JP4301068B2 - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、互いに電気的に接続された半導体素子とリードフレームとがモールド樹脂で封止されてなる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関する。

この種の樹脂封止型半導体装置は、ワイヤなどによって互いに電気的に接続された半導体素子とリードフレームとがモールド樹脂で封止されてなるものである。このような樹脂封止型半導体装置において、リードフレームは、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉなどの外装メッキが施されているのが主流である。

ここで、近年では、組み付け工程の簡略化およびコストダウンのために、あらかじめリードフレーム表面に、プリント基板へのはんだなどによる実装において、はんだとの濡れ性を高めるような仕様のメッキ（たとえばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ）を施しているリードフレーム（Ｐｒｅ Ｐｌａｔｅｄ Ｆｒａｍｅ、以下ＰＰＦと略記する）が採用されはじめている（たとえば、特許文献１参照）。

また、一方で、樹脂封止型半導体装置におけるリードフレームとモールド樹脂との密着性を高めるために、リードフレームのメッキ表面を粗化する技術が提案されている（たとえば、特許文献２、特許文献３参照）。

このメッキ表面を粗化する技術は、リードフレームのメッキ表面を粗化することによって、（１）リードフレームにおけるモールド樹脂との接着面積が大きくなる、（２）モールド樹脂が粗化されたメッキ膜の凹凸に食いつきやすくなる、などの効果（つまり、アンカー効果）を期待するものである。

そのことにより、リードフレームのモールド樹脂への密着性が向上し、リードフレームとモールド樹脂との間の剥離を防止することが可能となり、樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。
特開平４−１１５５５８号公報 特開平６−２９４３９号公報 特開平１０−２７８７３号公報

しかしながら、上記ＰＰＦにメッキ表面の粗化技術を用いたリードフレーム（以下、「ＰＰＦ＋メッキ粗化」のリードフレームという）を採用した場合、以下のような弊害がでることが知られている。

ユーザは、プリント基板に、はんだあるいはＰｂフリーはんだを介して樹脂封止型半導体装置を実装するわけであるが、実装後にリード曲がり等の外観検査を行って出荷している。

この外観検査は、一般にレーザ照射装置によって自動で行なっている。具体的には、アウターリードとプリント基板のソルダレジストとの双方にレーザを照射して、その反射光量の違いで両者を識別している。

ここで、ＰＰＦの場合、外装メッキ工程が無いので、アウターリードのメッキが粗化されたままの状態でユーザに納入される。つまり、メッキ膜が粗化されたアウターリードにレーザを照射しているわけであるが、メッキ膜を粗化することはリードフレーム表面の光沢度を下げることに等しい。

そして、リードフレーム表面の反射率が下がるため、メッキ表面が黒っぽくなり、その色調は、ソルダレジストに近いものになってしまい、両者を識別しにくくなる。つまり、「ＰＰＦ＋メッキ粗化」のリードフレームにおいては、自動外観検査によるリード曲がり不良等の異常を検知しにくくなるという問題が生じる。

プリント基板のソルダレジストの色をユーザに変更してもらうことは、プリント基板側の大幅な設計変更が必要になることなどから困難であるので、リードフレームのメッキの表面粗度を下げて光沢面にすれば上記問題は解決するが、そうすると、逆にパッケージ内部の樹脂密着性が低下し信頼性が低下してしまう。

本発明は、上記問題に鑑み、樹脂封止型半導体装置において、リードフレーム表面をメッキすることによりリードフレームにおけるモールド樹脂との密着性を確保しつつ、プリント基板実装後の外観検査においてプリント基板のソルダレジストとアウターリードとの識別を容易に行えるようにすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、互いに電気的に接続された半導体素子（２０）とリードフレーム（３０）とがモールド樹脂（５０）で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）の表面には、モールド樹脂（５０）との密着性を向上させるためのメッキ膜（３０ａ）が形成されており、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）のうちプリント基板へ（２００）の実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）には、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）が、形成されていることを特徴としている。

それによれば、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）内に位置するインナーリード（３１）では、メッキ膜（３０ａ）によってモールド樹脂（５０）との密着性が確保される。

また、アウターリード（３２）の検査面（１００ａ）に設けられた光沢面（３２ｂ）によって、プリント基板（２００）への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト（２２０）との識別が容易になる。

よって、本発明によれば、リードフレーム表面をメッキすることによりリードフレームにおけるモールド樹脂との密着性を確保しつつ、プリント基板実装後の外観検査においてプリント基板のソルダレジストとアウターリードとの識別を容易に行えるようにすることができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置において、検査面（１００ａ）としては、アウターリード（３２）のうちプリント基板（２００）に接続される面（３２ａ）とは反対側の面であり、この検査面（１００ａ）に前記光沢面（３２ｂ）が形成されているものにできる。

さらに、請求項３に記載の発明のように、請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置においては、検査面（１００ａ）は、アウターリード（３２）の先端部に位置する面であるものにできる。

また、請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置において、光沢面（３２ｂ）におけるアウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）は、０．４ｍｍ以上の大きさであることを特徴としている。

プリント基板（２００）実装後の外観検査におけるレーザ照射エリアの位置ズレを考慮すれば、光沢面（３２ｂ）におけるアウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）は、０．４ｍｍ以上の大きさであることが好ましい。

また、請求項５に記載の発明のように、請求項１〜請求項４に記載の樹脂封止型半導体装置においては、メッキ膜（３０ａ）は、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものにできる。

また、請求項６に記載の発明のように、請求項１〜請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置においては、メッキ膜（３０ａ）は、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものにできる。

また、請求項７に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止した後、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）を、パンチ（３２０ａ）を用いたプレス加工により切り離すようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、アウターリード（３２）を切り離す際に、パンチ（３２０ａ）をアウターリード（３２）のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）に面接触させた状態で、パンチ（３２０ａ）によって検査面（１００ａ）を押さえることにより、当該押さえられた検査面（１００ａ）を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

請求項８に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）を製造する工程において、リードフレーム（３０）の表面にメッキ膜（３０ａ）を形成した後、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、治具（４００、５００、６００）にてクランプすることにより、当該クランプによって押さえられた部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

請求項９に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）との電気的接続を行う工程、もしくは、モールド樹脂（５０）による封止を行う工程において、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、治具（７００、８００）にてクランプすることにより、当該クランプによって押さえられた部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

請求項１０に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）を製造する工程において、リードフレーム（３０）の表面にメッキ膜（３０ａ）を形成した後、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、ブラスト処理することにより、当該ブラスト処理された部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、ブラスト処理することによって、リードフレーム（３０）のうち検査面（１００ａ）となる部位のメッキ膜（３０ａ）の表面を削り平坦化できることから、ブラスト処理された部位を適切に光沢面（３２ｂ）とすることができる。

つまり、本発明によれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

請求項１１に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、メッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位に、他の部位よりも厚い保護膜（３０ｅ）を形成することにより、保護膜（３０ｅ）が形成された部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、リードフレーム（３０）のうち検査面（１００ａ）となる部位において、比較的厚い保護膜（３０ｅ）を形成すれば、メッキ膜（３０ａ）の表面に存在する凹凸が保護膜（３０ｅ）により埋められて平滑化されるため、保護膜（３０ｅ）が形成された部位を適切に光沢面（３２ｂ）とすることができる。

つまり、本発明によれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

ここで、請求項１２に記載の発明のように、請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、リードフレーム（３０）への保護膜（３０ｅ）の形成は、モールド樹脂（５０）による封止の前に行うことができる。具体的には、リードフレーム（３０）の製造工程において、リードフレーム（３０）の表面にメッキ膜（３０ａ）を形成した後に行うことができる。

また、請求項１３に記載の発明のように、請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、リードフレーム（３０）への保護膜（３０ｅ）の形成は、モールド樹脂（５０）による封止の後に行うことができる。

それによれば、保護膜（３０ｅ）を形成するときに、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）によってマスキングされた部位については、マスクが不要になる。

また、請求項１４に記載の発明のように、請求項１１〜請求項１３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、保護膜（３０ｅ）としては、金属膜を用いることができる。

さらに、請求項１５に記載の発明のように、請求項１４に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、前記金属膜としては、メッキにより形成された膜とすることができる。

また、請求項１６に記載の発明のように、請求項１１〜請求項１５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、保護膜（３０ｅ）として、メッキ膜（３０ａ）の酸化防止効果を有する膜を用いることができる。それによれば、保護膜によるメッキ膜（３０ａ）の酸化の防止が図れ、好ましい。

また、請求項１７に記載の発明のように、請求項１１〜請求項１６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、保護膜（３０ｅ）として、Ａｕ、Ｐｄおよびはんだから選択された少なくとも１種からなるものを用いることができる。

本発明では、保護膜（３０ｅ）は、Ａｕ、Ｐｄ、はんだのいずれかから選択された単層膜でもよいし、これらが積層されてなる積層膜であってもよい。特に、Ａｕは酸化防止効果があるため、好ましい。

また、請求項１８に記載の発明では、請求項１１〜請求項１７に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、保護膜（３０ｅ）として、Ａｕからなるものを用い、その厚さが０．０５μｍ以上となるように保護膜（３０ｅ）を形成することを特徴としている。

本発明者らの検討によれば、Ａｕからなる保護膜（３０ｅ）の厚さを０．０５μｍ以上とすれば、光沢面（３２ｂ）によって、プリント基板（２００）への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト（２２０）との識別が容易になる。

請求項１９に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、機械的手法により研磨することにより、当該研磨された部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、メッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）のうち検査面（１００ａ）となる部位において、当該メッキ膜（３０ａ）を機械的手法により研磨することで平滑化できるため、当該研磨された部位を、適切に光沢面（３２ｂ）として形成することができる。

つまり、本発明によれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

ここで、請求項２０に記載の発明のように、請求項１１〜請求項１９に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものを用いることができる。

さらに、請求項２１に記載の発明のように、請求項２０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用いることができる。

請求項２２に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）の製造工程において、リードフレーム（３０）の表面に、メッキ膜（３０ａ）のうちの一番下側の膜を、モールド樹脂（５０）との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜として形成した後、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位において、当該粗化されたメッキ膜を化学研磨することにより、当該化学研磨された部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、メッキ膜（３０ａ）における一番下側の膜すなわちリードフレーム母材の直上の膜を、粗化メッキ膜として形成した後、リードフレーム（３０）のうち検査面（１００ａ）となる部位において、当該粗化メッキ膜を化学研磨することにより平滑化できるため、当該化学研磨された部位を、適切に光沢面（３２ｂ）として形成することができる。

つまり、本発明によれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

ここで、リードフレーム（３０）の表面に形成されるメッキ膜（３０ａ）は積層膜でも単層膜でもよいが、単層膜の場合には、上記の一番下側の膜は、この単層膜自身のことである。

また、積層膜としては、請求項２３や請求項２４に記載の発明のようなものにすることができる。

すなわち、請求項２３に記載の発明では、請求項２２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものを用い、前記一番下側の膜としてのＮｉメッキに前記化学研磨を施した後、前記Ｐｄメッキを形成することを特徴としている。

さらに、請求項２４に記載の発明では、請求項２３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用い、前記一番下側の膜としての前記Ｎｉメッキに前記化学研磨を施した後、前記Ｐｄメッキ、前記Ａｕメッキを形成することを特徴としている。

また、請求項２５に記載の発明では、請求項１１〜請求項２４に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、光沢面（３２ｂ）の比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすることを特徴としている。

本発明者らの検討によれば、光沢面（３２ｂ）の比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすれば、光沢面（３２ｂ）によって、プリント基板（２００）への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト（２２０）との識別が容易になる。

