JP4259673B2

JP4259673B2 - 回路基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP4259673B2
Application number: JP15339499A
Authority: JP
Inventors: 秀樹岩城; 豊田口; 哲義小掠
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-06-01
Filing date: 1999-06-01
Publication date: 2009-04-30
Anticipated expiration: 2019-06-01
Also published as: JP2000340904A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はクロストークノイズが抑制された回路基板とその製造方法とに係り、特には、多層構造とされた回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近におけるコンピュータの高速化に伴っては半導体チップの高速動作が必要となっており、半導体チップが実装される回路基板では信号の高速伝送を実現するために信号配線を伝送線路と想定したうえで設計することが行われている。また、近年の半導体チップでは入出力端子数が著しく増加しているため、回路基板の信号配線を高密度に配置しなければならず、信号配線同士の配置間隔をおのずと狭める必要が生じている。ところが、高速信号が流れる信号配線同士を近接配置している場合には、信号配線同士間で生じる寄生成分、特に、配線間容量（浮遊容量）や相互インダクタンスの影響によってクロストークなどのノイズが発生することになってしまう。
【０００３】
そして、信号配線同士の間隔を狭めながらクロストークノイズの抑制を実現する必要上から、特開平９−２４６４２５号公報のような構成、つまり、回路基板上に形成されて隣接しあう信号配線間に溝を設けてなる構成を採用することが提案されている。すなわち、この従来技術にあっては、図１２で示すように、回路基板１０１の所定位置毎に設けられた台座１０２間を溝１０３としたうえ、各台座１０２上に信号配線であるインナーリード１０４を形成することが実行されており、インナーリード１０４が形成された台座１０２同士間には比誘電率の小さい空気が存在しているため、これらの間に発生する寄生成分、特には、配線間容量を低減し得ることとなっている。その結果、この技術によれば、クロストークノイズを抑制しながら信号配線の配置間隔を狭めることが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平９−２４６４２５号公報で開示されており、かつ、図１２で示しているような構成を採用する際には、回路基板１０１の所定位置毎に設けた台座１０２間に溝１０３を形成したうえでインナーリード１０４を形成する必要があるため、その製造時に煩わしくて多大な手間を要することが避けられなくなる。また、一般的な回路基板においては多層構造化が要求されることになるが、インナーリード１０４が形成される台座１０２間に溝１０３を設けてなる図１２のような構成である限りは、多層構造化を実現することが困難となってしまう。
【０００５】
本発明はこれらの不都合に鑑みて創案されたものであり、クロストークノイズの十分な低減を図ることが可能であると共に、多層構造化を容易に実現することができる構成とされた回路基板と、その製造方法との提供を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る回路基板は、絶縁層と、この絶縁層を挟んで対向しあう配線層と接地層とを備えて構成されたものであり、配線層となる信号配線のそれぞれと接地層とで挟まれた絶縁層の第１領域よりも、信号配線が設けられないで絶縁層の第１領域同士間に位置する絶縁層の第２領域の方が低誘電率化されており、前記絶縁層は光照射に伴って低誘電率化する誘電体材料からなるものであり、前記絶縁層の第１領域同士間に位置する前記絶縁層の第２領域は光照射に伴って第１領域よりも低誘電率化させられていることを特徴とする。これらの構成によれば、近接配置された信号配線同士間に位置する絶縁層の第２領域がその第１領域よりも低誘電率化されているので、信号配線同士間に発生する配線間容量を低減し得ることとなり、クロストークノイズを抑制することが可能となる。
【０００９】
