JP4257433B2 - 磁歪と磁化との同時測定方法、及びその方法を用いた磁歪計測用機器の較正用標準試料の作成方法、並びにその作成方法で作成した較正用標準試料を使用した磁歪計測用機器の較正方法。 - Google Patents
磁歪と磁化との同時測定方法、及びその方法を用いた磁歪計測用機器の較正用標準試料の作成方法、並びにその作成方法で作成した較正用標準試料を使用した磁歪計測用機器の較正方法。 Download PDFInfo
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Description
本発明は、磁歪と磁化とを回折法により、厳密な意味で試料の同領域について観測し得る方法、及びその方法を用いた較正用標準試料の作成方法、並びにその作成方法で作成した較正用標準試料を使用した磁歪計測用機器の較正方法に関するものである。
磁歪とは、磁性体が磁化することによって引き起こされる非常にわずかな形状変化である。消磁状態から飽和磁化状態になるまでの磁性体の形状変化を単位長さ当たりの変化に換算した量は、「飽和磁歪係数」あるいは単に「磁歪係数」と呼ばれている。磁歪係数は、磁化の容易軸方向と困難軸方向とでは異なる値を示したり、磁化に対して伸びる場合と縮む場合とがあったりする。磁歪係数は、温度によっても値を変える。物理学や工学の分野では、こうした特徴を持つ磁歪係数は、物質固有の基礎的物性値として取り扱っている。
近年、産業の分野で磁歪は、磁歪式アクチュエータ(特許文献1参照)として利用されたり、磁歪の逆効果を利用した、磁歪式歪センサ(特許文献2参照)、磁歪式トルクセンサ(特許文献3参照)、磁歪応力測定(特許文献4参照)などに利用されたりしている。
物質固有の基礎的物性値としての磁歪係数は、一般に、歪ゲージ法やキャパシタンス法などを用いて計測されている(例えば、非特許文献1参照)。これは、外部モードの磁歪として分類され、磁性体の消磁状態から飽和磁化状態になるまでの巨視的な形状変化を観測して得られる量である。外部モードでの磁歪係数の計測の際には、磁化が飽和しているかどうかの確認が必須であることを明記しておく。
これに対して、内部モードの磁歪が知られている。これは、磁性体の消磁状態から飽和磁化状態になるまでの結晶学的な格子定数の変化を観測した量である(非特許文献1参照)。
磁歪の外部モードでの係数と内部モードでの係数とは、定義からすると、それぞれ別々な値が計測されてもよい。しかし、試料が単結晶体ならば、磁化の飽和値に注目するため、同じ大きさの値が得られてもよい。
内部モードの磁歪係数の測定方法としては、中性子回折法やX線回折法が有力であるが、従来は、いずれも、測定精度に劣り、桁違いに大きな磁歪係数を呈する一部の物質にしか適応できないという欠点があった。特にX線回折法などは、実用的手法とは見做されておらず(非特許文献1参照)、ほとんど利用されていなかった。
図1は、X線回折法で求めた、X線の試料への入射角θとX線の回折光強度Iとの関係を表すロッキング曲線を例示するものであり、図1の縦軸はX線の回折光強度I軸、横軸はX線の試料への入射角θ軸を示している。この図1では、同一試料について、図中実線で消磁状態でのロッキング曲線プロファイルI(0,θ)を、また図中破線で磁場Hでの磁化状態でのロッキング曲線プロファイルI(H,θ)をそれぞれ示している。X線を用いた内部モードでの磁歪計測の従来の計測方法では、角度に関して高精度の回折計を走査し、消磁状態と飽和磁化状態とについてそれぞれのブラッグ角(図1の各ロッキング曲線プロファイルにおけるピーク点での角度)θB(0),θB(H)を測定して、図1に符号Aで示すように、ブラッグ角の変化ΔθBをその測定したブラッグ角θB(0),θB(H)の差から求め、それを格子定数の変化に換算して磁歪係数を決定していた。しかしながら、ロッキング曲線のピーク点付近はなだらかゆえ、ピーク点の角度を求めること自体誤差が大きくなりがちなため、その差を直接測定することは、精度を確保する上では得策ではなかった。
これに対し、本願発明者等は、近年、X線回折法に於いて、測定上の工夫により、従来法に対し2桁の測定精度の向上を実現し、汎用的な磁性材料に対して、実用的な測定精度を提供することができるようにした(非特許文献3)。
すなわち、本願発明者等は、ロッキング曲線の強度変曲点IP(図1参照)付近で回折計を固定したまま、磁化の有無によって生ずる回折光強度の変化ΔIを充分な光子統計で計測して、ロッキング曲線の微分から求めた量と比較し、図1に符号Bで示すように、ブラッグ角の変化ΔθBを後述の如くΔIとI(0,θ)とから商で求め、それを格子定数の変化に換算し、磁歪係数を高精度に決定する方法を示した(非特許文献3)。以下にその概要を示す。