また、請求項２６に記載の発明のように、請求項１１〜請求項２５に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、検査面（１００ａ）が、アウターリード（３２）のうちプリント基板（２００）に接続される面（３２ａ）とは反対側の面である場合、この検査面（１００ａ）に光沢面（３２ｂ）を形成することができる。

さらに、請求項２７に記載の発明のように、請求項２６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、検査面（１００ａ）は、アウターリード（３２）の先端部に位置する面であるものにできる。

また、請求項２８に記載の発明のように、請求項１１〜請求項２７に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、光沢面（３２ｂ）におけるアウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることができる。

これは、上述したように、プリント基板（２００）実装後の外観検査におけるレーザ照射エリアの位置ズレを考慮すれば、光沢面（３２ｂ）におけるアウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）は、０．４ｍｍ以上の大きさであることが好ましいためである。

また、請求項２９に記載の発明では、請求項１１〜請求項２８に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、光沢面（３２ｂ）を、アウターリード（３２）の先端部から一定の距離（Ｌ２）をおいて位置する幅を持った領域とすることを特徴としている。

幅を持った領域である光沢面（３２ｂ）を、アウターリード（３２）の先端部から一定の距離（Ｌ２）をおいて位置させることにより、外観検査におけるレーザ照射エリアおよびその照射位置などのばらつきを考慮したものとでき、好ましい。

請求項３０に記載の発明では、表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、リードフレーム（３０）の製造工程において、リードフレーム（３０）の表面に、メッキ膜（３０ａ）としてモールド樹脂（５０）との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜（３０ｂ）を形成するものであり、この粗化されたメッキ膜（３０ｂ）を、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位以外の部位に、選択的に形成し、粗化されたメッキ膜（３０ｂ）が形成されていない部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べてメッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、リードフレーム（３０）のうちの検査面（１００ａ）となる部位以外の部位に、粗化されたメッキ膜（３０ｂ）が形成され、一方、検査面（１００ａ）となる部位には通常のメッキを施すことなどにより、適切に光沢面（３２ｂ）を形成することができる。

つまり、本発明によれば、上記請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置を適切に製造することのできる製造方法が提供される。

請求項３１に記載の発明では、樹脂との密着性を向上させるための粗化されたメッキ膜（３０ａ）が表面に形成されたリードフレーム（３０）を用意し、リードフレーム（３０）と半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴としている。

すなわち、モールド樹脂（５０）による封止を行った後、リードフレーム（３０）のアウターリード（３２）の表面のメッキ膜（３０ａ）を、リードフレーム（３０）の母材表面が露出するように剥離させ、その後、アウターリード（３２）の表面に再度メッキを施すことにより、当該メッキが施された部位を、リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴としている。

それによれば、リードフレーム（３０）のうちモールド樹脂（５０）内に位置するインナーリード（３１）では、メッキ膜（３０ａ）によってモールド樹脂（５０）との密着性が確保される。

また、リードフレーム（３０）において検査面（１００ａ）を含むアウターリード（３２）には、適切に光沢面（３２ｂ）が形成されるため、プリント基板（２００）への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト（２２０）との識別が容易になる。

よって、本発明によれば、リードフレーム表面をメッキすることによりリードフレームにおけるモールド樹脂との密着性を確保しつつ、プリント基板（２００）実装後の外観検査においてプリント基板のソルダレジストとアウターリードとの識別を容易に行えるようにすることができる。

また、本発明によれば、リードフレーム（３０）のアウターリード（３２）の表面のメッキ膜（３０ａ）を剥離する工程や、その後アウターリード（３２）の表面に再度メッキを施す工程において、インナーリード（３１）はモールド樹脂（５０）により封止されマスキングされているので、これら各工程においてインナーリード（３１）をマスキングするためのマスクを別途設けることが不要になるという利点もある。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

また、以下の各平面図においては、識別の容易化を図るために、便宜上、ハッチングを施してあるが、これらは断面を示すものではない。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１００の要部の概略断面構成を示す図であり、図２は、図１に示される樹脂封止型半導体装置をプリント基板２００にはんだ２１０を介して実装した状態を示す概略平面図である。

［樹脂封止型半導体装置の構成等］
図１に示されるように、半導体装置１００は、アイランド部１０に、半導体素子としての半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０とボンディングワイヤ４０を介して結線され電気的に接続されている。

ここで、半導体チップ２０は、シリコン半導体基板に周知の半導体製造技術を用いてトランジスタ素子などを形成してなるものである。また、ボンディングワイヤ４０は、ワイヤボンディングにより形成された金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などからなるワイヤである。

これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０、およびリードフレーム３０におけるインナーリード３１はモールド樹脂５０により包み込まれるようにモールドされ封止されている。

このモールド樹脂５０は、通常の樹脂封止型半導体装置に用いられるエポキシ系樹脂などのモールド材料を採用して、金型を用いたトランスファーモールド法などにより形成されるものである。そして、このモールド樹脂５０が、半導体装置の本体すなわちパッケージボディを構成している。

ここで、リードフレーム３０のうちアウターリード３２は、モールド樹脂５０から突出している。このアウターリード３２は、図１に示されるように、曲がり形状を有しており、その先端部に位置する面３２ａが、外部基板であるプリント基板２００に接続される面３２ａである。

このリードフレーム３０は、たとえば銅や４２アロイ合金などの通常のリードフレーム材料を母材としており、その表面には、メッキ膜３０ａが形成されている。このメッキ膜３０ａは、リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで形成されるものである。

また、図１に示されるように、製造時においてリードフレーム３０と一体化しているアイランド部１０にも、その表面には、同じメッキ膜３０ａが形成されている。なお、アイランド部１０には、半導体チップ２０が銀ペーストなどのダイボンド材を介して搭載固定されているが、図１では、このダイボンド材は省略してある。

このメッキ膜３０ａは、下地（母材）より、厚さ０．５μｍ〜２．５μｍ程度のＮｉメッキ、厚さ０．００２μｍ〜０．０２μｍ程度のＰｄメッキ、厚さ０．００２μｍ〜０．０２μｍ程度のＡｕメッキの３層構造となっている。なお、場合によっては、最表層のＡｕメッキの無い２層構造であっても良い。

また、このメッキ膜３０ａリードフレーム３０とモールド樹脂５０との密着性を向上させるためのものであり、メッキ膜３０ａの表面は粗化されている。つまり、本実施形態のリードフレーム３０は「ＰＰＦ＋メッキ粗化」のものである。具体的には、図１に示されるように、メッキ膜３０ａは、その表面に凹凸を形成したものである。

このメッキ膜３０ａの粗化方法は公知である。たとえば、Ｎｉメッキのメッキ成膜時にメッキ条件や薬液成分を調整するなどにより粗化を行ってもよいし、メッキ前のリード母材またはメッキ後にサンドブラスト等による機械的粗化または薬品による化学的粗化により行ってもよい。

このような樹脂封止型半導体装置１００において、本実施形態では、図１に示されるように、リードフレーム３０のうちモールド樹脂から突出する部位であるアウターリード３２のうちプリント基板２００への実装後における外観検査が行われる検査面１００ａ（図２参照）には、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面３２ｂが形成されている。

本実施形態では、検査面１００ａは、図２中の破線四角形にて示される領域であり、アウターリード３２のうち外部基板であるプリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面である。つまり、本実施形態では、検査面１００ａは、アウターリード３２の先端部に位置する面である。

この検査面１００ａに形成された光沢面３２ｂは、図１に示されるように、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となっており、それにより、光沢性にすぐれたものとなっている。

なお、この光沢面３２ｂにおいて、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となっていることは、電子顕微鏡観察などにより確認している。そして、図１に示されるような光沢面３２ｂの形状は、この観察結果に基づいている。

上述したように、図２は、本樹脂封止型半導体装置１００をプリント基板２００にはんだ２１０で実装した状態を真上から見たものである。プリント基板２００には、アウターリード３２に対応してはんだ２１０が配設されており、はんだ２１０以外の部位はソルダレジスト２２０にて被覆されている。

ここで、ソルダレジスト２２０は、一般にはんだのレジスト材として工業的用いられているものであり、エポキシ樹脂やアクリル樹脂等からなり、印刷法等にて形成されるものである。

図２に示されるように、自動外観検査でレーザを照射する部位は、アウターリード３２の検査面１００ａであり、プリント基板２００のソルダレジスト２２０における領域２００ａである。この領域２００ａをソルダレジスト２２０の検査面２００ａということにする。

ここで、上述したように、アウターリード３２の検査面１００ａは、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状でありアウターリード３２のその他の部位に比べて光沢性に優れた光沢面３２ｂとなっている。

そして、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向（つまり長手方向）に沿った長さＬ１は、レーザ照射エリアの位置ズレを考慮して０．４ｍｍ以上が望ましい。

［製造方法等］
次に、光沢面３２ｂの形成方法も含めた樹脂封止型半導体装置１００の製造方法について、説明する。

リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、リードフレーム３０のアイランド部１０にＡｇペーストなどのダイボンド材を介して半導体チップ２０を搭載する。その後、リードフレーム３０と半導体チップ２０とをボンディングワイヤ４０によって互いに電気的に接続し、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。

その後、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０から突出する部位であるアウターリード３２を、パンチ３２０ａ（図３（ｃ）参照）を用いたプレス加工により切り離す。このモールド樹脂５０の封止後におけるリードフレーム３０の成形工程について、図３、図４を参照して説明する。

図３は、リードフレーム３０の成形工程を、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に示す概略断面図であり、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応した概略平面図である。

なお、図４（ａ）〜（ｃ）において、斜線ハッチングで示される領域は、各工程においてパンチ３００ａ、３１０ａ、３２０ａが当たる領域を示している。

［図３（ａ）および図４（ａ）に示される工程］
この図３（ａ）および図４（ａ）に示される工程では、リードフレーム３０の１次切断を行う（１次切断工程）。

図４（ａ）に示されるように、このモールド樹脂５０の封止後におけるリードフレーム３０は、アウターリード３２が、フレーム部３３や連結部３４によって一体に連結された状態となっている。

この１次切断工程では、図３（ａ）に示されるように、１次切断用パンチ３００ａ、１次切断用ストリッパー３００ｂ、１次切断用ダイ３００ｃを用いて、図３（ａ）中の左図から右図に示すように、アウターリード３２先端の連結部３４よりも先の部分を１次切断用パンチ３００ａによって切断し、切り離す。

［図３（ｂ）および図４（ｂ）に示される工程］
続いて、この図３（ｂ）および図４（ｂ）に示される工程では、アウターリード３２を折り曲げて成形する（リード成形工程）。

具体的には、図３（ａ）に示されるように、リード成形用パンチ３１０ａ、リード成形用アッパーアンビル３１０ｂ、リード成形用ダイ３１０ｃを用いて、図３（ｂ）中の左図から右図に示すように、アウターリード３２をリード成形用パンチ３１０ａによって押し曲げる。

［図３（ｃ）および図４（ｃ）に示される工程］
続いて、この図３（ｃ）および図４（ｃ）に示される工程では、アウターリード３２の先端側を連結している連結部３４を切断する（２次切断工程）。

具体的には、図３（ｃ）に示されるように、２次切断用パンチ３２０ａ、２次切断用リフター３２０ｂ、２次切断用ダイ３２０ｃを用いて、図３（ｃ）中の左図から右図に示すように、アウターリード３２先端の連結部３４を２次切断用パンチ３２０ａによって切断し、切り離す。

