JP4295732B2

JP4295732B2 - サーマルヘッドの製造方法、サーマルヘッドおよび印画装置

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Publication number: JP4295732B2
Application number: JP2005008255A
Authority: JP
Inventors: 和雄望月; 英行田嶋
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-01-14
Filing date: 2005-01-14
Publication date: 2009-07-15
Anticipated expiration: 2025-01-14
Also published as: JP2006192796A

Description

本発明は、ラベルプリンタ、バーコードプリンタ、券売機、ビデオプリンタ、カードプリンタ、ファクシミリなど各種の印画装置と、その印画装置に組み込まれるサーマルヘッドと、そのサーマルヘッドの製造方法に関するものである。

一般に、業務用のラベルプリンタやファクシミリなどの印画装置においては、高速印画に対応可能なサーマルヘッドを必要としている。そのため、サーマルヘッドに用いる発熱体の材質に工夫を凝らすことにより、高速印画特性を高める方法が提案されていた（例えば、特許文献１参照）。
特公昭６３−６７３１９号公報

しかし、このような従来の方法では、高速印画特性の指標となる耐電力値（抵抗値５％変化時の印加電力）が３１〜３４Ｗ／ｍｍ²であり（特許文献１の第４頁左欄第２１行〜右欄第１６行の記載参照）、近年における印画装置の高速化に伴い、サーマルヘッドの高速印画特性を一層向上させることが要望されている。

また、これらの印画装置においては、走行距離をなるべく延長できるように、サーマルヘッドの長寿命化を図ることが強く要望されている。

本発明は、こうした要望に応えることが可能な、サーマルヘッドの製造方法、サーマルヘッドおよび印画装置を提供することを目的とする。

まず、請求項１に係るサーマルヘッドの製造方法の発明は、スパッタリング法によってＴａＳｉＣを含む発熱体を基板に成膜してサーマルヘッドを製造する際に、前記発熱体の成膜圧力を０．４〜１．５Ｐａ、前記発熱体の成膜電力を５００〜２０００Ｗ、及び前記基板の温度を１８０〜２５０℃としたことを特徴とする。
また、請求項２に係るサーマルヘッドの製造方法の発明は、前記発熱体の材質として、ＴａＳｉＣに代えてＭｏＳｉＣまたはＷＳｉＣを採用したことを特徴とする。
また、請求項３に係るサーマルヘッドの発明は、請求項１又は２に記載のサーマルヘッドの製造方法により製造したことを特徴とする。
また、請求項４に係る印画装置の発明は、請求項３に記載のサーマルヘッドを備えたことを特徴とする。

本発明によれば、発熱体の成膜条件（成膜圧力、成膜電力、基板温度）を規定することにより、発熱体の特性を十分に引き出すことができる。さらに、発熱体の成膜圧力および成膜電力の規定によって発熱体の内部応力が緩和され、基板温度の規定によって発熱体の密着性が高まることから、発熱体の膜剥離を回避することができる。その結果、サーマルヘッドの高速印画特性を大幅に向上させることが可能となる。

また、発熱体の成膜条件（成膜圧力、成膜電力、基板温度）を規定することにより、発熱体の耐久性を改善することができる。その結果、サーマルヘッドの長寿命化を図ることが可能となる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

ラベルプリンタ１１は、図１に示すように、六面体状のケーシング１３を有しており、ケーシング１３の前面には、液晶の表示パネル１４、入力キー１５およびラベル排出口１６が設けられている。また、ケーシング１３内には、ラベル連続体１２がロール状に巻き取られた形で収納されている。このラベル連続体１２は、長尺の台紙１２ａに多数枚のラベル１２ｂが所定間隔で連続的に仮着されたものであり、その先端部は複数本（図１では、２本）の搬送ローラ１７に支持されてラベル排出口１６の手前に位置決めされている。さらに、ケーシング１３内にはサーマルヘッド１がラベル連続体１２の上側に位置決めされて組み込まれており、サーマルヘッド１でラベル連続体１２のラベル１２ｂを加熱して発色させることにより、文字や画像などのイメージをラベル１２ｂに印刷した後、このラベル１２ｂをラベル排出口１６から排出することができる。