図2(a)は、磁場Hの変化に対するX線回折光強度の相対変化δの関係を示し、縦軸は相対変化δ軸、横軸は磁場H軸を示している。図2(b)は、磁場Hの変化に対する上記相対変化δの磁場に対して反対称な成分δAの関係を示し、縦軸は反対称成分δA軸、横軸は磁場H軸を示している。図2(c)は、磁場Hの変化に対する上記相対変化δの磁場に対して対称な成分δSの関係を示し、縦軸は対称成分δS軸、横軸は磁場H軸を示している。図2(a)中、実線は磁場上昇中に計測した特性、破線は磁場下降中に計測した特性であり、図2(b),(c)中、実線は磁場上昇中に相当する特性(後述の数式(3),数式(4)に相当)、破線は目のガイドのために記した磁場下降中に相当する特性(後述の数式(3),数式(4)の符号を逆にしたものに相当)である。図2(a)に示すX線回折光強度の相対変化δは、
で表される。但し、
とする。I(H,θ)は、磁場強度がHの時に於ける、ブラッグ角近傍での入射角θにて観測される回折光強度である。X線回折光強度の相対変化δを磁場上昇時0<dH/dtおよび磁場下降時dH/dt<0のそれぞれで計測すると、図2(b)に示す、磁場に対して反対称な成分δAおよび、図2(c)に示す、磁場に対して対称な成分δSはそれぞれ、
である。磁場に対して対称な成分δSは、磁場に対して反対称な成分δAをδから取り除いた部分(δS=δ−δA)である。磁歪係数の決定には、回折光強度相対変化δのうち、その磁場対称成分δSのみを使用し、磁場反対称成分δAは使用していない。
で表される。但し、
とする。I(H,θ)は、磁場強度がHの時に於ける、ブラッグ角近傍での入射角θにて観測される回折光強度である。X線回折光強度の相対変化δを磁場上昇時0<dH/dtおよび磁場下降時dH/dt<0のそれぞれで計測すると、図2(b)に示す、磁場に対して反対称な成分δAおよび、図2(c)に示す、磁場に対して対称な成分δSはそれぞれ、
である。磁場に対して対称な成分δSは、磁場に対して反対称な成分δAをδから取り除いた部分(δS=δ−δA)である。磁歪係数の決定には、回折光強度相対変化δのうち、その磁場対称成分δSのみを使用し、磁場反対称成分δAは使用していない。
図1に実線で示す消磁状態での回折光のロッキング曲線プロファイルI(0,θ) とその微分dI(0,θ)/dθとを組み合わせることにより、以下のようにもうひとつの回折光強度の相対変化D(θ)を定義する。
この相対変化D(θ)と、数式(4)で求めた対称な成分δSとを比較することにより、消磁状態のブラッグ角θBからのずれ、すなわちロッキング曲線のシフト量ΔθB(図1に符号Bで示す)を決定することができる。
この相対変化D(θ)と、数式(4)で求めた対称な成分δSとを比較することにより、消磁状態のブラッグ角θBからのずれ、すなわちロッキング曲線のシフト量ΔθB(図1に符号Bで示す)を決定することができる。
このロッキング曲線のシフト量ΔθBを用いて、体積変化を無視した磁歪係数λ100 を、次式
の飽和磁化状態での値として実用的精度で得られるということは、本願発明者等が公知とした手法である(非特許文献3)。
の飽和磁化状態での値として実用的精度で得られるということは、本願発明者等が公知とした手法である(非特許文献3)。
この公知とした手法で計測される磁歪は、試料のバルク全体領域での平均的な値ではなく、X線が照射されて回折のために相互作用する表面近傍部分領域での局所的な値である。この公知とした手法によれば、X線を用いて、非電気的に、無補正で、非接触にて磁歪を計測することができる。シフト量ΔθBあるいは磁歪係数λ100 には、θに関する依存性は実験ではほとんど検出できなかった。よって、数式(6)の左辺は単にλ100(H)と記した。
低温や高磁場という特殊環境下では、熱収縮や熱伝導の影響や電気的機器ゆえの磁気抵抗効果などの影響を受け、磁歪計測用機器の較正が困難な場合がある。こうした特殊環境下では、物性計測用機器は、常温で有するような本来の精度を実現できないことがある(非特許文献2)。
例えば、鉄の低温側200K付近での磁歪係数については、図3に示すように諸説の報告がある(非特許文献1、非特許文献3)。ここで、図3の縦軸は磁歪係数λγ,2×106 軸、横軸は試料温度,T(K)軸を示している。磁歪係数の実測値が諸説ある原因は、低温高磁場中に於ける較正や補正の難しさに起因した測定の難しさにある。つまり、現状では、鉄のような工業的にも重要な材料に対してさえも、物質固有な普遍的な数値であるはずの自然科学上の基礎的物性値そのものが正しく計測されているかどうかが不確かなのである。