ここで、アウターリード３２を切り離す際に２次切断用、パンチ３２０ａをアウターリード３２のうちプリント基板２００への実装後における外観検査が行われる検査面１００ａに面接触させた状態とし、この面接触の状態で、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、当該パンチ３２０ａによって検査面１００ａを押さえる。

それにより、当該押さえられた検査面１００ａを、リードフレーム３２におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成する。つまり、本実施形態の光沢面３２ｂは、２次切断用パンチ３２０ａのパンチマークとして形成される。

図５は、この２次切断用パンチ３２０ａをアウターリード３２の検査面１００ａへ面接触させる様子を拡大して示す断面図である。また、図６は、比較例として、従来の２次切断の様子を示す断面図である。

さらに、図７は、比較例として、従来の２次切断によりリード成形された樹脂封止型半導体装置Ｊ１００をプリント基板２００にはんだ２１０を介して実装した状態を示す概略平面図である。

まず、従来では、図６に示されるように、２次切断用パンチ３２０ａのアウターリード３２への接触は、点接触であり、その結果、パンチマークは、図７に示されるように、アウターリード３２の最先端のみである。そして、図７中に示されるパンチマークの長さＬ１は０．１ｍｍ程度である。

つまり、従来の２次切断では、本実施形態のように、アウターリード３２の検査面１００ａに２次切断用パンチ３２０ａを接触させるものではなく、当該検査面１００ａには、パンチマークすなわち光沢面３２ｂは形成されない。

それに対して、本実施形態では、図５に示されるように、２次切断用パンチ３２０ａの押さえ部分を幅広のものとして、アウターリード３２の検査面１００ａのほぼ全体を押さえるようにしている。

そのため、本実施形態によれば、上記図２に示されるように、従来に比べて、広いパンチマークを形成することができ、検査面１００ａを光沢面３２ｂとして形成することができる。

ちなみに、従来、アウターリード３２の先端のみ押さえていたのは、外装メッキされたリードフレームのメッキが金型（パンチやダイなど）側に付着するのを極力避けるためである。

これは、従来の外装メッキされたリードフレームの場合、メッキ自体が柔らかいことが原因で起こる現象であり、今回のＰＰＦのように硬いメッキのものはその心配がないのでリードフレームを面で押さえることが可能となる。

つまり、本実施形態は、ＰＰＦを用いるがゆえ、そのＰＰＦにおける硬いメッキ膜特性を活かすことに着目して、リードフレーム切断用のパンチを、旧来の上記点接触タイプから上記面接触タイプに改良することにより、アウターリードへの光沢面の形成を可能としたものである。

こうして、本実施形態では、２次切断工程まで行うことにより、上記図１、図２に示されるような半導体装置１００ができあがる。

そして、図２に示されるように、この半導体装置１００は、アウターリード３２の先端部の面３２ａにおいて、はんだ２１０を介してプリント基板２００上に接続されることで実装される。

［効果等］
ところで、本実施形態によれば、互いに電気的に接続された半導体チップ２０とリードフレーム３０とがモールド樹脂５０で封止されてなる樹脂封止型半導体装置１００において、次のような点を特徴とする樹脂封止型半導体装置１００が提供される。

すなわち、リードフレーム３０の表面には、モールド樹脂５０との密着性を向上させるためのメッキ膜３０ａが形成されており、リードフレーム３０のアウターリード３２のうちプリント基板２００への実装後における外観検査が行われる検査面１００ａには、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面３２ｂが、形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置１００が提供される。

それによれば、リードフレーム３０のインナーリード３１では、メッキ膜３０ａによってモールド樹脂５０との密着性が確保される。具体的には、粗化されたメッキ膜３０ａによって密着性確保がなされる。

また、アウターリード３２の検査面１００ａに設けられた光沢面３２ｂによって、プリント基板２００への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト２２０との識別が容易になる。

よって、本実施形態によれば、リードフレーム３０表面をメッキすることによりリードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行えるようにすることができる。

なお、本実施形態では、図１、図２に示したように、検査面１００ａは、アウターリード３２のうち外部基板であるプリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面であり、この検査面１００ａに光沢面３２ｂが形成されている。そして、この検査面１００ａは、アウターリード３２の先端部に位置する面である。

また、本実施形態によれば、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体チップ２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体チップ２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止した後、リードフレーム３０のアウターリード３２を、パンチ３２０ａを用いたプレス加工により切り離すようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような特徴点を有する製造方法が提供される。

すなわち、アウターリード３２を切り離す際に、パンチ３２０ａをアウターリード３２の検査面１００ａに面接触させた状態で、パンチ３２０ａによって検査面１００ａを押さえることにより、当該押さえられた検査面１００ａを、上記光沢面３２ｂとして形成することを特徴とする。この製造方法により、本実施形態の半導体装置１００が適切に製造される。

上記した本半導体装置１００によるアウターリード３２の識別効果について、より具体的な例を挙げて説明する。

まず、上記図７に示したような従来の半導体装置Ｊ１００では、アウターリード３２の検査面１００ａに光沢面３２ｂは形成されず、その検査面１００ａは粗化されたままの面となっている。

そのため、この従来のものについて、プリント基板２００に実装した後、外観検査を行いレーザ照射した場合には、リードフレーム表面の色調は、ソルダレジスト２２０に近いものになってしまい、ソルダレジスト２２０とアウターリード３２との両者を識別しにくくなる。

図８は、図７に示されるような従来のものについて、外観検査を行った結果を示す図である。

この図８において、（ａ）はソルダレジスト２２０の検査面２００ａにおける反射光量を示すグラフ、（ｂ）はアウターリード３２の検査面１００ａにおける反射光量を示すグラフである。なお、図８において、横軸の反射光量は色調を任意単位で表し、縦軸の頻度は回数を単位としている。

図８に示されるように、従来では、識別に用いるそれぞれの検査面１００ａおよび２００ａの色調が近いためにレーザの反射光量が重なる部分（図８中、ＮＧ部と図示）があった。

そのため、従来では、たとえば、図７中の一番右側のアウターリード３２のように曲がっているものが存在しても、これを識別することは困難であった。そのため、現行のレーザ照射方式では、リード曲がりなどの不具合が見過ごされがちであった。

それに対して、図９は、上記図１、図２に示されるような本実施形態の半導体装置１００について、外観検査を行った結果を示す図である。

図９において、（ａ）はソルダレジスト２２０の検査面２００ａにおける反射光量を示すグラフ、（ｂ）はアウターリード３２の検査面１００ａにおける反射光量を示すグラフである。なお、図９において、横軸の反射光量は色調を任意単位で表し、縦軸の頻度は回数を単位としている。

図９に示されるように、本実施形態では、識別に用いるそれぞれの検査面１００ａおよび２００ａの色調が重なることが無く、ソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別が容易に行われる。よって、リード曲がり等の不具合を現行のレーザ照射方式で検知することが可能となる。

なお、本実施形態では、上述したように、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向（長手方向）に沿った長さＬ１は、０．４ｍｍ以上の大きさであることが好ましいとしている。そして、この程度以上の広さが確保されるならば、光沢面３２ｂは、アウターリード３２の全体に形成されていてもよい。

また、光沢面３２ｂの光沢のレベルは、限定するものではないが、ソルダレジスト２２０の反射光量のばらつきの最大値よりも約２倍以上の反射光量が得られる程度のレベルであることが好ましい。

（第２実施形態）
上記第１実施形態では、モールド樹脂５０の封止後におけるリードフレーム３０の成形工程において、光沢面３２ｂを形成したが、本発明の第２実施形態は、リードフレーム３０の製造工程において、光沢面３２ｂを形成するものである。

図１０、図１１、図１２は、それぞれ、本実施形態の光沢面３２ｂの形成方法としての第１の例、第２の例、第３の例を示す概略断面図である。

図１０に示される第１の例は、リードフレーム３０をディプレスするときに、金型でアウターリード３２となる部位をクランプすることにより、光沢面３２ｂを形成するものである。

まず、リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、図１０（ａ）に示されるように、このリードフレーム３０を、ディプレス用保持治具４００によりクランプして保持する。

このとき、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位を、ディプレス用保持治具４００でクランプする。それにより、当該治具４００にクランプされて押さえられた部位を上記光沢面３２ｂとして形成する。

続いて、図１０（ｂ）に示されるように、ディプレス用パンチ４１０によりリードフレーム３０のアイランド部１０をプレスすることにより、ディプレスを行う。つまり、リードフレーム３０において、アイランド部１０とその周囲のリード部分との間に段差を形成する。

こうして、ディプレスされたリードフレーム３０を製造した後は、上記実施形態と同様に、リードフレーム３０と半導体チップ２０とをボンディングワイヤ４０によって互いに電気的に接続し、続いて、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。

そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことによって、本例においても、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

また、図１１に示される第２の例は、リードフレーム３０の先端カットを行う場合、この先端カットを行うときに金型でアウターリード３２となる部位をクランプすることにより、光沢面３２ｂを形成するものである。

まず、上記と同様にして、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、図１１（ａ）に示されるように、このリードフレーム３０を、先端カット用保持治具５００によりクランプして保持する。

このとき、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位を、先端カット用保持治具５００でクランプする。それにより、当該治具５００によりクランプされて押さえられた部位を上記光沢面３２ｂとして形成する。

続いて、図１１（ｂ）に示されるように、先端カット用パンチ５１０によりリードフレーム３０のうちインナーリード３１となる部分のアイランド部１０側をカットする。これが先端カットである。

つまり、リードフレーム３０のうちインナーリード３１となる部分は、複数本配列して存在するが、これらの配列ピッチが狭いようなときには、当該インナーリード３１となる部分のアイランド部１０側の先端部は、連結部により連結されことにより、ばたつきを防止するようにしている。

そして、リードフレーム３０を使用する際には、この連結部を切断する必要があるが、この連結部を切断する工程が、リードフレーム３０の先端カット工程である。本例では、この先端カットの際に、先端カット用保持治具５００により、クランプを行い上記光沢面３２ｂを形成する。

本例においても、その後は、上記実施形態と同様に、リードフレーム３０と半導体チップ２０とのボンディングワイヤ４０による接続、モールド樹脂５０による封止を行い、しかる後、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

また、図１２に示される第３の例は、リードフレーム３０のテープ貼りを行う場合に、このテープ貼りの際に金型でアウターリード３２となる部位をクランプすることにより、光沢面３２ｂを形成するものである。

まず、上記と同様にして、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、図１２（ａ）に示されるように、このリードフレーム３０を、テープ貼り用保持治具６００によりクランプして保持する。

このとき、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位を、テープ貼り用保持治具６００でクランプする。それにより、当該治具６００によりクランプされて押さえられた部位を上記光沢面３２ｂとして形成する。

続いて、図１２（ｂ）に示されるように、テープ貼り治具６１０によりリードフレーム３０のうちインナーリード３１となる部分に絶縁性テープ６２０を貼り付け、インナーリード同士を当該テープ６２０によりずれないように固定する。これがテープ貼り工程である。

このテープ貼り工程も、リードフレーム３０のうちインナーリード３１となる部分の配列ピッチが狭いようなときに、ばたつきを防止するために行うものである。そして、本例では、このテープ貼りの際に、テープ貼り用保持治具６００により、クランプを行い上記光沢面３２ｂを形成する。

本例においても、その後は、上記実施形態と同様に、リードフレーム３０と半導体チップ２０とのボンディングワイヤ４０による接続、モールド樹脂５０による封止を行い、しかる後、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行う。

