JP4260322B2 - プラズマプロセス装置 - Google Patents
プラズマプロセス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4260322B2 JP4260322B2 JP2000000038A JP2000000038A JP4260322B2 JP 4260322 B2 JP4260322 B2 JP 4260322B2 JP 2000000038 A JP2000000038 A JP 2000000038A JP 2000000038 A JP2000000038 A JP 2000000038A JP 4260322 B2 JP4260322 B2 JP 4260322B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- introduction window
- microwave introduction
- chamber
- microwave
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマプロセス装置に関し、より特定的には、たとえば半導体や液晶表示装置の製造などに使用されるプラズマプロセス装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図5は、従来のプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す断面図である。図5を参照して、このプラズマプロセス装置は、チャンバ蓋101と、チャンバ本体102と、導波管103と、導波管端部103aと、マイクロ波導入窓104と、シャワープレート105と、シャワープレート保持部材106と、基板ホルダ107とを主に有している。
【0003】
チャンバ蓋101はチャンバ本体102の上端に配置されており、チャンバ蓋101とチャンバ本体102との間はOリング109によるシールされている。このチャンバ蓋101にはスリット状の開口部101aが形成されている。その開口部101aには、誘電体からなり、かつ逆凸形状の断面を有するマイクロ波導入窓104が挿入されている。チャンバ蓋101とマイクロ波導入窓104との間はOリング110によりシールされており、Oリング110はOリング109とともにチャンバ内部の気密を保持している。チャンバ内部は、真空ポンプ(図示せず)により排気され、真空状態が保持されている。
【0004】
マイクロ波導入窓104の大気側には導波管端部103aが配設されている。導波管端部103aは、その上面中央部で導波管103と接続され、導波管103から導かれたマイクロ波を開口部103bからマイクロ波導入窓104側へ放射する。導波管端部103aには保温流路103cが設けられており、導波管端部103aおよびその周辺部が所定の温度を保つように保温流路103cには保温媒質が流されている。
【0005】
チャンバ蓋101の真空側には、誘電体からなるシャワープレート105が設置されている。シャワープレート105の外周部には、シャワープレート105をチャンバ蓋101に支持するためのシャワープレート保持部材106がチャンバ蓋101に固定されている。チャンバ蓋101には外部からチャンバ内部へ反応ガスを供給するためのガス供給管111が接続されている。このガス供給管111から供給された反応ガスをチャンバ内部へ導くために、チャンバ蓋101には、ガス流路用の溝101bが設けられており、かつシャワープレート105には複数の吹出口105aが設けられている。これにより、ガス供給管111から供給された反応ガスは、ガス流路用の溝101bで分岐されて各吹出口105aからチャンバ内部へ供給される。
【0006】
チャンバ内部には、シャワープレート105と対向するように基板108を保持可能な基板ホルダ107が設置されている。
【0007】
次に、従来のプラズマプロセス装置を用いた場合の動作について説明する。
チャンバ内部が予め真空ポンプなどを用いて真空状態に保持される。マグネトロン(図示せず)から発せられたマイクロ波は、導波管103に導かれて導波管端部103aの開口部103bとマイクロ波導入窓104とを経てシャワープレート105の表面からチャンバ内部へ放射される。
【0008】
一方、所要の反応ガスは、ガス供給管111から導入された後、ガス流路用の溝101bで分岐され、複数の吹出口105aからチャンバ内部へ供給される。
【0009】
反応ガスがチャンバ内部に導入されると、マイクロ波によりプラズマが生成され、これにより基板ホルダ7上の基板8表面に対してプラズマ処理が施される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
図6は図5のマイクロ波導入窓付近を拡大して示す断面図である。図6を参照して、チャンバ蓋101の開口部101aにマイクロ波導入窓104が挿入され、Oリング110で真空封止されている。チャンバ蓋101の開口部101aにマイクロ波導入窓104を挿入するために、両者間には、嵌め合いのための隙間がある。誘電体であるマイクロ波導入窓104はアルミナなどのセラミックスであり、その加工は金属などに比べて困難である。このため、嵌め合いのための隙間を小さくするためには、マイクロ波導入窓104の精密な加工精度が要求され、コストが高くなる。
【0011】
また、プラズマ発生による熱によってプラズマ源の各構成部品の温度は上昇する。チャンバ蓋101とマイクロ波導入窓104とは、その材料の違いにより熱膨張率が異なる。つまり、チャンバ蓋101は金属よりなるため、誘電体よりなるマイクロ波導入窓104よりも膨張する。よって、チャンバ蓋101の開口部101aとマイクロ波導入窓104の間の嵌め合いのための隙間が広くなる。