磁歪係数の計測には、定義からして、計測対象となる試料材料に対して、消磁状態であることと飽和磁化状態であることという、磁化に関する状態の確認が必須である。つまり、磁歪計測には、対象試料の磁化の計測が必要である。
従来は、磁歪と磁化とに対してそれぞれ別個の装置を用意して観察するのが公知である。このため計測者は、磁歪計測用の原理に基づいた、試料の然るべき領域に感度のあるプローブを有した装置と、磁化計測用の原理に基づいた、試料の然るべき領域に感度のあるプローブを有した別の装置とを併用して、試料の同領域での観察となるように努力して計測している。試料の磁歪と磁化との同領域での観察には、別々な装置を利用する限り、最終的には、同領域であると仮定せねばならないこともある。
多くの場合、この、磁化と磁歪が試料の同領域で観察できているという仮定は成り立つ。しかし、磁化と磁歪との計測で、装置が別であるということは、それぞれの装置を用意せねばならないことを意味する。このほか、原理やプローブの試料に対する感度領域が異なる場合があったり、どちらかの測定が思うようにできない環境であったりするときには、この試料の同領域での観察という仮定がなりたつとは限らない。この意味で従来法には欠陥がある。
低温などの特殊環境下では、代表的な磁性体である鉄ですら磁歪という物性値がよくわかっていないという現状からすると、素性の知れた機器較正用標準試料が現在のところ見当たらない。
磁歪と磁化に関して、試料の同領域での観察が厳密でないために、過度の磁場を加えて、磁化が飽和するようにせねばならないならば、これも磁歪計測に対しては、補正に関する悪影響となりうる。
それゆえ、測定環境に左右されず、仮定なしに厳密な意味で試料の同領域で磁歪と磁化とを観測できる方法を開発することが有益であることは明らかである。
特許3332125 磁歪式アクチュエータ
特許3521010 磁歪式歪センサ
特許3526750 磁歪式トルクセンサ
特許2771433 管の磁歪応力測定方法
Etienne du Tremolet de Lacheisserie, Magnetostriction: theory and applications of magnetoelasticity, CRC Press, Boca Raton, 1993.
Herbert B. Callen and Earl R. Callen, "Theory of High-Temperature Magnetostriction", Phys. Rev., 132 (1963) 991-996. タツモト氏とオカモト氏との私的通信として紹介。
本発明の目的は、磁歪と磁化とを、厳密な意味で同領域にて観測できる方法、内部モードの磁歪係数を外部モードの磁歪係数計測装置に適応する方法及びこれらの方法を利用して評価された較正用標準試料などの製品、並びにこれらの方法によって評価された較正用標準試料を使って較正したセンサ等の機器を提供することにある。
本願発明者らは、意外にも、X線回折光強度の相対変化δから分離して得た磁場に対して反対称な成分δAと対称な成分δSとを再合成して得られる量、
から、試料の相対磁化を得られるということに気づいた。R’a(H,θ)は、数式(7)のように、相対変化δを構成する回折光強度I(H,θ)からも定めることができる。R’a(H,θ)は、Hの関数であり、飽和磁化での値はX線磁気回折の非対称度Raに相当する。実験によるとR’a(H,θ)は入射角θに依存しなかったので、以降は単にR’a(H)と記す。
から、試料の相対磁化を得られるということに気づいた。R’a(H,θ)は、数式(7)のように、相対変化δを構成する回折光強度I(H,θ)からも定めることができる。R’a(H,θ)は、Hの関数であり、飽和磁化での値はX線磁気回折の非対称度Raに相当する。実験によるとR’a(H,θ)は入射角θに依存しなかったので、以降は単にR’a(H)と記す。
X線磁気回折の非対称度Raは、通常は、入射角θについて積分した積分強度を用いるか、ロッキング曲線のピーク強度を用いている。数式(7)では、入射角θに於ける部分強度を用いていることに違いがある。
磁歪係数の測定の際に必要な磁化測定は、磁化が磁場に対して飽和していることを確認できれば良いので、飽和値に対する相対値で充分である。
一方、磁歪係数は、磁場を強くしていったときの、数式(6)で得られる値λ100(H)の飽和値であるが、磁場Hで磁化過程にあるλ100(H)は、数式(8)の相対磁化の値に対応する。なお、数式(3)の、磁場に対して反対称な強度変化の成分δAは、本発明では重要な役割を果たしているが、公知とした磁歪計測法には不要であったことを明記しておく。