それにより、本例においても、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。なお、できあがった樹脂封止型半導体装置において、上記絶縁性テープ６２０は貼り付いたままでよい。

ところで、本実施形態によれば、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体チップ２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体チップ２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とする製造方法を提供することができる。

すなわち、リードフレーム３０を製造する工程において、リードフレーム３０の表面にメッキ膜３０ａを形成した後、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、治具４００、５００、６００にてクランプすることにより、当該クランプによって押さえられた部位を、上記光沢面３２ｂとして形成することを特徴とするものである。

それによれば、上記第１実施形態と同様に、リードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行える樹脂封止型半導体装置を適切に製造することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、リードフレーム３０と半導体チップ２０との電気的接続を行う工程において、光沢面３２ｂを形成するものである。図１３は、本実施形態の光沢面３２ｂの形成方法を示す概略断面図である。

本実施形態の製造方法では、まず、リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、図１３に示されるように、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０とをワイヤボンディングするときに、光沢面３２ｂを形成する。

つまり、半導体チップ２０が搭載されたリードフレーム３０を、ワイヤボンディング用保持治具７００によりクランプする。

このとき、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、ワイヤボンディング用保持治具７００によりクランプする。それにより、当該治具７００によりクランプされて押さえられた部位を、上記光沢面３２ｂとして形成する。

そして、ボンディング装置に備えられたボンディングツール７１０によりワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

このように、本実施形態によれば、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、リードフレーム３０と半導体チップ２０との電気的接続を行う工程において、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、治具７００にてクランプすることにより、当該クランプによって押さえられた部位を上記光沢面３２ｂとして形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。

それによれば、上記第１実施形態と同様に、リードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行える樹脂封止型半導体装置を適切に製造することができる。

なお、半導体チップ２０とリードフレーム３０との電気的接続は、ボンディングワイヤ４０以外にも、バンプなどのその他の手法によるものであってもよい。その場合にも、当該電気的接続を行う工程において、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、何らかの治具にてクランプすればよい。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態は、モールド樹脂５０による封止を行う工程において、光沢面３２ｂを形成するものである。図１４は、本実施形態の光沢面３２ｂの形成方法を示す概略断面図である。

本実施形態の製造方法では、まず、リードフレームの素材板をエッチングやスタンピングなどで、リードフレーム形状にパターニングした後、メッキ処理することで、表面に上記メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意する。

そして、上記実施形態と同様に、リードフレーム３０と半導体チップ２０とをボンディングワイヤ４０によって互いに電気的に接続する。

続いて、図１４に示されるように、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するときに、光沢面３２ｂを形成する。

つまり、半導体チップ２０と電気的に接続されたリードフレーム３０を、モールド樹脂５０の成型用治具である金型８００内に設置する。

このとき、メッキ膜３０ａ表面の突起が潰れた形状となるように、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、金型８００によりクランプする。それにより、当該金型８００によりクランプされて押さえられた部位を、上記光沢面３２ｂとして形成することができる。

そして、金型８００内に、樹脂を注入・充填・硬化することにより、モールド樹脂５０を成形することができる。その後は、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

このように、本実施形態によれば、樹脂封止型半導体装置の製造方法において、モールド樹脂５０による封止を行う工程において、リードフレーム３０のアウターリード３２となる部位のうち上記検査面１００ａとなる部位を、治具８００にてクランプすることにより、当該クランプによって押さえられた部位を上記光沢面３２ｂとして形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。

それによれば、上記第１実施形態と同様に、リードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行える樹脂封止型半導体装置を適切に製造することができる。

なお、上記各実施形態における光沢面３２ｂの形成方法は、当該光沢面３２ｂを形成する各工程が、いずれも従来では極力メッキ面にキズをつけないようにすることを前提にした工程であったが、ＰＰＦの硬いメッキ膜という特性を利用して、必要な部位については金型や治具等で積極的にメッキ面を潰すという新しい考え方によるものである。

（第５実施形態）
また、上記各実施形態では、メッキ表面を押し潰して光沢面３２ｂにすることのみ述べてきたが、ソルダレジストの反射光量と差が出るのであれば、光沢面３２ｂの表面は真っ平らである必要は無い。

本発明の第５実施形態によれば、たとえば、図１５（ａ）に示されるように、光沢面３２ｂの表面を粗な凹凸面としたり、図１５（ｂ）に示されるように、光沢面３２ｂの表面に緩やかな凹凸を加えたものでもよい。

その製造方法としては、光沢面３２ｂを形成するために押さえつけを行う治具に緩やかな凹凸を加えておいても良いし、後からレーザやブラスト処理等によって形状加工を加えても良い。ここで、ブラスト処理としては、サンドブラストや、ガラスビーズあるいはドライアイス、圧縮エアーなどを用いたブラスト処理を行うことができる。

このブラスト処理を用いた半導体装置の製造方法は、リードフレーム３０を製造する工程において、リードフレーム３０の表面にメッキ膜３０ａを形成した後、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位を、ブラスト処理することにより、当該ブラスト処理された部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴とする樹脂封止型半導体蔵置の製造方法であるといえる。

それによれば、ブラスト処理することによって、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位のメッキ膜３０ａの表面を削り平坦化できることから、ブラスト処理された部位を適切に光沢面３２ｂとすることができる。

そして、このようなブラスト処理によって光沢面３２ｂを形成したリードフレーム３０を用いて、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０との間で、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

また、その他の方法としては、リードフレームの加工工程においてメッキ処理前に、リードフレーム母材に変化を与える方法でも良い。

たとえば、リードフレーム母材に対して、認識に用いる部位すなわち検査面となる部位のみ予めプレス加工またはレーザやサンドブラストなどのブラスト処理等により表面に緩やかな凹凸を加え、その後のメッキ成膜の仕方に変化を与えるなどによって他の部位と粗化状態を異なるものにするようにしてもよい。

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態は、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体素子２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。

図１６は、本実施形態の製造方法を説明するための図であり、本実施形態によって製造されたリードフレーム３０の概略断面図である。

すなわち、本実施形態では、図１６に示されるように、メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位に、他の部位よりも厚い保護膜３０ｅを形成することにより、保護膜３０ｅが形成された部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴としている。

それによれば、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、比較的厚い保護膜３０ｅを形成すれば、メッキ膜３０ａの表面に存在する凹凸が保護膜３０ｅにより埋められて平滑化されるため、保護膜３０ｅが形成された部位を適切に光沢面３２ｂとすることができる。

そして、このような保護膜３０ｅによって光沢面３２ｂを形成したリードフレーム３０を用いて、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０との間で、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

もちろん、本実施形態においても、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０内に位置するインナーリード３１では、上記保護膜３０ｅは形成されておらず、当該インナーリード３１においては、粗化された表面状態を有するメッキ膜３０ａによってモールド樹脂５０との密着性が確保される。

本実施形態の製造方法の特徴的なところについて、より具体的に述べる。

図１６に示されるように、リードフレーム３０の母材３０’、たとえばＣｕなどからなる母材３０’の上に、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂを形成し、その上に、Ｎｉメッキ膜３０ｂ表面の酸化を防止するための層としてパラジウム（Ｐｄ）メッキ膜３０ｃ、金（Ａｕ）メッキ膜３０ｄを順次形成する。

ここで、パラジウムの役割は、Ｎｉの拡散を防止するためであり、このパラジウムを形成しておくことにより、Ａｕメッキ膜３０ｄへのＮｉの拡散が防止でき、その結果、Ａｕ表面へのＮｉ拡散を防止することになり、リードフレーム３０の表面の酸化を防止することが可能となる。

上記のように粗化されたメッキの表面形状を有するリードフレーム３０を形成した後、このリードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位以外の部位を、樹脂や金型等にてマスクすることで覆い、スパージャなどを用いて保護膜３０ｅとしてのＡｕめっき膜３０ｅを、検査面１００ａとなる部位に選択的に形成する。

なお、保護膜としてのＡｕめっき膜３０ｅを形成する工程については、粗化されたメッキ膜３０ａ有するリードフレーム３０を形成した後でなくてもよい。

たとえば、リードフレーム３０のメッキ膜３０ａを形成する際に、メッキ膜３０ａの最表面層としてのＡｕメッキ膜３０ｄを形成する工程において、可能であるならば、部分的にＡｕメッキ膜を厚くを形成し、この部分的に厚くなったＡｕメッキ膜のところを保護膜として構成するようにしてもよい。

さらに、このリードフレーム３０への保護膜３０ｅの形成は、モールド樹脂５０による封止の前、具体的には、上記したようにリードフレーム３０の製造工程において行うこと以外にも、モールド樹脂５０による封止の後に行うことができる。

具体的には、上記同様に、モールド樹脂３０でパッケージングした後であって、このモールドパッケージをプリント基板２００に実装する前に、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位以外の部位を、樹脂等でマスクすることで覆い、このものを、Ａｕをめっきする液槽に浸漬することにより、保護膜としての上記Ａｕめっき膜３０ｅを部分的に形成してもよい。

リードフレーム３０への保護膜３０ｅの形成を、モールド樹脂５０による封止の後に行うことにより、保護膜３０ｅを形成するときに、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０によって封止されマスキングされた部位については、マスクが不要になる。

本実施形態の製造方法によれば、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、比較的厚い保護膜３０ｅを形成すれば、メッキ膜３０ａの表面に存在する凹凸が保護膜３０ｅにより埋められて平滑化されるため、保護膜３０ｅが形成された部位を適切に光沢面３２ｂとすることができる。

また、保護膜３０ｅとしては、金属膜を用いることができる。そのような金属膜の成膜方法としては、メッキ以外にも、たとえば蒸着やスパッタなどでもよい。また、保護膜３０ｅとして、メッキ膜３０ａの酸化防止効果を有する膜を用いるようにすれば、保護膜３０ｅによるメッキ膜３０ａの酸化の防止が図れ、好ましい。

具体的、保護膜３０ｅとしては、上記したＡｕ以外にも、Ｐｄおよびはんだから選択された少なくとも１種からなるものを用いることができる。たとえば、Ｐｄメッキ膜やはんだメッキ膜などを、保護膜３０ｅとすることができる。

さらには、保護膜３０ｅとしては、Ｓｎ−Ａｇメッキ膜やＳｎ−Ｂｉメッキなどの外装メッキに一般に用いられるメッキ膜を採用することができる。そして、保護膜３０ｅとしては、上に掲げた各種の膜のいずれかから選択された単層膜でもよいし、これら各種の膜が積層されてなる積層膜であってもよい。特に、Ａｕは酸化防止効果があるため、好ましい。

また、上記図１６に示される具体例において、保護膜３０ｅをＡｕメッキ膜３０ｅとしたのは、粗化されたメッキ膜３０ａを有するリードフレーム３０の最表面にＡｕメッキ膜３０ｄが形成されており、その上に形成する保護膜３０ｅが同種金属であれば、馴染みが良く、保護膜３０ｅの剥離等の心配がないからである。

また、本実施形態において、保護膜３０ｅとして、Ａｕからなるものを用いた場合、その厚さが０．０５μｍ以上となるように保護膜３０ｅを形成することが好ましい。これは、本発明者らが実験検討した結果、見出した知見である。

図１７は、Ａｕからなる保護膜３０ｅの膜厚（Ａｕ膜厚、単位：μｍ）と、当該保護膜３０ｅが形成された検査面１００ａのレーザー光反射光量（相対値）との関係を調査した結果を示す図である。このレーザー光反射光量が大きいほど、上記外観検査における検査面１００ａとソルダレジスト２２０との識別が容易になる。