本発明の請求項２に係る回路基板の製造方法は請求項１に記載した回路基板を製造する際に採用される方法であり、光照射に伴って低誘電率化する誘電体材料からなる絶縁層上に複数の信号配線を形成する工程と、信号配線が形成された絶縁層の上方から光照射して絶縁層の第２領域を低誘電率化する工程とを含んでいることを特徴とする。この製造方法であれば、クロストークノイズが抑制された回路基板を安価に製造し得ると共に、多層構造とされた回路基板の製造が容易になるという利点が確保される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図、図２はその製造方法を示す工程断面であり、図３はクロストークノイズの抑制が可能となる理由を説明するための説明図である。なお、本実施の形態にあっては回路基板が１層構造を有するとしているが、１層構造に限られることはなく、２層以上の層数構造とされた回路基板であってもよいことは勿論である。
【００１４】
本実施の形態に係る回路基板は、図１で示すように、誘電体材料からなる絶縁層１と、この絶縁層１を挟んで対向しあう配線層２と接地層３とを備えて構成されたものであり、所定厚みを有する絶縁層１の一面（図では、上面）上には並列配置されることによって配線層２を構成する複数の信号配線２ａが設けられる一方、絶縁層１の他面（図では、下面）上には面形状とされたグランド電極であるところの接地層３が設けられている。そして、この回路基板にあっては、信号配線２ａのそれぞれと接地層３とで挟まれることによって特定された絶縁層１の第１領域１ａよりも、信号配線２ａが設けられないままで絶縁層１の第１領域１ａ同士間に位置する絶縁層１の第２領域１ｂの方が低誘電率化させられている。つまり、この絶縁層１にあっては、その第２領域１ｂの比誘電率の方が第１領域１ａの比誘電率よりも小さくなるように設定されている。
【００１５】
すなわち、ここでの回路基板が備えている絶縁層１は、光照射に伴って比誘電率が小さくなるように変化する誘電体材料、例えば、ジアゾ系化合物を含有してなるエポキシ樹脂などのような樹脂組成物である誘電体材料を用いたうえで形成されており、信号配線２ａのそれぞれと接地層３とで挟まれた絶縁層１の第１領域１ａ同士間に位置して配置された絶縁層１の第２領域１ｂは光照射に伴って不可逆的に低誘電率化させられている。そして、このような構成の回路基板を製造するに際しては、図２で示すように、絶縁層１の一面上に配線層２となる複数の信号配線２ａを並列形成しておいたうえ、これらの信号配線２ａが形成された絶縁層１の一面側の上方から所定波長のレーザー光４を光照射する方法が採用される。なお、接地層３が面状のグランド電極に限定されることはないのであり、例えば、面状ではなくて信号配線２ａのそれぞれと各別に対応する線状のグランド電極であってもよく、また、グランド電極ではなくて電源電極などであってもよいことは勿論である。
【００１６】
ところで、本実施の形態に係る回路基板の構成を採用している際は、近接配置された信号配線２ａのそれぞれ同士間で発生するクロストークノイズを抑制することが可能となるが、以下、図３を参照しながらクロストークノイズの抑制が可能となる理由を説明する。まず、クロストークノイズは隣接して配置された信号配線２ａ同士間の容量に比例するというのが一般的な事実であり、図示省略しているが、平行配置された平板同士の間に誘電体を挟み込んでいるときの容量は、平板面積をＳ、平板間距離をｄ、誘電体の有する比誘電率をεとした場合、εＳ／ｄでもって表されることになる。しかしながら、容量がεＳ／ｄで表されるのは、平板の縁による影響を考慮する必要がなくて平板間の電場が一様になっていると仮定できる場合だけであり、図３で示すように、平行配置された平板１０５の端部領域では電場が零となり得ないのが実際である。なお、図３における矢印は電気力線を示している。
【００１７】
すなわち、平行配置された平板１０５の縁の影響は、ファイマン物理学電磁気学（宮島龍興著，１９８２年第３巻ｐ．６５〜８０）にも詳述されているところであるが、この文献においては、平行配置された平板１０５の他端部領域１０７では電荷密度がいくらか増すことになり、これら間における容量が縁の影響を考慮しない場合に比べて大きくなるため、近似的には平板間距離ｄを３／８だけ延長した数値を用いて容量の計算を行うことが説明されている。そこで、このことを考慮したうえで信号配線２ａ同士間における静電容量を考えると、図１で示した構成の回路基板が備える信号配線２ａ間に発生する容量は、図２で示した構成とされて光照射が実行されなかった回路基板が備えている信号配線２ａ間に発生する容量よりも小さいことになる。
【００１８】