このサーマルヘッド１は、図２（ｆ）に示すように、基板８を有している。この基板８は、厚さ約１ｍｍのアルミナセラミックスからなる絶縁性の基板本体９と、この基板本体９上に厚さ約４０μｍに形成されたガラス製のグレーズ２とから構成されており、グレーズ２の一部には曲面凸部２ａが形成されている。

この基板８の上側には、厚さ０．０４〜０．０６μｍのＴａＳｉＣを含む発熱体３が多数個、主走査方向（図２紙面に直交する方向）に配列する形で成膜されている。各発熱体３の上側には、厚さ約０．６μｍのアルミニウムからなる一対の電極４が、グレーズ２の曲面凸部２ａ上で所定の距離をおいて互いに離れた状態で成膜されている。

また、すべての発熱体３および電極４の上側には、ＳｉＯ₂からなる厚さ０．５〜４μｍの第１保護膜６が成膜されている。さらに、第１保護膜６の上側には、ＳｉＢＰからなる厚さ２〜１０μｍの第２保護膜７が成膜されている。

以下、図２に基づき、このサーマルヘッド１の製造工程を説明する。

まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板本体９上にグレーズ２を形成して基板８を作製する。

その後、スパッタリング法により、図２（ｃ）に示すように、曲面凸部２ａも含めてグレーズ２上に発熱体３を長く成膜する。このとき、発熱体３の成膜圧力を０．４〜１．５Ｐａとするとともに、発熱体３の成膜電力を５００〜２０００Ｗとする。さらに、基板温度（つまり、基板８の温度）を１８０〜２５０℃とする。

そして、真空中において温度５５０〜６５０℃で熱処理を行う。このとき、熱処理時間は熱処理温度に依存する。例えば、熱処理温度が５５０℃であれば２時間程度であり、熱処理温度が６５０℃であれば１時間程度である。

次いで、スパッタや蒸着により、図２（ｄ）に示すように、発熱体３上に、一対の電極４を曲面凸部２ａ上に隙間が形成されるように成膜する。

最後に、図２（ｅ）に示すように、発熱体３および電極４を覆うように第１保護膜６を成膜した後、図２（ｆ）に示すように、第１保護膜６の上側に第２保護膜７を成膜する。

ここで、サーマルヘッド１の製造が終了する。

こうして製造されたサーマルヘッド１では、発熱体３の成膜条件（成膜圧力、成膜電力、基板温度）が規定されているため、発熱体３の特性が十分に引き出される。さらに、発熱体３の成膜圧力および成膜電力の規定によって発熱体３の内部応力が緩和され、基板温度の規定によって発熱体３の密着性が高まることから、発熱体３の膜剥離が回避される。その結果、サーマルヘッド１の高速印画特性が大幅に向上することになる。

また、発熱体３の成膜条件（成膜圧力、成膜電力、基板温度）を規定することにより、発熱体３の耐久性が改善される。その結果、サーマルヘッドの長寿命化が図られることになる。

この効果を確認するため、以下に述べるように、種々の成膜条件（成膜圧力０．１〜２．０Ｐａ、成膜電力１００〜２４００Ｗ、基板温度１５０〜２５０℃）でＴａＳｉＣを含む発熱体３を基板に成膜してサーマルヘッド１を試作し、これらのサーマルヘッド１の発熱体における抵抗値変化率を調べた。

ここで、成膜圧力は主に発熱体３の内部応力に影響を与え、この内部応力（ＴａＳｉＣでは圧縮傾向）が強すぎると、膜剥離を誘発する原因となる。特に、ＴａＳｉＣでは成膜後の熱処理によって逆の引張応力に変化することから、成膜圧力２．０Ｐａの領域では、応力が大きく、膜剥離の危険性が伴い、製品としての安定性および信頼性に問題が生じる。

