JP4286330B2 - 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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Description
本発明は、そのような鏡投写システムを備える、基板のいくつかの領域上にマスクパターンをステップおよび走査で映像を形成するためのリソグラフィック装置にも関するものである。
ヨーロッパ特許出願公開第0779528号公報が、数nmと数十nmの間の範囲の波長も持つ放射を意味するものと理解されるEUV、極紫外線、放射を用いて、半導体基板の上のいくつかの領域にICマスクパターンの映像を写す、ステップおよび走査リソグラフィック装置に使用する鏡投写装置を記述している。この放射は軟X線放射とも呼ばれている。EUV放射の使用によって、0.1μmまたはそれより小さいオーダーの超微細な細部の映像を満足に投写できるという大きな利点が得られる。いいかえると、EUV放射を用いている映像形成システムが、システムのNAを極めて大きくする必要なしに非常に高い解像力を有するので、システムの焦点深度もかなり大きな値を有する。EUV放射のためにはレンズを製作できる適切な材料を利用できないから、マスクパターンの映像を基板上に投写するために、これまでの従来通常のレンズ投写装置の代わりに、鏡投写装置を使用しなければならない。
ICの製造に現在使用されているリソグラフィック装置はステッピング装置である。それらの装置では、全視野照明、すなわち、マスクパターンの全ての領域が同時に照明されて、それらの領域の映像が基板の1つのIC領域上に形成される。最初のIC領域が照明された後で、次のIC領域へ歩進が行われる、すなわち、次のIC領域がマスクパターンの下に配置させられるようにして基板ホルダーが動かされ、その後でその領域は照明される。このようにしてマスクパターンの基板の全てのIC領域が照明されるまでその操作が繰り返される。知られているように、部品数が増加しつつあるICを得ることが望ましいことが続いている。
それらの部品の寸法を小さくすることによるばかりでなく、ICの表面積を拡大することによってその希望を達成しようと試みられている。これは、既に比較的高い投写レンズのNAを一層大きくしなければならず、ステッピング装置ではこのシステムの映像場もまた一層拡大しなければならないことを意味する。これは実際には不可能である。
したがって、ステッピング装置からステップおよび走査装置へ変更することが提案されている。そのような装置では、投写装置の倍率を考慮に入れて、マスクパターンの長方形の一部または円形の一部の形の部分領域、したがって、また基板のIC領域のそのような部分領域が照明され、マスクパターンと基板が照明ビーム中を同期して動かされる。その後で、マスクパターンの次の円形の一部の形の部分領域の映像が、基板上の関連するIC領域の対応する部分領域上に各場合に形成される。マスクパターン全体の映像がこのようにしてIC領域の上に形成された後で、基板ホルダーは歩進運動を実行する、すなわち、以後のIC領域の初めが投写ビーム中に入れられ、マスクがそれの最初の位置に置かれ、その後で前記後のIC領域がマスクパターンを通じて走査照明される。この走査映像形成法を、投写放射としてEUV放射を使用するリソグラフィック装置に用いて大きな利益を得ることができる。
ヨーロッパ特許出願公開第0779528号公報に記載されている投写装置の、波長が13nmのEUV放射を使用することを意図している実施例は、映像側で0.20のNAを持つ。環状の映像場は内径が29mm、外径が31mm、長さが30mmである。このシステムの解像力は50nmで、収差および歪みは十分に小さくて走査法によりIC領域上に透過マスクパターンの良い映像を形成する。投写システムの第3の鏡は凹面である。第1の鏡と第2の鏡とで構成されている第1の鏡対は物体すなわちマスクパターンの拡大された映像を構成する。この映像は、第3の鏡と第4の鏡とで構成されている第2の鏡対へ送られ、第5の鏡と第6の鏡とで構成されている第3の鏡対に与えられる。その第3の鏡対は所要の開口NA=0.20を持つ所望のテレセントリック(telecentric)映像を形成する。この投写システムでは、第3の鏡と第4の鏡との間に中間映像が形成され、第2の鏡の上にダイアフラムが配置されている。
既知の投写システムでは、第3の鏡と第4の鏡を構成する鏡部はシステムの光軸から比較的大きい距離に配置しなければならない。これは位置合わせの問題と安定性の問題をひき起こすことがある。更に、既知のシステムの自由動作距離は17mmのオーダーと小さい。実際には、たとえば、組込み型測定システムに関連してより大きい動作距離がしばしば求められる。
本発明の目的は、比較的大きい自由動作距離を持ち、かつ安定である、初めの節で述べた種類の投写システムを得ることである。そのために、本発明の投写システムは第3の鏡が凸面であることを特徴とするものである。
この新規な概念の投写システムでは、ただ1枚の鏡要素、第4の鏡、が光軸から比較的大きい距離に配置される。自由動作距離は、たとえば、ヨーロッパ特許出願公開第0779528号公報に記載されているシステムの自由動作距離よりも、たとえば、6倍大きい。そこで、中間映像は初めの4枚の鏡により形成される。その中間映像は第4の鏡と第5の鏡との間の位置に呈示される。この中間映像は第5の鏡と第6の鏡により映像面内に映像が直接形成される。この新規な投写システムでは、第1の鏡が第3の鏡の近くに置かれるのに、ヨーロッパ特許出願公開第0779528号公報のシステムでは第2の鏡が第4の鏡の近くに置かれている。
米国特許第5,686,728号公報がステップおよび走査装置のための6枚鏡投写システムを記述していることに注目されたい。しかし、この投写システムは100nmと300nmの間の範囲の波長のために設計されており、すなわち、EUV放射のためではない。米国特許第5,686,728号公報では、そのような鏡投写システムはEUV放射には適さないことが注目される。米国特許第5,686,728号公報に記載されている投写システムの6枚の鏡を用いる実施例では、第1の鏡は凸面である。
