JP4262859B2 - ウェハ表面周辺部のエッチング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの外周域(周辺部)の膜を選択的にエッチング除去する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置を構成する半導体素子の微細化および高密度化は依然として精力的に推し進められている。微細化については、現在では0.18μm寸法で形成される半導体素子が半導体製品の量産で用いられようとしている。
【0003】
このような中で、半導体素子を構成するために使用される材料は多岐にわたるようになっている。
【0004】
例えば、配線間を接続するコンタクト孔に充填するタングステン(W)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)のような高融点金属あるいはその窒化物、溝配線材料である銅(Cu)などは、半導体装置の製造で必須となっている。
【0005】
上記のような材料は、半導体装置の製造プロセスにおいて、スパッタ法、化学気相成長(CVD)法、メッキ法等で半導体ウェハ表面に成膜される。しかし、上記のような方法で成膜すると、上記の材料膜は半導体ウェハの裏面にも堆積される。このような半導体ウェハの裏面への成膜の回り込みは、CVD等の成膜では一般的で、多結晶シリコン膜の成膜、シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜のような絶縁膜の成膜でも従来から生じていた。
【0006】
この半導体ウェハ裏面に堆積する上記のような膜は、通常、半導体装置の製造では不要なものである。そこで、半導体ウェハ裏面の堆積膜を簡便に除去するためのエッチング方法が種々に検討されている。その代表的な手法が、特開平7−074140号公報に記載されている。以下、図4に基づいて上記の公報に記載の技術について説明する。ここで、図4は、スピンエッチング法といわれるエッチングの模式図である。
【0007】
図4に示すように、裏面を上にし水平に保持した半導体ウェハ101をウェハ保持用カップ102上に載置する。ここで、上記半導体ウェハ101は、数本のピン(図示せず)でウェーハ保持用カップ102に保持する。なお、ウェハ保持用カップ102と半導体ウェハ101の間には一定の隙間が形成される。
【0008】
そして、図4に示すように、ウェハ保護用カップ102と半導体ウェハ101を高速回転させ、半導体ウェハ101の上方向よりエッチング液を供給する。同時に、ウェハ保護用カップ102内に設けたガス配管103を通して窒素(N2 )ガスを半導体ウェハ101の下方向より供給する。このようにして、ウェハ保持用カップ102と半導体ウェハ101間の上記隙間にN2 ガスが流れる。
【0009】
このようにして、エッチング液が半導体ウェハ裏面に垂直に供給され、このエッチング液は上記高速回転の遠心力で瞬時に半導体ウェハ裏面の全面に供給され、そして、半導体ウェハ裏面の不要な堆積膜が除去されるようになる。ここで、上記のN2 ガスは、エッチング液が半導体ウェハ101表面に回り込むのを防いでいる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
半導体装置の製造プロセスでは、上述したような膜の一部が半導体ウェハから剥離することがある。特に上述したタングステン膜のような高融点金属膜は剥がれやすくパーティクルとなって、半導体装置の量産歩留まりを低下させる。そして、上述したように半導体装置が微細化し高性能化するに従い、量産歩留まりに影響するパーティクルの寸法は小さくなる。
【0011】
上記のようなパーティクル発生を低減するためには、上述したような従来の技術で半導体ウェハ裏面の不要な膜を除去するだけでは不十分である。本発明者の詳細な検討では、半導体ウェハ表面の外周域(周辺部)に堆積した膜も剥がれる場合があり、この半導体ウェハ表面の堆積物を高い制御の下に除去することが必須となることが判明した。上述の従来の技術ではこのような要求に全く対応できない。
【0012】
上記のような要求に対応するための技術が特開平11−054479号公報に記載されている。この手法は、プラズマ放電を半導体ウェハの外周域にのみ発生させることにより、半導体ウェハ外周域に堆積した膜を選択的にエッチング除去するものである。
【0013】
