JP4273261B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4273261B2
JP4273261B2 JP2003374788A JP2003374788A JP4273261B2 JP 4273261 B2 JP4273261 B2 JP 4273261B2 JP 2003374788 A JP2003374788 A JP 2003374788A JP 2003374788 A JP2003374788 A JP 2003374788A JP 4273261 B2 JP4273261 B2 JP 4273261B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
adhesion
triethoxysilylpropyl
general formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003374788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005097503A (ja
Inventor
弘志 杉山
郁雄 中筋
貴志 外山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2003374788A priority Critical patent/JP4273261B2/ja
Publication of JP2005097503A publication Critical patent/JP2005097503A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4273261B2 publication Critical patent/JP4273261B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

本発明は、エポキシ樹脂組成物に関し、半導体素子の封止等に用いられる、特に銀メッキ部に対する接着性の優れた、エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
IC、LSI等の半導体素子の封止には、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が低コストであり、また大量生産に適しているため従来より採用されている。そして、信頼性の点でもエポキシ樹脂や硬化剤であるフェノール樹脂の改良によりその向上が図られてきた。しかし、近年の電子機器の小型化、軽量化、高性能化において、半導体素子の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では解決困難な問題点も出てきている。その最大のものは、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬、あるいはあらかじめ塗布等している半田を再溶融させるリフロー工程で急激に200℃以上の高温に晒され、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により半導体装置にクラックが発生し、半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の各種めっきされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面で剥離が生じ、信頼性が著しく低下する現象である。
その対策として、半田処理による信頼性低下を改善する目的で、エポキシ樹脂組成物中の無機充填材の充填量を増加させることで低吸湿化、高強度化、低熱膨張率化を達成して耐半田性を向上させるとともに、低溶融粘度の樹脂を使用して、成形時に低粘度で高流動性を維持させる手法が一般的となりつつある。
一方、半田処理後の信頼性の維持においては、エポキシ樹脂組成物の硬化物と半導体装置内部に存在する半導体素子やリードフレーム等の基材との界面の接着性を良好にすることが非常に重要になってきている。すなわち、界面での接着力が弱いと、半田処理後の基材との界面で剥離が生じ、更にはこの剥離に起因し半導体装置にクラックが発生するからである。その対策として、従来から耐半田性を向上させるため、エポキン樹脂、硬化剤、硬化促進剤、応力緩和材、カップリング剤など色々な対応策が見出されている。
以上の他、例えば以下の特許文献1〜3に示すような発明がなされている。
特開2002−241585号公報 特開2003−96269号公報 特開2003−96270号公報
しかしながら、リードフレームのインナーリードに銀メッキ処理されたものが増加してきているが従来の対応の中で、上述のシランカップリング剤だけでは充分に対応できなくなっている。その結果、耐半田性及び耐リフロー性向上のため、特にインナーリード銀めっき部の密着性を向上させ、銀めっき部の剥離を阻止する技術の開発が望まれていた。
本発明は以上の課題を解決することを目的としてなされたものであり、本発明は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び銀メッキ用密着付与剤として下記一般式(1)で示されるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、前記一般式(1)で示されるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を、フェノールノボラック樹脂等のフェノール樹脂系の硬化剤とを溶融混合し、該溶融混合物を冷却後に、粉砕して得られる工程を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法である。
一般式1:
[式中、R 〜R はそれぞれC の炭化水素基を示し、また、nは1〜10を示す。]
本発明においては、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤を必須成分とする半導体封止用のエポキシ樹脂組成物の配合成分として、銀めっき部への密着性を向上 させるために、密着付与剤としてビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を用いるものである。そして、これにより銀めっき部への密着性 を向上させることができ、耐半田性及び耐リフロー性の大幅なレベルアップを達成した。
本発明によれば式1で示される密着付与剤を好ましくは、0.05%以上、3全量%以下含有することにより、AgとSの反応によりインナーリード銀めっき部との密着性が向上し耐吸湿性と耐半田性及び耐吸湿性と耐リフロー性が向上する。また、式1のうち、n=1〜4のスルファン部は、熱安定性が優れているため効果が特に発揮される。
また、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂との相乗効果により銀めっきへの密着性が向上する。
また、併せて無機充填材を含有する事により、エポキシ樹脂組成物の硬化物の特性(線膨張、吸湿率)が向上し相乗効果により更に耐半田性及び耐リフロー性がよくなる。
また式1で示される密着付与剤は、フェノール系硬化剤と溶融混合物化することにより分散性が向上し、より効果的となる。
以下、本発明をその実施の形態に基づいて説明する。
使用するエポキシ樹脂としては、半導体装置に一般的にその封止材用に用いられているエポキシ樹脂を使用できる。例えば、オルソクレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノール型エポキシ、ビフェニル型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ等である。これらの中では、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を全エポキシ樹脂中5〜30重量%含有したエポキシ樹脂を用いるのが銀メッキとの密着性が向上するので好ましい。
