JP4284508B2 - 受圧管一体型圧力センサ - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ZrAlN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、受圧管一体型圧力センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体Si単結晶の歪み抵抗変化を利用した拡散型圧力センサが広く使用されている。このセンサは、感度が高い、モノリシックに作製したICにより温度依存性が補正できる、ICプロセスにより小型センサを大量に作製できるので比較的安価である等の利点を有している。しかしながら、この構造のセンサは500kg/cm2程度以上の高圧用センサとして使用する場合には、センサ部であるSiと流体圧力をセンサに導入する支持台との接続部で剥離を生ずるという問題が発生する。
【0003】
現行の高圧用圧力センサは、測定圧力とバランスする受圧装置の変位量を読み取る“変位式”と、圧力によってセンサ材料に誘起された歪による物性変化を電気信号として読み取る“ひずみ式”とに大別できる。
【0004】
より具体的に、変位式は、ブルドン管、ベローズ、ダイアフラムなどの変位を読み取るタイプの装置であり、高圧力の測定に適しているが、装置自体が大きくなるため、センサを小型化しようという要求には合致しない。
【0005】
一方、ひずみ式は、ダイアフラムの変形をひずみセンサを利用して測定する方式が主流である。この方式の装置は、小型化が可能であり、ひずみ抵抗を測定しているので、測定回路が簡単であるという利点を有している。この技術に関連して、例えば、特許文献1には、半導体式歪み検知素子、高温用半導体式圧力センサ等として使用できる半導体式検知素子が開示されている。具体的には、絶縁基板上に有機ケイ素原料からなる炭化ケイ素薄膜が形成され、該炭化ケイ素薄膜の電気抵抗値の変化を検出する半導体式検知素子において、前記炭化ケイ素薄膜が膜中に5mol%以上30mol%以下の酸素原子を含んでいる半導体式検知素子が開示されている。ところが、上記のように、高感度の故に、近年広く利用されている半導体Siを使用する圧力センサには、センサと受圧管との接合部分が高圧に十分に耐えられないという難点がある。
【0006】
これに対して、金属ひずみゲージ(センサ)をダイアフラム(受圧部)に張り合わせたタイプの装置は、その様な問題点がないため、高圧用センサに適しており、温度依存性が少ないという利点も備えている。従来、このタイプの装置は出力が小さく、センサとダイアフラムの接着状態が素子特性に大きな影響を与えるために素子特性の再現性が不十分とされていたが、例えば、特許文献2には、この点を改良した小型且つ素子特性の再現性に優れた受圧管一体型圧力センサが開示されている。具体的には、引用文献2には、受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜を介して酸化クロム薄膜からなるひずみセンサ素子を形成した受圧管一体型圧力センサが開示されている。
【0007】
しかしながら、酸化クロム薄膜からなるひずみセンサ素子を形成した受圧管一体型圧力センサは、150℃以上、特に250℃以上の高温条件下では、出力に温度依存性があるために温度補償をする必要があり、また出力の低下も認められる。近年、自動車用エンジン等の内燃機関の燃料圧制御、高温下で使用される産業用機械の圧力制御等の必要性から、高温条件下でも容易且つ安定に圧力測定ができる圧力センサの開発が望まれている。即ち、高温条件下でも温度補償をする必要がなく、安定な出力を発揮できる改良された受圧管一体型圧力センサの開発が期待されている。
【0008】
【特許文献1】
特開平11−195792号公報
【0009】
【特許文献2】
特開平7−335911号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、特に高温条件下でも温度補償をする必要がなく、安定な出力を発揮できる受圧管一体型圧力センサを提供することを主な目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、受圧管ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜および/または窒化ケイ素薄膜を介して、特定の化合物薄膜からなるひずみセンサ素子を形成することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0012】
即ち、本発明は下記の受圧管一体型圧力センサに係るものである。
1.受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜および/または窒化ケイ素薄膜を介して、下記組成式(1)
Cr1-(A+B)SiACB (1)
〔式中、Aは0.01〜0.9、Bは0.01〜0.9である:ただし、A+B≦0.9である〕
