JP4273808B2

JP4273808B2 - Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Info

Publication number: JP4273808B2
Application number: JP2003097256A
Authority: JP
Inventors: 祐治茅野
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-03-31
Filing date: 2003-03-31
Publication date: 2009-06-03
Anticipated expiration: 2023-03-31
Also published as: JP2004303643A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器に関するものである。
【従来の技術】
【０００２】
電気光学装置の分野では、酸素や水分等に対する耐久性向上が課題となっている。例えば、上記電気光学装置の一例である有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと略記する）表示装置では、大気中の酸素や水分等の侵入に伴って、有機ＥＬ素子（有機ＥＬ材料，正孔注入材料，電子注入材料等）の劣化やダークスポット欠陥の発生、又は陰極の導電性低下等により、安定した発光特性が得られないだけでなく、発光寿命が短くなるという課題がある。
このような課題を解決するために、例えば、乾燥剤を含有する封止剤を用いて、発光層等が形成された基板面を缶封止した構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、発光層等が形成された基板面に凹部を形成すると共に、当該凹部内に乾燥剤が配置された構造が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１００５５８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１７３７６６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような乾燥剤の種類としては物理吸着タイプと化学吸着タイプに大別される。物理吸着タイプの乾燥剤は一度吸着した水分を環境条件によって放出してしまうという性質を有しているため、有機ＥＬ表示装置に用いる乾燥剤としては不適であった。また、化学吸着タイプの乾燥剤は吸湿により水分と反応して膨張するという性質を有しており、当該膨張に伴って、封止剤が破壊されてしまう問題と、保護基板とＴＦＴ基板とが剥離してしまうという問題があった。また、トップエミッション型の表示装置においては、乾燥剤を表示領域の外周に設置したり、また、封止剤に混入するのが一般的であるが、乾燥剤を配置する部位が限られ、多量に配置することができないため、夏季や加湿された室内環境下で有機ＥＬ素子等の劣化が急速に進み、発光寿命が短くなるという問題があった。
【０００５】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、酸素や水分等の侵入に伴う有機ＥＬ素子等の劣化、ダークスポット欠陥の発生、又は短寿命化を防止する電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置は、基板上に対向電極と当該対向電極に狭持された発光層と保護部材とを具備する電気光学装置であって、基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔と、基板上の発光層の反対側に位置するゲッター剤とを具備することを特徴とする。
ここで、基板とは、ガラス等の透明性を有する材料に限らず、薄膜フィルム、絶縁基板、シリコンウェハ等の所定材料からなるものであり、当該基板には後述のスイッチング素子、配線、各種電極等により構成された電気光学装置を駆動するための回路が形成される。
また、対向電極とは、陽極と陰極とを意味している。また、スイッチング素子の駆動に伴って、陽極の正孔と陰極の電子とが発光層に注入され、発光層においいては当該正孔及び電子が結合し、励起状態から失活することにより、発光現象が生ずる。
また、貫通孔とは、基板面内の所望の位置に形成されるものであり、その数は限定することなく単数又は複数である。
また、ゲッター剤とは、乾燥剤や脱酸素剤を意味しており、酸素や水分を吸着することにより、所定の空間を乾燥状態又は無酸素状態に維持するものである。ゲッター剤として乾燥剤を採用した場合には、乾燥剤が設置された空間内を乾燥雰囲気に維持すると共に、当該設置された空間に連通した空間も同様に乾燥雰囲気に維持する。
また、「発光層とは反対側の基板面」とは、発光光が出射しない側の基板面を意味している。なお、以下の説明においては、発光層が形成されている側の基板面を「上面」、ゲッター剤が配置されている側の基板面を「下面」と称して説明する。
従って、本発明によれば、貫通孔を介して基板両面が連通状態になっているので、基板下面に配置されたゲッター剤により上面側の空間が乾燥状態に維持され、基板上面側の空間に侵入する酸素や水分は当該ゲッター剤に吸収される。即ち、発光層の劣化、ダークスポット欠陥の発生、陰極の導電性低下等を防止し、安定した発光特性を得ることが可能になる。更に、電気光学装置の長寿命化を達成することが可能となる。更に、ゲッター剤が基板の下面に配置されるので、基板の上面に発光光を取り出す所謂トップエミッション型（封止側発光型）表示装置を容易に製造することができる。また、基板の下面には多量のゲッター剤を配置することができるので、上記の効果を更に促進することが可能になる。
【０００７】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材は基板に対向する面に凹部を備え、貫通孔は凹部内の空間と連通していることを特徴とする。
ここで、保護部材とは、保護基板を意味しており、外部からの衝撃や、酸素や水分の侵入から電気光学装置を保護する部材である。また、発光層の上方に形成されるものであり、当該保護部材は好適な硬度を有した材料により形成され、また、電気光学装置の形態によっては可撓性を有した材料によって形成される。
また、凹部とは、保護部材の平面に対して相対的に形成された凹部を意味している。当該凹部は、発光光が出射する領域を除いて好適な位置に形成され、当該領域の周囲に形成されることが好ましい。
従って、本発明によれば、貫通孔と凹部の空間とが連通しているので、凹部内の空間は凹部内にゲッター剤を配置した場合と同様に乾燥状態に維持される。即ち、当該凹部に囲まれた部位に酸素や水分が浸入することがないので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、凹部が形成される位置に応じて、乾燥雰囲気の空間を容易に形成することができる。
【０００８】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材は透明性材料からなることを特徴とする。
ここで、透明性材料としては、ガラス基板等が好適であるが、可撓性材料としては、アクリル等の樹脂基板等が採用される。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏すると共に、トップエミッション型表示装置を提供することができる。トップエミッション型表示装置は、バックエミッション型（基板側発光型）と比較して、発光面積が大きいため、発光効率が高く、高輝度の表示装置となる。
【０００９】
また、本発明は先に記載の電気光学装置であり、保護部材には水分又は酸素を遮蔽する透明性遮蔽膜が形成されていることを特徴とする。また、当該透明性遮蔽膜は無機薄膜や有機薄膜のうちいずれか一方または両方を有していることが好ましい。
ここで、無機薄膜としてはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）等が好ましい。また、シリコン窒化膜は透明性を有する程度の膜厚に形成することが好ましい。更に、当該透明性遮蔽膜が形成される部位は、保護部材の周囲のうち少なくとも一部に形成されていることが好ましく、即ち、上面、下面又は両面に形成されることが好ましい。なお、透明性遮蔽膜は、無機薄膜と有機薄膜の積層膜であってもよい。
従って、本発明によれば、水分や酸素に対する保護部材の遮蔽性が向上するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置は、基板にはゲッター剤を密閉状態に保持する保持部材が形成されていることを特徴とする。
ここで、保持部材とは、その内部にゲッター剤を有したケースを意味する。また、当該保持部材と基板とは接着剤等により接着され、ゲッター剤は密閉状態に保持される。当該保持部材の材料としては、樹脂、金属、ガラス等が採用される。
従って、本発明によれば、ゲッター剤が密閉状態に保持されるので、基板の下面からの酸素や水分の侵入を抑制するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、保持部材には水分又は酸素を遮蔽する遮蔽膜が形成されていることを特徴とする。また、遮蔽膜は無機薄膜や有機薄膜のうちいずれか一方または両方を有していることが好ましい。
無機薄膜としてはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等が好ましい。更に、当該透明性遮蔽膜が形成される部位は、保護部材の周囲のうち少なくとも一部に形成されていることが好ましく、即ち、上面、下面又は両面に形成されることが好ましい。なお、遮蔽膜は、無機薄膜と有機薄膜の積層膜であってもよい。
従って、本発明によれば、水分や酸素に対する保護部材の遮蔽性が向上するので、先に記載の電気光学装置と同様の効果を奏する。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に、対向電極と、当該対向電極に狭持された発光層と、保護部材とを具備する電気光学装置の製造方法であって、基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔を形成する工程と、基板上の発光層の反対側にゲッター剤を配置する工程とを具備することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置が製造されるので、同様の効果が得られる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、保護部材に凹部を形成する工程と、当該凹部内の空間と貫通孔とを連通させて、基板と保護部材とを接着する工程とを具備することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載の電気光学装置が製造されるので、先に記載した電気光学装置と同様の効果が得られる。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。
従って、本発明の電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置などを例示することができる。特に、対角１０インチ以上の大型ディスプレイ、大型テレビに好適である。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、長寿命の表示部を備えた電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、電気光学装置を携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器等の各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明に係る電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、係る実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（第１の実施形態）
（ＥＬ表示装置）
まず、第１の実施形態として本発明の製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。そこで、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。図１は本実施形態に係るＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図である。
【００１７】
図１に示すＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下では、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス方式のＥＬ表示装置である。
【００１８】
このＥＬ表示装置１は、複数の走査線（配線）１０１…と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線（配線）１０２…と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線（配線）１０３…とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１…と信号線１０２…の各交点付近に、画素領域Ｘ…が設けられている。
【００１９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２０】
更に、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（対向電極）２３と、当該画素電極２３と陰極（対向電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。
【００２１】
このＥＬ表示装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２から供給される電荷が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５０に電流が流れる。機能層１１０は、流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
次に、本実施形態のＥＬ表示装置１の具体的な態様を図２から図７を参照して説明する。図２はＥＬ表示装置１の構成を模式的に示す平面図である。図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図である。図５はカバー基板（保護部材）の斜視図、図６は後述する実発光領域４の画素部拡大断面図である。
【００２３】
図２に示すＥＬ表示装置１は、電気絶縁性を備える基板２０と、図示略のスイッチング用ＴＦＴに接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置される図示略の画素電極域と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される図示略の電源線と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図中一点鎖線枠内）とを具備して構成されている。また画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２４】
実表示領域４には、図１に示した画素領域Ｘに対応して画素Ｒ、Ｇ、Ｂが複数形成され、また、Ａ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に離間して配置されている。
また、実表示領域４の図中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。
【００２５】
更に、実表示領域４の図中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０はダミー領域５の下層側に位置して設けられている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する不図示の検査情報出力手段を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２６】
走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。
【００２７】
次に、図２を断面視した図３及び図４を用いて、ＥＬ表示装置１の構成について詳細に説明する。
ＥＬ表示装置１は、図３及び図４に示すように、基板２０上に形成された回路部１１を覆うように形成された陰極５０と、透明保護膜４０と、接着層４５と、カバー基板（保護部材）４６とが順に形成されている。更に、基板２０の下面（基板上の発光層の反対側）には、乾燥剤（ゲッター剤）３０を密閉状態に保持する保持ケース（保持部材）３１が設置されている。
このようなＥＬ表示装置１は、発光光を陰極側に取り出す構成であり、所謂トップエミッション型（封止側発光型）表示装置である。
【００２８】