投写システムの上記新規な設計内では、開口数、倍率および映像場のパラメータの選択にいぜんとしていくらかの自由が存在する。
この投写システムの実施例は、システムの映像側における開口数が0.20nmのオーダーで、倍率M=+0.25、円形の一部の形の映像場の幅が1,5mmである。
この投写システムは50nmのオーダーの寸法を持つ細部の映像を形成するのに適している。
この投写システムは全ての鏡が非球面表面を持つことを特徴とすることが更に好ましい。
非球面表面というのは、基本的な形が球であるが、この表面が一部を構成している光学系の収差を修正するように、実際の表面がこの基本的な形から局部的にずれているような表面を意味することと理解される。
全ての鏡を非球面にすることにより、システムをより広い映像場に対して修正でき、開口数を大きくできる。
この投写システムは映像側でテレセントリックであることを更に特徴とすることが好ましい。
したがって、光軸に沿う基板の望ましくない変位に起因する倍率誤差は避けることができる。
この投写システムは、物理的にアクセス可能なダイアフラムが第2の鏡と第3の鏡の間に配置されていることを更に特徴とするものである。
このシステムは反対側へ伸びるビームの間のこの位置にダイアフラムを置くのに十分なスペースが存在するように設計される。
本発明は、EUV放射源を有する照明器と、マスクを収容するためのマスクホルダーと、基板を収容するための基板ホルダーと、投写システムとを備え、マスク中に存在するマスクパターンの映像を基板のいくつかの領域の上にステップおよび走査形成するリソグラフィック装置にも関するものである。この装置は、投写システムが前記鏡投写システムであることを特徴とするものである。
鏡投写システムは透過マスクとの組合わせで使用できる。そうすると、照明システムはマスクホルダーの一方の側に配置され、投写システムは他方の側に配置される。
しかし、より短い組み込み長さを持つリソグラフィック装置は、マスクが反射マスクであり、照明器がマスクホルダーの投写システムと同じ側に配置されることを更に特徴とするものである。
EUV放射に適する反射マスクは、この放射のための透過マスクよりも一層容易に製作できる。
本発明のそれらの面およびその他の面は以後に説明する諸実施例から明らかであり、かつそれらの実施例を参照すると明らかにされるであろう。
図1は本発明の投写システムの実施例を示す。
図2はそのような投写システムを含むリソグラフィック装置の実施例を線図的に示す。
図1で、映像を形成すべきマスクを配置できる対物面が参照番号1で示され、基板を配置できる映像面が参照番号2で示されている。マスクが反射性であれば、そのマスクは放射源(図示せず)により放出されて右から来るビームbで照明される。反射マスクより反射されたビームb1はシステムの第1の鏡5に入射する。その鏡は凹面である。この鏡はそのビームを収束ビームb2として第2の鏡6へ反射する。鏡6は僅かに凹面である。鏡6はそのビームをより強く収束するビームb3として第3の鏡7へ反射する。鏡7は凸面鏡であって、ビームを僅かに発散するビームb4として第4の鏡8へ反射する。この鏡8は凹面鏡であって、ビームを収束ビームb5として第5の鏡9へ反射する。鏡9は凸面であって、ビームを発散するビームb6として第6の鏡10へ反射する。この鏡10は凹面鏡であって、そのビームをビームb7として映像面2中に焦点を結ぶ。鏡5、6、7および8はマスクの中間映像を平面3に一緒に結び、鏡9と10は、この中間映像から、所望のテレセントリック映像を映像面2に、すなわち、基板の面に結ぶ。
投写システムの絞りが軸線方向の位置12に配置されている。この位置では、ダイアフラム13をこの位置に置くことができるように、ビームb2、b3およびb4は相互に十分隔てて分離される。知られているように、ダイアフラムは散乱された放射または望ましくない反射によりひき起こされた放射が、映像形成システム内で映像形成ビームに到達することを阻止するので、平面2内に形成された映像のコントラストを低下させることができる。更に、照明のパワーと映像場における解像力が一定であるように、ダイアフラムは全ての映像形成ビームに対して同じビーム横断面および同じNAであるようにする。
更に、図1に示されているシステムの全ての鏡面は非球面である。それによってこのシステムは所望の開口に対して満足に修正される。
このシステムは同軸である。同軸というのは、全ての鏡の曲率中心が1本の軸線、すなわち光軸OO′上に配置されていることを意味する。組立ておよび許容誤差の観点から、これは非常に有利である。
下記の表は図1の実施例の関連するパラメータの値を示す。それらのパラメータは次の通りである。
−光軸OO′に沿って測定された距離:
d1:対物面1と鏡5の間の距離、
d2:鏡5と鏡6の間の距離、
d3:鏡6と鏡7の間の距離、
d4:鏡7と鏡8の間の距離、
d5:鏡8と鏡9の間の距離、
d6:鏡9と鏡10の間の距離、
d7:鏡10と映像面2の間の距離、
−光軸に沿って測定された曲率半径:
R1:鏡5の曲率半径、
R2:鏡6の曲率半径、
R3:鏡7の曲率半径、
R4:鏡8の曲率半径、
R5:鏡9の曲率半径、
R6:鏡10の曲率半径、
−既知数列展開の偶数項a2、a4、a6、a8、a10、a12
が非球面の変化を記述する。
このシステムの倍率Mは+0.25で、開口数NAは0.20、映像面2の領域における映像の円形部分の内径は27.5mm、外径は29mmであるので、この平面は円形の部分の形をした、幅が1.5mmのスポットで走査される。このスポットの長さ、すなわち弦、は25mmのオーダーである。このシステムの全長、図1では約1057mmである。このシステムは波長が13nmの放射により映像を形成することを意図しており、そのために、この波長の放射をできるだけ満足に反射する多層構造が鏡に既知のやり方で設けられている。この目的のための多層構造の例がとくに米国特許第5,153,898号公報に記載されている。