硬化剤は、一般的にエポキシ樹脂と反応するものであれば、特に限定されるものではない。例えば、通常のフェノールノボラック樹脂、ナフタレン骨格含有フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等であり、また無水ヒドロフタル酸等の酸無水物をも使用できる。
本発明においては、半導体装置の封止用エポキシ樹脂組成物に一般的に用いられている無機充填材を使用できる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミ等である。なお、充填材含有量は、全エポキシ樹脂組成物中65〜90重量%であるのが好ましい。無機充填材を含有させることにより、半導体装置の封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物の特性(線膨張、吸湿率)が向上し、相乗効果により更に耐半田性、耐リフロー性がよくなる。
硬化促進剤は、一般的に封止用エポキシ樹脂組成物に用いられているものを使用できる。例えば、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン等の有機リン化合物類、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、1ベンジル−2−フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類を挙げられる。1、8−ジアザビシクロ(5、4、0)ウンデセン、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類等も挙げられる。これらは単独で用いても併用してもよい。また添加量は、全エポキシ樹脂組成物中0.03〜2重量%が好ましい。すなわち0.03重量%未満では、ゲル化時間が遅くなり、硬化時の剛性の低下による作業性の低下をもたらす。逆に、2重量%を超えると成形途中で硬化が進み、未充填が発生しやすくなる。
以上の他、一般的に封止用エポキシ樹脂組成物に使用可能なものを適宜配合して用いることができる。例えば、離型剤、及びリン系難燃剤、ブロム化合物、三酸化アンチモン等の難燃剤、及びカーボンブラック、有機染料等の着色剤等が挙げられる。
以上の成分を含有してなるエポキシ樹脂組成物に、本発明は、特に銀メッキに対する密着付与剤として一般式(1)で表わされるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を添加する。一般式(1)で表わされるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物はnが1〜4であるのが好ましい。5以上だと、ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物の熱安定性が損なわれるおそれがある。添加量は全エポキシ樹脂組成物中0.05〜3重量%が好ましい。0.05重量%未満では、密着性の効果が少ない。また、3重量%を超えると成形性に悪影響を及ぼす。また添加する際には、フェノールノボラック化合物との溶融、混合、冷却粉砕を行う予備配合又はマスターバッチ化(MB化)したものを用いる方が分散効果にすぐれ、添加の効果が向上する。混合比率は、フェノールノボラック化合物100重量部に対し、一般式(1)で表わされるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物は5〜20重量部用いるのが好ましい。本発明は、一般式(1)で表わされるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を添加することにより、インナーリード銀メッキ部との密着性が向上し、耐吸湿及び耐半田リフロー性が向上する。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、以上の各成分をミキサー等によって均一に混合した後、加熱ロール、ニーダー等によって混練して製造する。成分の配合順序は特に制限はない。更にまた、混練後に溶融混練物の粉砕を行いパウダー化すること、タブレット化することも可能である。
本発明を実施例、比較例により説明する。
表1に示す成分を配合した後、ミキサーで十分混合し、加熱ロールで約5分の混練したものを冷却し、粉砕してそれぞれ実施例1、2、比較例1の組成物を得た。なお、表1に示す組成物には透明封止材として用いるため、シリカ等の無機充填材は混合していない。
表2に示す成分を配合した後、ミキサーで十分混合し、加熱ロールで約5分の混練したものを冷却し、粉砕してそれぞれ実施例3〜8比較例2、3の組成物を得た。
上記で得られたエポキシ樹脂組成物を用い、以下に評価用サンプルとして示す。
[評価試験]
[耐リフロー性試験]
耐リフロー性試験は、以下の通りである。
条件1、 30℃/70%/24h+245℃(MAX)×3回
条件2、 85℃/60%/168h+245℃(MAX)×3回
(耐リフロー性:245℃の半田浴に3回浸漬)
(耐吸湿性:温度85℃、相対湿度60%で168hr処理)
175℃ 90秒成形のトランスファーモールド成形でTEG18SOPの評価用試料を作製した。TEG18SOPを用いて、125℃×24hの前乾燥処理を行った後、恒温恒湿機で吸湿処理を行い、その後に耐リフロー性試験を行った。この処理後のパッケージを超音波探査装置で内部の観察を行い封止樹脂とチップ表面部、インナーリード銀めっき部、裏面ダイパッド部(銀めっき)の剥離の発生の有無を調べた。
[銀めっきプレートとのせん断密着性評価(プリン密着性評価)]
銀めっきプレートとのせん断密着性評価(プリン密着性評価)は以下の通りである。
製造したエポキシ樹脂組成物を用いて台形の成形品をトランスファーモールド成形し、評価用サンプルを得た。サンプルの巾が広い底面が、銀めっきプレートに当たるように成形し、成形品の銀めっきプレート部を治具で固定して、樹脂率の接着部のせん断に要する応力から密着力を測定した。各試験結果は表1と表2に示す。
表1と表2に示すように、優れた性能を確認できた。
但し、表中、
n=4:ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン
n=7:ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)ペンタスルファン
又、
チップ:封止樹脂とチップ表面の剥離の有無、件数
リード:封止樹脂とインナーリード部の剥離の有無、件数
裏面ダイ:封止樹脂とダイパッド裏面の銀メッキ部の剥離の有無、件数
を表す。
但し、表中、
n=4:ビス(3−トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン
又、
チップ:封止樹脂とチップ表面の剥離の有無、件数
リード:封止樹脂とインナーリード部の剥離の有無、件数
裏面ダイ:封止樹脂とダイパッド裏面の銀メッキ部の剥離の有無、件数
を表す。
本発明によれば式1で示される密着付与剤を好ましくは、0.05%以上、3全量%以下含有することにより、AgとSの反応によりインナーリード銀めっき部との密着性が向上し耐吸湿性と耐半田性及び耐吸湿性と耐リフロー性が向上する。また、式1のうち、n=1〜4のスルファン部は、熱安定性が優れているため効果が特に発揮される。
また、ジシクロペタジエン型エポキシ樹脂との相乗効果により銀めっきへの密着性が向上する。
また、併せて無機充填材を含有する事により、エポキシ樹脂組成物の硬化物の特性(線膨張、吸湿率)が向上し相乗効果により更に耐半田性及び耐リフロー性がよくなる。
また式1で示される密着付与剤は、フェノール系硬化剤と溶融混合物化することにより分散性が向上し、より効果的となる。