なぜなら、本実施の形態に係る回路基板、つまり、図１で示すように、信号配線２ａのそれぞれと接地層３とで挟まれた絶縁層１の第１領域１ａよりも、これらの間に位置する絶縁層１の第２領域１ｂの方が低誘電率化させられた回路基板と、その製造方法を説明する図２で示された回路基板、つまり、光照射が行われずに絶縁層１の全体が同一比誘電率のままとなっている回路基板との相違点は、図３で示した平板１０５の他端部領域１０７における誘電率の違いだけであると考えられ、この領域における比誘電率が小さいほど信号配線２ａ間で発生する配線間容量が小さくなるからである。従って、本実施の形態に係る回路基板であれば、近接配置された信号配線２ａ同士間に位置する絶縁層１の第２領域１ｂがその第１領域１ａよりも低誘電率化されている結果、これらの信号配線２ａ同士間に発生する寄生成分、特には、配線間容量が低減されることになり、クロストークノイズが抑制されることになる。
【００１９】
（参考例１）
図４は参考例１に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図、図５はその製造方法を示す工程断面図、図６は製造方法の変形手順を示す工程断面図であり、図７は変形例構成とされた回路基板によってもクロストークノイズの抑制が可能となる理由を説明するための説明図である。なお、本参考例にあっては回路基板が１層構造であるとしているが、１層構造に限定されることはなく、２層以上の層数構造とされた回路基板であってもよいことは勿論である。
【００２０】
本参考例に係る回路基板は、図４で示すように、ガラスエポキシやガラスセラミック、あるいは、樹脂成分などのような誘電体材料を用いて形成され、かつ、少なくとも上下一対となる位置に配置された絶縁層１１ａ，１１ｂと、これらの絶縁層１１ａ，１１ｂ同士間に介装された配線層１２とを備えて構成されたものであり、絶縁層１１ａ，１１ｂでもって挟み込まれた配線層１２は、並列配置された複数の信号配線１２ａを具備している。そして、これら信号配線１２ａのそれぞれ同士間には、絶縁層１１ａ，１１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部１２ｂが設けられている。ところで、このような構成とされた回路基板は、図５で示すような手順からなる方法を採用したうえで製造される。
【００２１】
まず、ガラスエポキシなどのような第１の誘電体材料からなり、下側に位置する第１絶縁層１１ａを形成し、かつ、この第１絶縁層１１ａ上に配線用導体１３を積層して被着させた後、配線用導体１３上にレジスト層１４を形成したうえ、図５（ａ）で示すように、このレジスト層１４における配線間絶縁部１２ｂと対応する位置毎に開口１４ａを形成する。引き続き、レジスト層１４を介したうえで配線用導体１３をエッチングすると、図５（ｂ）で示すように、並列配置されて配線層１２となる複数の信号配線１２ａが形成される。つぎに、第１絶縁層１１ａを形成している第１の誘電体材料よりも比誘電率が小さい誘電体材料、例えば、エポキシ樹脂のみからなる第２の誘電体材料１５を用意したうえ、図５（ｃ）で示すように、レジスト層１４をも含む第１絶縁層１１ａ上を第２の誘電体材料１５でもって全面的に覆った後、レジスト層１４を除去すると、図５（ｄ）で示すように、第１絶縁層１１ａ上に並列配置された信号配線１２ａ同士間には、第１絶縁層１１ａよりも低誘電率化された配線間絶縁部１２ｂが設けられたことになる。
【００２２】
その後、図示省略するが、第１絶縁層１１ａと同一である第１の誘電体材料を用いたうえで配線層１２上に第２絶縁層１１ｂを形成すれば、図４で示した回路基板が製造されたことになる。なお、第１の誘電体材料がガラスエポキシなどであり、第２の誘電体材料１５がエポキシ樹脂である必然性があるわけではなく、例えば、第１の誘電体材料がセラミックなどのような無機材料である場合には、多孔質で絶縁性の無機材料を第２の誘電体材料１５とすることが可能である。そして、本参考例に係る構成とされた回路基板であれば、絶縁層１１ａ，１１ｂ間に介装された配線層１２となる信号配線１２ａのそれぞれ同士間に対し、絶縁層１１ａ，１１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部１２ｂが介装されているので、近接配置された信号配線１２ａ同士間で発生する配線間容量が低減されることになり、クロストークノイズが抑制されることとなる。また、このような構成であれば、多層構造化された回路基板を容易に製造し得るという利点も確保される。
【００２３】