図2は、EUV放射に敏感な層21が設けられている基板20の上に反射マスク15で示されている、マスクパターンの映像を形成するために本発明の鏡投写システムを有するステップおよび走査リソグラフィック装置の実施例を非常に線図的に示している。この装置は、EUV放射源と、円形部分の形の横断面を持つ照明ビームbを形成する光学系とを収容する、線図で示されている照明器30を有する。この図に示されているように、照明器30は投写システムの基板台9と映像部10との近くに置くことができ、したがって、照明ビームbはそれらの要素の近くに沿って投写カラムに入ることができる。映像を形成される反射マスク15は、マスク台17の一部を構成しているマスクホルダー16内に配置される。そのマスク台によってマスクを走査方向18と、おそらくは走査方向に垂直な方向に動かすことができ、したがって、マスクパターンの全ての領域を照明ビームbにより形成されている照明スポットの下に配置できる。マスクホルダーおよびマスク台は線図的にのみ示されており、種々のやり方で実現できる。基板20は、基板台(ステージ)23により支持されている基板ホルダー22の上に配置されている。この台は基板を走査方向(X方向)に動かすことができるがそれに垂直なY方向にも動かすこともできる。走査中は、基板とマスクは同じ向きに動く。基板台は支え24により支持されている。
更に、基板はZ方向、光軸OO′の方向、に動かすことができ、かつZ軸を中心として回転できる。高度化された装置では、基板はX軸とY軸を中心として傾けることもできる。ステップおよび走査装置のこれ以上の詳細についてはたとえば、PCT特許出願WO97/33204(PHQ96.004)号を参照されたい。
光学的な自由動作距離、すなわち、第5の鏡9と基板の面との間の距離は投写システムにより決定され、可能な機械的備えは別にして、その距離は比較的長く、たとえば、90mmである。したがって、第5の鏡と基板の間のスペースに光センサを配置できる。ステッピング装置、または投写システムとしてレンズ系が用いられているステップおよび走査装置に既に用いられているそれらのセンサは、たとえば、米国特許第5,191,200(PHQ91.007)号公報に記載されている高さおよびレベルセンサ、およびたとえば、米国特許第5,144,363(PHQ90.003)号公報に記載されている映像センサである。
この投写システムは基板側でテレセントリックである。これは基板の投写システムに対するZ方向の望ましくない動きによりひき起こされる拡大誤差が避けられるという利点を有する。
このEUVリソグラフィック投写装置はICの製造に使用できるが、たとえば、液晶表示パネル、集積化された光学装置すなわちプレーナ光学装置、磁気ヘッド、および磁区メモリのための誘導および検出パターンの製造にも使用できる。
Claims (7)
- マスク中に存在する、マスクパターンの映像をEUV放射の、横断面が円形部分の形をしているビームにより基板上に形成するためのステップおよび走査リソグラフィック投写装置に使用するための鏡投写システムであって、その投写システムは物体側から映像側まで第1乃至第6の6枚の映像形成鏡により構成され、第1、第2、第4、第6の鏡は凹面であり、第5の鏡は凸面である鏡投写システムにおいて、第3の鏡は凸面であることを特徴とするマスクパターンの映像を基板上に形成するためのステップおよび走査リソグラフィック投写装置に使用するための鏡投写システム。
- 請求の範囲1記載の鏡投写システムであって、システムの映像側における開口数が0.20nmのオーダーで、倍率Mが+0.25、円形の一部の形の映像場の幅が1,5mmであることを特徴とする鏡投写システム。
- 請求の範囲1記載の鏡投写システムであって、全ての鏡が非球面表面を持つことを特徴とする鏡投写システム。
- 請求の範囲1、2または3記載の鏡投写システムであって、システムは映像側でテレセントリックであることを特徴とする鏡投写システム。
- 請求の範囲1、2、3または4記載の鏡投写システムであって、第2の鏡と第3の鏡との間に物理的にアクセス可能なダイアフラムが配置されていることを特徴とする鏡投写システム。
- EUV放射源を有する照明器と、マスクを収容するためのマスクホルダーと、基板を収容するための基板ホルダーと、投写システムとを備え、投写システムが先行する請求の範囲のいずれか1つに記載の鏡投写システムであることを特徴とするマスクパターンのステップおよび走査映像形成のためのリソグラフィック装置。
- 請求の範囲6記載のリソグラフィック装置であって、マスクが反射マスクであり、照明器がマスクホルダーの投写システムが配置されている側と同じ側に配置されることを特徴とするリソグラフィック装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98201484 | 1998-05-06 | ||
EP98201484.7 | 1998-05-06 | ||
PCT/IB1999/000752 WO1999057606A1 (en) | 1998-05-06 | 1999-04-26 | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002509654A JP2002509654A (ja) | 2002-03-26 |
JP4286330B2 true JP4286330B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=8233690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP55512399A Expired - Lifetime JP4286330B2 (ja) | 1998-05-06 | 1999-04-26 | 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6255661B1 (ja) |
