JP4313470B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来,処理室外部で生成されたラジカルを処理室内に導入し,処理室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が提案されている。該装置では,ラジカルを被処理体の処理面に対していわゆる層流状態で,あるいはダウンフロー状態で一定方向から導入するとともに,処理室内のガスを一定方向から排気することにより,一定方向に流れるラジカルにより処理を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,ラジカルは反応性が高いので,ラジカルをプラズマ導入経路に介装されたバッファ空間内で一旦拡散させた後,上記層流状態で供給したり,あるいはバッファ空間内で拡散したラジカルをさらに多数の小孔を介してダウンフロー状態で供給しても,該ラジカルを被処理体の処理面全面に均一に導入することができないという問題点がある。さらに,ラジカルをバッファ空間や小孔などを通過させると,ラジカルがそれらバッファ空間や小孔などの壁部と衝突して失活し,処理室内へのラジカルの導入効率が低下するという問題点がある。
【0004】
本発明は,従来の技術が有する上記のような問題点に鑑みて成されたものであり,本願発明の目的は,上記問題点およびその他の問題点を解決することが可能な,新規かつ改良されたプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明の第1の観点によれば,プラズマを生成するプラズマ生成室と,プラズマを導入して被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理室とを備えたプラズマ処理装置において,プラズマは相互に切り換え可能な複数のプラズマ導入経路を介してプラズマ処理室に導入され,プラズマ処理室内の雰囲気は相互に切り換え可能な複数の排気経路を介して排気されることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【0006】
本発明によれば,各プラズマ導入経路と各排気経路を適宜開閉させて,プラズマ処理室内のプラズマの導入位置と雰囲気の排気位置とを変えることにより,プラズマ処理室内のプラズマの流れ方向を変化させることができる。その結果,プラズマを被処理体の処理面にむら無く供給することができるので,被処理体に均一な処理を施すことができる。また,かかる構成によれば,プラズマをバッファ空間や小孔等を通過させる必要がないので,プラズマが失活することがなく,被処理体に効率良く処理を施すことができる。なお,プラズマとは,一般的に荷電粒子と中性粒子とによって構成され,集団的ふるまいをする準中性粒子のことをいう。しかし,本発明は,プラズマ処理室内に導入されるプラズマが,例えばラジカル等の中性粒子のみから構成され,被処理体が上記中性粒子のみによって処理されることを排除するものではない。
【0007】
また,プラズマを被処理体の処理面上を効率良く通過させ,かつ処理面に沿って被処理体の周縁部まで確実に流すためには,各プラズマ導入経路を被処理体の対向面に開口させ,各排気経路を被処理体の周囲下方に開口させることが好ましく,各プラズマ導入経路の開口部および各排気経路の開口部を周方向に等間隔で配置することが好ましい。
【0008】
また,プラズマ処理室内のプラズマの流れ方向を規則的に異なる方向に変化させるためには,さらに各プラズマ導入経路の開閉および各排気経路の開閉を時系列的に制御する手段を備えることが好ましい。かかる構成によれば,プラズマが導入されない箇所が生じることなく,被処理体の処理面全面にプラズマを導入できるので,均一な処理を行うことができる。
【0009】
また,本発明の第2の観点によれば,プラズマ生成室で生成されたプラズマをプラズマ処理室に導入し,プラズマ処理室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において,プラズマは相互に切り換え可能な複数のプラズマ導入経路を介してプラズマ処理室に導入され,プラズマ処理室内の雰囲気は相互に切り換え可能な複数の排気経路を介して排気されることを特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【0010】
かかる構成によれば,各プラズマ導入経路と各排気経路の開閉によりプラズマの導入位置と雰囲気の排気位置とを変え,プラズマ処理室内のプラズマの流れ方向を変化させることができるので,プラズマを被処理体の処理面全面に均一に供給できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に,添付図面を参照しながら,本発明にかかるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を酸化処理装置および酸化処理方法に適用した好適な実施の一形態について詳細に説明する。
【0012】
(1)酸化処理装置の構成
図1に示す酸化処理装置100の処理室102は,気密な処理容器104内に形成されている。また,処理室102内には,被処理体,例えば半導体ウェハ(以下,「ウェハ」と称する。)Wを載置可能な載置台106が配置されている。なお,処理容器104および載置台106は,表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから形成されている。
【0013】
また,載置台106の載置面と対向する処理室102の天井部には,図1および図2に示すように,処理室102内にラジカルを導入するためのプラズマ導入管132から分岐した本実施の形態にかかる第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118の第1〜第5導入口110a,112a,114a,116a,118aが形成されている。第1〜第5導入口110a,112a,114a,116a,118aは,図3に示すように,ウェハWの表面にラジカルを導入可能なように,載置台106上にウェハWを載置した際に,該ウェハWと対向する処理室102の天井部に形成されている。さらに,図示の例では,第1〜第5導入口110a,112a,114a,116a,118aは,第1導入口110aを中心として,第2〜第5導入口112a,114a,116a,118aが半径方向かつ周方向に等間隔で配置されている。かかる構成により,処理時には,ラジカルをウェハW表面の複数箇所に導入することができる。