ところで、本参考例にあっては、図５で示したような手順からなる製造方法を採用するとしているが、このような製造方法に限られることはなく、図６のような手順からなる製造方法を採用して回路基板を製造することも可能である。従って、以下、図６を参照しながら、回路基板を製造する方法の変形手順を説明する。なお、この図６において、図４及び図５と互いに同一または相当する部分には同一符号を付している。
【００２４】
まず、光照射に伴ってパターニングされ、かつ、低誘電率化する樹脂組成物、例えば、光照射に伴って硬化する樹脂組成物からなる誘電体材料１６を用意し、図６（ａ）で示すように、用意した誘電体材料１６を第１絶縁層１１ａ上に被着して積層する。そして、図６（ｂ）で示すように、誘電体材料１６上にマスクフィルム１７を積層し、かつ、このマスクフィルム１７を介したうえでの光照射を実行すると、光照射に伴う露光及び現像によって誘電体材料１６はパターニングされると共に、低誘電率化される。さらに、図６（ｃ）で示すように、誘電体材料１６のうちから光照射されなかった部分を除去して開口１６ａを形成した後、図６（ｄ）で示すように、メッキ法などを採用したうえで誘電体材料１６の開口１６ａ内に信号配線１２ａとなる導体材料を充填する。
【００２５】
すなわち、この際においては、誘電体材料１６のうちの光照射された部分のみが除去されずに残存していることになり、この残存している部分が低誘電率化された配線間絶縁部１２ｂであることになる。その後、引き続き、図６（ｅ）で示すように、第１絶縁層１１ａと同一である誘電体材料を用いたうえで配線層１２上に第２絶縁層１１ｂを形成すれば、図４で示した回路基板が製造されたことになる。なお、この際における誘電体材料１６としてはジアゾ系化合物を含む樹脂組成物などが一般的であり、このような製造方法を採用した際には、樹脂組成物の露光及び現像によって配線部分をパターニングしているため、従来のエッチングによるパターニングよりもファインパターンを形成できることとなる結果、配線密度を高め得ることになるという利点が確保される。
【００２６】
さらにまた、本参考例に係る回路基板では、絶縁層１１ａ，１１ｂ間に介装されたうえで配線層１２を構成する信号配線１２ａのそれぞれ同士間に絶縁層１１ａ，１１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部１２ｂを設けるとしているが、このような構成に限られることはないのであり、図示省略しているが、以下に説明するような変形例としての構成を採用することも考えられる。つまり、絶縁層１１ａ，１１ｂとなる誘電体材料よりも誘電損失の大きな樹脂組成物を第２の誘電体材料１５とし、第２の誘電体材料１５である樹脂組成物を信号配線１２ａ間に印刷などによって充填したうえ、この樹脂組成物を配線間絶縁部１２ｂとしてなる構成である。
【００２７】
そして、このような変形例構成とされた回路基板を考えたうえ、この回路基板が備えている信号配線間の状態を電気的な等価回路で表すと、図７で模式化して示すように、端子ａ，ｂ間における信号伝送経路が、誘電損失に関する抵抗成分Ｒ１及び線間容量Ｃの直列接続と、これら及びリーク電流に関する絶縁抵抗成分Ｒ２の並列接続との関係として表される。そのため、図７で示されるような等価回路を回路基板でもって実現されていれば、線間容量Ｃのインピーダンスが小さいような周波数帯域では、抵抗成分Ｒ１が大きくなるにつれて端子ａ，ｂ間の信号伝送が悪化することとなり、クロストークノイズが抑制されることが理解される。なお、同一の信号配線１２ａ内の信号が伝送される方向にあっては、誘電損失の大きな樹脂組成物からなる配線間絶縁部１２ｂを通過する電界が弱いため、伝送損失の悪化を招く恐れはないことになる。
【００２８】
（参考例２）
図８は参考例２に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図であり、図９はその製造方法を示す工程断面である。なお、本参考例にあっては回路基板が１層構造であるとしているが、１層構造に限定されることはなく、２層以上の層数構造とされた回路基板であってもよいことは勿論である。
【００２９】
本参考例に係る回路基板は、図８で示すように、上下一対である絶縁層２１ａ，２１ｂと、これらの絶縁層２１ａ，２１ｂ同士間に介装された配線層２２とを備えて構成されたものであり、配線層２２は並列配置されてなる複数の信号配線２２ａを具備している。そして、配線層２２となる信号配線２２ａのそれぞれ同士間には、絶縁層２１ａ，２１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部２２ｂが設けられている。すなわち、ここでの絶縁層２１ａ，２１ｂは、加圧及び加熱に伴って低粘度化するエポキシ樹脂などの第１樹脂成分と、第１樹脂成分よりも比誘電率が大きくて加圧及び加熱に伴っては低粘度化しないガラス繊維やアラミド不織繊維などである固形成分、つまり、第１樹脂成分よりも強固な第２樹脂成分または無機成分とを含有してなる樹脂組成物である誘電体材料を用いて形成されたものである一方、配線間絶縁部２２ｂは、絶縁層２１ａ，２１ｂとなる誘電体材料に含有された第１樹脂成分のみを用いて形成されたものとなっている。
【００３０】
ところで、このような構成とされた回路基板は、図９で示すような手順からなる方法を採用したうえで製造される。まず、加圧及び加熱に伴って低粘度化する第１樹脂成分と、この第１樹脂成分よりも比誘電率が大きくて加圧及び加熱に伴っては低粘度化しない第２樹脂成分または無機成分である固形成分とを含有してなる誘電体材料を用いたうえで第１絶縁層２１ａを形成した後、第１絶縁層２１ａの一面（図では、上面）上に複数の信号配線２２ａをパターン形成する。すると、これら信号配線２２ａのそれぞれ間には、図９（ａ）で示すような空隙２３が生じていることになる。引き続き、図９（ｂ）で示すように、減圧条件下で、第１絶縁層と同一の誘電体材料からなる第２絶縁層２１ｂを、信号配線２２ａが形成された第１絶縁層２１ａ上に積層して形成する。
【００３１】
そして、第２絶縁層２１ｂを形成するに際しては、第１樹脂成分のみが低粘度化し、固形成分は低粘度化しないような加圧及び加熱条件を採用することが実行される。すると、第１及び第２絶縁層２１ａ，２１ｂからは低粘度化した第１樹脂成分が染み出してくることとなり、染み出してきた第１樹脂成分は空隙２３内に充填されたうえで配線間絶縁部２２ｂとなる。その結果、絶縁層２１ａ，２１ｂでもって挟み込まれたうえで配線層２２となる信号配線２２ａのそれぞれ同士間には、絶縁層２１ａ，２１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部２２ｂが設けられる。
【００３２】
このような構成とされた回路基板であれば、絶縁層２１ａ，２１ｂ間に介装されて配線層２２となる信号配線２２ａのそれぞれ同士間に対し、絶縁層２１ａ，２１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部２２ｂが設けられているため、近接配置された信号配線２１ａ同士間で発生する配線間容量が低減されることとなる結果、クロストークノイズが抑制されるという利点が確保される。また、この構成を採用している際には、多層構造化された回路基板をも容易に製造し得ることとなる。
【００３３】
（参考例３）
図１０は参考例３に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図であり、図１１はその製造方法を示す工程断面である。なお、本参考例にあっては回路基板が１層構造であるとしているが、１層構造に限定されることはなく、２層以上の層数構造とされた回路基板であってもよいことは勿論である。
【００３４】
本参考例に係る回路基板は、図１０で示すように、上下一対の絶縁層３１ａ，３１ｂと、これらの絶縁層３１ａ，３１ｂ同士間に介装された配線層３２とを具備しており、配線層３２は並列配置されてなる複数の信号配線３２ａを具備している。そして、配線層３２となる信号配線３２ａのそれぞれ同士間には、絶縁層３１ａ，３１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部３２ｂが設けられている。すなわち、ここでの絶縁層３１ａ，３１ｂは、ガラスエポキシやガラスセラミックなどのような誘電体材料を用いたうえで形成されており、また、配線間絶縁部３２ｂは、絶縁層３１ａ，３１ｂと同様の誘電体材料に対して比誘電率の小さい微粒子、例えば、テフロン（登録商標）粒や中空球形状とされたセラミック粒などのような微粒子が添加されたものとなっている。
【００３５】
この回路基板は、図１１で示すように、つぎのような手順からなる方法によって製造される。まず、ガラスエポキシやガラスセラミックなどのような第１の誘電体材料を用いたうえで下側に配置される第１絶縁層３１ａを形成した後、この第１絶縁層３１ａの一面（図では、上面）上に複数の信号配線３２ａをパターン形成する。すると、これら信号配線３２ａのそれぞれ間には、図１１（ａ）で示すような空隙３３が生じていることになる。そこで、第１の誘電体材料よりも低誘電率化された第２の誘電体材料、つまり、比誘電率の小さい微粒子が添加されてなる第２の誘電体材料３４を用意し、信号配線３２ａが形成された第１絶縁層３１ａの一面上に対して第２の誘電体材料３４を印刷すると、図１１（ｂ）で示すように、信号配線３２ａのそれぞれ間に生じていた空隙３３には第２の誘電体材料３４が充填されたことになる。
