数の物理量センサチップ（磁気センサチップ）が相互に傾斜して配置されるものがある。この物理量センサチップを傾斜させる構成の物理量センサは、小型化、薄型化に寄与することに加え、傾斜方向に応じた所定軸方向の感度を高く保つことが可能とされる利点を有している。 Some types of physical quantity sensors include a plurality of physical quantity sensor chips (magnetic sensor chips) that are inclined with respect to each other. The physical quantity sensor configured to incline the physical quantity sensor chip has an advantage that sensitivity in a predetermined axial direction corresponding to the inclination direction can be kept high in addition to contributing to downsizing and thinning. .
図１４から図１５は、相互に傾斜した２つの物理量センサチップ２、３を有する物理量センサ１の一例を示したものである。この物理量センサ１は、外部磁界の向きと大きさを測定するものであり、金属製薄板をプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成されるリードフレーム４を用いて製造される。
14 to 15 show an example of a
図１６に示すリードフレーム４は、外周矩形枠を形成する矩形枠部５ａと、この矩形枠部５ａの各外周辺側から内方に向けて垂直に突出する複数のリード５ｂと、矩形枠部５ａの端部５ｃ側から内方に向けて延出する連結リード５ｄと、この連結リード５ｄと連結されて支持される２つのステージ部６、７とにより形成されている。このとき、矩形枠部５ａとリード５ｂと連結リード５ｄとを合わせて、フレーム部５とされる。
The lead frame 4 shown in FIG. 16 includes a
２つのステージ部６、７は、それぞれ矩形状に形成されており、リードフレーム４の中心線を挟んで対向するように設けられている。また、ステージ部６、７は、対向側の２つの端部６ａ、７ａから対向するステージ部６、７側に向けて突出する一対の突出部８、９を有しており、この突出部８、９は、リードフレーム４の裏面４ａ側に傾斜するように形成されている。
The two
連結リード５ｄは、ステージ部６、７を矩形枠部５ａに対して支持するための吊りリードであり、連結リード５ｄの一端部５ｅが各ステージ部６、７の側端部６ｂ、７ｂに連結されている。この連結リード５ｄのステージ部６、７側の一端部５ｅは、その側面に凹状の切り欠きが設けられ、他の連結リード５ｄより細く形成されることで、ステージ部６、７を傾斜させる際に、変形して捻ることができる捻れ部５ｅとされている。
The connecting
図１４から図１５に示す物理量センサ１は、上記のリードフレーム４に対して、ステージ部６、７に各々固着される平面視矩形の板状に形成された２つの物理量センサチップ２、３と、物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続するための金属製のワイヤー１０と、物理量センサチップ２、３およびリード５ｂを樹脂により一体化する樹脂モールド部１１とを加えて構成されるとともに、リードフレーム４のうち、樹脂モールド部１１から外方に位置するリード５ｂと連結リード５ｄとを切り離して形成されている（例えば、特許文献１参照。）。
The
また、樹脂モールド部１１は、図１４から図１６中に示す二点破線で囲まれた部分であり、側断面が略台形に形成されている。この樹脂モールド部１１内には、突出部８、９の先端部８ａ、９ａがリード５ｂの裏面５ｇと連続する水平面上に位置されており、これにより、ステージ部６、７および物理量センサチップ２、３は、傾斜した状態で樹脂によって固定されている。
Moreover, the
次に、この物理量センサ１の製造方法について図１６から図１７を参照して説明する。
Next, a method for manufacturing the
はじめに、図１６から図１７（ａ）に示すように、フォトエッチング加工によって、ステージ部６、７を含むリード５ｂよりも内側の金属製薄板を、例えば半分の厚さ寸法に、リードフレーム４の他の部分よりも薄く形成する。そして、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって、ステージ部６、７が連結リード５ｄに支持されたリードフレーム４を形成する。このとき、ステージ部６、７とリード５ｂと連結リード５ｄと捻れ部５ｅとが形成されるとともに、突出部８、９がリード５ｂに対して傾斜した状態で形成される。
First, as shown in FIG. 16 to FIG. 17A, the metal thin plate inside the
さらに、ステージ部６、７の表面６ｃ、７ｃにそれぞれ物理量センサチップ２、３を接着するとともに、ワイヤー１０を配して物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続する。
Further, the physical
ついで、図１７（ｂ）に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂと連結リード５ｄの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅに挟み込んで固定する。この金型Ｄ、Ｅの型締め時には、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９の先端部８ａ、９ａが押圧され、捻れ部５ｅが捻れるように変形し、ステージ部６、７および物理量センサチップ２、３が、図１７（ｃ）に示すように、リード５ｂに対して所定の角度で傾斜される。
Next, as shown in FIG. 17B, the frame portion 5 except for the
金型Ｅの内面Ｅ１が突出部８、９の先端部８ａ、９ａを押圧して傾斜を保持した状態で、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。これにより、所定の傾斜角度で相互に傾斜した物理量センサチップ２、３が、樹脂モールド部１１内に固定される。
In a state where the inner surface E1 of the mold E presses the
ついで、金型Ｄ、Ｅを取り外し、樹脂モールド部１１が形成されたリードフレーム４をメッキ液に浸漬させる。このとき、直流電源の陰極とリードフレーム４を、陽極とメッキ液を接続し直流電流を通電することで、樹脂モールド部１１から露出された部分にメッキ層５ｈが形成される。このメッキ層５ｈは、物理量センサ１を回路基板に搭載する際に、リード５ｂとパターンとを接続する半田付けのぬれ性を向上させるためのものである。樹脂モールド部１１から露出されたリード５ｂにメッキ層５ｈが形成された段階で、図１４から図１６中の二点破線で示される樹脂モールド部１１の外方に位置するリード５ｂと連結リード５ｄとを切り離して物理量センサ１の製造が完了する。