【0012】
マイクロ波導入窓104はその全表面からマイクロ波を放射している。このため、チャンバ蓋101の開口部101aとマイクロ波導入窓104との間に隙間があると、その隙間においてマイクロ波導入窓104から漏れたマイクロ波により放電が生ずる。このような局所的な放電による温度分布で、マイクロ波導入窓104やシャワープレート105が破損するおそれがある。また、この場合、均一なプラズマの生成が困難になってしまう。
【0013】
それゆえ、本発明の目的は、局所的な放電がなく、均一なプラズマプロセスが可能なプラズマプロセス装置を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマプロセス装置は、マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応ガスを用いてプラズマプロセスを行なうものであって、処理室と、マイクロ波導入窓と、導電体層とを備えている。処理室は、開口部を有し、かつ内部にてプラズマプロセスを行なうためのものである。マイクロ波導入窓は、開口部に嵌め込まれ、かつ処理室の内部にマイクロ波を伝達するための誘電体よりなっている。導電体層は、マイクロ波導入窓の表面の一部に形成されている。マイクロ波導入窓の下面全面が処理室の内部に面しており、かつマイクロ波導入窓の側面が開口部の壁面と対向している。導電体層はマイクロ波導入窓の下面全面を除いて、側面に形成されている。
【0015】
本発明のプラズマプロセス装置では、マイクロ波導入窓の表面の一部に導電体層が形成されており、この導電体層をマイクロ波導入窓と処理室の開口部との隙間が生じる部分に形成することができる。マイクロ波は導電体層を透過しない。このため、マイクロ波導入窓から上記隙間へのマイクロ波の漏れを導電体層が防止する。これにより、上記隙間でのマイクロ波による局所的な放電を防止できるため、マイクロ波導入窓やシャワープレートが破損することを防止でき、かつ均一なプラズマを生成することが可能となる。
【0017】
これにより、開口部の壁面と対向するマイクロ波導入窓の表面からのマイクロ波の漏れを防止することができる。
【0018】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、導電体層は、プラズマプロセス装置の金属部分と対向するマイクロ波導入窓の表面に形成されている。
【0019】
これにより、マイクロ波導入窓が金属部分と対向する表面からのマイクロ波の漏れを防止することができる。
【0020】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、導電体層の厚みは1μm以上である。
【0021】
導電体層の厚みを1μm以上とすることにより、マイクロ波の遮断の効果を顕著に得ることができる。
【0022】
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、導電体層の材質は、ニッケルおよび銅の少なくともいずれかを含んでいる。
【0023】
これにより、導電体層を金属めっきにより形成することができる。
上記のプラズマプロセス装置において好ましくは、導電体層はめっきにより形成された金属層である。
【0024】
これにより、容易に導電体層を形成することが可能となる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【0026】
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す断面図であり、図2は図1の51−51線に沿う概略断面図である。
【0027】
図1および図2を参照して、本実施の形態のプラズマプロセス装置は、チャンバ蓋1と、チャンバ本体2と、導波管3と、導波管端部3aと、マイクロ波導入窓4と、シャワープレート5と、シャワープレート保持部材6と、基板ホルダ7とを主に有している。
【0028】
チャンバ蓋1はチャンバ本体2の上端に配置されており、チャンバ蓋1とチャンバ本体2との間はOリング9によりシールされている。このチャンバ蓋1にはスリット状の開口部1aが形成されている。その開口部1aには、アルミナなどの誘電体からなり、かつ逆凸形状の断面を有するマイクロ波導入窓4が挿入されている。チャンバ蓋1とマイクロ波導入窓4との間はOリング10によりシールされおり、Oリング10はOリング9とともにチャンバ内部の気密を保持している。チャンバ内部は、真空ポンプ(図示せず)により排気され、真空状態に保持されている。
【0029】
マイクロ波導入窓4の大気側には導波管端部3aが配設されている。導波管端部3aは、その上面中央部で導波管3と接続され、導波管3から導かれたマイクロ波を開口部3bからマイクロ波導入窓4側へ放射する。導波管3は図示しないマグネトロンに接続されている。導波管端部3aには保温流路3cが設けられており、導波管端部3aおよびその周辺部が所定の温度を保つように保温流路3cには保温媒質が流されている。この保温流路3cは、ガンドリル等を用いることによって容易に形成することができる。
【0030】
チャンバ蓋1の真空側には、窒化アルミニウムなどの誘電体からなるシャワープレート5が設置されている。シャワープレート5の外周部には、シャワープレート5をチャンバ蓋1に支持するためのシャワープレート保持部材6がチャンバ蓋1に固定されている。
【0031】