また、成膜電力も基本的には発熱体３の内部応力に影響を与える。ただ、実際には、内部応力のほか、成膜レートや成膜分布（基板内膜厚分布）にも大きく影響し、高パワーであるほど膜厚のコントロールが困難となる。したがって、製品の歩留まりに大きく影響し、実際の量産条件としての制御範囲としては適切でないことがわかった。実験では、成膜圧力との密接な関係があるが、耐パルス特性も悪く、開発品としての価値を持たないことが判明した。

さらに、ベーキングは主に基板表面の不純物および水分などの除去と発熱体３の密着性向上を目的として実施する。実験では、基板温度１５０℃レベルでは発熱体３の密着性が弱く、スクラッチおよびピーリングテストにおいて規格値以下となり、膜剥離の危険性が高い。また、成膜装置の仕様上の制約から基板温度２５０℃を越える実験はできなかった。基板温度による特性への影響は、基板温度が高いほど特性的に若干改善される傾向にあるものの、顕著な差はなく、高速印画特性、耐パルス特性とも改善傾向がみられるとも限らない。

まず、所定の成膜装置２０を用いてスパッタリング薄膜形成法でサーマルヘッド１の試作を行った。この成膜装置２０は、図３に示すように、チャンバ２１を有している。チャンバ２１内には円筒状のドラム２２が自転しうるように支持されており、ドラム２２の外周面には所定枚数（１３枚）の基板８を等間隔で取り付けることができる。チャンバ２１内には、ＴａＳｉＣ（タンタルの組成比：２５ａｔ％）からなる所定サイズ（幅１２０〜１３０ｍｍ、高さ３５０〜４００ｍｍ、厚さ４〜６ｍｍ）のターゲット２３が２個、ドラム２２を挟んで対向するように設置されており、各ターゲット２３はドラム２２と所定距離（５０〜１００ｍｍ）だけ離れている。

そして、サーマルヘッド１の試作に際しては、ドラム２２の外周面に所定枚数の基板８を取り付けた後、このドラム２２を一定の回転数（５ｒｐｍ）で自転させる。この状態で、クライオポンプ（図示せず）を用いてチャンバ２１内の気圧を８×１０^-4〜３×１０^-3Ｐａにまで減圧し、チャンバ２１内にＡｒ（アルゴンガス）を供給して電力を印加する。すると、チャンバ２１内のＡｒがプラズマ状態となって各ターゲット２３に叩きつけられ、各ターゲット２３からＴａＳｉＣが飛び出して基板８上に堆積する。その結果、基板８上にＴａＳｉＣを含む薄膜が発熱体３として形成され、サーマルヘッド１が得られる。

次いで、こうして得られたサーマルヘッド１の高速印画特性を調べるため、基板温度１８０℃で試作したサーマルヘッド１についてＳＳＴ（ステップストレス試験）を実施した。すなわち、周期（ＳＬＴ）１．２ｍｓｅｃ、パルス幅（Ｐｗ）０．５ｍｓｅｃでデューティ４２％のパルス電力を段階的に増加させて印加し、そのときの発熱体３における抵抗値を測定した。具体的には、まず８Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、その後、１２Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。次に、１６Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、その後、２０Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。次に、２５Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、その後、３０Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。次に、３６Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、その後、４３Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。次に、５０Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、その後、５８Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。次に、６６Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定し、最後に、７５Ｗ／ｍｍ²で５×１０⁴回印加した時点で抵抗値を測定した。その結果を図４に示す。図４において、グラフの横軸は印加電力を表し、グラフの縦軸は抵抗値変化率を表す。ここで、発熱体３の抵抗値は印加電力によって変化するので、初期抵抗値を基準とし、そこから所定の電力値に必要な電圧を予め求めて電力値としている。

ここで、抵抗値変化率と印加電力との関係から高速印画特性を知ることができる理由は次のとおりである。すなわち、電圧一定の下で抵抗値が大きくなると、それに反比例して電流が小さくなるため、ジュール熱が減少し、印字濃度が薄くなる。逆に、電圧一定の下で抵抗値が小さくなると、それに反比例して電流が大きくなるため、ジュール熱が増大し、印字濃度が濃くなる。したがって、規定の印字濃度を維持するためには、抵抗値変化率を所定の範囲内（例えば、±５％以内）に収める必要がある。一方、印加電力が大きくなると、それだけ高速印画に対応可能となる。これらを総合すると、印加電力をどこまで上昇させたときに抵抗値変化率が所定の範囲から逸脱するかをチェックすれば、規定の印字濃度を維持した上での高速印画特性を判定することが可能となるのである。