しかしながら、この物理量センサ１の製造方法では、図１５のＡ−Ａ線矢視図を示した図１８のように、金型Ｄ、Ｅの内面Ｅ１と、突出部８、９との当接部分に樹脂が行き渡らないために、樹脂モールド部１１の下面１１ａに突出部８、９の先端８ａ、９ａが露出される。突出部８、９の先端８ａ、９ａが樹脂モールド部１１から露出したリードフレーム４をメッキ液に浸漬した場合には、この露出部分にもメッキ層が形成されてしまう。この不要なメッキ層は、物理量センサ１を回路基板に実装する際に、回路基板と物理量センサ１との間に介在されて、実装した物理量センサ１を不安定な状態にするという問題があった。
However, in the manufacturing method of the
また、この不要なメッキ層が介在された場合には、回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じさせる恐れがあった。さらに、不要なメッキ層が介在されることにより、回路基板と接続されるリードが、回路基板と好適に接触されず、物理量センサが電気的に不連続となる場合もあった。 Further, when this unnecessary plating layer is interposed, there is a risk of causing an electrical short circuit in contact with the circuit board pattern. In addition, since an unnecessary plating layer is interposed, the lead connected to the circuit board is not preferably in contact with the circuit board, and the physical quantity sensor may be electrically discontinuous.
本発明は、上記事情を鑑み、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防ぐことで、好適に実装可能な物理量センサの製造方法および物理量センサを提供することを目的とする。 In view of the circumstances described above, an object of the present invention is to provide a physical quantity sensor manufacturing method and a physical quantity sensor that can be suitably mounted by preventing a plating layer from being formed on a protrusion exposed from a resin mold part. And
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。 In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
請求項１記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記樹脂モールド部を形成する前の段階で、前記突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成しておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。
The physical quantity sensor manufacturing method according to
請求項２記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層を形成しておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。
請求項３記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記連結リードを切断し、前記リードと前記突出部とを電気的に不連続にしておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。 3. physical quantity production how the sensor described, a rectangular frame portion, is connected to the plurality of leads projecting from該矩shape frame portion inwardly, and extends out the connected lead inwardly from the rectangular frame portion The physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame using a lead frame including a stage portion and a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion. Then, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion by pressing the tip end portion of the protruding portion to deform the connecting lead, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity The sensor chip, the protruding portion, and the lead are integrated with resin in the mold cavity to form a resin mold portion, and the mold is removed and then immersed in the plating solution. The method of manufacturing a physical quantity sensor for forming a plating layer by, before the step of immersing the plating solution, cutting the connecting leads, leave electrically discontinuous and said leads and said projection, By dipping in the plating solution, the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion.