基板２０は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。更に、図３に示すように基板２０には両面を連通状態にする貫通孔２０ａが設けられており、当該貫通孔２０ａは後述するようにカバー基板４６に形成された凹部４６ａ内の空間と連通している。
【００２９】
また、貫通孔２０ａの位置、形状、面積は、各種配線（走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、図１参照）のパターン、各種回路（データ線駆動回路１００、走査線駆動回路８０、検査回路９０、図２参照）等の位置、又は種種の設計事項に応じて好適に決定される。特に、貫通孔２０ａの面積は、各種製造工程及び使用環境に起因する基板の力学的変形や、温度変化に伴う内部応力等を検討した上で好適に決定される。
なお、貫通孔２０ａの数量は一つに限定することなく複数でもよい。
【００３０】
保持ケース３１は、乾燥剤３０を基板２０の下面側に保持する部材であり、樹脂、金属、ガラス等の好適な材料により形成されている。また、保持ケース３１の表面には保持ケース３１本体を覆うように遮蔽膜３１ａが形成されており、水分や酸素が保持ケース３１を透過して内部に侵入するのを抑制している。遮蔽膜３１ａは、無機材料からなる無機薄膜や、有機材料からなる有機薄膜等からなり、これらの積層膜であってもよい。無機薄膜の中でも、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等を採用することができる。
更に、保持ケース３１と基板２０とは、接着剤３２によって接着されており、乾燥剤３０が空間３１ｂ内に密閉されている。
【００３１】
透明保護膜４０は、発光光を遮蔽することなく透過させると共に、ＥＬ表示装置１の外部から侵入する水分や酸素に対するガスバリア性を備えた部材である。この透明保護膜４０の材料としては、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコン等が採用される。なお、窒化シリコンを採用する場合には、透明性を有する程度に薄膜化する必要がある。
接着層４５は、透明保護膜４０に保護部材であるカバー基板４６を接着すると共に、カバー基板４６に対する外部からの衝撃を緩衝する緩衝材としての機能を有するものである。
【００３２】
カバー基板４６は、発光光を取り出すために透明性材料により形成されており、電気絶縁性が高く、衝撃に強い材料であることが好ましい。なお、基板２０がフレキシブル基板である場合には、可撓性を有する材料が適宜採用される。
また、カバー基板４６には、図５に示すように凹部４６ａが形成されており、当該凹部４６ａは陰極５０（図２参照）の外周部に位置していると共に、貫通孔２０ａの位置と対応して配置されている。従って、保持ケース３１内の空間３１ｂと凹部４６ａ内の空間とが連通した空間になるので、凹部４６ａ内の空間は、凹部４６ａ内に乾燥剤３０を配置した場合と同様に乾燥状態に維持される。
なお凹部４６ａは、カバー基板４６作製時に射出形成などの方法で同時に形成してもよいし、凹凸のないフラットな板状の部材にエッチング、ブラスト、研削等の方法で形成してもよい。
【００３３】
更に、カバー基板４６には、カバー基板４６本体を覆うように透明性遮蔽膜４６ｂが形成されており、水分や酸素がカバー基板４６を透過するのを抑制している。透明性遮蔽膜４６ｂは、無機材料からなる無機薄膜や、有機材料からなる有機薄膜等からなり、これらの積層膜であってもよい。無機薄膜の中でも、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜等を採用することができる。特に、シリコン窒化膜は厚膜化に伴って有色材料となるので、透明性を持たせるために薄膜化する必要がある。
なお本実施形態ではカバー基板４６の両面に透明性遮蔽膜４６ｂを形成しているが、カバー基板４６を透過する水分または酸素を充分遮蔽できる場合は片面だけに透明性遮蔽膜４６ｂを形成しても良いし、カバー基板４６そのものが水分または酸素を遮蔽できる場合は、透明性遮蔽膜４６ｂを形成しなくても良い。
【００３４】
また、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成され、更に、画素電極２３上に機能層１１０（図１参照）が設けられている。機能層１１０は、正孔を注入／輸送可能な正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機ＥＬ層（発光層）６０と、有機ＥＬ層６０に対して電子を注入する電子注入層５２とが順に形成されたものであり、画素電極２３と陰極５０とによって狭持されている。
従って、有機ＥＬ層６０においては、正孔注入／輸送層７０から注入された正孔と、陰極５０からの電子とが結合して発光光が発生するようになっている。
【００３５】
画素電極２３は、アルミ（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等の金属やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide（登録商標））（出光興産社製）等の透明性金属等によって形成されており、これらの材料の単層構造や２層構造が好適に採用される。トップエミッション型の場合、画素電極としてＡｌを採用した場合、発光光を好適に反射するため、発光効率を向上させることができる。またＴｉとＩＴＯの積層膜の場合、ＩＴＯ、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０、電子注入層５２、陰極５０の屈折率を基に、各層の膜厚を最適化することで、入射光の反射を抑制し、画素部３を黒色化してコントラストを改善することができる。
【００３６】
正孔注入／輸送層７０は、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、または、それらのドーピング体等の材料が採用される。より具体的には、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳの一種であるバイトロン−ｐ（Bytron-p：バイエル社製）などを好適に用いることができる。
【００３７】
有機ＥＬ層６０は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が採用される。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることができる。また、有機ＥＬ層６０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００３８】
上記の正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０の形成方法としては、液体吐出法が好適に用いられる。当該液体吐出法においては、各種材料を好適な溶媒に溶解させた液体材料を微細な領域に正確に吐出して定着させることができるので、フォトリソグラフィが不要になり、材料の無駄が発生せず、製造コストの低減が可能になる。
【００３９】
電子注入層５２を形成するための材料としては、例えばバソクプロインとセシウムの共蒸着膜が好適に採用される。バソクプロインとセシウムの共蒸着膜は、バソクプロインとセシウムを蒸発源とする共蒸着法により形成される。
【００４０】
陰極５０は、図３から図６に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されている。
陰極５０を形成するための材料としては、所謂トップエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、透明性を備えた公知の材料として、ＩＴＯが好適に採用される。その他の透明性を備えた金属として、金属酸化物に亜鉛（Ｚｎ）を含有した材料、例えば、酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を採用することができる。
また、所謂バックエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、好適な材料であればよい。
このような陰極５０は、上記の材料のターゲット材を用いたスパッタリング法、或いは上記材料を含有する反応性ガスを用いるＣＶＤ法などにより形成される。
【００４１】
次に、実表示領域４に設けられた駆動用ＴＦＴ１２３の近傍の構成について、図６を参照して説明する。
図６に示すように、基板２０の表面には、ＳｉＯ₂を主体とする下地保護層２８１を下地として、その上層にはシリコン層（スイッチング素子）２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面は、ＳｉＯ₂および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層（絶縁膜）２８２によって覆われている。なお、本明細書において、「主体」とする成分とは、構成成分のうち最も含有率の高い成分を指すこととする。また、シリコン層２４１、ゲート絶縁層２８２、ゲート電極２４２などの構造体から駆動用ＴＦＴ１２３が構成されている。
【００４２】
このシリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は図示略のスイッチング用ＴＦＴ１１２のドレイン領域に電気的に接続されている。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２が形成されたゲート絶縁層２８２の表面は、ＳｉＯ₂を主体とする層間絶縁層（絶縁膜）２８３によって覆われている。
【００４３】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、所謂ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図６においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。更に、ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された層間絶縁層２８３の上層は、平坦化絶縁層２８４によって覆われている。
【００４４】
平坦化絶縁層２８４は、基板２０上に形成された上記の部位、即ち、シリコン層２４１、ゲート電極２４２、ソース電極２４３、ドレイン電極２４４、ゲート絶縁層２８２、層間絶縁層２８３等の各種素子の上方に形成される層間絶縁膜であり、当該各種素子の配置に伴って相対的に形成された凹凸部を埋設し、平坦化を施している。
以上に説明した基板２０から平坦化絶縁層２８４までの層は回路部１１を構成している。
【００４５】
更に、この平坦化絶縁層２８４の面上には、画素電極２３が形成されると共に、平坦化絶縁層２８４を貫通するようにコンタクトホール２３ａが形成され、当該コンタクトホールに埋設された配線を介して、画素電極２３とドレイン電極２４４とが接続されている。即ち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに電気的に接続されている。
【００４６】
なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて上記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造であり、同一のプロセスで形成される。
【００４７】
画素電極２３が形成された平坦化絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ₂などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなる有機バンク層（バンク）２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３には親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、および有機バンク２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部に、正孔注入／輸送層７０と、有機ＥＬ層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。
【００４８】
また、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各有機ＥＬ層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、有機ＥＬ層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機ＥＬ層６０Ｒ、緑色に対応した緑色用有機ＥＬ層６０Ｇ、青色に対応した青色用有機ＥＬ層６０Ｂとをそれぞれに対応する画素Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら画素Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成されている。
【００４９】
このように構成されたＥＬ表示装置１においては、基板２０に貫通孔２０ａが形成されると共に、乾燥剤３０が配置された空間３１ｂと、カバー基板４６の凹部４６ａ内の空間とが連通状態となっているので、凹部４６ａ内は乾燥状態に維持される。従って、外部から水分が凹部４６ａ内に侵入した場合であっても、乾燥剤３０に吸収される。即ち、画素部３の領域内に水分が浸入することがなく、有機ＥＬ層６０の劣化、ダークスポット欠陥の発生、陰極５０の導電性低下等を防止し、安定した発光特性を得ることが可能になる。更に、ＥＬ表示装置１の長寿命化を達成することが可能となる。更に、乾燥剤３０が基板２０の下面に配置されるので、トップエミッション型表示装置を容易に製造することができる。また、乾燥剤３０が保持ケース３１内に保持されるので、従来よりも多量の乾燥剤３０を配置することができるので、上記の効果を更に長期間維持することが可能になる。
【００５０】
なお、本実施形態においては、ゲッター剤として乾燥剤３０を配置し、水分の侵入を抑制しているが、乾燥剤３０に限定することなく脱酸素剤を配置してもよい。この場合、酸素の侵入が抑制されるので上記と同様の効果が得られる。
【００５１】
（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法の一例として、トップエミッション型ＥＬ表示装置の製造方法について、図７から図１１を参照して説明する。なお、図７から図１１に示す各断面図は、図２のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
【００５２】
まず、図７（ａ）に示すように、基板２０の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００５３】
次に、図７（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、実表示領域４内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００５４】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などの方法により、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００５５】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば約１×１０¹²ｃｍ^-2のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０¹⁷ｃｍ^-3の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５６】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスクを形成し、この状態でリンイオンを約１×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、パターニング用マスクの開口部に対して高濃度不純物が導入され、図７（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００５７】
次に、図７（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜という金属膜からなるゲート電極形成用導電層５０２を形成する。この導電層５０２の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、フォトリソグラフィ法により、図７（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部３２０（３５０）、陰極電源配線の第１層１２１も形成する。なお、この場合、駆動制御信号導通部３２０（３５０）はダミー領域５に配設するものとされている。
【００５８】
次に、図７（ｄ）に示すように、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０¹³ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対して低濃度不純物が導入され、図７（ｃ）および（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００５９】
