KR100528636B1 - 압력센서 및 그의 제조방법 - Google Patents
압력센서 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100528636B1 KR100528636B1 KR10-2004-0028818A KR20040028818A KR100528636B1 KR 100528636 B1 KR100528636 B1 KR 100528636B1 KR 20040028818 A KR20040028818 A KR 20040028818A KR 100528636 B1 KR100528636 B1 KR 100528636B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- diaphragm
- resistors
- base
- pressure sensor
- electrodes
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910017693 AgCuTi Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910003336 CuNi Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003938 response to stress Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04D—ROOF COVERINGS; SKY-LIGHTS; GUTTERS; ROOF-WORKING TOOLS
- E04D13/00—Special arrangements or devices in connection with roof coverings; Protection against birds; Roof drainage ; Sky-lights
- E04D13/04—Roof drainage; Drainage fittings in flat roofs, balconies or the like
- E04D13/064—Gutters
- E04D13/072—Hanging means
- E04D13/0722—Hanging means extending mainly under the gutter
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04F—FINISHING WORK ON BUILDINGS, e.g. STAIRS, FLOORS
- E04F11/00—Stairways, ramps, or like structures; Balustrades; Handrails
- E04F11/18—Balustrades; Handrails
- E04F11/181—Balustrades
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 압력이 인가되는 타측의 내부가 경사지게 형성된 링(ring) 형상의 베이스와,상기 베이스의 타측과 대응하는 일측을 막도록 한 몸체로 형성된 제 1 다이아프램과,상기 제 1 다이아프램의 하부 중심 부분에 한 몸체를 이루면서 돌출되게 형성된 돌기부와,상기 베이스의 타측을 막도록 상기 베이스 및 상기 돌기부와 용접된 상기 제 1 다이아프램 보다 큰 면적을 가지는 제 2 다이아프램과,상기 제 1 다이아프램 상에 접합부에 의해 접합되며 높은 경도와 큰 탄성력을 갖는 절연물질로 이루어진 제 3 다이아프램과,상기 제 3 다이아프램의 상기 돌기부와 대응하지 않는 주변 부분 상에 각각 폭과 길이를 가지되 상기 길이가 동일한 방향을 갖도록 형성된 다 수개의 저항체와,상기 제 3 다이아프램의 상기 돌기부와 대응하는 중심 부분 상에 상기 다 수개의 저항체와 휘스톤 브릿지 구성을 이루도록 형성된 다 수개의 전극과,상기 제 3 다이아프램 상에 상기 다 수개의 저항체를 덮으며 상기 다 수개의 전극을 개구에 의해 노출시키도록 절연물질로 형성된 보호막을 구비하는 압력 센서.
- 청구항 1에 있어서 상기 베이스, 상기 제 1 및 제 2 다이아프램과 상기 돌기부가 티타늄(Ti), 티타늄 합금, 스테인레스강 또는 스프링용 동합금으로 형성된 압력 센서.
- 청구항 1에 있어서 상기 제 3 다이아프램이 Al2O3로 형성된 압력 센서.
- 청구항 1에 있어서 상기 접합부는 AgCuTi 또는 AgCuInTi이 주성분인 땜납(brazing solder)을 용접하므로써 형성되는 압력 센서.
- 청구항 1에 있어서 상기 제 3 다이아프램 상에 상기 다 수개의 저항체의 양 끝단과 서로 연결되게 형성된 다 수개의 보정저항체를 더 구비하는 압력 센서.
- 청구항 5에 있어서 상기 다 수개의 보정저항체가 상기 제 1 다이아프램 주변 부분의 상기 다 수개의 저항체가 형성되지 않는 부분에 형성된 압력 센서.
- 청구항 6에 있어서 상기 다 수개의 보정저항체가 상기 제 3 다이아프램 상의 중앙 부분에도 형성된 압력 센서.