請求項４記載の物理量センサの製造方法は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端部を押圧して前記連結リードを変形させることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成し、前記金型を取り外した後にメッキ液に浸漬することでメッキ層を形成する物理量センサの製造方法において、前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部を被覆して前記メッキ液と非接触とする絶縁部材を取り付けておき、前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする。 4. physical quantity production how the sensor described, a rectangular frame portion, is connected to the plurality of leads projecting from該矩shape frame portion inwardly, and extends out the connected lead inwardly from the rectangular frame portion The physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame using a lead frame including a stage portion and a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion. Then, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion by pressing the tip end portion of the protruding portion to deform the connecting lead, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity The sensor chip, the protruding portion, and the lead are integrated with resin in the mold cavity to form a resin mold portion, and the mold is removed and then immersed in the plating solution. Insulating method of manufacturing a physical quantity sensor for forming a plating layer by, before the step of immersing the plating solution, the said plating solution and the non-contact to cover the protruding portion that is exposed from the resin mold unit to The plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold part excluding the projecting part by attaching a member and immersing in the plating solution.
請求項５記載の物理量センサは、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて製造される物理量センサであって、前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層が形成されて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする。 The physical quantity sensor according to claim 5 is a rectangular frame, a plurality of leads protruding inward from the rectangular frame, and a stage connected to a connecting lead extending inward from the rectangular frame. A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a projecting portion that projects from the stage portion while being inclined toward the back surface side of the rectangular frame portion, wherein the physical quantity sensor chip is provided on the stage portion. There is secured, the physical quantity sensor chip, wherein are together with the stage portion is inclined with respect to the lead, and the physical quantity sensor chip that is at least inclined, and the lead is a resin molded portion is integrally by resin formation together are exposed is from the resin mold portion except at least said projection is formed non-conductive insulating layer on the protruding portion that is exposed from the resin mold portion Wherein the main Tsu key layer is formed on the portion.
請求項６記載の物理量センサは、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、前記矩形枠部から内方に延出された連結リードと連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して前記矩形枠部の裏面側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて製造される物理量センサであって、前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記連結リードが切断され、前記ステージ部および前記突出部と前記リードとが電気的に不連続とされて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする。
Physical quantity sensor according to
請求項１記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部を形成する前の段階で、突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成することによって、メッキ液に浸漬させた際に、突出部がメッキ液と接触しないため、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。
According to the method for manufacturing a physical quantity sensor according to
請求項２記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部を形成し、メッキ液に浸漬する前の段階で、樹脂モールド部から露出された突出部に非導電性の絶縁層を形成することによって、メッキ液に浸漬させた際に、突出部がメッキ液と接触しないため、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the method of manufacturing a physical quantity sensor according to
請求項３記載の物理量センサの製造方法によれば、メッキ液に浸漬する前の段階で、連結リードを切断することによって、リードと突出部とを電気的に不連続にすることができる。これにより、リードフレームと電気的に接続されたリードにはメッキ層が形成されるのに対し、電気的に不連続とされた突出部には、通電が生じないため、樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されることを防止できる。よって、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the physical quantity sensor manufacturing method of the third aspect , the lead and the protruding portion can be made electrically discontinuous by cutting the connecting lead in a stage before being immersed in the plating solution. As a result, while the plating layer is formed on the lead electrically connected to the lead frame, the electrically discontinuous protruding portion is not energized, so that it is exposed from the resin mold portion. It is possible to prevent the plating layer from being formed on the part. Therefore, since a plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold part excluding the protruding part, an unnecessary plating layer is provided between the protruding part and the circuit board even when the physical quantity sensor is mounted on the circuit board. Therefore, it is possible to mount the physical quantity sensor in a stable state. For this reason, the possibility that an unnecessary plating layer may come into contact with the pattern of the circuit board to cause an electrical short circuit can be eliminated. Moreover, the lead electrically connected to the circuit board can be suitably connected to the circuit board, and the physical quantity sensor can be prevented from being electrically discontinuous.
