JP4309752B2 - フォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法 - Google Patents

フォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法 Download PDF

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本発明は、半導体装置の製造に用いるフォトマスクのマスクパターンを検査するフォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法に関するものである。
半導体製造工程に適用される検査装置として、フォトマスクのマスクパターン欠陥を検査する装置がある(例えば、特許文献1参照)。この装置は、フォトマスクを照明する照明光学系と、フォトマスクの像を検出して画像信号を出力するためのセンサと、出力された画像信号に基づいてマスクパターンを検査する検査装置を有している。
前記照明光学系に用いられる光源としては、一般的に水銀ランプが使用されている。この水銀ランプによれば、可視光領域から紫外領域(365nm近辺)までの波長を有する光を用いてフォトマスクを照明することができる(例えば、非特許文献1参照)。
米国特許第4559603号明細書 M. Tabata, et al.、"A new die-to-database mask inspection system with i-line optics for 256Mbit and 1Gbit DRAMs"、SPIE Vol.3096 、1997、p.415-422
ところで、近年、半導体装置の高性能化に伴い、フォトマスクのマスクパターンはますます微細化・高集積化している。これに伴い検査装置には高い分解能を発揮することが求められている。高分解能を実現するためには照明光の波長を短波長化する必要があるが、従来の水銀ランプでは短波長領域においては検査装置に使用できる照度が得られない。したがって、水銀ランプに代えて紫外線レーザ等のレーザ光源を用いる必要がある。
しかしながら、レーザ光を欠陥検査装置の光源として用いると、レーザの可干渉性から一定の干渉縞(スペックル)が発生してしまうということがある。この干渉縞が生じると、センサから出力された検出画像に明るさの「むら」が現れるため、欠陥検査の際、この「むら」がパターン欠陥によるものなのかレーザの干渉縞によるものなのか判別できなくなってしまうという問題が発生する。
したがって、この発明は、レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査するフォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法を提供することを目的とする。
この発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、複数の厚さを有するとともに、これらの厚さが、レーザ光の波長の4分の1の整数倍になるよう設定された透光性板において、レーザ光を透過させて、その位相を連続的に変化させ、かつその明るさ分布を均一化した状態で、フォトマスクに照射する照明ステップと、前記レーザ光と前記フォトマスクとを相対的に移動させながら前記フォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記フォトマスクの画像を形成する画像取得ステップと、前記フォトマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出ステップとを含むフォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法を提供する。
このような構成によれば、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、これに基づいて高精度の検査を行なえる。
このような構成によれば、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精度な欠陥情報に基づいてフォトマスクの欠陥修復を行なうことができる。
以上説明した構成によれば、レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえる。
以下、この発明の一実施形態を図面を参照して説明する
(第1の実施形態)
図1はマスクパターン検査装置及びこのマスクパターン検査装置の検査結果に基づいてマスクを修復するマスク修復装置20を示したものである。
図1中符号1で示すのはXYテーブルである。このXYテーブル1は、検査・修復対象であるフォトマスク2を保持し、これを任意のXY方向に駆動するもので、XYテーブル駆動ドライバ3を介して中央制御部4に接続されている。