Claims (1)

  1. エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び銀メッキ用密着付与剤として下記一般式(1)で示されるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、前記一般式(1)で示されるビス(3−トリエトキシシリルプロピル)スルファン系化合物を、フェノールノボラック樹脂等のフェノール樹脂系の硬化剤とを溶融混合し、該溶融混合物を冷却後に、粉砕して得られる工程を含む、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
    一般式1
    式中、R 〜R はそれぞれC の炭化水素基を示し、また、nは1〜10を示す。
JP2003374788A 2003-08-27 2003-11-04 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Expired - Lifetime JP4273261B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003374788A JP4273261B2 (ja) 2003-08-27 2003-11-04 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003208943 2003-08-27
JP2003374788A JP4273261B2 (ja) 2003-08-27 2003-11-04 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005097503A JP2005097503A (ja) 2005-04-14
JP4273261B2 true JP4273261B2 (ja) 2009-06-03

Family

ID=34466719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003374788A Expired - Lifetime JP4273261B2 (ja) 2003-08-27 2003-11-04 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4273261B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5116152B2 (ja) * 2008-03-17 2013-01-09 信越化学工業株式会社 半導体装置製造用の樹脂組成物
JP2010083956A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JP2014177570A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性シリコーン樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005097503A (ja) 2005-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4692885B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH06102714B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006028476A (ja) 半導体封止用樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JPH06102715B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3979419B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物とそれを用いた半導体装置
JP4273261B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4950010B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法および半導体装置の製造方法
JP5938741B2 (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法並びに半導体装置
JP2991849B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2009227962A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
KR100201708B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP2009007405A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3740988B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び半導体装置
KR100529258B1 (ko) 반도체 봉지재용 에폭시 수지 조성물
JP2006036974A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2006104393A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH10237160A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2008156403A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5226387B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2003040981A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3611002B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
JP2007045916A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2001214039A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2005179585A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4379972B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070703

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070731

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081028

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090203

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4273261

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140313

Year of fee payment: 5

EXPY Cancellation because of completion of term