チャンバ蓋1には外部からチャンバ内部へ反応ガスを供給するためのガス供給管11が接続されている。このガス供給管11から供給された反応ガスをチャンバ内部へ導くために、チャンバ蓋1にはガス流路用の溝1bが設けられ、シャワープレート5には複数個のガス吹出口5aが設けられている。つまり、ガス供給管11から供給された反応ガスはガス流路用の溝1bで分岐されて複数のガス吹出口5aからチャンバ内部へ供給される。
【0032】
チャンバ内部には、シャワープレート5と対向するように基板8を保持可能な基板ホルダ7が設置されている。
【0033】
本実施の形態において特に注目すべきは、マイクロ波導入窓4の表面の一部にめっき膜4aが形成されていることである。このめっき膜4aは、開口部1aの壁面と対向するマイクロ波導入窓4の表面に形成されている。言換えると、めっき膜4aは、マイクロ波導入窓4のチャンバ内部に面する表面およびその背面を除く側面に形成されている。このめっき膜4aは、たとえばニッケルや銅などの金属でめっきされた膜よりなり、1μm以上の膜厚を有している。
【0034】
次に、本実施の形態のプラズマプロセス装置の動作について説明する。
チャンバ内部が予め真空ポンプなどを用いて真空状態に保持される。マグネトロン(図示せず)から発せられたマイクロ波は、導波管3に導かれて導波管端部3aの開口部3cとマイクロ波導入窓4とを経てシャワープレート5の表面からチャンバ内部へ放射される。
【0035】
このとき、マイクロ波導入窓4の側面にはめっき膜4aが形成されているため、マイクロ波はめっき膜4aによって反射される。このため、マイクロ波導入窓4の側面からマイクロ波が漏れることは防止される。
【0036】
一方、所要の反応ガスは、ガス供給管11から導入された後、ガス流路用の溝1bで分岐され、複数のガス吹出口5aからチャンバ内部へ供給される。
【0037】
反応ガスがチャンバ内部に導入されると、マイクロ波により均一なプラズマが生成され、これにより基板ホルダ7上の基板8表面に対して均一なプラズマ処理がなされる。
【0038】
図3は、図1のマイクロ波導入窓付近の構成を拡大して示す図である。図3を参照して、本実施の形態では、マイクロ波導入窓4の側面がめっき膜4aによって覆われている。このため上述したように、マイクロ波はめっき膜4aによって反射され、マイクロ波導入窓4の側面からマイクロ波が漏れることは防止される。このため、チャンバ蓋1の開口部1aとマイクロ波導入窓4との間の隙間においてマイクロ波による局所的な放電を防止することができ、その局所的な放電によるマイクロ波導入窓4やシャワープレート5の破損を防止できるとともに、均一なプラズマを生成することができる。
【0039】
また、Oリング10がマイクロ波に曝露されることも防止できる。
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2におけるプラズマプロセス装置の構成を図3に対応する断面で示す図である。図4を参照して、本実施の形態の構成は、実施の形態1の構成と比較して、めっき膜4aの形成位置およびOリングの配設位置が異なる。
【0040】
めっき膜4aは、マイクロ波導入窓4の側面のみならず、導波管端部3aとの接触部にも形成されている。つまり、めっき膜4aは、プラズマプロセス装置の金属部分と対向するマイクロ波導入窓4の表面に形成されている。ただし、めっき膜4aは開口部3bの上方には形成されていない。これは、開口部3bからマイクロ波導入窓4へマイクロ波を伝送するためである。
【0041】
導波管端部3aの開口部3bの外周部にはOリング溝3dが設けられており、さらにその外周部にはOリング溝3eが設けられている。Oリング溝3d内には導波管端部3aとマイクロ波導入窓4との封止のためのOリング16が配置されており、Oリング溝3e内には導波管端部3aとチャンバ蓋1との封止のためのOリング17が配置されている。
【0042】
Oリング溝3dとOリング溝3eとは、その間にチャンバ蓋1の開口部1aとマイクロ波導入窓4との嵌め合いの隙間が位置するように設けられている。これにより、装置の外部からの大気の侵入を防止できるため、チャンバ本体2内は、図示しない真空ポンプにより排気され、真空状態に保つことができる。
【0043】
なお、これ以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0044】
本実施の形態では、マイクロ波導入窓4の側面がめっき膜4aにより覆われている。このため、実施の形態1と同様、開口部1aとマイクロ波導入窓4との隙間にマイクロ波が漏れることによる局所的な放電を防止でき、マイクロ波導入窓4やシャワープレート5が破損することを防止することができる。
【0045】
また、マイクロ波導入窓4と導波管端部3aとの接触部にもめっき膜4aが形成されている。このため、マイクロ波導入窓4からマイクロ波がOリング16側へ漏れることが防止され、それにより、Oリング16のマイクロ波による曝露が防止される。
【0046】
また、上述したように開口部1aとマイクロ波導入窓4との嵌め合いの隙間を挟むようにOリング16、17が配置されている。このため、反応ガスの漏れおよび大気の装置内への侵入を防止することができる。
【0047】
なお実施の形態1および2では、めっき膜4aとして、ニッケルや銅を含む金属めっき膜を用いた場合について説明したが、めっき膜4aはマイクロ波を遮断できる導電体層であれば、その材質および製造方法は問わない。
【0048】
