JP4294664B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
本明細書で開示する発明の一つは、図1乃至図6にその作製工程が例示される構成のように、
格子状に配置されたソース配線305とゲイト配線204(図3参照)と、
前記ソース配線305にソース領域207が接続され、前記ゲイト配線204がゲイト電極202に接続された薄膜トランジスタと、
前記ソース配線305と同時に形成されたドレイン電極303と、(図6参照)
前記ドレイン電極303の上方に形成された補助容量用電極401と、(図6参照)
前記補助容量用電極401の上方に形成された反射画素電極602と、(図6参照)
を有し、
前記ドレイン電極303と前記補助容量用電極401との間には補助容量が形成され、(図6参照)
前記ドレイン電極303は画素領域の大部分を占めている(図3参照)ことを特徴とする。
・〔ソース配線305と同時に形成されたドレイン電極303〕(図6参照)
は、図3に代表的に示されるように、同一の表面上(この場合は層間絶縁膜301上)に成膜された膜をパターニングすることにより、303と305で示されるようなパターンを形成することによって得られる。
他の発明の構成は、
格子状に配置されたソース配線とゲイト配線と、
前記ソース配線にソース領域が接続され、前記ゲイト配線がゲイト電極に接続された薄膜トランジスタと、
前記ソース配線と同時に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極の上方に形成された補助容量用電極と、
前記補助容量用電極の上方に形成された電磁シールド用の導電膜と、
前記導電膜の上方に形成された反射画素電極と、
を有し、
前記ドレイン電極と前記補助容量用電極との間には補助容量が形成され、
前記ドレイン電極は画素領域の大部分を占めていることを特徴とする。
他の発明に構成は、
格子状に配置されたソース配線とゲイト配線と、
前記ソース配線にソース領域が接続され、前記ゲイト配線がゲイト電極に接続された薄膜トランジスタと、
前記ソース配線と同時に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極の上方に誘電体膜を介して形成された補助容量用電極と、
前記補助容量用電極の上方に形成された電磁シールド用の導電膜と、
前記導電膜の上方に形成された反射画素電極と、
を有し、
前記ドレイン電極と前記補助容量用電極との間には補助容量が形成され、
前記ドレイン電極は画素領域の大部分を占めて形成されており、
前記ゲイト電極と前記ソース配線と前記ドレイン電極とでもって、前記誘電体膜が形成される面の平坦性が確保されていることを特徴とする。
他の発明の構成は、
格子状に配置されたソース配線とゲイト配線と、
前記ソース配線にソース領域が接続され、前記ゲイト配線がゲイト電極に接続された薄膜トランジスタと、
前記ソース配線と同時に形成されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極の上方に誘電体膜を介して形成された補助容量用電極と、
前記補助容量用電極の上方に形成された電磁シールド用の導電膜と、
前記導電膜の上方に形成された反射画素電極と、
を有し、
前記ドレイン電極と前記補助容量用電極との間には補助容量が形成され、
前記ドレイン電極は画素領域の大部分を占めて形成されており、
前記ゲイト電極と前記ソース配線及び前記ドレイン電極との厚さの差は、液晶層の厚さの20%以下であることを特徴とする。
(1)補助容量の形成
(2)画素電極の平坦化
(3)画素電極のコンタクト形成を容易にする。
といった役割を有している。
100 ガラス基板(または石英基板)
201 ゲイト絶縁膜
202 ゲイト電極(アルミニウムで構成さえる)
203 陽極酸化膜
204 ゲイト配線
301 層間絶縁膜(酸化珪素膜)
302 ドレイン電極(チタン膜)
303 ドレイン電極(アルミニウム膜)
304 ドレイン電極(チタン膜)
305 ソース配線(ソース電極)
306 ソース配線(ソース電極)
307 ソースコンタクト部
308 ドレインコンタクト部
400 窒化珪素膜
401 容量形成用の電極
501 層間絶縁膜(ポリイミド樹脂膜)
502 電界遮蔽用シールド(ブラックマトリクス)
601 層間絶縁膜(ポリイミド樹脂膜)
602 画素電極(アルミニウム膜)
603 画素コンタクト部
Claims (12)
- 格子状に配置されたソース配線及びゲイト配線と、薄膜トランジスタとを有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記活性層に電気的に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極上に形成された、樹脂でなる第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続された反射画素電極と、
前記ドレイン電極と重なる補助容量形成用の電極とを有し、
前記第1のコンタクトホールは前記第2のコンタクトホールと重なっており、
前記ドレイン電極は、前記ソース配線と前記ゲイト配線とで囲まれる領域の50%以上を占めており、
前記反射画素電極の表面は平坦化されていることを特徴とする表示装置。 - 格子状に配置されたソース配線及びゲイト配線と、薄膜トランジスタとを有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して前記活性層に電気的に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極上に形成された、樹脂でなる第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極に電気的に接続された反射画素電極と、
前記ドレイン電極と重なる補助容量形成用の電極とを有し、
前記第1のコンタクトホールは前記第2のコンタクトホールと重なっており、
前記反射画素電極は前記ソース配線及び前記ゲイト配線の縁に一部重なっており、
前記ドレイン電極は、前記ソース配線と前記ゲイト配線とで囲まれる領域の50%以上を占めており、
前記反射画素電極の表面は平坦化されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、前記ドレイン電極と前記反射画素電極とのコンタクト部分以外の全ての領域を覆う電磁シールド用の導電膜をさらに有していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一において、前記活性層は、屈曲していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記第2の層間絶縁膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、エポキシのいずれか一からなることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記ゲイト電極、前記ソース配線及び前記ドレイン電極の厚さは、概略一致していることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
- 請求項7において、前記ゲイト電極の厚さと前記ソース配線及び前記ドレイン電極の厚さとの差は、液晶層の厚さの20%以下であることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記表示装置は、ELディスプレイであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記表示装置は、投影型のプロジェクターであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記表示装置は、携帯型の情報処理端末、ヘッドマウントディスプレイ、携帯電話、またはビデオカメラであることを特徴とする表示装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記表示装置は、人工衛星からの信号を基に地図情報を表示する機能を有していることを特徴とする表示装置。
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