この図１７に示されるように、上記Ａｕ膜厚が０．０５μｍのとき、検査面１００ａのレーザー反射光量が、ソルダレジスト２２０のレーザー反射光量と差が明確に出ることを確認した。また、それよりもＡｕ膜厚の厚い領域において、たとえば０．０８μｍの厚さにおいても同様の結果が得られている。

ただし、図１７に示されるように、Ａｕ膜厚が０．０３μｍのときは、検査面１００ａのレーザー反射光量とソルダレジスト２２０のレーザー反射光量との差が明確にならず、アウターリード３２と、ソルダレジスト２２０すなわちプリント基板２００との識別が困難となり、検査性が悪化することがわかった。

また、上記した０．０８μｍのＡｕ膜厚のサンプルにおいても、さらには、Ａｕ膜厚１．２μｍのものにおいても、レーザーによる認識性は確認できており、Ａｕ膜厚を厚くすることにより、認識性は向上することがわかった。

つまり、Ａｕからなる保護膜３０ｅの厚さを０．０５μｍ以上とすれば、光沢面３２ｂによって、プリント基板２００への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト２２０との識別が容易になる。

しかし、Ａｕからなる保護膜３０ｅの膜厚すなわちＡｕ膜厚を厚くすることによる弊害が存在する。すなわち、当該Ａｕ膜厚が厚すぎると、保護膜３０ｅとしてのＡｕ膜をリードフレーム３０の検査面に形成した場合、検査面１００ａからリードフレーム３０の横すなわち側面にＡｕが回りこんでしまう。

そして、このＡｕが側面に回り込んだ状態で、はんだによるリードフレーム３０のプリント基板２００への接続を行うと、厚く形成したＡｕがはんだ中に十分拡散することができず、はんだとＡｕとからなるＡｕ−Ｓｎ合金を形成し、はんだの接合強度が低下してしまうという問題がある。

この問題に対しては、上記図１７に示されるように、Ａｕ膜厚を２．５μｍまで厚く形成すると発生することを確認しており、Ａｕ膜厚を厚くすれば平坦化はできるが、２．５μｍまで厚く形成することはできない。

以上の理由により、Ａｕ膜厚は０．０５μｍから１．２μｍの範囲であれば、上記したはんだの接合強度の問題がなくなるとともに、外観検査における検査面１００ａの認識性を向上させることが可能となる。

また、本実施形態の製造方法においては、光沢面３２ｂの比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすることが好ましい。このことは、本発明者らの検討によって実験的にわかったものである。その検討結果の一例を図１８に示す。

図１８は、光沢面３２ｂの比表面積とそのレーザー光反射光量（相対値）との関係を調査した結果を示す図である。ここで、比表面積は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）などにより求めることができる。

この図１８に示される結果からわかるように、光沢面３２ｂの比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすれば、光沢面３２ｂによって、プリント基板２００への実装後の外観検査において、ソルダレジスト２２０との識別が容易になる。

また、本実施形態の製造方法においても、検査面１００ａが、アウターリード３２のうちプリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面である場合、この検査面１００ａに光沢面３２ｂを形成することができる。

さらに、本実施形態においても、検査面１００ａは、アウターリード３２の先端部に位置する面であるものにできる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向に沿った長さＬ１（上記図２参照）を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることができる。

これは、上述したように、プリント基板２００実装後の外観検査におけるレーザ照射エリアの位置ズレを考慮すれば、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向に沿った長さＬ１を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることが好ましく、それによって、光沢面３２ｂに確実にレーザ照射がなされるためである。

また、図１９は、本実施形態の製造方法によって形成されたアウターリード３２の先端部を示す平面図である。図１９に示されるように、本実施形態の製造方法においては、光沢面３２ｂを、アウターリード３２の先端部から一定の距離Ｌ２をおいて位置する幅を持った領域とすることが好ましい。

これは、幅を持った領域である光沢面３２ｂを、アウターリード３２の先端部から一定の距離Ｌ２をおいて位置させることにより、外観検査におけるレーザ照射エリアおよびその照射位置などのばらつきを考慮したものとでき、それによって、光沢面３２ｂに確実にレーザ照射がなされるためである。

また、上記図１６に示される例では、メッキ膜３０ａとして、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用いたが、本実施形態においては、メッキ膜３０ａとして、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの２層の積層構成となっているものを用いてもよい。

（第７実施形態）
本発明の第７実施形態は、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体素子２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。

すなわち、本実施形態では、リードフレーム３０の製造工程において、リードフレーム３０の表面に、メッキ膜３０ａのうちの一番下側の膜を、モールド樹脂５０との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜として形成した後、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位において、当該粗化されたメッキ膜を化学研磨することにより、当該化学研磨された部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴としている。

それによれば、メッキ膜３０ａにおける一番下側の膜すなわちリードフレーム母材の直上の膜を、粗化メッキ膜として形成した後、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、当該粗化メッキ膜を化学研磨することにより平滑化できるため、当該化学研磨された部位を、適切に光沢面３２ｂとして形成することができる。

そして、このような化学研磨によって光沢面３２ｂを形成したリードフレーム３０を用いて、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０との間で、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

もちろん、本実施形態においても、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０内に位置するインナーリード３１では、上記化学研磨は施されておらず、当該インナーリード３１においては、粗化された表面状態を有するメッキ膜３０ａによってモールド樹脂５０との密着性が確保される。

本実施形態の製造方法の特徴的なところについて、より具体的に述べる。本実施形態におけるリードフレーム３０のメッキ膜３０ａの構成は、上記図１６に示されるものと同様の積層構成を採用することができる。

つまり、本実施形態の製造方法において、メッキ膜３０ａとして、下地側から粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂ、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｄの３層が積層された構成となっているものを用い、一番下側の膜としてのＮｉメッキ膜３０ｂに前記化学研磨を施した後、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ３０ｄを形成することができる。

なお、本実施形態においても、メッキ膜３０ａとして、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの２層の積層構成となっているものを用いてもよい。その場合、一番下側の膜としてのＮｉメッキ膜に化学研磨を施した後、Ｐｄメッキ膜を形成すればよい。

ここで、リードフレーム３０の表面に形成されるメッキ膜３０ａとしては、積層膜でも単層膜でもよいが、単層膜の場合には、上記の一番下側の膜とは、この単層膜自身のことである。

メッキ膜３０ａとして、下地側から粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂ、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｄの３層が積層された構成となっているものを用いた場合、このリードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位以外の部位を、樹脂や金型等にてマスクすることで覆う。

そして、その後、Ｎｉメッキ膜３０ｂの表面を平坦化する薬品を用いて、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、化学的にエッチング処理を施し、Ｎｉメッキ膜３０ｂの表面を平坦化する。この薬品すなわち研磨液としては、Ｎｉを化学研磨するのに適した研磨液が市販されており、それを用いることができる。

次に、この化学研磨処理を施したリードフレーム３０において、Ｎｉメッキ膜３０ｂの上にＰｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｄを形成する。

ここで、上記化学研磨処理をＮｉメッキ膜の形成後であってＰｄ、Ａｕメッキ膜の形成前に実施するのは２つの理由がある。ひとつは、いったんＮｉメッキ膜上にＰｄおよびＡｕメッキ膜を形成してしまうと、Ｎｉの化学研磨液では、ＡｕおよびＰｄをエッチングすることができないためである。

また、もう一つの理由は、次の通りである。リードフレームのうち化学研磨処理を施す領域は、はんだ付け実装を行う箇所すなわちアウターリードである。

このことから、ＰｄおよびＡｕを形成した後にＮｉの化学研磨処理を施すと、リードフレームの表面に酸化物を形成してしまい、はんだ付け性が悪化してしまう。そのため、リードフレームの最表面に酸化物層を形成させないために、Ｎｉの化学研磨処理して平坦化した後にＰｄおよびＡｕメッキ膜を形成するのである。

また、一般的にＩＣチップをリードフレームに搭載する際にＡｇメッキを部分的に塗布する方法があるが、粗化したＮｉメッキ膜の化学研磨は、この部分的なＡｇメッキを形成する際に用いるスパージャを用いることで行うことができる。それにより、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位を、選択的に研磨液に浸すことができる。

図２０、図２１は、このスパージャを用いた本実施形態の化学研磨の方法を説明するための図であり、図２０は化学研磨装置としてのスパージャの模式的な構成を示す図、図２１は、研磨方法の工程図である。

図２０に示される装置において、上下の金型９０１、９０２が備えられており、これら両金型９０１、９０２を合致させることにより、その内部にリードフレーム３０が収納されるものである。

また、タンク９０３は研磨液を内蔵するものであり、このタンク９０３から金型９０１、９０２の内部に研磨液が供給されるようになっている。具体的には、バルブ９０４を開閉することにより、上記研磨液の供給の開始および停止の切り替えができるようになっている。

また、ドレイン９０５は、金型９０１、９０２から研磨液を排出するためのものであり、バルブ９０６を開閉することにより、上記研磨液の排出の開始および停止の切り替えができるようになっている。

ここで、金型９０１、９０２の内面には凹凸が形成されており、凸部において、リードフレーム３０における所望の部位に接して被覆できるようになっている。

たとえば、金型９０１、９０２の内面には、リードフレーム３０におけるモールド樹脂封止部分であるインナーリード３１に対応する部位は、凸部となっており、アウターリード３２に対応する部位は、凹部となっている。

また、金型９０１、９０２の内面には、保護フィルム９０７が設けられている。この保護フィルム９０７は、ポリイミド等の耐薬品性の高い樹脂からなるものであり、研磨液がモールド樹脂封止部分すなわちインナーリード３１の部分に入り込むことが無いように、シールを行う機能を持つものである。

このような研磨装置において、化学研磨は、次のようにして行われる。まず、図２１（ａ）に示されるように、上下の金型９０１、９０２を準備し、この金型９０１、９０２に対して、Ｎｉメッキ膜３０ｂが粗化メッキされたリードフレーム３０を投入する。

そして、上下の金型９０１、９０２を合致させることによって、リードフレーム３０のうちのインナーリード３１の部位を金型の凸部で押さえつけて被覆する。

次に、図２１（ｂ）に示されるように、合致することにより形成された両金型９０１、９０２間の空間に、タンク９０３から、Ｎｉを平坦化するための化学研磨液９０８を注入し、Ｎｉ表面をエッチング処理する。

このエッチング処理の時間は、液温や液濃度にもよるが、おおよそ室温程度または室温よりも＋５℃程度において、１０倍程度に希釈された市販のＮｉの化学研磨液を用いた場合、１０秒から２０秒程度とすることができる。それにより、レーザーなどによる外観検査によって認識が可能になるくらいの平坦化が可能となる。

このエッチング処理すなわち化学研磨が終了したら、図２１（ｃ）に示されるように、金型９０１、９０２内の研磨液９０８をドレイン９０５から排出することにより抜き取る。その後、Ｎｉメッキ膜の表面を清浄化するために、純水を用いてエッチング液の置換および洗浄を行う。

ここで、Ｎｉメッキ膜を平坦化するためのエッチング時間が短いと、十分に平坦化処理が行えず、外観検査における認識性が損なわれることになる。

また、このエッチング時間が長すぎると、Ｎｉメッキ膜が薄くなりすぎ、リードフレーム３０の母材であるＣｕ成分が表面に拡散してマイグレーションを誘発することになるため、装置の信頼性を低下させることになる。したがって、Ｎｉメッキ膜のエッチングにより残存するＮｉの膜厚は、少なくとも０．３μｍ以上は必要と考えられる。