次に、図８（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ２５２以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５２中に高濃度不純物がドープされる。従って、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００６０】
次に、図８（ｆ）に示すように、基板２０の全面にわたって層間絶縁層２８３を形成すると共に、フォトリソグラフィ法を用いて当該層間絶縁層２８３およびゲート絶縁層２８２をエッチングすることによって、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００６１】
次に、図８（ｇ）に示すように、層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部３１０（３４０）が形成されるべき領域３１０ａ、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにエッチング用マスク５０５を形成すると共に、当該導電層５０４をエッチングして、図９（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００６２】
次に、図９（ｉ）に示すように、平坦化絶縁層２８４を形成する。当該平坦化絶縁層２８４の形成方法としては、感光性アクリル樹脂を用いる方法が挙げられる。まず、液状の感光性アクリル樹脂をスピンコート法により塗布した後にプレベークする。
【００６３】
次に、コンタクトホール２３ａのパターンマスクを介して紫外光を感光性アクリル樹脂に照射する露光工程を施し、コンタクトホール２３ａ及び陰極電源配線が形成される部分の感光性アクリル樹脂を除去する現像工程を施し、熱処理によるキュア（焼成）を行うことにより、平坦化絶縁層２８４が硬化される（図９（ｊ））。
【００６４】
更に、基板２０の全面を覆うように画素電極２３となる導電膜を形成する。そして、この透明導電膜をパターニングすることにより、図１０（ｋ）に示すように、平坦化絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成すると同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する、なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。
なお、画素電極２３はＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明材料でも良いし、チタンとＩＴＯ、アルミとＩＺＯ等の積層構造でも良い。
【００６５】
ダミーパターン２６は、平坦化絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。即ち、ダミーパターン２６は、島状に配置され、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状を有している。もちろん、実表示領域４に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも上記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。
【００６６】
次に、図１０（ｌ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。ダミー領域５においては、親液性制御層２５に開口部を設けない構造となっているが、設けてもかまわない。
【００６７】
次に、図１０（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置に有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂を用いる方法が挙げられる。なお、有機バンク層２２１の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでも良く、感光性を有し露光現像によってパターン形成できることが更に望ましい。
【００６８】
まず、親液性制御層２５形成後の基板に、液状感光性アクリル樹脂をスピンコート法によって塗布し、次いでプレベークする。その後、有機バンク層２２１のパターンマスクを通して紫外光を感光性アクリル樹脂層に照射し、現像、焼成することで有機質物のバンク開口部２２１ａを形成し、開口部２２１ａに壁面を備えた有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は少なくとも上記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとされる。
次に、基板２０に貫通孔２０ａを形成する（基板の両面の空間を連通状態にする貫通孔を形成する工程）。また、貫通孔２０ａの位置は、後述のカバー基板４６に形成される凹部４６ａの位置に対応している。なお、貫通孔２０ａを形成する方法は、エッチング法、サンドブラスト、ドリル加工、レーザー加工が挙げられるが、これらに限定されず、他の方法であってもよい。
【００６９】
次に、画素電極２３、親液性制御層２５、有機バンク層２２１の表面にプラズマ処理することにより、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。具体的には、該プラズマ処理工程は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面を親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程とを具備している。
【００７０】
即ち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次に親インク化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ₂プラズマ処理）を行う。次に、撥インク化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ₄プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７１】
なお、このＣＦ₄プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯはフッ素に対する親和性に乏しく、またシリコンのフッ素化合物は不安定だったり蒸気圧が高かったりするため、ＳｉＯ₂がフッ素化されても親液性が保たれる。
【００７２】
次に、正孔注入／輸送層７０を形成するべく正孔注入／輸送層形成工程が行われる。正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法（液体吐出法）により、正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを電極面２３ｃ上に吐出した後に、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機ＥＬ層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
このようなインクジェット法によれば、インクジェットヘッド（図示略、吐出ヘッド）に正孔注入／輸送層材料を含む材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された上記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して材料インクに含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０が形成される。
材料インクとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸などの混合物を、イソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親インク処理された電極面２３ｃおよび親液性制御層２５の上に広がる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置からずれて、有機バンク層２２１の表面に液滴の一部がかかったとしても、有機バンク層２２１表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５および電極２３の露出領域に引き込まれる。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が電極２３表面に濡れ広がり、均一な厚さの正孔注入／輸送層７０を形成可能である。
【００７３】
次に、有機ＥＬ層６０を形成すべく発光層形成工程が行われる。発光層形成工程では、上記と同様のインクジェット法により、発光層用材料を含む材料インクを正孔注入／輸送層７０上に吐出した後に乾燥処理および熱処理して、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機ＥＬ層６０を形成する。
【００７４】
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる材料インクの溶媒として、正孔注入／輸送層７０が不溶な無極性溶媒を用いる。
この発光層形成工程としては、例えばインクジェットヘッド（図示略）に、青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に位置する正孔注入／輸送層７０に対向させ、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させながら、吐出ノズルから青色（Ｂ）発光層の材料を含有する材料インクを、１滴当たりの液量が制御された液滴として、正孔注入／輸送層７０上に吐出する。
【００７５】
吐出された液滴は、正孔注入／輸送層７０上に広がって有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１表面では、液滴が弾かれて付着しない。これにより、液滴が所定の吐出位置からずれて有機バンク層２２１表面に液滴の一部がかかったとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、液滴が上記有機バンク層２２１の開口部２２１ａ内に引き込まれる。次に、吐出後の液滴を乾燥処理することにより材料インクに含まれる無極性溶媒を蒸発させ、有機ＥＬ層６０が形成される。なお、各色の有機ＥＬ層６０は、それぞれ各色表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂ（図６参照）に対応して液滴が滴下される。更に、上記の平坦化絶縁層２８４が形成されているので、液滴が正孔注入／輸送層７０の表面に均一に濡れ広がる。
【００７６】
ここで、正孔注入／輸送層７０、有機ＥＬ層６０をそれぞれインクジェットプロセスにより形成するが、この際、インクジェットヘッドは発光ドット間のピッチに合わせてヘッドまたは基板の移動方向に対する傾きを制御している。
【００７７】
次に、図１１（ｎ）に示すように、有機ＥＬ層６０上に電子注入層５２を形成すべく電子注入層形成工程が行われ、この工程においては蒸着法が用いられる。ここで蒸着法とは、真空容器内で金属または／および有機物を加熱・蒸発させ、材料原子または分子を所望の基板に堆積させて薄膜を形成する方法であり、高品質の薄膜をナノメートルオーダーで容易に形成する方法である。
【００７８】
続いて、図１１（ｏ）に示すように、陰極５０を形成すべく陰極層形成工程が行われ、この陰極層形成工程はスパッタリング法が用いられ、陰極５０の材料としては透明導電膜となるＩＴＯが用いられ、膜厚が１５０ｎｍとなるように形成される。
【００７９】
更に、透明保護膜４０、接着層４５、カバー基板４６を順に形成する。
当該工程においては、真空雰囲気中あるいは窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
ここで、カバー基板４６ｂを形成する際には、貫通孔２０ａと凹部４６ｂとの位置が合致するように位置決め工程が行われる。
なお、カバー基板４６には、予め透明性遮蔽膜４６ｂが形成されている。無機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等が用いられ、有機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法等が用いられる。その材料としてはシリコンを含有する無機薄膜やアクリルなどの有機薄膜が用いられる。
【００８０】
更に、基板２０の下面（基板上の発光層の反対側）において、乾燥剤３０を配置した保持ケース３１と基板２０と接着剤３２により接着する。
なお、保持ケース３１には、予め遮蔽膜３１ａが形成されている。無機遮蔽膜３１ａの形成方法としては、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法等が用いられ、有機透明性遮蔽膜４６ｂの形成方法としては、スピンコート法、ロールコート法、スリットコート法等が用いられる。その材料としてはシリコンを含有する無機薄膜やアクリルなどの有機薄膜が用いられる。
このような一連の工程により、ＥＬ表示装置１が完成となる。
【００８１】
本実施形態のＥＬ表示装置１の製造方法によれば、貫通孔２０ａを介して凹部４６ａ内の空間が乾燥剤３０によって乾燥状態に維持されるので、先に記載したＥＬ表示装置１と同様の効果を奏する。
【００８２】
（第２の実施形態）
以下、第１の実施形態のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について図１２に基づき説明する。
図１２（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２（ａ）において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、符号１１００は腕時計型電子機器本体を示し、符号１１０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１２（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｃ）において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０１はキーボードなどの入力部、符号１２０２は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、符号１２０３は情報処理装置本体を示している。
【００８３】
図１２（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記の第１の実施形態のＥＬ表示装置を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態のＥＬ表示装置の特徴を有するので、好適な電子機器となる。
これらの電子機器を製造するには、第１の実施形態のＥＬ表示装置１を、携帯電話、携帯型情報処理装置、腕時計型電子機器などの各種電子機器の表示部に組み込むことにより製造される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の配線構造を示す模式図。
【図２】本発明のＥＬ表示装置の構成を模式的に示す平面図。
【図３】図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図。
【図４】図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図。
【図５】カバー基板の斜視図。
【図６】図３の要部拡大断面図。
【図７】本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図８】図７に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図９】図８に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１０】図９に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１１】図１０に続く本発明のＥＬ表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図１２】本発明の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
１、ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２０基板、２０ａ貫通孔、２３画素電極（対向電極）、３０乾燥剤（ゲッター剤）、３１保持ケース（保持部材）、３１ａ遮蔽膜、４６カバー基板（保護部材）、４６ａ凹部、４６ｂ透明性遮蔽膜、５０陰極（対向電極）、６０有機ＥＬ層（発光層）、１０００、１１００、１２００電子機器[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus.
[Prior art]
[0002]
In the field of electro-optical devices, improvement in durability against oxygen, moisture, and the like is a problem. For example, in an organic electroluminescence (hereinafter abbreviated as “organic EL”) display device which is an example of the electro-optical device, an organic EL element (organic EL material, hole injection) with the intrusion of oxygen or moisture in the atmosphere. Due to deterioration of materials, electron injection materials, etc.), occurrence of dark spot defects, or decrease in conductivity of the cathode, there is a problem that not only stable light emission characteristics cannot be obtained but also the light emission lifetime is shortened.
In order to solve such a problem, for example, a structure in which a substrate surface on which a light emitting layer or the like is formed can be sealed using a sealant containing a desiccant (for example, Patent Document 1). reference). In addition, a structure has been proposed in which a recess is formed on a substrate surface on which a light emitting layer or the like is formed, and a desiccant is disposed in the recess (for example, see Patent Document 2).
[0003]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 2000-1000055
[Patent Document 2]
JP 2000-173766 A
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, the kind of the desiccant is roughly classified into a physical adsorption type and a chemical adsorption type. Since the physical adsorption type desiccant has a property of releasing the moisture once adsorbed depending on the environmental conditions, it is not suitable as a desiccant used in the organic EL display device. In addition, the chemisorption type desiccant has the property of reacting with moisture due to moisture absorption and expanding, and the problem that the encapsulant is destroyed due to the expansion, the protection substrate and the TFT substrate There was a problem of peeling. Moreover, in a top emission type display device, it is common to install a desiccant on the outer periphery of the display area or to mix it with a sealant. Therefore, there has been a problem that the deterioration of the organic EL element or the like rapidly proceeds in the summer or in a humid indoor environment, and the light emission life is shortened.
[0005]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an electro-optical device for preventing deterioration of an organic EL element or the like due to invasion of oxygen, moisture, etc., generation of a dark spot defect, or shortening of a lifetime, and An object of the present invention is to provide an electro-optical device manufacturing method and an electronic apparatus.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention employs the following means.
That is, the electro-optical device of the present invention is an electro-optical device including a counter electrode on a substrate, a light emitting layer sandwiched between the counter electrodes, and a protective member, and makes the spaces on both sides of the substrate communicate with each other. It comprises a through hole and a getter agent located on the opposite side of the light emitting layer on the substrate.
Here, the substrate is not limited to a transparent material such as glass, but is made of a predetermined material such as a thin film, an insulating substrate, or a silicon wafer, and the substrate includes a switching element, wiring, and various electrodes described later. A circuit for driving the electro-optical device constituted by the above is formed.
The counter electrode means an anode and a cathode. As the switching element is driven, positive holes and negative electrons are injected into the light emitting layer. In the light emitting layer, the positive holes and electrons are combined and deactivated from the excited state, thereby emitting light. A phenomenon occurs.
Moreover, a through-hole is formed in the desired position in a board | substrate surface, and the number is one or more without limiting.
The getter agent means a desiccant or an oxygen scavenger, and maintains a predetermined space in a dry state or an oxygen-free state by adsorbing oxygen and moisture. When a desiccant is employed as the getter agent, the space where the desiccant is installed is maintained in a dry atmosphere, and the space communicating with the installed space is similarly maintained in a dry atmosphere.
The “substrate surface opposite to the light emitting layer” means a substrate surface on the side where emitted light is not emitted. In the following description, the substrate surface on which the light emitting layer is formed is referred to as “upper surface”, and the substrate surface on which the getter agent is disposed is referred to as “lower surface”.
Therefore, according to the present invention, the both surfaces of the substrate are in communication with each other through the through-hole, so that the space on the upper surface side is maintained in a dry state by the getter agent disposed on the lower surface of the substrate, and the space on the upper surface side of the substrate Invading oxygen and moisture are absorbed by the getter agent. That is, it is possible to prevent the deterioration of the light emitting layer, the generation of dark spot defects, the decrease in conductivity of the cathode, and the like, and to obtain stable light emitting characteristics. Furthermore, it is possible to extend the life of the electro-optical device. Furthermore, since the getter agent is disposed on the lower surface of the substrate, a so-called top emission type (sealed side light emission type) display device that extracts emitted light from the upper surface of the substrate can be easily manufactured. In addition, since a large amount of getter agent can be disposed on the lower surface of the substrate, the above effect can be further promoted.
[0007]
The present invention is the electro-optical device described above, wherein the protective member includes a concave portion on a surface facing the substrate, and the through hole communicates with a space in the concave portion.
Here, the protective member means a protective substrate, and is a member that protects the electro-optical device from external impacts and intrusion of oxygen and moisture. In addition, the protective member is formed above the light emitting layer, and the protective member is formed of a material having a suitable hardness. Depending on the form of the electro-optical device, the protective member is formed of a flexible material.
Moreover, a recessed part means the recessed part formed relatively with respect to the plane of a protection member. The concave portion is preferably formed at a suitable position except for a region where emitted light is emitted, and is preferably formed around the region.
Therefore, according to the present invention, since the through hole communicates with the space of the recess, the space in the recess is maintained in a dry state as in the case where the getter agent is disposed in the recess. That is, since oxygen and moisture do not enter the portion surrounded by the concave portion, the same effect as the electro-optical device described above can be obtained, and a dry atmosphere space can be obtained depending on the position where the concave portion is formed. Can be easily formed.
[0008]
In addition, the present invention is the electro-optical device described above, wherein the protective member is made of a transparent material.
Here, a glass substrate or the like is suitable as the transparent material, but a resin substrate such as acrylic is employed as the flexible material.
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide the top emission type display device as well as the same effect as the electro-optical device described above. Since the top emission type display device has a larger light emission area than the back emission type (substrate side light emission type), the light emission efficiency is high and the display device has high luminance.
[0009]
The present invention is the electro-optical device described above, wherein the protective member is formed with a transparent shielding film that shields moisture or oxygen. The transparent shielding film preferably has one or both of an inorganic thin film and an organic thin film.
Here, the inorganic thin film is preferably a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxynitride film (SiOxNy), or the like. Further, the silicon nitride film is preferably formed to a thickness that has transparency. Furthermore, the part where the transparent shielding film is formed is preferably formed on at least a part of the periphery of the protective member, that is, preferably formed on the upper surface, the lower surface or both surfaces. Note that the transparent shielding film may be a laminated film of an inorganic thin film and an organic thin film.
Therefore, according to the present invention, since the shielding property of the protective member against moisture and oxygen is improved, the same effect as the electro-optical device described above is obtained.
[0010]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a holding member that holds the getter agent in a sealed state is formed on the substrate.
Here, the holding member means a case having a getter agent therein. Further, the holding member and the substrate are bonded by an adhesive or the like, and the getter agent is held in a sealed state. As the material of the holding member, resin, metal, glass or the like is employed.
Therefore, according to the present invention, since the getter agent is kept in a hermetically sealed state, intrusion of oxygen and moisture from the lower surface of the substrate is suppressed, so that the same effect as the electro-optical device described above can be obtained.
[0011]
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the holding member is formed with a shielding film that shields moisture or oxygen. The shielding film preferably has one or both of an inorganic thin film and an organic thin film.
As the inorganic thin film, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like is preferable. Furthermore, the part where the transparent shielding film is formed is preferably formed on at least a part of the periphery of the protective member, that is, preferably formed on the upper surface, the lower surface or both surfaces. The shielding film may be a laminated film of an inorganic thin film and an organic thin film.
Therefore, according to the present invention, since the shielding property of the protective member against moisture and oxygen is improved, the same effect as the electro-optical device described above is obtained.
[0012]
The electro-optical device manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing an electro-optical device including a counter electrode, a light emitting layer sandwiched between the counter electrode, and a protective member on a substrate, The method includes a step of forming a through hole that brings the spaces on both sides of the substrate into a communicating state, and a step of disposing a getter agent on the opposite side of the light emitting layer on the substrate.
Therefore, according to the present invention, since the electro-optical device described above is manufactured, the same effect can be obtained.