EP (1) | EP1004057B1 (ja) |
JP (1) | JP4286330B2 (ja) |
DE (1) | DE69922132T2 (ja) |
TW (1) | TWI238896B (ja) |
WO (1) | WO1999057606A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859515B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US6859328B2 (en) * | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
US7186983B2 (en) | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
US6396067B1 (en) * | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US7151592B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
DE19948240A1 (de) * | 1999-02-15 | 2000-08-24 | Zeiss Carl Fa | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6985210B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-01-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
USRE42118E1 (en) * | 1999-02-15 | 2011-02-08 | Carl-Zeiss-Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
US6600552B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
EP1772775B1 (de) * | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
WO2002044786A2 (en) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
US6867913B2 (en) | 2000-02-14 | 2005-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror microlithography projection objective |
WO2001067204A2 (en) | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Dun And Bradstreet, Inc. | Facilitating a transaction in electronic commerce |
JP2002057963A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Canon Inc | 表示装置 |
KR20030045817A (ko) | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
DE10052289A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
TW573234B (en) | 2000-11-07 | 2004-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method |
EP1679550A1 (en) | 2000-11-07 | 2006-07-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004516500A (ja) * | 2000-12-12 | 2004-06-03 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
JP2003045782A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置 |
JP2004158786A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置 |
JP3938040B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
KR101088250B1 (ko) | 2003-10-29 | 2011-11-30 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 조리개 변경 장치 |
EP1678559A1 (en) | 2003-10-29 | 2006-07-12 | Carl Zeiss SMT AG | Optical assembly for photolithography |
JP2005172988A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
US20080151365A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
US8107162B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