こうして化学研磨処理されたリードフレーム３０に対して、次の工程にてＮｉの拡散を防止するための層、たとえばＡｕメッキ膜やＰｄメッキ膜とＡｕメッキ膜との積層膜といったメッキ層を形成する。

これらのＡｕメッキ膜やＰｄメッキ膜とＡｕメッキ膜との積層膜を形成することにより、上記研磨処理されたＮｉメッキ膜のリードフレーム表面への拡散を防止することが可能となり、プリント基板実装時のはんだ付けにおける濡れ性が向上し、信頼性の高い接合が可能となる。

このように、本実施形態では、上記したような化学研磨を採用することで、リードフレーム３０に光沢面３２ｂを形成し、それによって、リードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行えるようにすることができる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂの比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすることが好ましい。

また、本実施形態の製造方法においても、検査面１００ａが、アウターリード３２のうちプリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面である場合、この検査面１００ａに光沢面３２ｂを形成することができる。

さらに、本実施形態においても、検査面１００ａは、アウターリード３２の先端部に位置する面であるものにできる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向に沿った長さＬ１（上記図２参照）を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることができる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂを、アウターリード３２の先端部から一定の距離Ｌ２（上記図１９参照）をおいて位置する幅を持った領域とすることが好ましい。

（第８実施形態）
本発明の第８実施形態は、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体素子２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。

すなわち、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位を、機械的手法により研磨することにより、当該研磨された部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴としている。

それによれば、メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、当該メッキ膜３０ａを機械的手法により研磨することで平滑化できるため、当該研磨された部位を、適切に光沢面３２ｂとして形成することができる。

そして、このような機械的手法を用いた研磨によって光沢面３２ｂを形成したリードフレーム３０を用いて、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０との間で、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

もちろん、本実施形態においても、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０内に位置するインナーリード３１では、上記機械的手法による研磨は施されておらず、当該インナーリード３１においては、粗化された表面状態を有するメッキ膜３０ａによってモールド樹脂５０との密着性が確保される。

本実施形態の製造方法の特徴的なところについて、より具体的に述べる。本実施形態におけるリードフレーム３０のメッキ膜３０ａの構成は、上記図１６に示されるものと同様の積層構成を採用することができる。

つまり、本実施形態の製造方法において、メッキ膜３０ａとして、下地側から粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂ、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｄの３層が積層された構成となっているものを用いることができる。

ここにおいて、機械的手法による研磨とは、研磨治具を被研磨物に接触させて回転させるなどにより、被研磨物を削ることである。

そして、リードフレーム３０のうち検査面１００ａとなる部位において、当該メッキ膜３０ａを機械的手法により研磨することは、メッキ膜３０ａが上記したような積層構成の場合、一番下側のＮｉメッキ膜３０ｂが形成された後であるならば、どの段階で行ってもよい。

すなわち、機械的手法による研磨は、一番下側のＮｉメッキ膜３０ｂの表面に対して行ってもよいし、その上のＰｄメッキ膜３０ｃの表面に対して行ってもよいし、Ａｕメッキ膜３０ｄの表面に対して行ってもよい。

また、機械的手法による研磨は、メッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０の単体に対して行ってもよいし、リードフレーム３０へ半導体チップ２０を搭載した直後に行ってもよいし、ワイヤボンディング直後あるいはモールド樹脂５０による封止直後に行ってもよいし、プリント基板２００への実装後に行ってもよい。

ここでは、機械的手法による研磨を、一番下側のＮｉメッキ膜３０ｂの表面に対して行う場合について、図２２を参照して述べる。図２２は、本実施形態の機械的研磨方法の一例を示す図である。

この場合、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂを形成した後、リードフレーム３０を台９２０上に固定し、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位を、研磨治具９１０によって機械的に研磨することにより、Ｎｉ表面の凹凸を削り取り、凹凸の程度を和らげるようにする。

この方法において、使用される研磨治具９１０としてはローラー９１１にダイヤモンド粉を混ぜた研磨紙９１２を貼り付けたものである。また、このローラー９１１の幅Ｌ１は、検査面１００ａの幅Ｌ１すなわち光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向に沿った長さＬ１と同等かそれ以上の大きさとする。

そして、この研磨治具９１０を回転させながら、研磨するべき場所であるリードフレーム３０の検査面１００ａに対して軽く接触させ、Ｎｉメッキ膜表面の凹凸を削り取る。このとき、ローラー９１１の回転速度は、研磨後のＮｉメッキ膜表面の光沢の度合とは依存性はなく、極端な場合として、１回転／分程度の回転速度であっても十分に金属光沢を得ることが確認されている。

また、ローラー９１１のリードフレーム３０への押し付け力についても、１００ｇｆ程度から１ｋｇｆ程度にまで水準を振って実験したが、特に重要な要因ではなく、どの水準の実験においてもＮｉメッキ膜表面に十分な金属光沢が得られた。

むしろ、メッキ膜の厚さ方向におけるローラー９１１のリードフレーム３０への接触部とリードフレーム３０の検査面１００ａとの位置関係が重要であり、この位置精度によって、研磨精度が変化することが確認された。これは、メッキ膜の膜厚がせいぜい数μｍと薄いためである。したがって、たとえば１μｍの位置精度を持つ研磨機を使用するならば、ほぼ１μｍの精度にて研磨が可能である。

こうして研磨処理されたリードフレーム３０は、研磨粉を除去するために純水にて十分に洗浄される。そして、このリードフレームに対して、次の工程にてＮｉの拡散を防止するための層、たとえばＡｕメッキ膜やＰｄメッキ膜とＡｕメッキ膜との積層膜といったメッキ層を形成する。

また、リードフレーム３０の表面に形成するメッキ膜３０ａを、上記したＮｉメッキ膜の上にＮｉの拡散を防止するための層を形成してなるものとし、且つ、リードフレーム３０の検査面１００ａが、はんだ付け面ではない場合には、機械的研磨は、Ｎｉの拡散を防止するための層を形成した後に行ってもよい。

これは、機械的研磨処理を検査面１００ａのみに対して行い、はんだ付け面には行っていないため、はんだ付け面のメッキ状態が変化しないためである。つまり、はんだ付け面では、Ｎｉの拡散を防止するための層によってＮｉメッキ膜のＮｉ拡散が防止され、はんだ付け性が確保される。

言い換えれば、機械的研磨が行われる検査面１００ａにおいては、機械的研磨を施すことにより、Ｎｉの拡散を防止するための層が削り取られたとしても、研磨後に光沢面となっていさえすればよいのである。

また、上記図２２に示される研磨方法の例では、ローラー９１１に研磨紙９１２を貼り付けてなる研磨治具９１０にて研磨処理を実施したが、この方法に限定されるものではない。

それ以外においても、たとえばリードフレームの成形において、プレス加工時にプレス金型でリードフレームを押さえつける際に、このプレス金型を研磨治具として用いる方法を採用することができる。具体的には、プレス金型でリードフレームを押さえつけながらプレス金型をずらすことにより、リードフレームの検査面のみを研磨する方法とすることができる。

このとき、リードフレームにおける検査面の裏面（つまり、はんだ付け面）への影響を可能な限り低減させる方法として、当該裏面と金型との間に比較的硬い樹脂を介在させることにより、当該裏面の凹凸形状を維持する方法を採用することができる。

この方法の効果は、上記ローラーによる研磨法に比べると、はんだ付け面への影響度合いを鑑みて、はんだ付け性を確保する効果は少ないが、レーザー検査の認識性については、十分な効果が得られる。

このように、本実施形態では、上記したような機械的手法による研磨を採用することで、リードフレーム３０に光沢面３２ｂを形成し、それによって、リードフレーム３０におけるモールド樹脂５０との密着性を確保しつつ、プリント基板２００実装後の外観検査においてプリント基板２００のソルダレジスト２２０とアウターリード３２との識別を容易に行えるようにすることができる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂの比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすることが好ましい。

また、本実施形態の製造方法においても、検査面１００ａが、アウターリード３２のうちプリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面である場合、この検査面１００ａに光沢面３２ｂを形成することができる。

さらに、本実施形態においても、検査面１００ａは、アウターリード３２の先端部に位置する面であるものにできる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂにおけるアウターリード３２の突出方向に沿った長さＬ１（上記図２参照）を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることができる。

また、本実施形態の製造方法においても、光沢面３２ｂを、アウターリード３２の先端部から一定の距離Ｌ２（上記図１９参照）をおいて位置する幅を持った領域とすることが好ましい。

また、本実施形態において、上記した例では、メッキ膜３０ａとして、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用いたが、本実施形態においても、メッキ膜３０ａとして、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの２層の積層構成となっているものを用いてもよい。

（第９実施形態）
本発明の第９実施形態は、表面にメッキ膜３０ａが形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体素子２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。

図２３は、本実施形態の製造方法によって製造されたリードフレーム３０の概略断面図である。

すなわち、本実施形態では、リードフレーム３０の製造工程において、リードフレーム３０の表面に、メッキ膜３０ａとしてモールド樹脂５０との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜（図２３ではＮｉメッキ膜３０ｂ）を形成するものであるが、この粗化されたメッキ膜３０ｂを、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａとなる部位以外の部位に、選択的に形成し、粗化されたメッキ膜３０ｂが形成されていない部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べてメッキ膜３０ａの平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴としている。

それによれば、リードフレーム３０のうちの検査面１００ａとなる部位以外の部位に、粗化されたメッキ膜３０ｂが形成され、一方、検査面１００ａとなる部位には通常のメッキを施すことなどにより、適切に光沢面３２ｂを形成することができる。

具体的には、図２３に示されるように、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０の封止部であるインナーリード３１では、メッキ膜３０ａは粗化されたものとなってモールド樹脂５０との密着性が確保されている。

一方、リードフレーム３０の母材３０’の直上には、リードフレーム３０の全面に渡って平坦性のよいＮｉメッキ膜３０ｂ’が形成されており、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂが存在しないアウターリード３２においては、光沢面３２ｂが形成され、外観検査における識別性が確保されている。

そして、本実施形態においても、このように光沢面３２ｂを形成したリードフレーム３０を用いて、このリードフレーム３０に半導体チップ２０を搭載し、リードフレーム３０と半導体チップ２０との間で、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ２０とリードフレーム３０とをボンディングワイヤ４０により結線し、電気的に接続する。

その後は、これら半導体チップ２０、ボンディングワイヤ４０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止する。そして、リードフレーム３０の切断および成形を通常の方法により行うことで、上記実施形態と同様の樹脂封止型半導体装置１００を製造することができる。

本実施形態の製造方法の特徴的なところについて、より具体的に述べる。本実施形態におけるリードフレーム３０のメッキ膜３０ａの構成は、図２３に示されるように、下地側から粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂ、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｄの３層が積層された構成を採用できる。

また、図２４、図２５は、本実施形態のメッキの方法を説明するための図であり、図２４はメッキ装置の模式的な構成を示す図、図２５は、このメッキ装置を用いたメッキ方法を示す工程図である。

図２４に示されるメッキ装置において、上下の金型９３１、９３２が備えられており、これら両金型９３１、９３２を合致させることにより、その内部にリードフレーム３０が収納されるものである。

また、タンク９３３はＮｉメッキ膜３０ｂ用のメッキ液を内蔵するものであり、このタンク９３３から金型９３１、９３２の内部にメッキ液が供給されるようになっている。具体的には、バルブ９３４を開閉することにより、上記研磨液の供給の開始および停止の切り替えができるようになっている。

また、ドレイン９３５は、金型９３１、９３２からメッキ液を排出するためのものであり、バルブ９３６を開閉することにより、上記メッキ液の排出の開始および停止の切り替えができるようになっている。