請求項４記載の物理量センサの製造方法によれば、メッキ液に浸漬させる際に、絶縁部材で樹脂モールド部から露出された突出部とメッキ液とを非接触とすることができるため、突出部にメッキ層が形成されることを防止できる。これにより、少なくとも突出部を除く樹脂モールド部から露出されたリードフレームにメッキ層が形成されるため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間に不要なメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することが可能となる。このため、不要なメッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できる。また、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。 According to the method of manufacturing a physical quantity sensor according to claim 4, since the protruding portion exposed from the resin mold portion and the plating solution can be made non-contact with the insulating member when immersed in the plating solution, the protruding portion It is possible to prevent the plating layer from being formed. As a result, a plating layer is formed on the lead frame that is exposed from at least the resin mold part excluding the protruding part. Therefore, even when the physical quantity sensor is mounted on the circuit board, unnecessary plating is provided between the protruding part and the circuit board. It is possible to mount the physical quantity sensor in a stable state without intervening layers. For this reason, the possibility that an unnecessary plating layer may come into contact with the pattern of the circuit board to cause an electrical short circuit can be eliminated. Moreover, the lead electrically connected to the circuit board can be suitably connected to the circuit board, and the physical quantity sensor can be prevented from being electrically discontinuous.
請求項５または請求項６に記載の物理量センサの製造方法によれば、樹脂モールド部から露出された突出部にメッキ層が形成されていないため、物理量センサを回路基板に実装した場合においても、突出部と回路基板との間にメッキ層が介在されることがなく、物理量センサを安定した状態で実装することができる。これにより、メッキ層が回路基板のパターンと接触して電気的な短絡を生じる恐れを解消できるとともに、回路基板と電気的に接続されるリードが回路基板と好適に接続可能とされ、物理量センサが電気的に不連続となることを防止できる。
According to the manufacturing method of the physical quantity sensor according to claim 5 or
以下、図１から図４を参照し、本発明の第１実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図１４から図１７に示した物理量センサと共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Hereinafter, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are given to the same components as those of the physical quantity sensor shown in FIGS. 14 to 17, and the detailed description thereof will be omitted.
図１から図３に示す本実施形態の物理量センサ１は、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）などの表面実装型パッケージタイプの物理量センサ１である。この物理量センサ１は、図１６のリードフレーム４を用いて製造され、ステージ部６、７に各々固着されて相互に傾斜した２つの物理量センサチップ２、３と、物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続するための金属製のワイヤー１０と、物理量センサチップ２、３およびリード５ｂを樹脂により一体化する樹脂モールド部１１とから構成されている。
The
また、突出部８、９の少なくとも先端部８ａ、９ａには、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などからなる絶縁層１２が被覆形成されており、図３に示すように、樹脂モールド部１１の下面１１ａ側には、リード５ｂの裏面５ｇに形成されたメッキ層５ｈと、突出部８、９に被覆形成された絶縁層１２の一部とが露出されている。ここで、本実施形態において、突出部８、９の先端部８ａ、９ａとは、突出部８、９の少なくとも樹脂モールド部１１から露出される部分を示している。
In addition, an insulating
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
図１６と同様のリードフレーム４が製造され、樹脂モールド部１１を形成する前の段階で、図４（ａ）に示すように、突出部８、９の少なくとも先端部８ａ、９ａに、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの非導電性の絶縁材料を塗布して絶縁層１２を被覆形成する。
In the stage before the lead frame 4 similar to that shown in FIG. 16 is manufactured and the