[0013]
In addition, the method for manufacturing the electro-optical device according to the present invention includes a step of forming a recess in the protective member, and a step of bonding the substrate and the protective member by communicating the space in the recess with the through hole. It is characterized by that.
Therefore, according to the present invention, since the electro-optical device described above is manufactured, the same effect as the electro-optical device described above can be obtained.
[0014]
According to another aspect of the invention, there is provided an electronic apparatus including the electro-optical device described above.
Accordingly, examples of the electronic apparatus of the present invention include information processing apparatuses such as a mobile phone, a mobile information terminal, a clock, a word processor, and a personal computer. In particular, it is suitable for large displays and diagonal TVs with a diagonal of 10 inches or more. Thus, by employing the electro-optical device of the present invention for the display unit of an electronic device, the electronic device is provided with a long-life display unit.
In order to manufacture these electronic devices, the electro-optical device is manufactured by incorporating it into a display unit of various electronic devices such as a mobile phone, a portable information processing device, and a wristwatch type electronic device.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of an electro-optical device, a method for manufacturing the electro-optical device, and an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that such an embodiment shows one aspect of the present invention, and is not intended to limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. In each of the drawings shown below, the scale of each layer and each member is different in order to make each layer and each member recognizable on the drawing.
[0016]
(First embodiment)
(EL display device)
First, an electro-optical device manufactured by the manufacturing method of the present invention will be described as a first embodiment. Therefore, an EL display device using an electroluminescent material as an example of an electro-optical material, in particular, an organic electroluminescence (EL) material will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of an EL display device according to this embodiment.
[0017]
An EL display device (electro-optical device) 1 shown in FIG. 1 is an active matrix type EL display device using a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT).
[0018]
The EL display device 1 includes a plurality of scanning lines (wirings) 101, a plurality of signal lines (wirings) 102 extending in a direction perpendicular to the scanning lines 101, and the signal lines 102 in parallel. A plurality of extending power supply lines (wirings) 103 are respectively wired, and pixel regions X are provided in the vicinity of intersections of the scanning lines 101 and the signal lines 102.
[0019]
A data line driving circuit 100 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 102. Further, a scanning line driving circuit 80 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.
[0020]
Further, in each pixel region X, a switching TFT (switching element) 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101 and a pixel signal shared from the signal line 102 via the switching TFT 112 are provided. Is electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT 123, and a driving TFT (switching element) 123 to which the pixel signal held by the holding capacitor 113 is supplied to the gate electrode. Then, a pixel electrode (counter electrode) 23 into which a driving current flows from the power supply line 103 and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode (counter electrode) 50 are provided.
[0021]
According to the EL display device 1, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the charge supplied from the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 113, and the state of the holding capacitor 113 is Accordingly, the on / off state of the driving TFT 123 is determined. Then, a current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 23 via the channel of the driving TFT 123, and further a current flows to the cathode 50 via the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current flowing.
[0022]
Next, specific modes of the EL display device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the EL display device 1. 3 is a cross-sectional view taken along line AB in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line CD in FIG. FIG. 5 is a perspective view of the cover substrate (protective member), and FIG.
[0023]
An EL display device 1 shown in FIG. 2 includes a substrate 20 having electrical insulation, a pixel electrode region (not shown) in which pixel electrodes connected to a switching TFT (not shown) are arranged in a matrix on the substrate 20, A power supply line (not shown) arranged around the pixel electrode area and connected to each pixel electrode, and at least a pixel portion 3 (inside the one-dot chain line in the figure) having a substantially rectangular shape in plan view located on the pixel electrode area. It is comprised. In addition, the pixel unit 3 includes a real display area 4 (within the two-dot chain line frame in the drawing) in the center part, and a dummy area 5 (area between the one-dot chain line and the two-dot chain line) arranged around the real display area 4. It is divided into.
[0024]
In the actual display area 4, a plurality of pixels R, G, and B are formed corresponding to the pixel area X shown in FIG. 1, and are spaced apart in the AB direction and the CD direction.
Further, scanning line driving circuits 80 and 80 are arranged on both sides of the actual display area 4 in the drawing. The scanning line driving circuits 80 and 80 are provided on the lower layer side of the dummy region 5.
[0025]
Further, an inspection circuit 90 is arranged on the upper side of the actual display area 4 in the figure. The inspection circuit 90 is provided on the lower layer side of the dummy region 5. The inspection circuit 90 is a circuit for inspecting the operating state of the EL display device 1 and includes, for example, inspection information output means (not shown) for outputting inspection results to the outside. It is configured to be able to inspect quality and defects.
[0026]
The driving voltages of the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90 are applied from a predetermined power supply unit via the driving voltage conducting unit 310 (see FIG. 3) and the driving voltage conducting unit 340 (see FIG. 4). The drive control signals and drive voltages to the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 are supplied from a predetermined main driver that controls the operation of the EL display device 1 and the drive control signal conduction unit 320 (see FIG. 3) and Transmission and application are performed via the drive voltage conduction unit 350 (see FIG. 4). The drive control signal in this case is a command signal from a main driver or the like related to control when the scanning line drive circuit 80 and the inspection circuit 90 output signals.
[0027]
Next, the configuration of the EL display device 1 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4 which are cross-sectional views of FIG.
As shown in FIGS. 3 and 4, the EL display device 1 includes a cathode 50 formed so as to cover the circuit portion 11 formed on the substrate 20, a transparent protective film 40, an adhesive layer 45, and a cover substrate. (Protective member) 46 is formed in order. Further, a holding case (holding member) 31 that holds the desiccant (getter agent) 30 in a sealed state is installed on the lower surface of the substrate 20 (opposite the light emitting layer on the substrate).
Such an EL display device 1 is configured to extract emitted light to the cathode side, and is a so-called top emission type (sealed side light emission type) display device.
[0028]
As the substrate 20, either a transparent substrate or an opaque substrate can be used. Examples of the opaque substrate include a thermosetting resin and a thermoplastic resin in addition to a ceramic sheet such as alumina and a metal sheet such as stainless steel that has been subjected to an insulation treatment such as surface oxidation. Further, as shown in FIG. 3, the substrate 20 is provided with a through hole 20a that allows both surfaces to communicate with each other, and the through hole 20a communicates with a space in a recess 46a formed in the cover substrate 46, as will be described later. is doing.
[0029]
The positions, shapes, and areas of the through holes 20a are the patterns of various wirings (scanning line 101, signal line 102, power supply line 103, see FIG. 1), various circuits (data line driving circuit 100, scanning line driving circuit 80, The position is suitably determined according to the position of the inspection circuit 90 and the like (see FIG. 2) or various design items. In particular, the area of the through-hole 20a is suitably determined after considering the mechanical deformation of the substrate due to various manufacturing processes and the use environment, the internal stress accompanying the temperature change, and the like.
The number of through holes 20a is not limited to one and may be plural.
[0030]
The holding case 31 is a member that holds the desiccant 30 on the lower surface side of the substrate 20, and is formed of a suitable material such as resin, metal, or glass. Further, a shielding film 31a is formed on the surface of the holding case 31 so as to cover the main body of the holding case 31, so that moisture and oxygen are prevented from passing through the holding case 31 and entering the inside. The shielding film 31a is made of an inorganic thin film made of an inorganic material, an organic thin film made of an organic material, or the like, and may be a laminated film thereof. Among inorganic thin films, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like can be employed.
Further, the holding case 31 and the substrate 20 are bonded by an adhesive 32, and the desiccant 30 is sealed in the space 31b.
[0031]
The transparent protective film 40 is a member that transmits the emitted light without shielding and has a gas barrier property against moisture and oxygen entering from the outside of the EL display device 1. As the material of the transparent protective film 40, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like is employed. When silicon nitride is used, it is necessary to make the film thin enough to have transparency.
The adhesive layer 45 has a function as a cushioning material for adhering a cover substrate 46 as a protective member to the transparent protective film 40 and buffering an external impact on the cover substrate 46.
[0032]
The cover substrate 46 is formed of a transparent material for extracting emitted light, and is preferably a material having high electrical insulation and resistance to impact. In addition, when the board | substrate 20 is a flexible substrate, the material which has flexibility is employ | adopted suitably.
Further, as shown in FIG. 5, a recess 46a is formed in the cover substrate 46. The recess 46a is located on the outer periphery of the cathode 50 (see FIG. 2) and corresponds to the position of the through hole 20a. Arranged. Accordingly, since the space 31b in the holding case 31 and the space in the recess 46a communicate with each other, the space in the recess 46a is maintained in a dry state as in the case where the desiccant 30 is disposed in the recess 46a. The
The concave portion 46a may be formed simultaneously by a method such as injection molding when the cover substrate 46 is manufactured, or may be formed by a method such as etching, blasting, or grinding on a flat plate-like member without unevenness.
[0033]
Further, a transparent shielding film 46 b is formed on the cover substrate 46 so as to cover the main body of the cover substrate 46, and moisture and oxygen are prevented from passing through the cover substrate 46. The transparent shielding film 46b is made of an inorganic thin film made of an inorganic material, an organic thin film made of an organic material, or the like, and may be a laminated film thereof. Among inorganic thin films, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or the like can be employed. In particular, since the silicon nitride film becomes a colored material as the film thickness increases, it is necessary to reduce the film thickness in order to provide transparency.
In this embodiment, the transparent shielding film 46b is formed on both surfaces of the cover substrate 46. However, when the moisture or oxygen that permeates the cover substrate 46 can be sufficiently shielded, the transparent shielding film 46b is formed only on one surface. Alternatively, when the cover substrate 46 itself can shield moisture or oxygen, the transparent shielding film 46b may not be formed.
[0034]
Further, the circuit unit 11 including a driving TFT 123 for driving the pixel electrode 23 and the like is formed on the substrate 20, and a functional layer 110 (see FIG. 1) is further provided on the pixel electrode 23. The functional layer 110 includes a hole injecting / transporting layer 70 capable of injecting / transporting holes, an organic EL layer (light emitting layer) 60 including an organic EL material that is one of electro-optic materials, and an organic EL layer 60. On the other hand, an electron injection layer 52 for injecting electrons is formed in order, and is sandwiched between the pixel electrode 23 and the cathode 50.
Therefore, in the organic EL layer 60, the holes injected from the hole injection / transport layer 70 and the electrons from the cathode 50 are combined to generate emitted light.
[0035]
The pixel electrode 23 is made of a metal such as aluminum (Al), chromium (Cr), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), ITO (Indium Tin Oxide), or IZO (Indium Zinc Oxide). (Registered trademark)) (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) and the like, and a single-layer structure or a two-layer structure of these materials is preferably employed. In the case of the top emission type, when Al is adopted as the pixel electrode, the light emission is favorably reflected, so that the light emission efficiency can be improved. In the case of a laminated film of Ti and ITO, by optimizing the film thickness of each layer based on the refractive index of ITO, hole injection / transport layer 70, organic EL layer 60, electron injection layer 52, and cathode 50, The reflection of incident light can be suppressed, and the pixel portion 3 can be blackened to improve the contrast.
[0036]
For the hole injection / transport layer 70, for example, a material such as a polythiophene derivative, a polypyrrole derivative, or a doped body thereof is employed. More specifically, for example, Vitron-p (Bytron-p: manufactured by Bayer), which is a kind of PEDOT: PSS, can be preferably used.
[0037]
For the organic EL layer 60, a known light emitting material capable of emitting fluorescence or phosphorescence is employed. Specifically, (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparaphenylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), polythiophene derivative, polymethyl Polysilanes such as phenylsilane (PMPS) are preferably used. In addition, these polymer materials include polymer materials such as perylene dyes, coumarin dyes, rhodamine dyes, such as rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, Nile red, coumarin 6, A low molecular material such as quinacridone can be used after being doped. Moreover, it is preferable that the film thickness of the organic EL layer 60 is about 100 nm.
[0038]
As a method for forming the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60, a liquid discharge method is preferably used. In the liquid ejection method, liquid materials in which various materials are dissolved in a suitable solvent can be accurately ejected and fixed in a fine region, so that photolithography is not required and no material is wasted. The manufacturing cost can be reduced.
[0039]
As a material for forming the electron injection layer 52, for example, a co-deposited film of bathocuproine and cesium is preferably employed. The co-deposited film of bathocuproin and cesium is formed by a co-evaporation method using bathocuproin and cesium as an evaporation source.
[0040]
As shown in FIGS. 3 to 6, the cathode 50 has an area larger than the total area of the actual display region 4 and the dummy region 5 and is formed so as to cover each.
As a material for forming the cathode 50, ITO is suitably employed as a known material having transparency in the case of a so-called top emission type EL display device. Other transparent metals that contain zinc (Zn) in metal oxides, such as indium oxide / zinc oxide amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO) Trademark)) (made by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) and the like.
In the case of a so-called back emission type EL display device, it is not necessary to use a material having a light transmission property, and any suitable material may be used.
Such a cathode 50 is formed by a sputtering method using a target material of the above material, a CVD method using a reactive gas containing the above material, or the like.
[0041]
Next, a configuration in the vicinity of the driving TFT 123 provided in the actual display area 4 will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 6, the surface of the substrate 20 has SiO 2 ₂ The base protective layer 281 mainly composed of is used as a base, and a silicon layer (switching element) 241 is formed thereon. The surface of this silicon layer 241 is made of SiO. ₂ And / or a gate insulating layer (insulating film) 282 mainly composed of SiN. In the present specification, the “main component” refers to the component having the highest content ratio among the constituent components. Further, the driving TFT 123 is constituted by a structure such as the silicon layer 241, the gate insulating layer 282, and the gate electrode 242.
[0042]
Of the silicon layer 241, a region overlapping with the gate electrode 242 with the gate insulating layer 282 interposed therebetween is a channel region 241a. The gate electrode 242 is electrically connected to the drain region of the switching TFT 112 (not shown). On the other hand, the surface of the gate insulating layer 282 covering the silicon layer 241 and having the gate electrode 242 formed thereon is made of SiO 2 ₂ Is covered with an interlayer insulating layer (insulating film) 283 mainly composed of.
[0043]
Further, in the silicon layer 241, a low concentration source region 241b and a high concentration source region 241S are provided on the source side of the channel region 241a, while a low concentration drain region 241c and a high concentration drain region are provided on the drain side of the channel region 241a. 241D is provided to form a so-called LDD (Light Doped Drain) structure. Among these, the high-concentration source region 241 </ b> S is connected to the source electrode 243 through a contact hole 243 a that opens through the gate insulating layer 282 and the interlayer insulating layer 283. The source electrode 243 is configured as a part of the above-described power supply line 103 (see FIG. 1, extending in the direction perpendicular to the paper surface at the position of the source electrode 243 in FIG. 6). On the other hand, the high-concentration drain region 241D is connected to the drain electrode 244 made of the same layer as the source electrode 243 through a contact hole 244a that opens through the gate insulating layer 282 and the interlayer insulating layer 283. Further, the upper layer of the interlayer insulating layer 283 on which the source electrode 243 and the drain electrode 244 are formed is covered with a planarization insulating layer 284.
[0044]
The planarization insulating layer 284 includes the above-described portions formed on the substrate 20, that is, various elements such as the silicon layer 241, the gate electrode 242, the source electrode 243, the drain electrode 244, the gate insulating layer 282, and the interlayer insulating layer 283. It is an interlayer insulating film formed on the upper side, and uneven portions formed relatively with the arrangement of the various elements are buried and flattened.
The layers from the substrate 20 to the planarization insulating layer 284 described above constitute the circuit unit 11.
[0045]
Further, on the surface of the planarization insulating layer 284, the pixel electrode 23 is formed, and a contact hole 23a is formed so as to penetrate the planarization insulation layer 284, and via a wiring embedded in the contact hole. Thus, the pixel electrode 23 and the drain electrode 244 are connected. That is, the pixel electrode 23 is electrically connected to the high concentration drain region 241D of the silicon layer 241 through the drain electrode 244.
[0046]
Note that TFTs (driving circuit TFTs) included in the scanning line driving circuit 80 and the inspection circuit 90, that is, N-channel type or P-channel type TFTs constituting an inverter included in the shift register among these driving circuits, for example. Is the same structure as the driving TFT 123 except that it is not connected to the pixel electrode 23, and is formed by the same process.
[0047]
The surface of the planarization insulating layer 284 on which the pixel electrode 23 is formed is connected to the pixel electrode 23 and, for example, SiO. ₂ And the like, and an organic bank layer (bank) 221 made of an acrylic resin or a polyimide resin. In the pixel electrode 23, the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60 are formed inside the opening 25 a provided in the lyophilic control layer 25 and the opening 221 a provided in the organic bank 221. Are stacked in this order from the pixel electrode 23 side. In addition, “lyophilic” of the lyophilic control layer 25 in the present embodiment means that the lyophilic property is higher than at least materials such as acrylic resin and polyimide resin constituting the organic bank layer 221. And
[0048]
Further, in the EL display device 1 of the present embodiment, each organic EL layer 60 is formed so that the emission wavelength band corresponds to the three primary colors of light in order to perform color display. For example, as the organic EL layer 60, a red organic EL layer 60R whose emission wavelength band corresponds to red, a green organic EL layer 60G corresponding to green, and a blue organic EL layer 60B corresponding to blue correspond to each. One pixel that is provided in the pixels R, G, and B and performs color display with the pixels R, G, and B is configured.
[0049]
In the EL display device 1 configured as described above, the through hole 20a is formed in the substrate 20, and the space 31b in which the desiccant 30 is disposed and the space in the recess 46a of the cover substrate 46 are in communication with each other. Therefore, the inside of the recess 46a is maintained in a dry state. Therefore, even when moisture enters the recess 46 a from the outside, it is absorbed by the desiccant 30. That is, moisture does not enter into the region of the pixel portion 3, and it is possible to prevent deterioration of the organic EL layer 60, generation of dark spot defects, decrease in conductivity of the cathode 50, and the like, and obtain stable light emission characteristics. become. In addition, it is possible to extend the life of the EL display device 1. Furthermore, since the desiccant 30 is disposed on the lower surface of the substrate 20, a top emission type display device can be easily manufactured. In addition, since the desiccant 30 is held in the holding case 31, a larger amount of the desiccant 30 than in the conventional case can be disposed, so that the above effect can be maintained for a longer period of time.
[0050]
In the present embodiment, the desiccant 30 is disposed as a getter agent to prevent moisture from entering, but the oxygen scavenger may be disposed without being limited to the desiccant 30. In this case, since the intrusion of oxygen is suppressed, the same effect as described above can be obtained.
[0051]
(Method for manufacturing EL display device)
Next, as an example of a method for manufacturing the EL display device 1 according to the present embodiment, a method for manufacturing a top emission type EL display device will be described with reference to FIGS. 7 to 11 correspond to the cross-sectional view taken along the line AB of FIG. 2 and are shown in the order of the respective manufacturing steps.
[0052]
First, as shown in FIG. 7A, a base protective layer 281 is formed on the surface of the substrate 20. Next, after an amorphous silicon layer 501 is formed on the base protective layer 281 using a plasma CVD method or the like, crystal grains are grown by a laser annealing method or a rapid heating method to form a polysilicon layer.
[0053]
Next, as shown in FIG. 7B, the polysilicon layer is patterned by photolithography to form island-like silicon layers 241, 251 and 261. Among these, the silicon layer 241 is formed in the actual display region 4 and constitutes a driving TFT 123 connected to the pixel electrode 23, and the silicon layers 251 and 261 are P included in the scanning line driving circuit 80. Channel-type and N-channel TFTs (driver circuit TFTs) are respectively configured.