またプラズマプロセス装置として、シャワープレート5の吹出口5aから反応ガスを吹出す構成について説明したが、反応ガスはシャワープレート保持部材6やチャンバ蓋1から直接チャンバ内に供給されてもよい。この場合、シャワープレート5に吹出口5aを設ける必要はない。
【0049】
またガス流路用の溝1bをチャンバ蓋1側に設けた構成について説明したが、このガス流路用の溝1bはシャワープレート5側に設けられていてもよい。
【0050】
またマイクロ波導入窓4におけるマイクロ波の放射面積を広く確保できる場合には、シャワープレート5は省略されてもよい。
【0051】
またシャワープレート5はシャワープレート保持部材6を介してチャンバ蓋1に保持されているが、チャンバ蓋1に直接固定されてもよい。
【0052】
またシャワープレート5に設けられた吹出口5aは、チャンバ内部に向かうにつれて開口径が大きくなるテーパ形状を有していることが好ましい。
【0053】
なお、本発明のプラズマプロセス装置は、たとえばエッチング装置、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置、またはアッシング装置に適用し得ることは言うまでもない。
【0054】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0055】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のプラズマプロセス装置では、マイクロ波導入窓の表面の一部に導電体層が形成されており、この導電体層をマイクロ波導入窓と処理室の開口部との隙間が生じる部分に形成することができる。マイクロ波は導電体層を透過しない。このため、マイクロ波導入窓から上記隙間へのマイクロ波の漏れを導電体層が防止する。これにより、上記隙間でのマイクロ波による局所的な放電を防止できるため、マイクロ波導入窓やシャワープレートが破損することを防止でき、かつ均一なプラズマを生成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1におけるプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図2】 図1の51−51線に沿う概略断面図である。
【図3】 図1のマイクロ波導入窓付近を拡大して示す断面図である。
【図4】 本発明の実施の形態2におけるプラズマプロセス装置の構成を図3に対応した断面で示す図である。
【図5】 従来のプラズマプロセス装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図6】 図5のマイクロ波導入窓付近を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
1 チャンバ蓋、1a 開口部、1b 溝、2 チャンバ本体、3 導波管、3a 導波管端部、3b 開口部、4 マイクロ波導入窓、4a めっき膜、5シャワープレート、5a 吹出口、6 シャワープレート保持部材、7 基板ホルダ、8 基板、11 ガス供給管。
Claims (5)
- マイクロ波によりプラズマ状態にされた反応ガスを用いてプラズマプロセスを行なうプラズマプロセス装置であって、
開口部を有し、かつ内部にてプラズマプロセスを行なうための処理室と、
前記開口部に嵌め込まれ、かつ前記処理室の内部にマイクロ波を伝達するための誘電体よりなるマイクロ波導入窓と、
前記マイクロ波導入窓の表面の一部に形成された導電体層とを備え、
前記マイクロ波導入窓の下面全面が前記処理室の内部に面しており、かつ前記マイクロ波導入窓の側面が前記開口部の壁面と対向しており、
前記導電体層は前記マイクロ波導入窓の前記下面全面を除いて、前記側面に形成されている、プラズマプロセス装置。 - 前記導電体層は、前記プラズマプロセス装置の金属部分と対向する前記マイクロ波導入窓の表面に形成されている、請求項1に記載のプラズマプロセス装置。
- 前記導電体層の厚みは1μm以上である、請求項1または2に記載のプラズマプロセス装置。
- 前記導電体層の材質は、ニッケルおよび銅の少なくともいずれかを含む、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
- 前記導電体層はめっきにより形成された金属層である、請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000000038A JP4260322B2 (ja) | 2000-01-04 | 2000-01-04 | プラズマプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000000038A JP4260322B2 (ja) | 2000-01-04 | 2000-01-04 | プラズマプロセス装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001192839A JP2001192839A (ja) | 2001-07-17 |
JP4260322B2 true JP4260322B2 (ja) | 2009-04-30 |
Family