そこで、ＳＳＴの結果を見ると、図４から明らかなように、比較例１（成膜圧力０．１Ｐａ、成膜電力２４００Ｗ）では、印加電力が３０Ｗ／ｍｍ²を越えると抵抗値がプラス側に変化し始め、印加電力４１Ｗ／ｍｍ²で抵抗値変化率が５％に達した後、印加電力の増加に伴って抵抗値がさらに増加した。また、比較例２（成膜圧力２．０Ｐａ、成膜電力１５００Ｗ）では、印加電力が３０Ｗ／ｍｍ²を越えると抵抗値がプラス側に変化し始め、印加電力４６Ｗ／ｍｍ²で抵抗値変化率が５％に達した後、印加電力の増加に伴って抵抗値がさらに増加した。一方、実施例１（成膜圧力１．０Ｐａ、成膜電力１５００Ｗ）では、印加電力が３０Ｗ／ｍｍ²を越えると、抵抗値がやや低下してから増加に転じ、印加電力６４Ｗ／ｍｍ²で漸く抵抗値変化率が５％に達した。

つまり、抵抗値変化率５％に達する印加電力を比較すると、比較例１が４１Ｗ／ｍｍ²であり、比較例２が４６Ｗ／ｍｍ²であった。これらの値（４１Ｗ／ｍｍ²、４６Ｗ／ｍｍ²）は、発熱体３の材質に工夫を凝らして高速印画特性を高めようとする従来の方法で得られた値（３１〜３４Ｗ／ｍｍ²）と比べて十分に良好な値である。さらに、実施例１では６４Ｗ／ｍｍ²（すなわち、従来の約２倍、比較例１の１．６倍、比較例２の１．４倍）であった。したがって、従来と比較すると、比較例１、２は高速印画特性に優れ、実施例１は高速印画特性に一層優れることが実証されたことになる。

そして、実施例１以外であっても、図５に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、概ね、抵抗値変化率５％に達する印加電力が大きく、高速印画特性に優れる結果が得られた。なお、実施例の一部に比較例２に劣るもの（成膜圧力０．４Ｐａで成膜電力５００Ｗの場合、成膜圧力０．４Ｐａで成膜電力２０００Ｗの場合、成膜圧力１．５Ｐａで成膜電力５００Ｗの場合）が見受けられるが、これらは、後述するように、寿命特性（耐パルス特性）に優れる。

これに対して、成膜電力が１００Ｗと小さい場合、成膜圧力の大小にかかわらず、成膜時の放電が不安定となった。逆に、成膜電力が２４００Ｗと大きくなると、成膜圧力が０．１Ｐａである場合を除き、成膜分布（Uniformity）が大きくなった。一方、成膜圧力が０．１Ｐａで成膜電力が５００Ｗ、１０００Ｗまたは１５００Ｗの場合、発熱体３の密着性が弱く、発熱体３が膜剥離を生じる危険性が高かった。また、成膜圧力が２．０Ｐａで成膜電力が５００Ｗの場合、成膜時の放電が不安定となった。さらに、成膜圧力が２．０Ｐａで成膜電力が１０００Ｗ、１５００Ｗまたは２０００Ｗの場合、発熱体３の内部応力が増大した。

また、サーマルヘッド１の寿命特性を調べるため、基板温度１８０℃で試作したサーマルヘッド１についてＰＤＴ（耐パルス特性試験）を実施した。すなわち、周期（ＳＬＴ）１．２ｍｓｅｃ、パルス幅（Ｐｗ）０．５ｍｓｅｃでデューティ４２％のパルス電力０．６５Ｗ／ｄｏｔ（つまり、約４４Ｗ／ｍｍ²）を一定のまま印加し、印加パルス回数が１０⁴、３×１０⁴、１０⁵、３×１０⁵、１０⁶、３×１０⁶、１０⁷、３×１０⁷、１０⁸であるときの発熱体３における抵抗値をそれぞれ測定した。その結果を図６に示す。図６において、グラフの横軸は印加パルス回数を表し、グラフの縦軸は抵抗値変化率を表す。この抵抗値変化率は、初期抵抗値に対する値（変化率）である。

図６から明らかなように、比較例１（成膜圧力０．１Ｐａ、成膜電力２４００Ｗ）では、印加パルス回数が１０⁴回から１０⁸回に増えるに従って抵抗値変化率が単調に増加し、印加パルス回数が１０⁸回に達したときには、抵抗値変化率が１５％を越えた。また、比較例２（成膜圧力２．０Ｐａ、成膜電力１５００Ｗ）では、印加パルス回数が１０⁴回から１０⁸回に増えるに従って抵抗値変化率が単調に増加し、印加パルス回数が１０⁸回に達したときには、抵抗値変化率が１１％になった。これに対して実施例１（成膜圧力１．０Ｐａ、成膜電力１５００Ｗ）では、印加パルス回数が１０⁴回から１０⁸回に増えても抵抗値変化率がほとんど変化せず、印加パルス回数が１０⁸回に達したときでも、抵抗値変化率が１．８％にとどまった。

これらの結果から、比較例１、２に比べて実施例１は長寿命であることが実証されたことになる。

そして、実施例１以外であっても、図７に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率が９．６％以下と小さく、寿命特性に優れる結果が得られた。

同様に、基板温度２５０℃で試作した発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その高速印画特性を調べるため、ＳＳＴを実施した。その結果、図８に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、抵抗値変化率５％に達する印加電力が４３〜６４Ｗ／ｍｍ²と大きく、高速印画特性に優れる結果が得られた。

また、基板温度２５０℃で試作した発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その寿命特性を調べるため、ＰＤＴを実施した。その結果、図９に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率が２．０〜１０．０％と小さく、寿命特性に優れる結果が得られた。

なお、上述の実施形態においては、グレーズ２上に発熱体３を長く成膜する場合について説明したが、図１０に示すように、グレーズ２の曲面凸部２ａにのみ発熱体３を部分的に成膜する場合に本発明を適用することもできる。

なお、上述の実施形態においては、発熱体３の材質としてＴａＳｉＣを用いる場合について説明したが、ＴａＳｉＣに代えてＭｏＳｉＣやＷＳｉＣを採用してもよい。

まず、ＴａＳｉＣの場合と同じ成膜条件（ただし、基板温度は２００℃）でＭｏＳｉＣ（モリブデンの組成比：２５ａｔ％）を含む発熱体３を試作し、この発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その高速印画特性を調べるため、ＳＳＴを実施した。その結果、図１１に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、抵抗値変化率５％に達する印加電力が４０〜５５Ｗ／ｍｍ²と大きく、ＴａＳｉＣの場合に準じる高速印画特性が得られた。

これに対して、成膜電力が１００Ｗと小さい場合、成膜圧力の大小にかかわらず、成膜時の放電が不安定となった。逆に、成膜電力が２４００Ｗと大きくなると、成膜圧力が０．１Ｐａである場合を除き、成膜分布（Uniformity）が大きくなった。一方、成膜圧力が０．１Ｐａと小さい場合、成膜電力が１００Ｗである場合を除き、発熱体３の密着性が弱く、発熱体３が膜剥離を生じる危険性が高かった。また、成膜圧力が２．０Ｐａで成膜電力が５００Ｗの場合、成膜時の放電が不安定となった。さらに、成膜圧力が２．０Ｐａで成膜電力が１０００Ｗ、１５００Ｗまたは２０００Ｗの場合、発熱体３の内部応力が増大した。

また、このＭｏＳｉＣを含む発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その寿命特性を調べるため、ＰＤＴを実施した。その結果、図１２に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率が５．６〜９．９％と小さく、ＴａＳｉＣの場合に準じる寿命特性が得られた。