【0014】
また,図1および図2に示すように,第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118には,制御器120の制御により,第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118内を通過するラジカルの流量を調整する本実施の形態にかかる第1〜第5導入バルブ122,124,126,128,130がそれぞれに対応して介装されている。なお,第1〜第5導入バルブ122,124,126,128,130の開度調整については,後述する。
【0015】
また,第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118と,プラズマ導入管132は,それぞれ例えば石英から成り,ラジカル通過時に該ラジカルが失活しない程度の内径および長さに設定されている。また,第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118とプラズマ導入管132は,ラジカルが壁部に衝突して失活しないように,なるべく屈曲部が形成されないように配管されている。ただし,プラズマ導入管132には,後述のキャビティ138からラジカルとともに,処理に悪影響を及ぼすイオンや電子も供給されるが,該イオンや電子はラジカルよりも壁部への衝突により失活し易い性質を有している。従って,プラズマ導入管132あるいは第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118,例えば第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118に,屈曲部110b,112b,112c,114b,116b,116c,118bをそれぞれに対応して設ければ,処理に必要なラジカルを選択的に処理室102内に導入することができる。
【0016】
また,図1に示すように,プラズマ導入管132の一端は,マイクロ波発生器134から導波管136を介して導入される所定周波数,例えば2.45GHzのマイクロ波をプラズマ導入管132内に導入するキャビティ138内に配置され,プラズマ生成室を構成している。なお,導波管136およびキャビティ138は,例えばステンレスから形成されている。かかる構成により,処理ガス源140から開閉バルブ142を介してプラズマ導入管132内に処理ガス,例えばO2を導入すると,該O2がキャビティ138内通過時にマイクロ波の作用によりプラズマ化され,酸素ラジカル,イオン,電子が生成される。また,生成された酸素ラジカル等のうち,イオンおよび電子はプラズマ導入管132内および第1〜第5分岐導入管110,112,114,116,118内の通過時に上記の如く消失する。従って,酸素ラジカルが第1〜第5導入口110a,112a,114a,116a,118aから処理室102内のウェハW表面に導入され,上記酸素ラジカルによりウェハWのSi層が酸化されてSiO2膜が形成される。
【0017】
一方,載置台106周囲下方の処理室102の床部には,図1,図3および図4に示すように,処理室102内のガスを排気するための本実施の形態の特徴である第1〜第4分岐排気管144,146,148,150の第1〜第4排気口144a,146a,148a,150aが周方向に略等間隔で形成されている。なお,本実施の形態では,図3に示すように,第1および第3分岐排気管144,148と,第1,第3および第5分岐導入管110,114,118とは同一断面に配置されないが,説明の便宜上,図1では,第1および第3分岐排気管144,148と,第1,第3および第5分岐導入管110,114,118とを一緒に図示している。
【0018】
また,図1および図4に示すように,第1〜第4分岐排気管144,146,148,150は,排気管152を介して真空ポンプP154に接続されている。また,第1〜第4分岐排気管144,146,148,150には,上記制御器120の制御により,第1〜第4分岐排気管144,146,148,150内を通過するガスの排気量を調整する本実施の形態にかかる第1〜第4排気バルブ156,158,160,162がそれぞれに対応して介装されている。なお,第1〜第4排気バルブ156,158,160,162の開度調整については,後述する。
【0019】
(2)第1〜第5導入バルブおよび第1〜第4排気バルブの開度調整
第1〜第5導入バルブ122,124,126,128,130および第1〜第4排気バルブ156,158,160,162は,図1に示す制御器120により,図5に示すタイミングチャートに従って一定時間ごとに規則的に開度調整が行われる。
【0020】
まず,処理開始時T0時からT1時までは,第1〜第5導入バルブ122,124,126,128,130および第1〜第4排気バルブ156,158,160,162の全てを開放する。その結果,図6(a)に示すように,第1〜第5導入口110a,112a,114a,116a,118aの全てからウェハW表面全面に向けてラジカルが導入された後,ウェハW表面を通過したガスが第1〜第4排気口144a,146a,148a,150aの全てから排気される。なお,説明の便宜上,図6(a)では,第1,第3および第5分岐導入管110,114,118と,第1および第3分岐排気管144,148のみを示し,また図6(b)および図6(c)では,第1,第2および第4分岐導入管110,112,116と,第1および第2分岐排気管144,146のみを示している。
【0021】
次いで,T1時からT2時までは,第2導入バルブ124と,第2および第3排気バルブ158,160を開放したままで,他の各バルブを閉じる。その結果,図6(b)に示すように,第2導入口112aからラジカルが導入されるとともに,処理室102内のガスは第2および第3排気口146,148から排気されるので,ラジカルはウェハW上を第2導入口112a側から第2および第3排気口146,148側に流れる。
【0022】