ついで、図４（ｂ）から図４（ｃ）に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅにより挟み込んで固定する。このとき、金型Ｄ、Ｅの型締めによって、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９の絶縁層１２が形成された先端部８ａ、９ａが押圧され、金型Ｄ、Ｅの移動とともに捻れ部５ｅが捻れ変形を生じて、ステージ部６、７が傾斜される。型締めを完了した段階で、ステージ部６、７が所定の傾斜角度で傾斜されるとともに、物理量センサチップ２、３が所定の傾斜角度で傾斜され、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９が当接された状態で、この傾斜が保持される。
Next, as shown in FIGS. 4B to 4C, a portion of the frame portion 5 excluding the
ついで、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。このとき、キャビティ１１ｅ内に射出された溶融樹脂は、細部の間隙にまで行き渡る一方で、金型Ｅの内面Ｅ１と突出部８、９との当接された間にまでは行き渡らない。このため、キャビティ１１ｅ内に充填した樹脂が固結し樹脂モールド部１１が形成された段階では、樹脂モールド部１１の下面１１ａから、図３に示すように、リード５ｂの裏面５ｇと、突出部８、９の先端部８ａ、９ａの絶縁層１２が露出されている。
Next, molten resin is injected into the
ついで、樹脂モールド部１１が形成されたリードフレーム４を、直流電源の陰極を接続しつつメッキ液に浸漬し、樹脂モールド部１１から露出された部分にメッキ層５ｈを形成する。このとき、図２に示すように、樹脂モールド部１１から露出されたリード５ｂの裏面５ｇには、リード５ｂとメッキ液との間に電気が通電されるためメッキ層が形成される。一方で、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９の先端部８ａ、９ａには絶縁層１２が被覆形成されているため、突出部８、９とメッキ液とが不連続となりメッキ層５ｈは形成されない。
Next, the lead frame 4 on which the
所定厚のメッキ層５ｈが形成された段階で、リードフレーム４をメッキ液から取り出し、樹脂モールド部１１の外方に位置するリード５ｂと連結リード５ｄとを切り離し、図１に示す物理量センサ１の製造が完了する。
When the
このように製造された物理量センサ１は、回路基板に実装される際に、例えば回路基板のパターンにリード５ｂの裏面５ｇがメッキ層５ｈを介して接続される。このとき、回路基板に突出部８、９の先端部８ａ、９ａと回路基板との間にメッキ層５ｈが介在されることがないため、リード５ｂの裏面５ｇのメッキ層５ｈとパターンとを確実に面接触させることが可能とされ、物理量センサ１が安定した状態で実装される。
When the
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法においては、樹脂モールド部１１を形成する前の段階で、突出部８、９の先端部８ａ、９ａに絶縁層１２を被覆形成することで、樹脂モールド部１１の下面１１ａに突出部８、９の金属部分が露出されることを防止できる。これにより、メッキ液に浸漬させた際に、突出部８、９とメッキ液とを非接触状態に保持することができ、突出部８、９の先端部８ａ、９ａにメッキ層５ｈが形成されることを防止することができる。
Therefore, in the manufacturing method of the
よって、このように製造された物理量センサ１を回路基板に実装した際には、突出部８、９と回路基板との間にメッキ層５ｈが介在されないため、リード５ｂを回路基板と好適に接続しつつ物理量センサ１を搭載することができる。また、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９にメッキ層５ｈが形成されないことにより、突出部８、９が回路基板のパターンと接触し電気的な短絡を生じさせることを防止できる。
Therefore, when the
なお、本発明は、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第１実施形態では、突出部８、９の少なくとも先端部８ａ、９ａに、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの非導電性の絶縁材料を塗布して、絶縁層１２を形成するものとしたが、例えばポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性の絶縁部材を突出部８、９に貼り付けて、絶縁層１２を形成してもよいものである。また、エポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの絶縁材料は、塗布に限らず、ポッティングやディッピング、コーティングなどによって突出部８、９に固着されてもよいものである。さらに、リードフレーム４を形成する段階で、非導電性材料で形成された突出部８、９をステージ部６、７に固着して、突出部８、９全体を絶縁層１２としてもよい。
In addition, this invention is not limited to said 1st Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the first embodiment, a non-conductive insulating material such as an epoxy resin or a tetrafluoroethylene resin is applied to at least the
また、本実施形態では、樹脂モールド部１１を形成する前の段階で絶縁層１２を形成するものとしたが、樹脂モールド部１１を形成した段階で、樹脂モールド部１１から露出した突出部８、９の先端部８ａ、９ａに絶縁材料を被覆形成してもよいものである。
In the present embodiment, the insulating
さらに、本実施形態では、突出部８、９が棒状に形成され、ステージ部６、７の端部６ａ、７ａから対向するステージ部６、７側に突出されるものとしたが、この限りではない。例えばステージ部６、７の幅方向に沿って交互に並べて配されてもよく、その設置位置が限定されるものではない。また、この突出部８、９の形状も特に棒状に限定されるものではない。さらに、突出部８、９は、例えば図５に示すように、先端側に屈曲部８ｂ、９ｂを備えて形成されてもよいものである。この場合には、屈曲部８ｂ、９ｂの少なくとも下面側が先端部８ａ、９ａとされる。
Further, in the present embodiment, the protruding