一方、ＴａＳｉＣの場合と同じ成膜条件（ただし、基板温度は２００℃）でＷＳｉＣ（タングステンの組成比：２５ａｔ％）を含む発熱体３を試作し、この発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その高速印画特性を調べるため、ＳＳＴを実施した。その結果、図１３に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、抵抗値変化率５％に達する印加電力が４０〜５２Ｗ／ｍｍ²と大きく、ＴａＳｉＣの場合に準じる高速印画特性が得られた。

また、このＷＳｉＣを含む発熱体３を用いたサーマルヘッド１について、その寿命特性を調べるため、ＰＤＴを実施した。その結果、図１４に示すように、成膜圧力が０．４〜１．５Ｐａの範囲内で、かつ成膜電力が５００〜２０００Ｗの範囲内であれば、印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率が６．７〜９．８％と小さく、ＴａＳｉＣの場合に準じる寿命特性が得られた。

また、上述の実施形態においては、ラベルプリンタ１１について説明したが、ラベルプリンタ１１以外の印画装置（例えば、バーコードプリンタ、券売機、ビデオプリンタ、カードプリンタ、ファクシミリなど）に本発明を適用することもできる。

本発明に係る印画装置であるラベルプリンタの一実施形態を示す斜視図である。本発明に係るサーマルヘッドの製造方法の第１の実施形態を示す工程図である。成膜装置の平面図である。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度１８０℃）に関するＳＳＴ（ステップストレス試験）の結果を示すグラフである。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度１８０℃）に関するＳＳＴ（ステップストレス試験）において抵抗値変化率が５％増減したときの印加電力を示す表である。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度１８０℃）に関するＰＤＴ（耐パルス特性試験）の結果を示す片対数グラフである。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度１８０℃）に関するＰＤＴ（耐パルス特性試験）において印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率を示す表である。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度２５０℃）に関するＳＳＴ（ステップストレス試験）において抵抗値変化率が５％増減したときの印加電力を示す表である。ＴａＳｉＣを含む発熱体（基板温度２５０℃）に関するＰＤＴ（耐パルス特性試験）において印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率を示す表である。本発明に係るサーマルヘッドの別の実施形態を示す断面図である。ＭｏＳｉＣを含む発熱体（基板温度２００℃）に関するＳＳＴ（ステップストレス試験）において抵抗値変化率が５％増減したときの印加電力を示す表である。ＭｏＳｉＣを含む発熱体（基板温度２００℃）に関するＰＤＴ（耐パルス特性試験）において印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率を示す表である。ＷＳｉＣを含む発熱体（基板温度２００℃）に関するＳＳＴ（ステップストレス試験）において抵抗値変化率が５％増減したときの印加電力を示す表である。ＷＳｉＣを含む発熱体（基板温度２００℃）に関するＰＤＴ（耐パルス特性試験）において印加パルス回数が１０⁸回に達したときの抵抗値変化率を示す表である。

符号の説明

１……サーマルヘッド
２……グレーズ
３……発熱体
４……電極
６……第１保護膜
７……第２保護膜
８……基板
９……基板本体
１１……ラベルプリンタ（印画装置）
１３……ケーシング
１４……表示パネル
１５……入力キー
１６……ラベル排出口
１７……搬送ローラ
１２……ラベル連続体
１２ａ……台紙
１２ｂ……ラベル
２０……成膜装置
２１……チャンバ
２２……ドラム
２３……ターゲット

Claims

スパッタリング法によってＴａＳｉＣを含む発熱体を基板に成膜してサーマルヘッドを製造する際に、
前記発熱体の成膜圧力を０．４〜１．５Ｐａ、前記発熱体の成膜電力を５００〜２０００Ｗ、及び前記基板の温度を１８０〜２５０℃としたことを特徴とする、サーマルヘッドの製造方法。
前記発熱体の材質として、ＴａＳｉＣに代えてＭｏＳｉＣまたはＷＳｉＣを採用したことを特徴とする、請求項１に記載のサーマルヘッドの製造方法。
請求項１又は２に記載のサーマルヘッドの製造方法により製造したことを特徴とするサーマルヘッド。
請求項３に記載のサーマルヘッドを備えたことを特徴とする印画装置。