JP2006245147A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
DE602006014368D1 (de) * | 2005-03-08 | 2010-07-01 | Zeiss Carl Smt Ag | Mikrolithographie-projektionssystem mit einer zugänglichen membran- oder aperturblende |
KR101213950B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2012-12-18 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광을 이용한 마이크로리소그래피 노광장치 및 제1 및 제2오목거울을 구비한 마이크로리소그래피 투영시스템 |
US7973908B2 (en) * | 2005-05-13 | 2011-07-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Six-mirror EUV projection system with low incidence angles |
KR101535230B1 (ko) | 2009-06-03 | 2015-07-09 | 삼성전자주식회사 | Euv 마스크용 공간 영상 측정 장치 및 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9000503A (nl) | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5178974A (en) * | 1990-10-12 | 1993-01-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Virtually distortion-free imaging system for large field, high resolution lithography using electrons, ions or other particle beams |
US5222112A (en) * | 1990-12-27 | 1993-06-22 | Hitachi, Ltd. | X-ray pattern masking by a reflective reduction projection optical system |
NL9100410A (nl) | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
US5303001A (en) * | 1992-12-21 | 1994-04-12 | Ultratech Stepper, Inc. | Illumination system for half-field dyson stepper |
TW318255B (ja) * | 1995-05-30 | 1997-10-21 | Philips Electronics Nv | |
US5805365A (en) * | 1995-10-12 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Ringfield lithographic camera |
US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
US5973826A (en) * | 1998-02-20 | 1999-10-26 | Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system with balanced distortion |
-
1998
- 1998-10-13 US US09/170,467 patent/US6255661B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-15 TW TW087117130A patent/TWI238896B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-04-26 DE DE69922132T patent/DE69922132T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-26 JP JP55512399A patent/JP4286330B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-26 WO PCT/IB1999/000752 patent/WO1999057606A1/en active IP Right Grant
- 1999-04-26 EP EP99913544A patent/EP1004057B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI238896B (en) | 2005-09-01 |
DE69922132T2 (de) | 2006-03-02 |
EP1004057A1 (en) | 2000-05-31 |
WO1999057606A1 (en) | 1999-11-11 |
JP2002509654A (ja) | 2002-03-26 |
US6255661B1 (en) | 2001-07-03 |
DE69922132D1 (de) | 2004-12-30 |
EP1004057B1 (en) | 2004-11-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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