この手法であれば、上述した半導体ウェハ表面の周辺部と共に上記ウェハの面取り部(端部)に堆積する不要な膜を除去することが可能である。しかし、この方法は、上述した従来の技術に比べ非常に複雑となり、除去時間も長く半導体装置の量産プロセスとしては不適である。
【0014】
本発明の目的は、簡便な手法で半導体ウェハの周辺部の堆積膜を高い制御性の下に除去する方法を提供し、量産レベルにおいてパーティクル発生を完全に防止できるようにすることにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的にエッチング除去する方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハをウェハ保持体に保持し前記ウェハ保持体をスピン回転させ前記半導体ウェハの裏面側よりエッチング液を供給すると共に、複数種の流速の高圧ガスを交互に前記半導体ウェハの表面に供給する。ここで、前記複数種の流速の高圧ガスは一定の周期で流速が変化する。そして、前記高圧ガスの流速は2種類あるいは3種類である。あるいは、前記高圧ガスは不活性ガスである。
【0016】
上記のエッチング方法で、前記半導体ウェハ裏面の全面と前記半導体ウェハ表面の所定の幅の外周域とに存在する堆積膜を選択的にエッチング除去する。ここで、前記流速あるいはその周期で前記半導体ウェハ表面の外周域の幅を制御する。そして、半導体ウェハ上の高融点金属膜あるいは銅膜を選択的にエッチング除去する。
【0017】
本発明の特徴は、周期的に流速の変化する高圧ガスをエッチング処理時の半導体ウェハ表面に供給するところにある。この流速変化を起こすことで、半導体ウェハ裏面に供給したエッチング液の半導体ウェハ表面への回り込みが容易に制御できるようになり、エッチングするウェハ外周域の幅が高精度に可変できるようになる。
【0018】
そして、上記のパーティクル発生を制御し完全に防止できるようなる。また、半導体装置の製造プロセスで銅等の重金属汚染を無くすることができるようになる。
【0019】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の第1の実施の形態について図1に基づいて説明する。図1(a)は本発明のエッチング方法を説明するためのエッチング部の模式的断面図であり、図1(b)は、エッチング時の条件を説明するためのグラフである。図1(a)に示した構造は、従来の技術で示したものを基本とし、非常に簡便な構造になっている。
【0020】
図1(a)に示すように、従来の技術で示したのと同様に、裏面を上にし水平に保持した半導体ウェハ1をウェハ保持体であるウェハ保持用カップ2上に載置する。ここで、半導体ウェハ1とウェハ保持用カップ2との間には一定の隙間が形成される。
【0021】
そして、図1に示すように、ウェハ保護用カップ2と半導体ウェハ1を高速回転(スピン回転ともいう)させ、半導体ウェハ1の上方向よりエッチング液3を供給する。また、ウェハ保護用カップ2内に設けたガス配管4を通して高圧ガスであるN2 ガスを半導体ウェハ1の下方向より供給する。
【0022】
このようにして、エッチング液3が半導体ウェハ裏面に垂直に供給され、このエッチング液は上記高速回転の遠心力で瞬時に半導体ウェハ裏面の全面に供給され、そして、半導体ウェハ裏面の不要な堆積膜が除去される。
【0023】
ここで、本発明では、このN2 ガスの供給方法が従来の技術と全く異なり、図1(b)に示すように2種類のガス流速を周期的に変化させる。すなわち、第1のガス流量5と第2のガス流量6とを交互に変える。ここで、第1のガス流量5は、図1(a)に示すようにマスフローコントローラM1で制御し、第2のガス流量6はマスフローコントローラM1で制御する。
【0024】
例えば、8インチφの半導体ウェハ上にCVD法で堆積したタングステン膜を選択的に除去する場合について説明する。すなわち、半導体ウェハの裏面に付着したタングステンと、半導体ウェハの表面の周辺部5mmに堆積したタングステン膜とを除去する場合には、エッチング液3としてフッ酸(HF)と硝酸(HN3 )の混合した化学薬液が用いられる。そして、半導体ウェハ1を1500rpmのスピン回転しその裏面に上述の化学薬液を供給する。同時に、N2 ガスを半導体ウェハ1の下方向より供給する。このN2 ガスの供給は次のようである。マスフローコントローラM1を開きマスフローコントローラメモリセルトランジスタ2を閉じて、350リットル(l)/mmとなる第1のガス流量5を5sec間、続けてマスフローコントローラM1を閉じマスフローコントローラM2を開き70リットル/mmとなる第2のガス流量6を1sec間、それぞれ交互に制御してN2 ガスを供給する。このような方法で、上述した半導体ウェハの裏面に付着したタングステンと、半導体ウェハの表面の周辺部5mmに堆積したタングステン膜とを制御よく除去することができる。
【0025】
次に、図2に基づいて本発明の効果について説明する。ここで、図2(a)は、本発明によるエッチング処理後の半導体ウェハの表面を示し、図2(b)は、本発明の効果の生じる機構を示す。以下、図1と同じものは同一符号で示す。
【0026】
図2(a)に示すように、本発明のエッチング処理後は、半導体ウェハ1表面に外周域7の領域を除いて堆積膜8が残される。このエッチング機構は、図2(b)に示すように、半導体ウェハ1の裏面側からエッチング液3が供給されると、上記スピン回転によりエッチング液3は半導体ウェハ1裏面を横方向に拡がる。ここで、半導体ウェハ1表面に供給されるN2 ガスが図1(b)で説明したように、第1のガス流量5と第2のガス流量6とに交互に変化すると、それに対応して図2(b)に示すように第1のガス流9と第2のガス流10とが交互に生じる。このようなガス流速の変化により、エッチング液3の一部が半導体ウェハ1の表面側に回り込む。すなわち、回り込みエッチング液3aが生じる。この回り込みエッチング液3aの量は、上述した第1のガス流量5と第2のガス流量6の流量値とその時間間隔とで決定される。本発明のエッチング処理では、上記のような本発明のエッチング機構から、半導体ウェハ1裏面および半導体ウェハ1の端部(面取り部)に付着する膜も同時に除去される。
【0027】
そして、半導体ウェハ表面の外周域の堆積膜を高い制御性の下でエッチング除去できる。また、上記外周域の幅は、ガス流速あるいはその周期とで容易に制御できる。この効果は、本発明者が試行実験の中で初めて得た知見である。
【0028】
次に、本発明の第2の実施の形態について図3に基づいて説明する。図3は本発明でエッチング処理での別のN2 ガス流量変化を示すグラフである。以下の説明では、半導体装置に銅材料で溝配線を形成する場合に、半導体ウェハの裏面および半導体ウェハに外周域に付着した銅を完全に除去する例を示す。
【0029】
基本的には第1の実施の形態で説明したエッチング方法である。ここで、図3に示すように、3種類の流量ガスを周期的に流す。すなわち、第1のガス流量5、第2のガス流量6および第3のガス流量11に交互に変える。この場合には、3種類のマスフローコントローラがガス配管に並列に接続されている。
【0030】
半導体ウェハ1上にメッキ法で堆積した銅を選択的に除去する場合について説明する。すなわち、半導体ウェハ1の裏面および端部に付着した銅と、半導体ウェハ1の表面の周辺部2mmに堆積した銅膜とを除去する場合には、エッチング液としてHF、過酸化水素(H2 O2 )と純水(H2 O)の化学薬液を用いる。そして、半導体ウェハ1に1000rpm回転数のスピン回転を与え、その裏面に上述の化学薬液を供給する。同時に、上述した3種類のガス流量でもってN2 ガスを半導体ウェハ1の下方向より供給する。このようなエッチング処理で、上述した半導体ウェハ1の裏面とその端部に付着した銅と、半導体ウェハ1の表面の周辺部2mmに堆積した銅膜とを制御よく除去することができる。
【0031】
以降の工程では、図示しないが、半導体ウェハ1表面にパッシベーション絶縁膜を被覆し、溝配線の材料である銅が半導体ウェハの外部に拡散しないようにする。
【0032】
このようにして、上記パッシベーション絶縁膜の堆積しない領域に付着する銅をエッチング除去することで、その他の半導体ウェハあるいは半導体製造ラインの銅による重金属汚染は完全に防止されるようになる。
【0033】
以上の実施の形態では、タングステンと銅の材料を本発明の方法でエッチング除去する場合について説明した。本発明のエッチング方法は、その他の窒化チタン、多結晶シリコンあるいは絶縁膜の選択的除去にも同様に適用できるものである。
【0034】
また、上記の実施の形態では、複数のマスフローコントローラで異なる種類のガス流量を生成したが、1つのマスフローコントローラでもって複数種のガス流量を生成してもよいことに言及しておく。
【0035】
そして、最後に、上記外周域のエッチング領域の幅は、ガス流速とその周期の他にスピン回転数でも制御できることに触れておく。但し、この場合には高精度のスピン回転の制御が必要になる。
【0036】
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態が適宜変更され得ることは明らかである。
【0037】
【発明の効果】
本発明は、半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハをウェハ保持体に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハの裏面側よりエッチング液を供給する。そして、同時に、複数種の流速の高圧ガスを交互に半導体ウェハの表面に供給する。ここで、前記複数種の流速の高圧ガスは一定の周期で流速が変化する。
【0038】
このようにして、半導体ウェハ裏面の全面と半導体ウェハ表面の所定の幅の外周域とに存在する堆積膜を選択的にエッチング除去する。ここで、ガス流速あるいはその周期の制御で上記の外周域の幅を可変にできる。
【0039】
このような本発明の簡便なエッチング方法により、半導体ウェハの周辺部等の不要な領域に形成した堆積膜を選択的に高精度に除去できるようになる。そして、上述したようなパーティクル発生を完全に防止できるようなると共に、半導体装置の製造プロセスで銅等の重金属汚染を無くすることができるようになる。
【0040】
そして、本発明は、半導体装置の微細化あるいは高性能化を量産レベルで促進すると共に半導体装置の量産歩留まりを向上させる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態におけるエッチング方法を説明するための模式図とガス流量の変化を示すグラフである。
【図2】本発明の効果を説明するための半導体ウェハ表面の平面図とエッチング機構を説明するための模式図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態を説明するためのガス流量の変化を示すグラフである。
【図4】従来の技術を説明するためのエッチングの模式図である。
【符号の説明】
1,101 半導体ウェハ
2,102 ウェハ保護用カップ
3 エッチング液
3a 回り込みエッチング液
4,103 ガス配管
5 第1のガス流量
6 第2のガス流量
7 外周域
8 堆積膜
9 第1のガス流
10 第2のガス流
11 第3のガス流量
M1,M2 マスフローコントローラ
Claims (8)
- 半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的にエッチング除去する方法であって、半導体ウェハをその裏面を上にし水平にしてウェハ保持体に保持し前記ウェハ保持体をスピン回転させ前記半導体ウェハの裏面側よりエッチング液を供給すると共に、複数種の流速の高圧ガスを交互に前記半導体ウェハの表面に供給することを特徴とするウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記複数種の流速の高圧ガスは、一定の周期で流速の変化する高圧ガスであることを特徴とする請求項1記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記高圧ガスの流速は2種類であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記高圧ガスの流速は3種類であることを特徴とする請求項1または請求項2記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記高圧ガスは不活性ガスであることを特徴とする請求項1から請求項4のうち1つの請求項に記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記半導体ウェハ裏面の全面と前記半導体ウェハ表面の所定の幅の外周域とに存在する堆積膜を選択的にエッチング除去することを特徴とする請求項1から請求項5のうち1つの請求項に記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記流速あるいはその周期とで前記半導体ウェハ表面の外周域の幅を制御することを特徴とする請求項6記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
- 前記堆積膜が高融点金属膜あるいは銅膜であることを特徴とする請求項1から請求項7のうち1つの請求項に記載のウェハ表面周辺部のエッチング方法。
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