また、この検査装置はこのXYテーブル1に保持されたフォトマスク2を照明する照明光学系5を有する。この照明光学系5は、レーザー光を発振するレーザ光源としてのArレーザ6と、レーザ光の干渉縞を変化させレーザ光の明るさ分布を均一化するレーザ光均一化光学系7と、この均一化光学系7を通過したレーザー光を前記フォトマスク2上にスポット状に照射する対物レンズ8とからなる。
前記均一化光学系7は、蝿の目レンズ10(フライアレイレンズ)と、回転位相板11と、振動ミラー12とからなる。
まず、蝿の目レンズ10は、複数のレンズ10aがアレイ状に並べられて集積化されてなる構造を有するものである。この蝿の目レンズ10によれば、複数の2次光源像を形成することができ、これらの瞳像がフォトマスク2上で重なり合うため、レーザ6の強度分布を均一化することができる。
また、図2(a)は前記回転位相板11を示す正面図である。この回転位相板11は、任意の一部分を図2(b)、(c)に拡大して示すように、表面に深さの異なる多数の段差11a〜11dがランダムに設けられてなる透光性の円盤である。このような回転位相板11によれば、場所により厚さが異なることから、この回転位相板11を回転させつつレーザ光を透過させることでこのレーザ光の位相を各段差11a〜11dの深さに応じて変化させることができる。各段差11a〜11dは、レーザ光の位相をそれぞれ0、1/4λ、1/2λ及び3/4λ…だけずらすことのできる厚さに形成されている。
この回転位相板11は、図1に示す回転駆動モータ13によって回転駆動されるようになっており、このモータ13は図示しないモータドライバを介して前記中央制御部4に接続されている。この中央制御部4は、前記回転位相板11を例えば10,000rpmで回転させるように前記モータ13を制御する。
このようにレーザ光の位相をランダムに変化させることにより、レーザ光の干渉縞を変化させることができ、さらにこれを高速で行なうことで、レーザ光の明るさを均一化することができる。
一方、前記振動ミラー12はピエゾ素子等の機械的駆動部15により例えば100HZの振動数で揺動振動されるように構成されており、このミラー12で反射するレーザ光の光軸を周期的にずらす機能を有する。
このようにレーザ光の光軸をずらすことで、次に図3(a)、(b)及び図4(a)〜(d)を参照して説明するようにレーザ光の干渉縞を変化させることができる。すなわち、図3(a)は前記レーザ光源6から発振されたレーザ光の明るさ分布(干渉縞)を示す平面図であり、図3(b)は断面III−IIIでの明るさ分布を示す波形である。
前記振動ミラー12を振動させることで、図3(b)に示した明るさ分布波形を図4(a)〜(d)に示すように横方向にずらすことができ、このずれ幅が1波長(図に示すλ)以上となる振幅で前記振動ミラー12を高速で振動させることで図4(e)に示すようにレーザ光の明るさを均一化することができる。なお、この振動ミラー12の振幅及び振動数は前記中央制御部4によって決定され、制御されるようになっている。
以上より、この振動ミラー12を通過したレーザ光は明るさが均一化された状態で対物レンズ8を通してフォトマスク2上に照射されることになる。
また、この装置は、フォトマスク2の像を検出するためのセンサとして、図1に示す蓄積型(TDI)センサ17を用いる。この蓄積型センサ17は、1ライン1048画素、計64ラインの光電変換素子からなるものである。そして、この蓄積型センサ17は、図に18で示すセンサ回路により制御されるようになっている。すなわち、この蓄積型センサ17は前記フォトマスク2(XYテーブル1)の移動スピードに同期させて、1ラインからの光強度出力信号を隣のラインからの光強度出力信号に順次足しあわせながら蓄積し、64ライン分の強度信号が蓄積されたならばこれを出力する特殊な機能を有するものである。
ここで、蓄積型センサ17の信号蓄積にかかる時間(信号蓄積時間)は、フォトマスク2の同一箇所を第1ライン〜第64ラインの全てで検出するのにかかる時間に等しい。そして、この信号蓄積時間は、前記均一化光学系7によりレーザ光の明るさを均一化できる最小の時間に設定することが好ましい。
この実施形態では、例えば図4(a)〜(d)で示す工程で前記干渉縞に対応する光の波形を波長λだけずらすことのできる時間と前記信号蓄積時間とを一致させればレーザ光の可干渉性に影響されない均一な検出信号を得ることができる。
なお、これとは逆に、蓄積型センサ17の信号蓄積時間に合わせて、前記回転位相板11の回転数、振動ミラー12の振動数を決定するようにしても良い。
すなわち、蓄積型センサ17の信号蓄積時間が短い場合には、この短い時間内でレーザ光の明るさを均一化する必要がある。したがって、前記回転位相板11の回転数や振動ミラー12の振動数を大きくすることが必要となる。
この実施形態では、前述したように、回転位相板11の回転数を10,000rpm、振動ミラー12の振動数を100Hzとし、蓄積型センサの1ラインのスキャン時間を30μsecとして信号蓄積時間を30μsec*64=1.92msecとすることで、均一な検出信号を得ることができた。