で示される化合物薄膜からなるひずみセンサ素子が形成されていることを特徴とする受圧管一体型圧力センサ。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明の受圧管一体型圧力センサ(以下「圧力センサ」とも言う)は、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜および/または窒化ケイ素薄膜を介して、下記組成式(1)
Cr1-(A+B)SiACB (1)
〔式中、Aは0.01〜0.9、Bは0.01〜0.9である:ただし、A+B≦0.9である〕
で示される化合物薄膜からなるひずみセンサ素子が形成されていることを特徴とする。
【0014】
組成式(1)において、Aは0.01〜0.9であればよいが、0.1〜0.7程度が好ましく、0.2〜0.4程度がより好ましい。Bは0.01〜0.9であればよいが、0.1〜0.7程度が好ましく、0.2〜0.4程度がより好ましい。
【0015】
組成式(1)において、Crに対するSiCの濃度は20〜90mol%程度であれば好ましく、40〜80mol%程度がより好ましい。より詳細には、Crに対するSiの濃度は10〜70mol%程度であれば好ましく、20〜40mol%程度がより好ましい。Crに対するCの濃度は10〜70mol%程度であれば好ましく、20〜40mol%程度がより好ましい。
【0016】
図1は、Cr、Si及びCの濃度に関して、組成式(1)で示される範囲、好ましい範囲およびより好ましい範囲を三元系図として示す。
組成式(1)で示される化合物薄膜からなるひずみセンサ素子は、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜および/または窒化ケイ素薄膜(絶縁層)を介して形成されている。かかるひずみセンサ素子を用いることにより、特に350〜400℃という高温条件下においても出力の安定した圧力センサが得られる。即ち、かかるひずみセンサ素子を用いる本発明の受圧管一体型圧力センサは、上記の高温条件下においても、温度補償をすることなく、安定な出力を発揮する。
【0017】
ひずみセンサ素子は、絶縁層としての酸化ケイ素薄膜または窒化ケイ素薄膜の上に直接形成してもよく、或いは酸化ケイ素薄膜上に窒化ケイ素薄膜を形成した後、その上に形成してもよい。後者の場合には、窒化ケイ素薄膜は、酸化ケイ素薄膜の保護層(応力緩和層)としての役割を果たす。さらに、窒化ケイ素薄膜上に酸化ケイ素薄膜を形成した後、ひずみセンサ素子を形成してもよい。保護層としては、窒化ケイ素薄膜以外にも、AlN、Al2O3、TiAlN、ZrAlN、ZrO2、DLC等からなる薄膜が使用できる。保護層の厚みは特に限定されないが、通常0.5〜1μm程度、好ましくは0.6〜0.8μm程度である。
【0018】
ひずみセンサ素子の上には、電極層としてAu/Ni層(積層膜)、Pt/Ni層(積層膜)等を積層できる。電極層の上にさらに保護層(センサ保護層)を設けてもよい。センサ保護層としては、例えば、Si3N4、AlN、Al2O3、TiAlN、ZrAlN、ZrO2、DLCからなる層が挙げられる。これらセンサ保護層の厚みも特に限定されないが、通常0.5〜1μm程度、好ましくは0.6〜0.8μm程度である。
【0019】
本発明の圧力センサの一態様を示す断面図を図2に示す。図2では、受圧管1のダイアフラム2の表面に、絶縁層であるSiO2層3、応力緩和層であるSi3N4層4、組成式(1)で示される化合物薄膜からなるひずみセンサ素子5、電極層としてのAu/Ni積層膜6、及びセンサ保護層としてのSi3N4層7、が順に積層されている。
【0020】
以下、本発明の圧力センサにおける各層の形成方法を例示して説明する。
【0021】
絶縁層であるSiO2層は、例えば、ターゲットとしてSiO2を用いたスパッタリング法(RF法)により形成できる。スパッタリング雰囲気は特に限定されないが、例えば、Ar−O2混合ガスが好ましい。混合ガスの圧力は特に限定されないが、通常2〜6×10-1Pa程度が好ましい。スパッタリング電源出力は350〜1000W、好ましくは800〜900W程度である。膜厚は特に限定されないが、通常1〜3μm、好ましくは1〜2μm程度である。成膜時の基板温度は特に限定されないが、通常350〜400℃程度が好ましい。
【0022】
応力緩和層は、例えば、Si3N4であれば、ターゲットとしてSiを用いて、Ar/N2混合ガス中においてスパッタリング法(RF法)により成膜できる。混合ガスの圧力は特に限定されないが、通常5〜7×10-1Pa程度が好ましい。スパッタリングの電源出力は350〜1000W、好ましくは800〜900W程度である。膜厚は特に限定的ではないが、通常0.5〜1μm、好ましくは0.6〜0.8μm程度である。成膜時の基板温度は特に限定されないが、通常350〜400℃程度が好ましい。他のターゲット材料を用いて、前記した他の材料からなる応力緩和層を形成する場合にも、同様の条件を採用できるが、必要に応じて、個別的に調整すればよい。
【0023】