ついで、図６から図７を参照し、本発明の第２実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図１４から図１７に示した物理量センサと第１実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the physical quantity sensor illustrated in FIGS. 14 to 17 and the first embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態では、図６から図７に示すように、相互に傾斜した２つの物理量センサチップ２、３と、金属製のワイヤー１０と、樹脂モールド部１１とから構成されている。その一方で、樹脂モールド部１１から露出されたリード５ｂの裏面５ｇにはメッキ層５ｈが形成されているのに対し、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９の先端部８ａ、９ａは、突出部８、９の金属がそのまま露出されメッキ層５ｈは形成されていない。また、連結リード５ｄは、その一部が切断されており、この切断部１３によってステージ部６、７および突出部８、９がリード５ｂと電気的に不連続とされている。
In the present embodiment, as shown in FIGS. 6 to 7, the physical
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
樹脂モールド部１１を形成し、リードフレーム４をメッキ液に浸漬させる前の段階で、樹脂モールド部１１の内方に位置する連結リード５ｄを、樹脂モールド部１１の下面１１ａ側から例えばレーザーやサンドブラストなどによって切断する。これにより、樹脂モールド部１１内のステージ部６、７と突出部８、９と連結リード５ｄの一部とが他のリードフレーム４に対して電気的に不連続とされる。ここで、連結リード５ｄを切断した場合においても、樹脂モールド部１１は、矩形枠部５ａと繋がるリード５ｄが一体形成されているため、個片化されない状態で保持されている。
Before forming the
ついで、連結リード５ｄが切断されたリードフレーム４をメッキ液に浸漬させる。浸漬されたリードフレーム４のリード５ｄには、電気が通電されるため、その裏面５ｇにメッキ層５ｈが形成される。一方で、突出部８、９には、連結リード５ｄが切断されて電気的に不連続とされているため、電気の通電はなく、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９の先端部８ａ、９ａにメッキ層５ｈが形成されない。
Next, the lead frame 4 from which the connecting
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部１１を形成したリードフレーム４を浸漬する前の段階で、連結リード５ｄを切断することによって、突出部８、９をリード５ｂに対し電気的に不連続にすることができる。これにより、メッキ液にリードフレーム４を浸漬させた場合においても、突出部８、９に電気が流れないため、樹脂モールド部１１から露出された先端部８ａ、９ａにメッキ層５ｈが形成されることを防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第２実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第２実施形態では、樹脂モールド部１１の内方に位置する連結リード５ｄを切断するものとしたが、樹脂モールド部１１の外方に位置する連結リード５ｄを切断してもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 2nd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the second embodiment, the
また、連結リード５ｄの切断が、レーザーやサンドブラストを用いて行なわれるものとしたが、例えばエッチングやドリルで切断してもよく、さらに、樹脂モールド部１１の外方に位置する連結リード５ｄを切断する場合には、プレス加工によって切断されてもよいものであり、特に切断方法が限定されるものではない。
In addition, the
また、本実施形態では、連結リード５ｄを、樹脂モールド部１１を形成した後に切断するものとして説明を行なったが、リードフレーム４の形成時に切断を行い、例えば図８に示すように、切断部１３に非導電性の絶縁材１４を介在させつつ固着して連結リード５ｄを再度一体化し、突出部８、９をリード５ｄに対して電気的に不連続としてもよいものである。この場合には、ステージ部６、７の傾斜時に、捻れ部５ｅではなくこの切断部１３の絶縁材が変形してステージ部６、７および物理量センサチップ２、３が傾斜されてもよい。
In the present embodiment, the
ついで、図９から図１１を参照し、本発明の第３実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態においては、図１４から図１６に示した物理量センサ１と第１から第２実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。
Next, a physical quantity sensor and a method for manufacturing the same according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same reference numerals are given to configurations common to the
第３実施形態の物理量センサ１は、図９から図１０に示すように、相互に傾斜した２つの物理量センサチップ２、３と、金属製のワイヤー１０と、樹脂モールド部１１とから構成されている。その一方で、樹脂モールド部１１から露出されたリード５ｂの裏面５ｇにはメッキ層５ｈが形成されているのに対し、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９の先端部８ａ、９ａは、突出部８、９の金属がそのまま露出されメッキ層５ｈは形成されていない。
The
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
図９に示すように、樹脂モールド部１１が形成された段階で、樹脂モールド部１１の下面１１ａの少なくとも突出部８、９が露出された部分に、例えばポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性シール（絶縁部材）２０を貼り付ける。この状態で、樹脂モールド部１１が形成されたリードフレーム４をメッキ液に浸漬させる。このとき、リード５ｂの樹脂モールド部１１から露出された裏面５ｇは、メッキ液と接触されてリード５ｂとメッキ液との間に電気が通電されるため、メッキ層５ｈが形成される。一方で、非導電性シール２０が貼り付けられた部分は、メッキ液と非接触とされて樹脂モールド部１１から露出した突出部８、９の先端部８ａ、９ａにメッキ層５ｈは形成されない。
As shown in FIG. 9, at the stage where the
所定厚でメッキ層５ｈが形成された段階で、リードフレーム４をメッキ液から取り出し、樹脂モールド部１１の下面１１ａに貼り付けた非導電性シール２０を取り除くとともに、樹脂モールド部１１の外方に位置するリード５ｂと連結リード５ｄとを切り離し、物理量センサ１の製造が完了する。
When the
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部１１を形成したリードフレーム４を浸漬させる前の段階で、樹脂モールド部１１の下面１１ａの突出部８、９が露出された部分に非導電性シール（絶縁部材）２０を貼り付けることで、突出部８、９の露出部分とメッキ液とを非接触状態に保持することが可能となる。これにより、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９にメッキ層５ｈが形成されることを防止でき、リード５ｂが回路基板と好適に接続された状態で物理量センサ１を搭載することができるとともに、電気的な短絡を防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第３実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第３実施形態では、突出部８、９とメッキ液とを非接触とする絶縁部材２０を、ポリイミドシールや四フッ化エチレンシールなどの非導電性シールであるものとしたが、浸漬時にメッキ液と突出部８、９が非接触状態で保持されていれば、突出部８、９に電気が通電されてもメッキ層５ｈは形成されないため、絶縁部材２０は非導電性であることに限定される必要はない。また、絶縁部材２０は、シールに限定される必要はなく、例えばエポキシ樹脂や四フッ化エチレン樹脂などの液体状のものが硬化して絶縁部材２０とされても、液体状を維持するものであってもよい。
In addition, this invention is not limited to said 3rd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the third embodiment, the insulating
ついで、図１２を参照し、本発明の第４実施形態に係る物理量センサおよびその製造方法について説明する。本実施形態の説明においては、図１４から図１６に示した物理量センサと第１から第３実施形態とに共通する構成に対して同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a physical quantity sensor and a manufacturing method thereof according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the physical quantity sensor illustrated in FIGS. 14 to 16 and the first to third embodiments, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態の物理量センサ１は、第３実施形態と同様に、樹脂モールド部１１から露出されたリード５ｂの裏面５ｇにメッキ層５ｈが形成されている一方で、樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９の先端部８ａ、９ａには、メッキ層５ｈが形成されず、突出部８、９の先端部８ａ、９ａがそのまま露出されている。
As in the third embodiment, the
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
樹脂モールド部１１が形成されたリードフレーム４をメッキ液に浸漬させる。このとき、図１２に示すように、リードフレーム４を保持してメッキ液に浸漬させるための冶具（絶縁部材）２１の当接位置と突出部８、９の露出位置とを一致させる。また、冶具２１の樹脂モールド部１１と当接する当接面２１ａを樹脂モールド部１１の下面１１ａと面接触するように形成することで露出した突出部８、９の先端部８ａ、９ａを被覆して保持することが可能とされる。よって、メッキ液に浸漬させた状態では、樹脂モールド部１１から露出した突出部８、９とメッキ液とが非接触状態とされ、露出した突出部８、９には、メッキ層が形成されず、それ以外の露出部分にはメッキ層が形成される。
The lead frame 4 on which the
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法においては、メッキ液に樹脂モールド部１１を形成したリードフレーム４を浸漬させる際に、リードフレーム４を保持する冶具２１で樹脂モールド部１１から露出された突出部８、９を被覆することができる。これにより、突出部８、９の露出部分とメッキ液とを非接触状態に保持することが可能となり、突出部８、９にメッキ層が形成されることを防止できる。
Therefore, in the manufacturing method of the
なお、本発明は、上記の第４実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、第４実施形態では、冶具２１の当接面２１ａと樹脂モールド部１１の下面１１ａとが面接触されることにより、露出した突出部８、９を被覆可能であるものとしたが、例えば図１３に示すように、冶具２１の当接面２１ａに凹部２１ｂを設け、冶具２１を樹脂モールド部１１の下面１１ａに当接させてリードフレーム４を保持した状態で、この凹部２１ｂと樹脂モールド部１１の下面１１ａとにより密閉状態の中空部が画成可能とされてもよい。この場合には、中空部内に露出した突出部８、９が位置されるように冶具２１を配することで、露出した突出部８、９とメッキ液とを非接触状態にすることが可能となる。
In addition, this invention is not limited to said 4th Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the fourth embodiment, the exposed
１・・・物理量センサ、２，３・・・物理量センサチップ、４・・・リードフレーム、５・・・フレーム部、５ａ・・・矩形枠部、５ｂ・・・リード、５ｄ・・・連結リード、５ｇ・・・リードの裏面、５ｈ・・・メッキ層、６，７・・・ステージ部、８，９・・・突出部、８ａ，９ａ・・・先端部、１１・・・樹脂モールド部、１１ａ・・・下面、１２・・・絶縁層、１３・・・切断部、２０，２１・・・絶縁部材
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記樹脂モールド部を形成する前の段階で、前記突出部の少なくとも先端部に非導電性の絶縁層を形成しておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before forming the resin mold part, a non-conductive insulating layer is formed at least at the tip part of the protruding part,
A method of manufacturing a physical quantity sensor, wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution.