このように、均一化光学系7と蓄積型センサ17とを用いて、フォトマスク2を照明しその像を検出するようにすることで、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を検出することができる。したがって、このフォトマスク2のマスクパターンを高分解能で検出すること可能になる。
このようにして検出されたマスクパターン像は、前記中央制御部4によりマスクパターンの検査に用いられ、その検査結果はマスク修復装置20に送られてマスクパターンの修復に利用される。
以下、この検査及び修復工程を図5に示すフローチャートを用いて説明する。
まず、欠陥検査では、パターンが設計した位置に形成されているか、形成されたパターンに欠陥がないか検査する必要がある。ここで、パターンの欠陥には、パターンの一部が欠落している場合(欠落欠陥)、不要な部分が除去されずに残っている場合(残り欠陥)の他、異物が付着している場合(異物付着)も含まれる。
ステップS1でマスクパターン像の検出が終了したならば、前記中央制御部4は、この検出結果に基づいて欠陥が生じている位置及び欠陥の種類を特定する(ステップS2)。
ここで、パターン欠陥検査方式としては、実パターン比較方式と設計パターン比較方式を適宜選択して採用することができる。実パターン比較方式は、隣り合った同一パターンを比較して検査する方法である。設計パターン比較方式は、パターンの設計データと測定データとを比べて検査する方法である。
この実施形態では、設計パターン比較方式によるものとして、図1に設計データ展開装置21を示した。すなわち、この方式では、前記蓄積型センサ17から得られたマスクパターン像と前記設計データ展開装置21により展開された設計パターン像(CADデータ)との位置合わせを行い、それらの比較を行うことで欠陥位置及び欠陥種類の特定を行なうようにする。
なお、ステップS2において欠陥が生じていないと判断された場合には、検査処理は終了する(END)。また、欠陥が隣接する複数のパターンに跨っている場合等、修正不可能な欠陥である場合(ステップS3)には、そのマスクパターン膜を除去して再度パターンニングを実行するようにする(ステップS4)。
前記ステップS2で欠陥位置及び欠陥種類が特定されたならば、前記中央制御部4は、その欠陥情報を当該フォトマスク2と共にフォトマスク修復装置20に受け渡す。
フォトマスク修復装置20では、欠陥の種類に応じて適宜の修復方法を実行する。すなわち、欠陥が欠落欠陥であると判断された場合(ステップS5)には、検出された欠落位置の情報に基づいてパターンを付加して正常なパターン形状に修正する(ステップS6)。欠陥が残り欠陥の場合(ステップS7)には、検出された残り位置の情報に基づいて電子ビーム等で不要なパターンを除去して正常なパターン形状に修復する(ステップS8)。
また、欠陥が異物付着の場合(ステップS9)には、フォトマスク2を洗浄工程に移送することで異物を除去する(ステップS10)。
以上の工程が実行されたならば、このフォトマスク修復装置20は当該フォトマスク2を欠陥位置情報と共に前記フォトマスク検査装置(図1)に受け渡す。
前記中央制御部4は、前記欠陥位置情報に基づいてフォトマスク2の欠陥修復部の像のみを検出し、この像に基づいてステップS2の検査を再度行う。そして、必要な場合には当該フォトマスク2を再度修復装置20に受け渡してステップS4〜S10の修復工程を実行させる。
このような構成によれば、レーザ光の可干渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精度な欠陥情報に基づいてフォトマスク2の欠陥修復を行なうことができる。
なお、この第1の実施形態では、均一化光学系7として振動ミラー12を有するものを挙げたが、この振動ミラー12を設けなくても一定の効果を得ることができる。
図6は、この例による実施形態を示したものである。この例でも、前記蓄積型センサ17の蓄積時間は、前記回転位相板の回転により前記レーザ光の明るさを均一化できる時間に応じて決定するようにすれば良い。
また、これとは逆に蓄積型センサの蓄積時間に応じて回転位相板の回転数を定めるようにしても良い。
(第2の実施形態)
次に、この発明の第2の実施形態を図7を参照して説明する。この実施形態は、図1に示した装置の均一化光学系7の他の実施形態を示すものである。したがって、その他の部分は図示を省略すると共に、第1の実施例形態と同様の構成要件については同一符号を付してその説明は省略する。
この実施形態の均一化光学系7’は、蝿の目レンズ10と、この蝿の目レンズ10の2次光源面に配設した第1の回転位相板11’と、リレー光学系22と、このリレー光学系22を挟んで前記第1の回転位相板11’と共役な位置に配設された第2の回転位相板11”とを有する。
なお、第1、第2の回転位相板11’、11”としては、第1の実施形態と同様のものを用いるようにすれば良い。また、前記リレー光学系22により光源像が反転するので、第1、第2の回転位相板11’、11”の回転方向を逆にする。
このような構成によっても、レーザ光を前記蝿の目レンズ10を通し光源の強度分布を均一化した後、第1、第2の回転位相板11’、11”を通すので、前記第1の実施形態と同様に干渉縞を変化させレーザ光の明るさを均一化することができる。
そして、この場合、第1、第2の回転位相板11’、11”の回転数の合計を第1の実施形態の回転位相板11の回転数とすれば良いので、個々の回転位相板11’、11”の回転数を小さくすることができ、装置の負担が軽くなる。
なお、この実施形態で重要なことは、第1、第2の回転位相板11’、11”の回転数の差が装置の固有振動数に一致しないようにすることである。回転数の差が固有振動数に一致する場合には、共振が発生してしまい均一化効果が不十分になる可能性があるばかりでなく最悪の場合装置が破損する恐れがあるからである。
(第3の実施形態)
次に、この発明の第3の実施形態を図8以下を参照して説明する。
この実施形態は、第1の実施形態の均一化光学系の更なる別の例に関するものである。従って、その他の構成要素についてはその図示を省略する。
まず、前記レ−ザ光源6から光束の直径が2Lの直線偏向のレ−ザ光が出力されているとする。
このレ−ザ光は第1の光束分割ユニット31に入射される。この光束分割ユニット31は図9に示すようにレ−ザ光を上下2つに分割し、レ−ザ光の上半分の光束をそのまま通過させ、下半分の光束に対して45度傾けて設置されている下半分の光束をミラ−31a、31b,31c,31dで反射して迂回させるようにしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるように設定されている。そして、ミラ−31d以降において、光束の上半分と下半分とが合流する。
このような光束分割ユニット31によれば、ミラ−31dの下流位置A(図8)において、レ−ザ光の光束が図11に示すように上下a1,a2の2つに分割される。
そして、光束分割ユニット31の下流には、第2の光束分割ユニット32が設けられている。この光束分割ユニット32は、図10に示すように、入射される光束を左右2つに分割し、レ−ザ光の左半分をそのまま通過させ、右半分の光束に対して、右半分の光束に対して45度傾けて設置されているミラ−32a,32b,32c,32dで反射させて迂回させるようにしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるように設定されている。
このように第1、第2の光束分割ユニット30、31と通過したレーザ光束は、図1に示すミラ−32dの下流位置Bにおいて、図12に示すように上下左右に互いに干渉しない4つの領域b1〜b4に分割される。
そして、光束分割ユニット32の下流には、反射ミラ−33が設置されている。この反射ミラ−33によりレ−ザ光の光束が90度曲げられる。
そして、反射ミラ−33で反射されたレ−ザ光は、そのレ−ザ光の一部分の偏向方向を90度回転させる1/2λ板34に入射される。
つまり、この1/2λ板34を通過したレ−ザ光の偏向方向は図13に示すようになる。
1/2λ板34の下流側には、レ−ザ光の干渉をなくすための蠅の目レンズ35が設けられている。
この蠅の目レンズ35の下流には、回転位相板36が設けられている。この回転位相板36は図示しないモ−タにより回転制御される。この回転位相板36は、第1の実施形態と同様の構成を有するものであり、レ−ザ光の干渉縞を変化させる機能を有する。
さらに、この回転位相板36を通過したレ−ザ光は、反射ミラ−37により90度だけその光路が曲げられる。
そして、この反射ミラ−37で反射されたレーザ光は、コンデンサレンズ38で凝縮されて対物レンズ39に集光される。そして、この対物レンズ19によりマスクパタ−ン40上にスポット41が集光される。
このような構成によれば、レーザ光束の一部を迂回させて光路長を異ならせたり回転させたりすることでレーザ光の可干渉性を低減させることができ、また、これを回転位相板に通すことで、明るさを均一化することができる。従って、第1の実施形態と略同様の効果をえることが可能となる。
また、このような構成によれば、わずか8つのミラ−でレ−ザ光を4つの互いに干渉しない光束に分割することができるため、構成及び光伝送効率も向上する。
なお、図8に示した1/2λ板34の前方に図14に示すようなくさび型プリズム42を設けることにより、一層スペックルを低減させることができる。
なお、このくさび型プリズム42は1/2λ板34の前方ではなく後方に設けても良い
この発明の第1の実施形態を示す概略構成図。 (a)〜(c)は、この発明の第1の実施形態を説明するための図で、回転位相板を示す概略構成図。 (a)、(b)は、この発明の第1の実施形態を説明するための図で、レーザ光の可干渉性により生じる試料上での干渉縞を示した平面図及び明るさ分布を示す波形図。 (a)〜(e)は、この発明の第1の実施形態を説明するための図で、光軸をずらすことにより明るさを均一化する工程を示す波形図。 この発明の第1の実施形態を説明するための図で、マスク検査及びマスク修復工程を説明するためのフローチャート。 この発明の第1の実施形態の変形例を示す概略構成図。 この発明の第2の実施形態を示す概略構成図。 この発明の第3の実施形態を示す概略構成図。 この発明の第3の実施形態を説明するための図で、第1の光束分割ユニットを示す概略構成図。 この発明の第3の実施形態を説明するための図で、第2の光束分割ユニットを示す概略構成図。 この発明の第3の実施形態を説明するための図で、第1の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。 この発明の第3の実施形態を説明するための図で、第2の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。 この発明の第3の実施形態を説明するための図で、光束の一部が回転させれた状態のレーザ光の偏向方向を説明するための説明図。 第3の実施形態の変形例を示す概略構成図。
符号の説明
1…XYテーブル、2…フォトマスク、3…XYテーブル駆動ドライバ、4…中央制御部、5…照明光学系、6…レーザ光源、7…均一化光学系、8…対物レンズ、10…蝿の目レンズ、11…回転位相板、12…振動ミラー、13…回転駆動モータ、15…機械的駆動部、17…蓄積型センサ、19…対物レンズ、20…マスク修復装置、21…設計データ展開装置、22…リレー光学系。

Claims (18)

  1. 複数の厚さを有するとともに、これらの厚さが、レーザ光の波長の4分の1の整数倍になるよう設定された透光性板において、レーザ光を透過させて、その位相を連続的に変化させ、かつその明るさ分布を均一化した状態で、フォトマスクに照射する照明ステップと、
    前記レーザ光と前記フォトマスクとを相対的に移動させながら前記フォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記フォトマスクの画像を形成する画像取得ステップと、
    前記フォトマスクの画像に基づいて前記フォトマスクのパターンの欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有することを特徴とするフォトマスク検査方法。
  2. 請求項1記載のフォトマスク検査方法において、
    前記照明ステップは、
    前記レーザ光の光軸を前記フォトマスクに対して連続的もしくは断続的に変化させることで前記レーザ光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化するステップを含む
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  3. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    前記レーザ光の光軸をフォトマスクに対して変化させる周期は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  4. 請求項1記載のフォトマスク検査方法において、
    前記透光性板の回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  5. 請求項1記載のフォトマスク検査方法において、
    前記照明ステップは、
    前記レーザ光を、回転する複数の前記透光性板に順次透過させるステップを含む
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  6. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    前記複数の透光性板の合計回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定されている
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  7. 請求項1記載のフォトマスク検査方法において、
    前記照明ステップは、
    レ−ザ光束の一部の光束のみを迂回する第1の迂回ステップと、
    前記第1の迂回ステップの迂回方向とは異なる方向に、前記第1の迂回ステップを経たレ−ザ光の一部の光束を迂回する第2の迂回ステップとを有し、
    レ−ザ光源の光束を分割することで、レーザ光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  8. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    前記照明ステップは、
    前記第1の迂回ステップは、前記レ−ザ光束の半分の光束のみを迂回させ、
    前記第2の迂回ステップは、前記第1の迂回ステップの迂回方向とは90度異なる方向に、前記第1の迂回ステップを経たレ−ザ光の半分の光束を迂回させ、前記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない4つの光束に分割することで、前記レーザ光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  9. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    前記第1の迂回ステップ及び第2の迂回ステップの各迂回路と迂回しない光路との光路差を前記レ−ザ光源の可干渉距離以上とすることで、前記レ−ザ光源の光束を互いに干渉性のない4つの光束に分割する
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  10. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    さらに、前記第2の迂回ステップを経たレーザ光束のうち光束の中心を含んだ一部分の光束の偏向方向を90度回転させる1/2λ板を有する
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  11. 請求項記載のフォトマスク検査方法において、
    前記1/2λ板の前方あるいは後方にくさび型プリズムを設けた
    ことを特徴とするフォトマスク検査方法。
  12. 複数の厚さを有するとともに、これらの厚さが、レーザ光の波長の4分の1の整数倍になるよう設定された透光性板において、レーザ光を透過させて、その位相を連続的に変化させ、かつその明るさ分布を均一化した状態で、フォトマスクに照射する照明光学系と、
    前記レーザ光と前記フォトマスクとを相対的に移動させながら前記フォトマスクの像をセンサで検知すると共に、蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記フォトマスクの画像を形成する画像取得部と、
    前記フォトマスクの画像に基づいて前記マスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出装置と
    を有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
  13. 請求項12記載のフォトマスク検査装置において、前記センサは、蓄積型センサであることを特徴とするフォトマスク検査装置。
  14. 請求項12記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、回転位相変化板を有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
  15. 請求項12記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、フライアレイレンズを有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
  16. 請求項12記載のフォトマスク検査装置において、前記照明光学系は、振動ミラーを有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
  17. 請求項12記載のフォトマスク検査装置において、
    前記照明光学系は、第1の光路と第2の光路とを有し、これら第1の光路と第2の光路は異なる長さを有することを特徴とするフォトマスク検査装置。
  18. フォトマスクにパターンを形成するステップと、
    複数の厚さを有するとともに、これらの厚さが、レーザ光の波長の4分の1の整数倍になるよう設定された透光性板において、レーザ光を透過させて、その位相を連続的に変化させ、かつその明るさ分布を均一化した状態で、前記フォトマスクに照射する照明ステップと、
    前記レーザ光と前記フォトマスクとを相対的に移動させながら前記フォトマスクの像を蓄積型センサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動させて取り出し、前記フォトマスクの画像を形成する画像取得ステップと、
    前記フォトマスクの画像に基づいて、前記フォトマスクのパターンの欠陥を検出する欠陥検出ステップと、前記フォトマスクのパターンの欠陥が検出された場合、このフォトマスクのパターンの欠陥検出結果に基づいてパターンの欠陥位置を特定し、前記フォトマスクのパターンの欠陥を修復する欠陥修復ステップとを有することを特徴とするフォトマスク製造方法。
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