ひずみセンサ素子部は、例えば、CrSiCのターゲットからRFスパッタリングにより作製できる。用いるCrSiCターゲットにおけるSiとCの濃度を変化させることにより、ひずみセンサ素子に含まれるCr、Si及びCの濃度を所望の値に調整できる。スパッタリング雰囲気は特に限定されないが、特にAr雰囲気が好ましい。雰囲気ガスの圧力は特に限定されないが、通常2〜5×10-1Pa程度が好ましい。スパッタリングの電源出力は350〜600Wが好ましい。膜厚は特に限定的ではないが、通常0.1〜0.5μm、好ましくは0.2〜0.4μm程度である。成膜時の基板温度は特に限定されないが、通常350〜400℃程度が好ましい。
【0024】
電極層は、例えば、Au/Ni積層膜であれば、先ずNi膜をスパッタリング法(RF法)により形成し、次いでAuをスパッタリング法(DC法)により形成することにより形成できる。雰囲気としては、Arガスが好ましい。Arガスの圧力は特に限定されないが、通常2〜6×10-1Pa程度が好ましい。スパッタリングの電源出力は350〜1000W、好ましくは800〜900W程度である。膜厚は特に限定的ではないが、Ni膜は通常1〜3μm、好ましくは1〜2μm程度である。Au膜は通常0.5〜1μm、好ましくは0.6〜0.8μm程度である。成膜時の基板温度は特に限定されないが、通常350〜400℃程度が好ましい。
【0025】
上記各層を形成する工程では、スパッタリングに先立ち、Arガスによるプレスパッタリングを行って、ターゲット表面を清浄化することが好ましい。
【0026】
従来技術との対比
圧力センサのひずみセンサ素子部としては、金属のように抵抗温度微分係数(TCR)が比較的小さく、Siのようにゲージファクター(抵抗の歪みによる変化)が大きく、また電気抵抗も大きい薄膜材料が最も望ましい。TCRは電気抵抗の温度微分係数であり、測定温度における傾きを示すものである。
TCR=(1/R)dR/dT
〔Rは電気抵抗、Tは温度、単位はppm/K〕の関係である。
【0027】
従来から、薄膜材料を使用する圧力センサ用のセンサ素子としては、アモルファスSi(或いはマイクロクリスタリンSi)薄膜による圧力センサが開発されている(例えば、本間俊男:センサ技術、Vol.5、No.3、p30−36(1985))。このセンサは、ゲージファクターが大きく、比抵抗も高いものの、アモルファスSiの抵抗温度微分係数が大きいという欠点を有している。また、その製造には、高度に管理されたシラン利用設備と高価なクリーンルームなどの設備が必要であり、爆発性のシランガスや有毒なドーピングガスを使用するために、作業上の厳重な注意も必要である。
【0028】
これに対して、本発明における組成式(1)で示される化合物薄膜は、センサ素子部に求められる上記条件を全て具備しており、且つその製造も安全且つ比較的容易に行うことができる。
【0029】
本発明の圧力センサは、特に350〜400℃という高温条件下においても温度補償をすることなく安定した出力を発揮する高温用圧力センサとして特に有用性が高い。勿論、高温用圧力センサとしてのみならず、低温用圧力センサとしても有用である。
【0030】
【発明の効果】
本発明の圧力センサによれば、室温から400℃程度、特に350〜400℃という高温条件下において、温度補償をすることなく安定した出力を発揮、容易に圧力測定をすることができる。また受圧管一体型圧力センサであるため小型であり、出力電圧が高く、リニアリティーに優れている。
【0031】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明する。但し、本発明は実施例に限定されるものではない。
【0032】
実施例1
SUS630製の受圧管ダイアフラム上にスパッタリング法によりSiO2薄膜(約1.5μm)を成膜し、次いでCrSiC薄膜からなるひずみセンサ素子(約300nm)を形成した。ひずみセンサ素子中のSiC含有量を10mol%(Cr0.9Si0.05C0.05)、20mol%、30mol%、40mol%、50mol%、60mol%に分けて、6種類の圧力センサを作製した。
【0033】
上記6種類の圧力センサについて、SiC量と投入パワーに対するTCRの関係を調べた。その結果を図3に示す。投入電力はターゲットに印加するRF電力のワット数である。
【0034】
図3の結果からは、SiCの含有量が増加すると、TCRが小さくなり温度依存性が減少することが分かる。
【0035】
上記6種類の圧力センサについて、圧力0KPa(無加圧)の場合の温度ドリフト測定データを図4に示す。図4の結果からは、SiC含有量が増加すると温度ドリフトが減少して40〜60mol%の範囲で最も温度ドリフトが小さくなることが分かる。
【0036】
上記6種類の圧力センサについて、圧力500KPaの場合の温度ドリフト測定データを図5に示す。図5の結果からは、SiC含有量が増加すると温度ドリフトが減少して、図4と同様に40〜60mol%の範囲で最も温度ドリフトが小さくなることが分かる。
【0037】
本発明の圧力センサについて、圧力とセンサ出力との関係を図6に示す。図6の結果からは、いずれのデータも出力に対して直線関係にあり、良好なセンサ出力が得られていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における化合物薄膜中のCr、Si及びCの濃度に関して、組成式(1)で示される範囲、好ましい範囲およびより好ましい範囲を三元系図として示す。