- 제 3 다이아프램를 다 수개 포함하는 절연 특성을 갖는 웨이퍼 상의 상기 제 3 다이아프램의 주변 부분에 각각 폭과 길이를 가지되 상기 길이가 동일한 방향을 갖는 다 수개의 저항체를 형성하는 공정과,상기 웨이퍼 상의 상기 제 3 다이아프램의 중앙 부분에 상기 다 수개의 저항체와 휘스톤 브릿지(wheatstone bridge)를 이루는 다 수개의 전극을 형성하는 공정과,상기 웨이퍼 상에 상기 다 수개의 저항체와 상기 다 수개의 전극을 덮도록 절연 물질을 증착하여 보호막을 형성하는 공정과,상기 보호막을 패터닝하여 상기 다 수개의 전극을 노출시키는 개구를 형성하고 상기 웨이퍼를 상기 제 3 다이아프램 별로 절단하여 다 수개의 스트레인 게이지로 분리하는 공정과,상기 제 3 다이아프램을 포함하는 스트레인 게이지를 압력이 인가되는 타측 내부가 경사진 링(ring) 형상의 베이스의 일측을 막도록 형성되며 하부 중심 부분에 돌기부가 형성된 제 1 다이아프램 상에 시트(sheet) 상의 땜납(brazing solder)을 개재시켜 실장하는 공정과,상기 제 1 다이아프램과 제 3 다이아프램를 진공이고 고온의 분위기 상태에서 상기 땜납으로 용접하는 공정과,상기 베이스의 타측을 막도록 모서리 및 중앙 부분이 상기 베이스와 상기 돌 기부에 접합되게 상기 제 1 다이아프램 보다 큰 면적을 갖는 제 2 다이아프램을 용접하는 공정을 구비하는 압력 센서의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서 상기 웨이퍼를 Al2O3로 형성하는 압력 센서의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서 상기 다 수개의 저항체를 사각 톱니 형태로 형성하는 압력 센서의 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서 상기 베이스, 상기 제 1 및 제 2 다이아프램과 상기 돌기부를 티타늄(Ti), 티타늄 합금 또는 스테인레스강으로 형성하는 압력 센서의 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서 상기 땜납을 AgCuTi 또는 AgCuInTi이 주성분인 합금으로 0.03 ∼ 0.07mm의 두께로 형성하는 압력 센서의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0028818A KR100528636B1 (ko) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | 압력센서 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0028818A KR100528636B1 (ko) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | 압력센서 및 그의 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20-2004-0011747U Division KR200355939Y1 (ko) | 2004-04-27 | 2004-04-27 | 압력센서 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050103600A KR20050103600A (ko) | 2005-11-01 |
KR100528636B1 true KR100528636B1 (ko) | 2005-11-15 |
Family
ID=37281428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2004-0028818A KR100528636B1 (ko) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | 압력센서 및 그의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100528636B1 (ko) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100993208B1 (ko) | 2008-06-04 | 2010-11-09 | (주)센서시스템기술 | 장력 센서 |
KR101072436B1 (ko) | 2009-12-28 | 2011-10-11 | 세종공업 주식회사 | 금속 박막형 스트레인 게이지 압력센서 |
KR101568101B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 스트레인 게이지 모듈 및 그 제조방법 |
WO2016148531A1 (ko) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | 타이코에이엠피 주식회사 | 압력 센서 |
CN111198054A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种SiC压力传感器 |
KR20210070424A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 한국생산기술연구원 | 정전용량 우선 방전식 압력센서모듈 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101959150B1 (ko) | 2014-10-07 | 2019-03-15 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 압력 센서 및 차압 센서 및 그것들을 사용한 질량 유량 제어 장치 |
CN112484631B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-01-11 | 湖南启泰传感科技有限公司 | 一种薄膜压力传感器及其布局方法 |
-
2004
- 2004-04-26 KR KR10-2004-0028818A patent/KR100528636B1/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100993208B1 (ko) | 2008-06-04 | 2010-11-09 | (주)센서시스템기술 | 장력 센서 |
KR101072436B1 (ko) | 2009-12-28 | 2011-10-11 | 세종공업 주식회사 | 금속 박막형 스트레인 게이지 압력센서 |
KR101568101B1 (ko) | 2015-01-20 | 2015-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 스트레인 게이지 모듈 및 그 제조방법 |
WO2016148531A1 (ko) * | 2015-03-17 | 2016-09-22 | 타이코에이엠피 주식회사 | 압력 센서 |
CN111198054A (zh) * | 2018-11-16 | 2020-05-26 | 中国科学院微电子研究所 | 一种SiC压力传感器 |
KR20210070424A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 한국생산기술연구원 | 정전용량 우선 방전식 압력센서모듈 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050103600A (ko) | 2005-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3800264A (en) | High temperature transducers and housing including fabrication methods | |
JP6237923B2 (ja) | 圧力センサ及び差圧センサ並びにそれらを用いた質量流量制御装置 | |
US4173900A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
US7516668B2 (en) | Silicon carbide piezoresistive pressure transducer and method of fabrication | |
US6272929B1 (en) | High pressure piezoresistive transducer suitable for use in hostile environments | |
WO1991017418A1 (en) | Piezoresistive pressure transducer | |
US20080098820A1 (en) | Force Measuring Device, Especially Pressure Gauge, And Associated Production Method | |
EP1197737B1 (en) | Strain gauge | |
KR100528636B1 (ko) | 압력센서 및 그의 제조방법 | |
US3930823A (en) | High temperature transducers and housing including fabrication methods | |
EP0303875A2 (en) | Si crystal force transducer | |
KR100993208B1 (ko) | 장력 센서 | |
US6453748B1 (en) | Boron nitride piezoresistive device | |
KR200355935Y1 (ko) | 압력 센서 | |
KR200355939Y1 (ko) | 압력센서 | |
KR100543371B1 (ko) | 압력센서 | |
EP0080186B1 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
KR200355940Y1 (ko) | 압력센서 | |
KR101267469B1 (ko) | 압력 센서 | |
JP2020524290A (ja) | シート抵抗及び薄膜センサ | |
JPS6313357B2 (ko) | ||
JP3546151B2 (ja) | 歪み検出素子及び歪み検出素子製造方法 | |
US7367234B2 (en) | Pressure sensor | |
KR100427430B1 (ko) | 금속박막형 압력센서 및 그 제조방법 | |
JPH0854304A (ja) | 圧力センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120917 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130819 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140818 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150824 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160826 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170829 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180827 Year of fee payment: 14 |