[0054]
Next, a gate insulating layer 282 made of a silicon oxide film having a thickness of about 30 nm to 200 nm is formed on the entire surface of the silicon layers 241, 251 and 261 and the base protective layer 281 by a method such as plasma CVD or thermal oxidation. . Here, when the gate insulating layer 282 is formed using a thermal oxidation method, the silicon layers 241, 251 and 261 are also crystallized, and these silicon layers can be made into polysilicon layers.
[0055]
When channel doping is performed on the silicon layers 241, 251 and 261, for example, about 1 × 10 ¹² cm ^-2 Boron ions are implanted at a dose of. As a result, the silicon layers 241, 251 and 261 have an impurity concentration (calculated by the impurities after activation annealing) of about 1 × 10. ¹⁷ cm ^-3 This is a low concentration P-type silicon layer.
[0056]
Next, an ion implantation selection mask is formed in part of the channel layer of the P-channel TFT and the N-channel TFT, and in this state, phosphorus ions are about 1 × 10 ¹⁵ cm ^-2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, a high concentration impurity is introduced into the opening of the patterning mask, and as shown in FIG. 7C, the high concentration source regions 241S and 261S and the high concentration drain region 241D and the silicon layers 241 and 261 are provided. 261D is formed.
[0057]
Next, as shown in FIG. 7C, a gate electrode forming conductive layer 502 made of a metal film such as doped silicon, a silicide film, or an aluminum film, a chromium film, or a tantalum film is formed on the entire surface of the gate insulating layer 282. Form. The thickness of the conductive layer 502 is approximately 500 nm. Thereafter, by photolithography, as shown in FIG. 7D, a gate electrode 252 for forming a P-channel type driving circuit TFT, a gate electrode 242 for forming a pixel TFT, and an N-channel type driving circuit TFT A gate electrode 262 is formed. In addition, the drive control signal conducting portion 320 (350) and the first layer 121 of the cathode power supply wiring are also formed. In this case, the drive control signal conducting portion 320 (350) is disposed in the dummy region 5.
[0058]
Next, as shown in FIG. 7 (d), the gate electrodes 242, 252 and 262 are used as a mask, and phosphorus ions are about 4 × 10 4 with respect to the silicon layers 241, 251 and 261. ¹³ cm ^-2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, low-concentration impurities are introduced into the gate electrodes 242, 252 and 262, and as shown in FIGS. 7C and 7D, the low-concentration source regions 241b and 261b in the silicon layers 241 and 261, and Low concentration drain regions 241c and 261c are formed. In addition, low concentration impurity regions 251S and 251D are formed in the silicon layer 251.
[0059]
Next, as illustrated in FIG. 8E, an ion implantation selection mask 503 that covers a portion other than the P-channel driver circuit TFT 252 is formed. Using this ion implantation selection mask 503, boron ions are implanted into the silicon layer 251 by about 1.5 × 10 5. ¹⁵ cm ^-2 Ion implantation is performed with a dose amount of. As a result, the gate electrode 252 constituting the TFT for the P-channel driver circuit also functions as a mask, so that the silicon layer 252 is doped with a high concentration impurity. Accordingly, the low-concentration impurity regions 251S and 251D are counter-doped and become source and drain regions of a P-type channel type driving circuit TFT.
[0060]
Next, as illustrated in FIG. 8F, an interlayer insulating layer 283 is formed over the entire surface of the substrate 20, and the interlayer insulating layer 283 and the gate insulating layer 282 are etched using a photolithography method, thereby Contact holes C are formed at positions corresponding to the source and drain electrodes of the TFT.
[0061]
Next, as shown in FIG. 8G, a conductive layer 504 made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum is formed so as to cover the interlayer insulating layer 283. The thickness of the conductive layer 504 is approximately 200 nm to 800 nm. Thereafter, in the conductive layer 504, a region 240a where the source electrode and the drain electrode of each TFT are to be formed, a region 310a where the driving voltage conducting portion 310 (340) is to be formed, and a second layer of the cathode power supply wiring are formed. An etching mask 505 is formed so as to cover the region 122a to be formed, and the conductive layer 504 is etched so that the source electrodes 243, 253, 263, and the drain electrodes 244, 254, 264 shown in FIG. Form.
[0062]
Next, as shown in FIG. 9I, a planarization insulating layer 284 is formed. As a method for forming the planarization insulating layer 284, a method using a photosensitive acrylic resin can be given. First, a liquid photosensitive acrylic resin is applied by spin coating and then pre-baked.
[0063]
Next, an exposure step of irradiating the photosensitive acrylic resin with ultraviolet light through the pattern mask of the contact hole 23a is performed, and a developing step of removing the photosensitive acrylic resin in a portion where the contact hole 23a and the cathode power supply wiring are formed. The planarization insulating layer 284 is cured by applying and curing (baking) by heat treatment (FIG. 9J).
[0064]
Further, a conductive film to be the pixel electrode 23 is formed so as to cover the entire surface of the substrate 20. Then, by patterning this transparent conductive film, as shown in FIG. 10 (k), the pixel electrode 23 that is electrically connected to the drain electrode 244 through the contact hole 23a of the planarization insulating layer 284 is formed, and at the same time, the dummy region The dummy electrode 26 is also formed. In FIGS. 3 and 4, the pixel electrode 23 and the dummy pattern 26 are collectively referred to as the pixel electrode 23.
The pixel electrode 23 may be a transparent material such as ITO or IZO, or may be a laminated structure such as titanium and ITO, or aluminum and IZO.
[0065]
The dummy pattern 26 is configured not to be connected to the lower metal wiring via the planarization insulating layer 284. That is, the dummy pattern 26 is arranged in an island shape and has substantially the same shape as the shape of the pixel electrode 23 formed in the actual display region 4. Of course, a structure different from the shape of the pixel electrode 23 formed in the actual display region 4 may be used. In this case, the dummy pattern 26 includes at least one located above the drive voltage conducting portion 310 (340).
[0066]
Next, as shown in FIG. 10L, a lyophilic control layer 25 that is an insulating layer is formed on the pixel electrode 23, the dummy pattern 26, and the second interlayer insulating film. In the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25 is formed so as to partially open, and holes can be transferred from the pixel electrode 23 in the opening 25a (see also FIG. 3). The dummy region 5 has a structure in which no opening is provided in the lyophilic control layer 25, but it may be provided.
[0067]
Next, as shown in FIG. 10M, an organic bank layer 221 is formed at a predetermined position of the lyophilic control layer 25. A specific method for forming the organic bank layer 221 includes a method using a photosensitive acrylic resin or a photosensitive polyimide resin. The constituent material of the organic bank layer 221 may be any material as long as it does not dissolve in the ink solvent described later and can be easily patterned by etching or the like, and has photosensitivity and can be patterned by exposure and development. Is more desirable.
[0068]
First, a liquid photosensitive acrylic resin is applied to the substrate after the lyophilic control layer 25 is formed by a spin coating method, and then pre-baked. Thereafter, the photosensitive acrylic resin layer is irradiated with ultraviolet light through a pattern mask of the organic bank layer 221, developed and baked to form a bank opening 221a of an organic substance, and the organic bank layer having a wall surface in the opening 221a 221 is formed. In this case, the organic bank layer 221 includes at least one located above the drive control signal conducting unit 320.
Next, the through-hole 20a is formed in the substrate 20 (step of forming a through-hole that brings the spaces on both sides of the substrate into communication). Further, the position of the through hole 20a corresponds to the position of a recess 46a formed in the cover substrate 46 described later. In addition, although the method of forming the through-hole 20a includes an etching method, sand blasting, drilling, and laser processing, it is not limited thereto, and other methods may be used.
[0069]
Next, plasma treatment is performed on the surface of the pixel electrode 23, the lyophilic control layer 25, and the organic bank layer 221, thereby forming a region showing lyophilicity and a region showing liquid repellency. Specifically, the plasma treatment process includes a preheating process, and the upper surface of the organic bank layer 221, the wall surface of the opening 221a, the electrode surface 23c of the pixel electrode 23, and the upper surface of the lyophilic control layer 25 are made lyophilic. And an ink repellent step for making the upper surface of the organic bank layer 221 and the wall surface of the opening 221a liquid repellent.
[0070]
That is, the base material (substrate 20 including a bank or the like) is heated to a predetermined temperature, for example, about 70 to 80 ° C., and then subjected to a plasma treatment (O ₂ Plasma treatment) is performed. Next, as an ink repellent process, plasma treatment (CF) using tetrafluoromethane as a reaction gas under atmospheric pressure _Four Plasma treatment) is performed, and then the substrate heated for the plasma treatment is cooled to room temperature, whereby lyophilicity and liquid repellency are imparted to predetermined locations.
[0071]
This CF _Four In the plasma processing, the electrode surface 23c of the pixel electrode 23 and the lyophilic control layer 25 are also somewhat affected, but ITO, which is the material of the pixel electrode 23, has poor affinity for fluorine, and the fluorine compound of silicon is Because it is unstable or vapor pressure is high, SiO ₂ Even if fluorinated, lyophilicity is maintained.
[0072]
Next, a hole injection / transport layer forming step is performed to form the hole injection / transport layer 70. In the hole injection / transport layer forming step, a material ink containing a hole injection / transport layer material is ejected onto the electrode surface 23c by an inkjet method (liquid ejection method), and then a drying process and a heat treatment are performed. Then, a hole injection / transport layer 70 is formed. In addition, it is preferable to carry out after this hole injection / transport layer formation process in inert gas atmosphere, such as nitrogen atmosphere and argon atmosphere, in order to prevent the oxidation of the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60.
According to such an ink jet method, the ink jet head (not shown, discharge head) is filled with the material ink containing the hole injection / transport layer material, and the discharge nozzle of the ink jet head is formed in the lyophilic control layer 25. While facing the electrode surface 23c located in the opening 25a and relatively moving the ink-jet head and the substrate 20, droplets with a controlled liquid amount per droplet are discharged from the discharge nozzle onto the electrode surface 23c. Next, the hole injection / transport layer 70 is formed by drying the discharged droplets to evaporate the polar solvent contained in the material ink.