ID=18529458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000000038A Expired - Fee Related JP4260322B2 (ja) | 2000-01-04 | 2000-01-04 | プラズマプロセス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4260322B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006253312A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2008091176A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置、一体型スロット形成部材、マイクロ波プラズマ処理装置の製造方法および使用方法 |
JP4793662B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-10-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP5309847B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2014118882A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマ処理装置 |
US20240153795A1 (en) * | 2022-11-04 | 2024-05-09 | Applied Materials, Inc. | Modular microwave source with integrated optical sensors |
-
2000
- 2000-01-04 JP JP2000000038A patent/JP4260322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001192839A (ja) | 2001-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3645768B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
EP1300878B1 (en) | Device for plasma processing | |
KR100613947B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
EP0688038B1 (en) | Microwave plasma processing system | |
JP3501715B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
KR101012910B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용하는 기판 가열 기구 | |
KR100501777B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
US8267042B2 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
TW200414350A (en) | Plasma treatment device | |
JP2000077335A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100391742B1 (ko) | 플라즈마 프로세서 | |
JP4260322B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
US20120211165A1 (en) | Sample table and microwave plasma processing apparatus | |
JP2008243827A (ja) | プラズマ処理方法 | |
US10896842B2 (en) | Manufacturing method of sample table | |
JP4632515B2 (ja) | プラズマプロセス装置 | |
KR100782623B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 유전체 부재 | |
JP3986204B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JPH10255998A (ja) | マイクロ波励起プラズマ処理装置 | |
US20190075644A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP4255163B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
JP3662101B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2001284268A (ja) | プラズマプロセス装置 | |
JP2009087949A (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
JP4689706B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080715 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120220 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140220 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |