JP4260600B2 - 排ガス処理装置およびこれを用いた排ガス処理方法 - Google Patents
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図1に示す概略構成を有する本実施例の排ガス処理装置X1(微細気泡発生装置)を用意した。本実施例の排ガス処理装置X1においては、吸気管11(全長960mm,内径〔D1〕60mm,塩化ビニル製〔透明〕)における開放下端111の、吸収液槽T1(内径400mm)の底からの高さD2を225mmとした。吸収液槽T1には、底から液面までの高さが785mmとなるように吸収液Lとしての水を入れた。そのため、吸気管11の開放下端111は、水面からの深さ560mmに位置することとなった。回転インペラ12としては、本体部120の直径が120mmであり、且つ、ポリテトラフルオロエチレン製の主翼121および副翼122を有するものを採用した。当該回転インペラ12と開放下端111との離隔距離D3は3mmとした。
本実施例の排ガス処理装置X1を使用して、所定の混合ガスに対して模擬的な排ガス処理を行った。使用した混合ガスは、半導体製造装置から排出される排ガスの組成を想定して、各種ガス(濃度既知)を混合して実験室的に調製されたものである。具体的には、当該混合ガスは、2.5SLMのBCl3、1.0SLMのCl2、および100SLMのN2を混合して調製した。SLM(Standard Liter per Minute)は、室温かつ1気圧におけるガス流量の単位(リットル/分)である。
水洗装置15に代えて掻取機構25が設けられている以外は実施例1の排ガス処理装置X1と同一の構成を有する排ガス処理装置X2を用意した。
本実施例の排ガス処理装置X2を使用して、2.5SLMのBCl3に代えて1.0SLMのSiF4を混合した以外は実施例1において使用した混合ガスと同様の組成を有する混合ガスに対して模擬的な排ガス処理を行った。
T1 吸収液槽
T2 気液分離槽
A 排ガス
B 不活性ガス
L 吸収液
W 水
KL1,KL2 吸気通路
11 吸気管
12 回転インペラ
13 軸封装置
14 駆動部
15 水洗装置(除去手段)
16 切換手段
25 掻取機構(除去手段)
110 仕切板(仕切部材)
112,113 排ガス導入口
160〜165 弁
Claims (6)
- 吸収液中に配設される回転インペラと、当該回転インペラに対向する開放下端および当該開放下端より上位に位置する排ガス導入口を有する吸気管と、当該吸気管の内部に生じる固形物を除去するための除去手段とを備え、前記回転インペラが回転駆動することにより、前記吸気管内に負圧が生じて前記排ガス導入口を介して当該吸気管内に排ガスが吸引され、且つ、吸引された排ガスが微細気泡として前記吸収液中に分散される、排ガス処理装置であって、前記吸気管の内部はその長手方向に延びる仕切部材により複数の吸気通路に分割されており、前記排ガス導入口および前記除去手段は各吸気通路ごとに設けられており、各排ガス導入口を介して各吸気通路に選択的に排ガスを導入するための切換手段が設けられていることを特徴とする、排ガス処理装置。
- 前記切換手段は、前記排ガス導入口に接続された複数の弁と、当該各弁を開閉するための制御装置とを有する、請求項1に記載の排ガス処理装置。
- 前記除去手段は、前記吸気管の内面および/または前記仕切部材の表面を水洗するための水洗手段を有する、請求項1または2に記載の排ガス処理装置。
- 前記除去手段は、前記吸気管の内面および/または前記仕切部材の表面に沿って駆動する掻取手段を有する、請求項1〜3のいずれか1つに記載の排ガス処理装置。
- 前記吸気通路に不活性ガスを供給するための不活性ガス供給手段をさらに備える、請求項1〜4のいずれか1つに記載の排ガス処理装置。
- 請求項1から5のいずれか1つに記載の排ガス処理装置を用いる排ガス処理方法であって、前記回転インペラを回転駆動した状態において、いずれかの吸気通路に排ガスを選択的に導入する一方、排ガスが導入されていない他の吸気通路については、前記除去手段により内部に生じる固形物を除去することを特徴とする、排ガス処理方法。
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