As the material ink, for example, a material obtained by dissolving a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylenedioxythiophene and polystyrene sulfonic acid in a polar solvent such as isopropyl alcohol can be used. Here, the discharged droplets spread on the electrode surface 23c and the lyophilic control layer 25 that have been subjected to the lyophilic process. On the other hand, droplets are repelled and do not adhere to the upper surface of the organic bank layer 221 that has been subjected to ink repellent treatment. Therefore, even if the liquid droplet is displaced from the predetermined discharge position and a part of the liquid droplet is applied to the surface of the organic bank layer 221, the surface of the organic bank layer 221 is not wetted by the liquid droplet, and the repelled liquid droplet Is drawn into the exposed regions of the lyophilic control layer 25 and the electrode 23. Further, since the above-described planarization insulating layer 284 is formed, the droplet spreads on the surface of the electrode 23 and the hole injection / transport layer 70 having a uniform thickness can be formed.
[0073]
Next, a light emitting layer forming step is performed to form the organic EL layer 60. In the light emitting layer forming step, a material ink containing a light emitting layer material was ejected onto the hole injection / transport layer 70 by the same inkjet method as described above, and then dried and heat-treated to form the organic bank layer 221. An organic EL layer 60 is formed in the opening 221a.
[0074]
In the light emitting layer forming step, a nonpolar solvent in which the hole injecting / transporting layer 70 is insoluble is used as a solvent for the material ink used in forming the light emitting layer in order to prevent the hole injecting / transporting layer 70 from redissolving. .
In this light emitting layer forming step, for example, an ink jet head (not shown) is filled with a material ink containing the material of the blue (B) light emitting layer, and a discharge nozzle of the ink jet head is placed in the opening 221a of the organic bank layer 221. The material ink containing the material of the blue (B) light-emitting layer is discharged from the ejection nozzle while the ink jet head and the substrate 20 are moved relative to each other while facing the hole injection / transport layer 70 positioned. The droplets are discharged onto the hole injection / transport layer 70 as controlled droplets.
[0075]
The discharged droplet spreads on the hole injection / transport layer 70 and fills the opening 221a of the organic bank layer 221. On the other hand, on the surface of the organic bank layer 221 that has been subjected to ink repellent treatment, the droplets are repelled and do not adhere. As a result, even if the liquid droplet is displaced from a predetermined discharge position and a part of the liquid droplet is applied to the surface of the organic bank layer 221, the top surface is not wetted by the liquid droplet, and the liquid droplet does not form the organic bank layer 221. It is drawn into the opening 221a. Next, the non-polar solvent contained in the material ink is evaporated by drying the discharged droplets, and the organic EL layer 60 is formed. In addition, droplets are dropped on the organic EL layers 60 of the respective colors corresponding to the respective color display regions R, G, and B (see FIG. 6). Further, since the planarization insulating layer 284 is formed, the droplets spread uniformly on the surface of the hole injection / transport layer 70.
[0076]
Here, the hole injection / transport layer 70 and the organic EL layer 60 are each formed by an inkjet process. At this time, the inkjet head controls the inclination of the head or the substrate with respect to the moving direction according to the pitch between the light emitting dots. Yes.
[0077]
Next, as shown in FIG. 11 (n), an electron injection layer forming step is performed to form an electron injection layer 52 on the organic EL layer 60. In this step, a vapor deposition method is used. Here, the vapor deposition method is a method of forming a thin film by heating and evaporating metal or / and organic substances in a vacuum vessel and depositing material atoms or molecules on a desired substrate. This is a method of forming easily.
[0078]
Subsequently, as shown in FIG. 11 (o), a cathode layer forming step is performed to form the cathode 50. This cathode layer forming step uses a sputtering method, and a material for the cathode 50 is a transparent conductive film. ITO is used, and the film thickness is 150 nm.
[0079]
Further, a transparent protective film 40, an adhesive layer 45, and a cover substrate 46 are formed in this order.
This step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium.
Here, when the cover substrate 46b is formed, a positioning step is performed so that the positions of the through hole 20a and the recess 46b coincide.
Note that a transparent shielding film 46b is formed on the cover substrate 46 in advance. As a method for forming the inorganic transparent shielding film 46b, a CVD method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like is used. As a method for forming the organic transparent shielding film 46b, a spin coating method, a roll coating method, a slit coating method, or the like is used. Used. As the material, an inorganic thin film containing silicon or an organic thin film such as acrylic is used.
[0080]
Further, on the lower surface of the substrate 20 (opposite the light emitting layer on the substrate), the holding case 31 in which the desiccant 30 is disposed, the substrate 20 and the adhesive 32 are bonded.
Note that a shielding film 31 a is formed on the holding case 31 in advance. As a method of forming the inorganic shielding film 31a, a CVD method, a vapor deposition method, a sputtering method, or the like is used. As a method of forming the organic transparent shielding film 46b, a spin coating method, a roll coating method, a slit coating method, or the like is used. . As the material, an inorganic thin film containing silicon or an organic thin film such as acrylic is used.
The EL display device 1 is completed through such a series of steps.
[0081]
According to the method for manufacturing the EL display device 1 of the present embodiment, the space in the recess 46a is maintained in the dry state by the desiccant 30 through the through hole 20a, and thus the same as the EL display device 1 described above. There is an effect.
[0082]
(Second Embodiment)
Hereinafter, a specific example of an electronic apparatus including the EL display device according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 12A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 12A, reference numeral 1000 denotes a mobile phone main body, and reference numeral 1001 denotes a display unit using the EL display device.
FIG. 12B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 12B, reference numeral 1100 indicates a wristwatch-type electronic apparatus main body, and reference numeral 1101 indicates a display unit using the EL display device.
FIG. 12C is a perspective view illustrating an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 12C, reference numeral 1200 denotes an information processing apparatus, reference numeral 1201 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 1202 denotes a display unit using the EL display device, and reference numeral 1203 denotes an information processing apparatus main body.
[0083]
Each of the electronic devices shown in FIGS. 12A to 12C includes a display unit using the EL display device of the first embodiment, and the EL display of the previous first embodiment. Since it has the characteristic of an apparatus, it becomes a suitable electronic device.
In order to manufacture these electronic devices, the EL display device 1 according to the first embodiment is manufactured by incorporating the display device of various electronic devices such as a mobile phone, a portable information processing device, and a wristwatch type electronic device. .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a wiring structure of an EL display device of the present invention.
FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration of an EL display device of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 2;
4 is a cross-sectional view taken along line CD in FIG.
FIG. 5 is a perspective view of a cover substrate.
6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG.
FIG. 7 is a process diagram illustrating a method for manufacturing an EL display device of the present invention.
FIG. 8 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the EL display device of the present invention following FIG. 7;
FIG. 9 is a process diagram illustrating the manufacturing method of the EL display device of the present invention following FIG. 8;
10 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the EL display device of the present invention following FIG. 9; FIG.
FIG. 11 is a process diagram illustrating the manufacturing method of the EL display device of the present invention following FIG. 10;
FIG. 12 is a perspective view showing an electronic apparatus of the invention.
[Explanation of symbols]
1, EL display device (electro-optical device), 20 substrate, 20a through hole, 23 pixel electrode (counter electrode), 30 desiccant (getter agent), 31 holding case (holding member), 31a shielding film, 46 cover substrate ( Protective member), 46a recess, 46b transparent shielding film, 50 cathode (counter electrode), 60 organic EL layer (light emitting layer), 1000, 1100, 1200 electronic device

Claims

An electro-optical device comprising a counter electrode including a pixel electrode and a cathode on a substrate, a light emitting layer sandwiched between the pixel electrode and the cathode, and a protective member,
Comprising a through hole for communicating the space on both sides of the substrate, and a getter agent located on the opposite side of the light emitting layer on the substrate;
The protective member is a surface facing the substrate, and includes a recess formed in an annular shape on the outer peripheral portion of the cathode in plan view,
The through hole communicates with the space in the recess ,
The electro-optical device , wherein the protective member is bonded to the substrate through an adhesive layer in both an inner region and an outer region of the region where the concave portion is formed in a plan view .

The electro-optical device according to claim 1 , wherein the protection member is made of a transparent material.

The electro-optical device according to claim 1 , wherein a transparent shielding film that shields moisture or oxygen is formed on the protective member.

The electro-optical device according to claim 3 , wherein the transparent shielding film includes one or both of an inorganic film and an organic film.

A holding member for holding the getter agent in a sealed state is formed on the substrate,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the protective member is bonded to the substrate in both an inner region and an outer region of the region where the concave portion is formed in a plan view.

The electro-optical device according to claim 5 , wherein the holding member is formed with a shielding film that shields moisture or oxygen.

The electro-optical device according to claim 6 , wherein the shielding film includes one or both of an inorganic film and an organic film.

A manufacturing method of an electro-optical device comprising a counter electrode including a pixel electrode and a cathode on a substrate, a light emitting layer sandwiched between the pixel electrode and the cathode, and a protective member,
Forming a through-hole that brings the spaces on both sides of the substrate into communication; and
Disposing a getter agent on the opposite side of the light emitting layer on the substrate;
A step of forming an annular recess in the outer peripheral portion of the cathode in a plan view on the surface of the protective member facing the substrate;
A step of allowing the space in the recess to communicate with the through hole and bonding the substrate and the protective member ;
In the step of bonding the substrate and the protective member, the protective member is bonded to the substrate via an adhesive layer in both the inner region and the outer region of the region where the concave portion is formed in plan view. A method for manufacturing an electro-optical device.

In the step of bonding the substrate and the protective member, the protective member is bonded to the substrate in both the inner region and the outer region of the region where the concave portion is formed in plan view. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 8 .

An electronic apparatus characterized by comprising an electro-optical device according to any one of claims 1 to 7.