ここで、金型９３１、９３２の内面には凹凸が形成されており、凸部において、リードフレーム３０における所望の部位に接して被覆できるようになっている。

たとえば、金型９３１、９３２の内面には、リードフレーム３０におけるモールド樹脂封止部分であるインナーリード３１に対応する部位は、凹部となっており、アウターリード３２に対応する部位は、凸部となっている。

また、金型９３１、９３２の内面には、保護フィルム９３７が設けられている。この保護フィルム９３７は、ポリイミド等の耐薬品性の高い樹脂からなるものであり、メッキ液がアウターリード３２の部分に入り込むことが無いように、シールを行う機能を持つものである。

このようなメッキ装置において、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂの形成は、次のようにして行われる。まず、上下の金型９３１、９３２を準備し、この金型９３１、９３２に対して、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂが形成される前の状態のリードフレーム３０を投入する。

ここでは、上記図２３に示されるように、リードフレーム３０における母材３０’の表面に通常の平坦性のよいＮｉメッキ膜３０ｂ’が形成されたものを、金型９３１、９３２の内部に投入する。

そして、上下の金型９３１、９３２を合致させることによって、リードフレーム３０のうちのアウターリード３２の部位を金型の凸部で押さえつけて被覆する。次に、合致することにより形成された両金型９３１、９３２間の空間に、タンク９３３から、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂを形成するためのメッキ液９３８を注入し、インナーリード３２の部分に粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂを形成する。

このメッキ形成が終了したら、金型９３１、９３２内のメッキ液９３８をドレイン９３５から排出することにより抜き取る。その後、Ｎｉメッキ膜の表面を清浄化するために、純水を用いてメッキ液の置換および洗浄を行う。

こうしてインナーリード３１に粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂが形成されたリードフレーム３０の全面に対して、次の工程にてＮｉの拡散を防止するための層、たとえばＡｕメッキ膜やＰｄメッキ膜とＡｕメッキ膜との積層膜といったメッキ層を形成する。こうして、上記図２３に示される本実施形態のリードフレーム３０ができあがる。

次に、本実施形態の変形例について、図２６、図２７を参照して述べる。図２６、図２７は、本変形例のメッキの方法を説明するための図であり、図２６は本変形例に用いられるメッキ装置の模式的な構成を示す図、図２７は、このメッキ装置を用いたメッキ方法を示す工程図である。

上記図２４および図２５に示される例では、リードフレーム３０のうちのアウターリード３２となる部位を金型９３１、９３２でマスキングする際、リードフレーム３０の両面にマスキングを行った。

しかしながら、アウターリード３２のうち光沢面３２ｂとすることが必要な面は、プリント基板２００上に実装した際に上を向く検査面１００ａ側の面のみであり、それとは反対側の下を向く面には、光沢面の形成は不要である。

本変形例では、リードフレーム３０のうち光沢面３２ｂの形成が必要な片面すなわち検査面１００ａ側の面にのみに、金型９３１、９３２によるマスキングを行い、当該マスキングされた面に粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂが形成されないようにしたものである。

つまり、本変形例では、図２６に示されるメッキ装置において、金型９３１、９３２の内面には、リードフレーム３０におけるインナーリード３１に対応する部位、およびリードフレーム３０における下面の全体に対応する部位は、凹部となっており、リードフレーム３０の上面におけるアウターリード３２に対応する部位は、凸部となっている。

このようなメッキ装置において、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂの形成は、上記図２５に示したものと同様の手順で行われる。

こうして、できあがった本変形例のリードフレーム３０においては、リードフレーム３０の上面では、上記図２３と同様の構成となるが、下面ではリードフレーム３０の全体に渡って、上記図２３中のインナーリード３１の部分と同様の構成となる。

次に、本実施形態のもう一つの変形例について説明する。上記した本実施形態の各例では、検査面を含むアウターリード３２の部位には、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂが全く形成されないものであった。

本変形例では、工程（１）：リードフレーム３０の母材の全面に、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂよりも薄い粗化メッキ膜を形成し、その後、工程（２）：上記図２４〜図２７に示される各例の方式によってアウターリード３２にマスキングし、インナーリード３１にのみ粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂを形成する、という（１）、（２）の工程の連続した工程を行う。

このことは、より具体的に言うならば、上記図２３に示される構成において、リードフレーム３０の母材３０’の直上にてリードフレーム３０の全面に渡って形成されている平坦性のよいＮｉメッキ膜３０ｂ’を、粗化された薄いＮｉメッキ膜とすることである。

また、本変形例において、上記した工程（１）、（２）の実行順序は、逆であってもよく、工程（２）を行った後、工程（１）を行ってもよい。

本変形例によれば、リードフレーム３０のうち上記検査面１００ａにおいて、粗化された薄いＮｉメッキ膜が形成されるが、この粗化された薄いＮｉメッキ膜は、外観検査時に光沢面として認識できる程度の平坦性を持った軽微な粗化メッキ膜である。

粗化メッキは、一般に膜厚が厚いほど（言い換えるとメッキ時間が長いほど）、粗化レベルは増長する。そのため、本変形例によれば、インナーリード３１では、２層の粗化メッキが積層された形となるため、モールド樹脂５０との密着性を保つのに充分な粗化形状を形成することができる。

一方、アウターリード３２では、上述したように、軽微な粗化メッキ膜のみが存在するので、外観検査に支障の無い程度の粗化レベルに押さえることができる。

この変形例のメリットは、リードフレーム３０全面を、Ｎｉなどの粗化メッキ膜材料を用いたメッキ膜で覆う構造とする場合、共通のメッキ液、メッキ条件を用いることができるという点である。ちなみに、アウターリード３２のみ粗化しないメッキ膜とする場合、メッキ液、メッキ条件が異なる場合があり、工程設計が煩雑になる。

（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態は、樹脂との密着性を向上させるための粗化されたメッキ膜３０ａが表面に形成されたリードフレーム３０を用意し、リードフレーム３０と半導体素子２０とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子２０およびリードフレーム３０をモールド樹脂５０で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、次のような点を特徴とするものである。

図２８は、本発明の第１０実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の要部の概略断面構成を示す図である。

すなわち、本実施形態では、半導体チップ２０の搭載、ワイヤボンディングさらにはモールド樹脂５０による封止を行った後、リードフレーム３０のアウターリード３２の表面のメッキ膜３０ａを、リードフレーム３０の母材表面が露出するように剥離させ、その後、アウターリード３２の表面に再度メッキを施すことにより、当該メッキが施された部位を、リードフレーム３０におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面３２ｂとして形成することを特徴としている。

それによれば、図２８に示されるように、リードフレーム３０のうちモールド樹脂５０内に位置するインナーリード３１では、粗化された表面状態を有するメッキ膜３０ａによってモールド樹脂５０との密着性が確保される。

また、図２８に示されるように、リードフレーム３０において検査面１００ａを含むアウターリード３２には、通常のメッキ条件により形成された平坦性のよい平坦化メッキ膜３０ｆが形成されることで適切に光沢面３２ｂが形成される。そのため、本実施形態では、プリント基板２００への実装後の外観検査において、ソルダーレジスト２２０との識別が容易になる。

このような本実施形態のリードフレーム３０は、たとえば、粗化されたＮｉメッキ膜３０ｂ、Ｐｄメッキ膜３０ｃ、Ａｕメッキ膜３０ｃを積層してなるメッキ膜３０ａを有するものであり、このリードフレーム３０を用いて、半導体チップ２０の搭載、ワイヤボンディング、モールド樹脂５０による封止を行う。

そして、このモールド樹脂５０により封止されたインナーリード３１以外のアウターリード３２の部位において、メッキ膜３０ａを剥離する。この剥離は、市販されているメッキの剥離液を用いて容易に行うことができる。

そして、メッキ膜３０ａが剥離されたアウターリード３２の表面に、上記平坦化メッキ膜３０ｆを形成する。この平坦化メッキ膜３０ｆとしては、はんだメッキやＳｎ−Ａｇメッキ膜やＳｎ−Ｂｉメッキなどの外装メッキに一般に用いられるメッキ膜を採用することができる。また、この平坦化メッキ膜３０ｆの膜厚は、たとえば約１０μｍ程度にすることができる。

このように、本実施形態によれば、リードフレーム表面をメッキすることによりリードフレームにおけるモールド樹脂との密着性を確保しつつ、プリント基板実装後の外観検査においてプリント基板のソルダレジストとアウターリードとの識別を容易に行えるようにすることができる。

（他の実施形態）
ここで、上記した化学研磨や保護膜の形成は、リードフレーム３０がリール状態の場合にも行うことができる。図２９は、リール状態のリードフレーム３０において検査面となる部位に、化学研磨を施す方法の一例を示す図である。

図２９では、リール状のリードフレーム３０の上下に、ローラ９５０付きのベルト９５１を設けている。この構成では、ローラ９５０によりベルト９５１を回転させることリードフレーム３０が、図２９中の左から右へ移動していく。

ベルト９５１には、化学研磨液９０８を含有することの可能なシート９５２が取り付けられている。このシート９５２としては、たとえばスポンジのようなものを採用できる。また、このシート９５２は、リードフレーム３０における検査面となる部位に対応した位置に設けられている。

図２９に示されるように、上側のベルト９５１については、化学研磨液９０８を貯留するタンク９５３から供給用パイプ９５４を介してシート９５２に対して化学研磨液９０８が供給される。また、下側のベルト９５１については、シート９５２が、化学研磨液９０８を貯留するタンク９５５に浸されることで、シート９５２に化学研磨液９０８が供給される。

そして、ベルト９５１の回転により、リードフレーム３０が移動していくとともに、化学研磨液９０８を含んだシート９５２がリール状のリードフレーム３０における検査面となる部位に接触する。そのため、上記化学研磨と同様に、シート９５２に接した部位にてエッチングがなされ、リードフレーム３０に光沢面が形成される。

この図２９に示される装置において、化学研磨液９０８を、上記した保護膜を形成するためのメッキ液に置き換えれば、リール状のリードフレーム３０において保護膜による光沢面を適切に形成することができる。

また、図２９に示されるような搬送装置を用いる方法以外にも、図３０に示されるような方法によっても、リール状態のリードフレーム３０において検査面となる部位に、化学研磨を施したり、保護膜を形成したりすることができる。

図３０は、リール状態のリードフレーム３０において検査面となる部位に、化学研磨を施す方法のもう一つの例を示す図である。ここでは、リール状のリードフレーム３０において、化学研磨されたくない部位をレジストなどからなるマスク９６０でマスキングし、このリードフレーム３０を化学研磨液９０８が入ったタンク９６１に浸漬させ、エッチングする。それにより、リードフレーム３０に光沢面が形成される。

なお、この図３０に示される装置においても、化学研磨液９０８を、上記した保護膜を形成するためのメッキ液に置き換えれば、リール状のリードフレーム３０において保護膜による光沢面を適切に形成することができる。

また、リードフレーム３０の全体を化学研磨液９０８に浸けること以外にも、場合によっては、リードフレーム３０のエッチング面すなわち化学研磨される面を、化学研磨液９０８の液面の高さに合わせ、リードフレーム３０のうち化学研磨される面のみを、化学研磨液９０８に接するようにしてもよい。このことは、化学研磨液を上記メッキ液に代えることにより、保護膜の形成においても同様である。

また、アウターリード３２に形成される光沢面３２ｂは、プリント基板２００に接続される面３２ａとは反対側の面でなくてもよい。つまり、光沢面は、アウターリード３２のうちプリント基板２００への実装後における外観検査が行われる検査面に形成されていればよい。