【図2】本発明の受圧管一体型圧力センサの概要を示す断面図である。
【図3】Crに対するSiC含有量とTCRとの関係を示すグラフである。
【図4】圧力0KPa(無加圧)の場合におけるSiC含有量に対する温度ドリフトの測定データを示すグラフである。
【図5】圧力500KPaの場合におけるSiC含有量に対する温度ドリフトの測定データを示すグラフである。
【図6】圧力とセンサ出力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1…受圧管
2…ダイアフラム
3…SiO2(絶縁層)
4…Si3N4(応力緩和層)
5…CrSiC薄膜(ひずみセンサ素子)
6…Ni/Au積層膜(電極層)
7…Si3N4(センサ保護層)
Claims (1)
- 受圧管と受圧管ダイアフラムを備えた受圧管一体型圧力センサにおいて、ダイアフラム表面に酸化ケイ素薄膜および/または窒化ケイ素薄膜を介して、下記組成式(1)
Cr1−(A+B)SiACB (1)
〔式中、Aは0.2〜0.3、Bは0.2〜0.3であって、A=Bである〕
で示される化合物薄膜からなるひずみセンサ素子が形成されていることを特徴とする受圧管一体型圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003187041A JP4284508B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-30 | 受圧管一体型圧力センサ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003179019 | 2003-06-24 | ||
JP2003187041A JP4284508B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-30 | 受圧管一体型圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005069685A JP2005069685A (ja) | 2005-03-17 |
JP4284508B2 true JP4284508B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=34425031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003187041A Expired - Fee Related JP4284508B2 (ja) | 2003-06-24 | 2003-06-30 | 受圧管一体型圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4284508B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5884110B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2016-03-15 | 株式会社アサヒ電子研究所 | 歪抵抗素子およびそれを用いた歪検出装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4682143A (en) * | 1985-10-30 | 1987-07-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thin film chromium-silicon-carbon resistor |
JPH0786004A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 薄膜抵抗材料及び薄膜抵抗器の製造方法 |
JP2838361B2 (ja) * | 1994-06-06 | 1998-12-16 | 大阪府 | 受圧管一体型圧力センサ |
JPH0941100A (ja) * | 1995-08-03 | 1997-02-10 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | Fe−Cr−Si基合金およびその製造法ならびにストレインゲージ |
JP3642449B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2005-04-27 | 財団法人電気磁気材料研究所 | Cr−N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003187041A patent/JP4284508B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005069685A (ja) | 2005-03-17 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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