以下同様に,T2時からT3時までは,第3導入バルブ126と,第3および第4排気バルブ160,162が開放されて,ラジカルがウェハW上を第3導入口114a側から第3および第4排気バルブ160,162側に流れる。また,T3時からT4時までは,第4導入バルブ128と,第1および第4排気バルブ156,162が開放されて,図6(c)に示すように,上記T1時からT2時までとは逆に,ラジカルがウェハW上を第4導入口116a側から第1および第4排気口144a,150a側に流れる。さらに,T4時からT5時までは,第5導入バルブ130と,第1および第2排気バルブ156,158が開放されて,上記T2時からT3時までとは逆に,ラジカルがウェハW上を第5導入口118a側から第1および第2排気バルブ144a,146a側に流れる。また,T5時から処理終了時までは,上述したT0時〜T5時の各工程が順次繰り返し行われる。
【0023】
以上のように,T0時〜T1時は,ラジカルがウェハW全面に導入され,またT1時〜T5時は,上記ラジカルの流れが順次時計回りで規則的に変えられていき,さらに上記各動作が処理開始から処理終了まで連続的に行われる。その結果,処理全体としてみれば,ラジカルがウェハWの処理面に複数方向からむら無く導入されるので,結果的にウェハW全面に均一にラジカルを導入することができ,均一な酸化処理を施すことができる。なお,上記ラジカルの流れが順次反時計回りで変わるように,第1〜第5導入バルブ122,124,126,128,130と,第1〜第4排気バルブ156,158,160,162の開度調整を行っても良い。
【0024】
以上,本発明の好適な実施の一形態について,添付図面を参照しながら説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において,当業者であれば,各種の変更例および修正例に想到し得るものであり,それら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0025】
例えば,上記実施の形態において,処理室に5つの導入口と4つの排気口を設ける構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,ラジカル流の制御が可能であれば,任意の数の給気口と排気口を処理室に備えても,本発明を実施することができる。
【0026】
また,上記実施の形態において,T0時〜T1時以外の各時間では,1つの導入口からラジカルを導入し,2つの排気口からガスを排気する構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,任意の数の導入口からラジカルを導入し,任意の数の排気口から排気する構成を採用しても,本発明を実施することができる。
【0027】
さらに,上記実施の形態において,O2から生じた酸素ラジカルによりウェハに酸化処理を施す構成を例に挙げて説明したが,本発明はかかる構成に限定されるものではなく,例えばN2とO2との混合ガスを処理ガスとして使用し,生成された窒素ラジカルと酸素ラジカルにより被処理体に酸窒化処理を施したり,あるいはN2を処理ガスとして使用し,生成された窒素ラジカルにより被処理体に窒化処理を施す場合にも,本発明を適用することができる。
【0028】
【発明の効果】
本発明によれば,処理室外部で生成されたラジカルを処理室内に配置された被処理体に均一に導入でき,均一な処理を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用可能な酸化処理装置を示す概略的な断面図である。
【図2】図1に示す酸化処理装置の上部を表す概略的な斜視図である。
【図3】図1に示す酸化処理装置の導入口と排気口の配置位置を説明するための概略的な説明図である。
【図4】図1に示す酸化処理装置の下部を表す概略的な斜視図である。
【図5】図1に示す酸化処理装置の導入バルブおよび排気バルブの開閉タイミングを説明するための概略的なタイミングチャート図である。
【図6】図1に示す酸化処理装置の処理時のラジカルの流れを説明するための概略的な説明図である。
【符号の説明】
100 酸化処理装置
102 処理室
106 載置台
110,112,114,116,118 第1〜第5分岐導入管
110a,112a,114a,116a,118a 第1〜第5導入口
120 制御器
122,124,126,128,130 第1〜第5導入バルブ
132 プラズマ導入管
138 キャビティ
140 処理ガス源
144,146,148,150 第1〜第4分岐排気管
144a,146a,148a,150a 第1〜第4排気口
152 排気管
154 真空ポンプ
156,158,160,162 第1〜第4排気バルブ
W ウェハ
Claims (4)
- プラズマを生成するプラズマ生成室と,前記プラズマを導入して被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理室とを備えたプラズマ処理装置において:
前記プラズマは相互に切り換え可能な複数のプラズマ導入経路を介して前記プラズマ処理室に導入され,前記プラズマ処理室内の雰囲気は相互に切り換え可能な複数の排気経路を介して排気され、
前記複数のプラズマ導入経路の各プラズマ導入経路の開閉および前記複数の排気経路の各排気経路の開閉を時系列的に制御する手段を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。 - 前記各プラズマ導入経路は前記被処理体の対向面に開口し,前記各排気経路は前記被処理体の周囲下方に開口していることを特徴とする,請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記各プラズマ導入経路の開口部および前記各排気経路の開口部は周方向に等間隔で配されることを特徴とする,請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ生成室で生成されたプラズマをプラズマ処理室に導入し,前記プラズマ処理室内に配置された被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において:
前記プラズマは相互に切り換え可能な複数のプラズマ導入経路を介して前記プラズマ処理室に導入され,前記プラズマ処理室内の雰囲気は相互に切り換え可能な複数の排気経路を介して排気され、
前記複数のプラズマ導入経路の各プラズマ導入経路の開閉および前記複数の排気経路の各排気経路の開閉を時系列的に制御することを特徴とする,プラズマ処理方法。
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