さらに言うならば、アウターリードにおける上記検査面は、上記図２に示されるような部位でなくてもよく、たとえば、アウターリードのうちのよりモールド樹脂側に近い部位を検査面とし、ここを光沢面としてもよい。

また、半導体素子とリードフレームとの接続はボンディングワイヤ以外の接続であってもかまわない。また、ＰＰＦとしてのリードフレームにおいて、メッキ膜は上記したＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成に限定されない。

要するに、互いに電気的に接続された半導体素子とリードフレームとがモールド樹脂で封止されてなり、リードフレームが「ＰＰＦ＋メッキ粗化」である樹脂封止型半導体装置ならば、上記実施形態は適用可能である。

以上述べてきたように、上記実施形態は、モールド樹脂密着性を上げるためにメッキ表面を粗化したＰＰＦを用いた樹脂封止型半導体装置に関するもので、その半導体装置をプリント基板に実装した後のリード曲がり等の自動外観検査において、その認識性を向上させるために、アセンブリ時もしくはフレーム加工時にアウターリードの認識に用いる部位をパンチ等の金型で押し潰したり、上記保護膜や研磨を行ったりすることで光沢面とするものであり、このリードフレーム以外の部位については適宜設計変更が可能である。

本発明の第１実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の要部の概略断面構成を示す図である。 図１に示される樹脂封止型半導体装置をプリント基板にはんだを介して実装した状態を示す概略平面図である。 第１実施形態におけるリードフレームの成形工程を、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に示す概略断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ上記図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に対応した概略平面図である。 第１実施形態における２次切断用パンチをアウターリードの検査面へ面接触させる様子を拡大して示す断面図である。 従来の２次切断の様子を示す断面図である。 従来の２次切断によりリード成形された樹脂封止型半導体装置をプリント基板にはんだを介して実装した状態を示す概略平面図である。 従来の樹脂封止型半導体装置について外観検査を行った結果を示す図である。 第１実施形態の樹脂封止型半導体装置について外観検査を行った結果を示す図である。 本発明の第２実施形態の第１の例としてのリードフレームの光沢面の形成方法を示す概略断面図である。 上記第２実施形態の第２の例としてのリードフレームの光沢面の形成方法を示す概略断面図である。 上記第２実施形態の第３の例としてのリードフレームの光沢面の形成方法を示す概略断面図である。 本発明の第３実施形態に係るリードフレームの光沢面の形成方法を示す概略断面図である。 本発明の第４実施形態に係るリードフレームの光沢面の形成方法を示す概略断面図である。 本発明の第５実施形態に係るリードフレームの光沢面を示す概略断面図である。 本発明の第６実施形態に係るリードフレームの概略断面図である。 上記第６実施形態におけるＡｕからなる保護膜の膜厚とレーザー光反射光量との関係を示す図である。 上記第６実施形態における光沢面の比表面積とそのレーザー光反射光量との関係を示す図である。 上記第６実施形態の製造方法によって形成されたアウターリードの先端部を示す平面図である。 本発明の第７実施形態に係る化学研磨に用いられる化学研磨装置の概略構成を示す図である。 上記図２０に示される装置を用いた化学研磨方法の工程図である。 本発明の第８実施形態に係る機械的研磨方法の一例を示す図である。 本発明の第９実施形態に係る製造方法によって製造されたリードフレームの概略断面図である。 上記第９実施形態に係るメッキ装置の模式的な構成を示す図である。 上記図２４に示されるメッキ装置を用いたメッキ方法を示す工程図である。 上記第９実施形態の変形例に用いられるメッキ装置の模式的な構成を示す図である。 上記図２６に示されるメッキ装置を用いたメッキ方法を示す工程図である。 本発明の第１０実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の要部の概略断面構成を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る化学研磨方法の一例を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る化学研磨方法のもう一つの例を示す図である。

符号の説明

２０…半導体素子としての半導体チップ、３０…リードフレーム、
３０ａ…メッキ膜、３０ｂ…粗化されたメッキ膜としての粗化されたＮｉメッキ膜、
３０ｅ…保護膜、３２…アウターリード、
３２ａ…アウターリードのうちプリント基板に接続される面、３２ｂ…光沢面、
５０…モールド樹脂、１００ａ…アウターリードの検査面、
３２０ａ…２次切断用パンチ、４００…ディプレス用保持治具、
５００…先端カット用保持治具、６００…テープ貼り用保持治具、
７００…ワイヤボンディング用保持治具、８００…金型、
Ｌ１…光沢面におけるアウターリードの突出方向に沿った長さ。

Claims (31)

1. 互いに電気的に接続された半導体素子（２０）とリードフレーム（３０）とがモールド樹脂（５０）で封止されてなる樹脂封止型半導体装置において、
   前記リードフレーム（３０）の表面には、前記モールド樹脂（５０）との密着性を向上させるためのメッキ膜（３０ａ）が形成されており、
   前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）には、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良くなっていることで光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）が、形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
2. 前記検査面（１００ａ）は、前記アウターリード（３２）のうち前記プリント基板（２００）に接続される面（３２ａ）とは反対側の面であり、この検査面（１００ａ）に前記光沢面（３２ｂ）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
3. 前記検査面（１００ａ）は、前記アウターリード（３２）の先端部に位置する面であることを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置。
4. 前記光沢面（３２ｂ）における前記アウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）は、０．４ｍｍ以上の大きさであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置。
5. 前記メッキ膜（３０ａ）は、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置。
6. 前記メッキ膜（３０ａ）は、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置。
7. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
   前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止した後、
   前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）を、パンチ（３２０ａ）を用いたプレス加工により切り離すようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
   前記アウターリード（３２）を切り離す際に、前記パンチ（３２０ａ）を前記アウターリード（３２）のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）に面接触させた状態で、前記パンチ（３２０ａ）によって前記検査面（１００ａ）を押さえることにより、
   当該押さえられた前記検査面（１００ａ）を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
8. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
   前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
   前記リードフレーム（３０）を製造する工程において、前記リードフレーム（３０）の表面に前記メッキ膜（３０ａ）を形成した後、
   前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、治具（４００、５００、６００）にてクランプすることにより、
   当該クランプによって押さえられた部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
9. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
   前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
   前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）との電気的接続を行う工程、もしくは、前記モールド樹脂（５０）による封止を行う工程において、前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、治具（７００、８００）にてクランプすることにより、
   当該クランプによって押さえられた部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
10. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記リードフレーム（３０）を製造する工程において、前記リードフレーム（３０）の表面に前記メッキ膜（３０ａ）を形成した後、
    前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、ブラスト処理することにより、
    当該ブラスト処理された部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
11. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記メッキ膜（３０ａ）が形成された前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位に、他の部位よりも厚い保護膜（３０ｅ）を形成することにより、
    前記保護膜（３０ｅ）が形成された部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
12. 前記リードフレーム（３０）への前記保護膜（３０ｅ）の形成は、前記モールド樹脂（５０）による封止の前に行うことを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
13. 前記リードフレーム（３０）への前記保護膜（３０ｅ）の形成は、前記モールド樹脂（５０）による封止の後に行うことを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
14. 前記保護膜（３０ｅ）として、金属膜を用いることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
15. 前記金属膜は、メッキにより形成された膜であることを特徴とする請求項１４に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
16. 前記保護膜（３０ｅ）として、前記メッキ膜（３０ａ）の酸化防止効果を有する膜を用いることを特徴とする請求項１１ないし１５のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
17. 前記保護膜（３０ｅ）として、Ａｕ、Ｐｄおよびはんだから選択された少なくとも１種からなるものを用いることを特徴とする請求項１１ないし１６のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
18. 前記保護膜（３０ｅ）として、Ａｕからなるものを用い、その厚さが０．０５μｍ以上となるように前記保護膜（３０ｅ）を形成することを特徴とする請求項１１ないし１７のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
19. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位を、機械的手法により研磨することにより、
    当該研磨された部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
20. 前記メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものを用いることを特徴とする請求項１１ないし１９に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
21. 前記メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用いることを特徴とする請求項２０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
22. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記リードフレーム（３０）の製造工程において、前記リードフレーム（３０）の表面に、前記メッキ膜（３０ａ）のうちの一番下側の膜を、前記モールド樹脂（５０）との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜として形成した後、
    前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位において、当該粗化されたメッキ膜を化学研磨することにより、
    当該化学研磨された部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
23. 前記メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキの積層構成となっているものを用い、
    前記一番下側の膜としての前記Ｎｉメッキに前記化学研磨を施した後、前記Ｐｄメッキを形成することを特徴とする請求項２２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
24. 前記メッキ膜（３０ａ）として、下地側からＮｉメッキ、Ｐｄメッキ、Ａｕメッキの３層が積層された構成となっているものを用い、
    前記一番下側の膜としての前記Ｎｉメッキに前記化学研磨を施した後、前記Ｐｄメッキ、前記Ａｕメッキを形成することを特徴とする請求項２３に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
25. 前記光沢面（３２ｂ）の比表面積を、１．０よりも大きく１．３以下とすることを特徴とする請求項１１ないし２４のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
26. 前記検査面（１００ａ）は、前記アウターリード（３２）のうち前記プリント基板（２００）に接続される面（３２ａ）とは反対側の面であり、この検査面（１００ａ）に前記光沢面（３２ｂ）を形成することを特徴とする請求項１１ないし２５のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
27. 前記検査面（１００ａ）は、前記アウターリード（３２）の先端部に位置する面であることを特徴とする請求項２６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
28. 前記光沢面（３２ｂ）における前記アウターリード（３２）の突出方向に沿った長さ（Ｌ１）を、０．４ｍｍ以上の大きさとすることを特徴とする請求項１１ないし２７のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
29. 前記光沢面（３２ｂ）を、前記アウターリード（３２）の先端部から一定の距離（Ｌ２）をおいて位置する幅を持った領域とすることを特徴とする請求項１１ないし２８のいずれか１つに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
30. 表面にメッキ膜（３０ａ）が形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記リードフレーム（３０）の製造工程において、前記リードフレーム（３０）の表面に、前記メッキ膜（３０ａ）として前記モールド樹脂（５０）との密着性を高めるべく粗化されたメッキ膜（３０ｂ）を形成するものであり、
    この粗化されたメッキ膜（３０ｂ）を、前記リードフレーム（３０）のうち前記モールド樹脂（５０）から突出する部位であるアウターリード（３２）となる部位のうちプリント基板（２００）への実装後における外観検査が行われる検査面（１００ａ）となる部位以外の部位に、選択的に形成し、
    前記粗化されたメッキ膜（３０ｂ）が形成されていない部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて前記メッキ膜（３０ａ）の平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
31. 樹脂との密着性を向上させるための粗化されたメッキ膜（３０ａ）が表面に形成されたリードフレーム（３０）を用意し、
    前記リードフレーム（３０）と前記半導体素子（２０）とを互いに電気的に接続し、これら半導体素子（２０）およびリードフレーム（３０）をモールド樹脂（５０）で封止するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
    前記モールド樹脂（５０）による封止を行った後、前記リードフレーム（３０）のアウターリード（３２）の表面の前記メッキ膜（３０ａ）を、前記リードフレーム（３０）の母材表面が露出するように剥離させ、
    その後、前記アウターリード（３２）の表面に再度メッキを施すことにより、当該メッキが施された部位を、前記リードフレーム（３０）におけるその他の部位に比べて平坦性が良く光沢性に優れた光沢面（３２ｂ）として形成することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。

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