【００３６】
そして、空隙３３に対して充填された第２の誘電体材料３４は、絶縁層３１ａよりも低誘電率化された配線間絶縁部３２ｂであることになり、引き続き、第１絶縁層３１ａと同一である第１の誘電体材料を用いたうえで信号配線３２ａ及び配線間絶縁部３２ｂからなる配線層３２上に第２絶縁層３１ｂを形成すれば、図１０で示した回路基板が製造されたことになる。すなわち、このような構成の回路基板であれば、絶縁層３１ａ，３１ｂ間に介装されて配線層３２となる信号配線３２ａのそれぞれ同士間に対し、絶縁層３１ａ，３１ｂよりも低誘電率化された配線間絶縁部３２ｂが介装されているので、近接配置された信号配線３２ａ同士間で発生する配線間容量が低減されることになり、クロストークノイズが抑制されることとなる。また、このような構成であれば、多層構造化された回路基板を容易に製造し得るという利点も確保される。
【００３７】
ところで、本参考例にあっては、配線間絶縁部３２ｂとなる誘電体材料、つまり、絶縁層３１ａ，３１ｂとなる誘電体材料よりも低誘電率化された誘電体材料が比誘電率の小さい微粒子を添加したものであるとしているが、このような誘電体材料を用いる必然性があるわけではなく、図示省略しているが、信号配線３２ａのそれぞれ間に生じた空隙３３に対し、絶縁層３１ａ，３１ｂとなる誘電体材料と同等の誘電体材料を充填しておき、比誘電率の小さい微粒子を溶射などのような方法を採用したうえで注入することを行っても、図１０で示したのと同様の回路基板が容易に製造される。そして、このような手順に従って製造された回路基板であっても、クロストークノイズが抑制されることは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る回路基板によれば、配線層となる信号配線のそれぞれと接地層とで挟まれた絶縁層の第１領域よりも信号配線が設けられないで絶縁層の第１領域同士間に位置する絶縁層の第２領域の方を低誘電率化している、あるいはまた、配線層となる信号配線のそれぞれ同士間に絶縁層よりも低誘電率化された配線間絶縁部を設けているので、クロストークノイズの十分な低減を図ることが可能となり、回路基板の多層構造化を容易に実現することができるという効果が得られる。また、本発明に係る回路基板の製造方法によれば、クロストークノイズが抑制された回路基板を容易かつ安価に製造することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図である。
【図２】その製造方法を示す工程断面である。
【図３】クロストークノイズの抑制が可能となる理由を説明するための説明図である。
【図４】参考例１に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図である。
【図５】その製造方法を示す工程断面図である。
【図６】その製造方法の変形手順を示す工程断面図である。
【図７】変形例構成とされた回路基板によってもクロストークノイズの抑制が可能となる理由を説明するための説明図である。
【図８】参考例２に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図である。
【図９】その製造方法を示す工程断面である。
【図１０】参考例３に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図である。
【図１１】その製造方法を示す工程断面である。
【図１２】従来の形態に係る回路基板の構成を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
１絶縁層
１ａ第１領域
１ｂ第２領域
２配線層
２ａ信号配線
３接地層

Claims

絶縁層と、この絶縁層を挟んで対向しあう配線層と接地層とを備えて構成された回路基板であって、
配線層となる信号配線のそれぞれと接地層とで挟まれた絶縁層の第１領域よりも、信号配線が設けられないで絶縁層の第１領域同士間に位置する絶縁層の第２領域の方が低誘電率化されており、
前記絶縁層は光照射に伴って低誘電率化する誘電体材料からなるものであり、前記絶縁層の第１領域同士間に位置する前記絶縁層の第２領域は光照射に伴って第１領域よりも低誘電率化させられていることを特徴とする回路基板。
光照射に伴って低誘電率化する誘電体材料からなる絶縁層上に複数の信号配線を形成する工程と、信号配線が形成された絶縁層の上方から光照射して絶縁層の第２領域を低誘電率化する工程とを含んでいることを特徴とする回路基板の製造方法。