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層を形成しておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before immersing in the plating solution, a non-conductive insulating layer is formed on the protruding portion exposed from the resin mold portion ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記連結リードを切断し、前記リードと前記突出部とを電気的に不連続にしておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
Before immersing in the plating solution, cutting the connecting lead, leaving the lead and the protruding portion electrically discontinuous ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記メッキ液に浸漬する前の段階で、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部を被覆して前記メッキ液と非接触とする絶縁部材を取り付けておき、
前記メッキ液に浸漬することで、少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された前記リードフレームに前記メッキ層を形成することを特徴とする物理量センサの製造方法。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion Using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion, a physical quantity sensor chip is fixed to the stage portion of the lead frame, and the tip portion of the protruding portion is pressed to By deforming the connecting lead, the stage portion is inclined with respect to the rectangular frame portion, and the physical quantity sensor chip is inclined, and the inclined stage portion and the physical quantity sensor chip, the projecting portion, and the lead are connected. A physical quantity sensor for forming a plating layer by forming a resin mold part by integrating with resin in the cavity of the mold and immersing it in a plating solution after removing the mold. In the method of production,
In the stage before immersing in the plating solution, an insulating member that covers the protruding portion exposed from the resin mold portion and is not in contact with the plating solution is attached ,
A method of manufacturing a physical quantity sensor , wherein the plating layer is formed on the lead frame exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion by being immersed in the plating solution .
前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、
少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記樹脂モールド部から露出された前記突出部に非導電性の絶縁層が形成されて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする物理量センサ。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion,
Wherein the stage unit is fixed physical quantity sensor chip, the physical quantity sensor chip is inclined with respect to the lead with the stage portion,
At least the inclined physical quantity sensor chip and the lead are integrated with a resin to form a resin mold portion, and a non-conductive insulating layer is formed on the protruding portion exposed from the resin mold portion a physical quantity sensor, characterized in that the main Tsu key layer on the exposed portion is formed from the resin mold portion except at least said projection being.
前記ステージ部には、物理量センサチップが固着され、該物理量センサチップは、前記ステージ部とともに前記リードに対して傾斜されており、
少なくとも傾斜された前記物理量センサチップと、前記リードとが樹脂により一体化されて樹脂モールド部が形成されているとともに、前記連結リードが切断され、前記ステージ部および前記突出部と前記リードとが電気的に不連続とされて少なくとも前記突出部を除く前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層が形成されていることを特徴とする物理量センサ。 A rectangular frame portion, a plurality of leads projecting inward from the rectangular frame portion, a stage portion coupled to a coupling lead extending inward from the rectangular frame portion, and the stage portion continuously with the stage portion A physical quantity sensor manufactured using a lead frame including a protruding portion that protrudes while being inclined toward the back side of the rectangular frame portion,
A physical quantity sensor chip is fixed to the stage part, and the physical quantity sensor chip is inclined with respect to the lead together with the stage part,
At least tilted the physical quantity sensor chip, wherein together with leads and a resin mold portion are integrated by resin is formed, the connecting leads are disconnected, the stage portion and the projecting portion and the front Symbol lead The physical quantity sensor is characterized in that a plating layer is formed on a portion exposed from at least the resin mold portion excluding the protruding portion .
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