本願発明者は、回折光強度の相対変化を観測して得られるこれらの量、すなわち、磁場に対して対称な成分と反対称な成分を利用することにより、公知とした手法を発展させ、磁歪係数の絶対値と磁化の相対値を一緒に決定できる便利な新たな手法として提供できることを見出した。本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明の磁歪と磁化との同時測定方法は、磁歪と磁化とを試料の同領域について同時に測定するに際し、前記試料の前記領域についての磁場内での回折光強度の相対変化δを磁場上昇時および磁場下降時のそれぞれで計測して、それらから磁場Hに対し反対称な成分δAと対称な成分δSとを求め、前記対称な成分δSに基づき前記試料の前記領域の磁歪係数を求めるとともに、前記反対称な成分δAと対称な成分δSとを再合成して得られる量に基づき前記試料の前記領域の相対磁化を求めることを特徴としている。
磁場に対して反対称な成分δAと対称な成分δSとは、もともと共通の回折光強度の相対変化δの計測から、磁場に対する対称性を基に一度分解し、再合成して得た量である。すなわち、本発明は、磁歪の絶対値と磁化の相対値という磁性に関する二つの物性値が、図4に示すように、同時にかつ試料の同領域を対象にX線の同一プローブ光により同一装置で観測できる方法に関するものである。ここに、図4の縦軸は磁歪係数λ100×106軸、横軸は相対磁化M(H)/MS軸である。
また本発明により、従来、定量的測定に不確かな要素のあった低温で高磁場となるような特殊環境下に於いても、従来公知の磁歪計測用機器を正しく較正することが出来る手法を提供できることも判明した。すなわち、単結晶試料で得た内部モードの磁歪係数値の観測結果から、外部モード用の磁歪係数計測機器の較正に適した較正表を複数の標準試料により作成することが有効であることを見出した。この較正のための手法は、磁気抵抗効果や熱膨張係数の影響を受けないことが特徴である。
ここで、磁歪特性とは磁場依存性あるいは磁化依存性もしくは温度依存性もしくは磁化方位依存性などの物性値の特性を指す。
本発明における磁場内での回折光強度の計測は、磁場内でのX線回折のみならず磁場内での中性子線回折によっても行うことができる。ここで、磁場内でのX線回折とは、共鳴磁気回折または非共鳴磁気回折をさす。
本発明は、磁歪という物性値を測定する方法であって、回折法を用いて試料の磁化の計測を伴って観測することを特徴とする、新しい磁歪係数測定方法を提供することができる。
また、本発明は、磁歪という物性値の特性を評価するための機器であって、回折法による磁歪係数測定方法により評価された磁歪係数を性能表の仕様に含めて製造した、磁歪計測用機器較正用標準試料を提供することができる。
さらに、本発明は、内部モードによって計測された磁歪係数を用いることを特徴とする、外部モードの磁歪係数測定機器較正の新しい方法を提供することができる。
さらに、本発明は、内部モードによって計測された磁歪係数を用いることを特徴とする、外部モードの磁歪係数測定機器較正の新しい方法を利用して較正したセンサ等の磁歪磁歪計測用機器を提供することができる。
さらに、本発明は、内部モードによって計測された磁歪係数を用いることを特徴とする、外部モードの磁歪係数測定機器較正の新しい方法を利用して較正することにより製造したセンサ等の磁歪計測用機器の特性をもって評価された製品を提供することができる。
本発明に基づき、X線を用いて磁歪と磁化という物性値を、同時にかつ試料の同領域について、X線の同一プローブ光により同一装置で観測する手法を行うには、放射光X線を利用することが好ましい。放射光X線は高強度であるために、測定時間が現実的であることの他、相対磁化の測定のために磁気回折を利用するからである。
すなわち本発明の実施形態としては、例えば、試料中の磁性元素のX線吸収端エネルギーに入射光X線エネルギーを合わせたπ偏光成分を含む入射光による共鳴磁気回折とするか、あるいは、円偏光成分を含んだ入射光と回折光の向きが互いに直交する非共鳴磁気回折とする。放射光X線を光源にすれば、これらのどちらの磁気回折での測定も可能である。
磁気回折には各種配置がある。それゆえ、磁化の向きと磁気回折の各種配置の選定により、磁歪係数の磁化に平行な成分や垂直な成分のほか、体積磁歪といった、磁歪の各種係数に焦点を絞って計測することもできる。
さらに、本発明に基づき放射光施設で磁歪について評価した試料は、磁歪という物性値を測定するための機器に対して、較正用の標準として使用することができる。本発明に基づき磁歪について評価した試料は、特に、歪ゲージ法やキャパシタンス法を用いた従来の電気的測定方式に対する、磁歪測定機器の較正が難しい特殊環境下、例えば低温でかつ高磁場下での機器較正用標準試料として有効である。
この較正用標準試料は、単結晶体であることが望ましい。単結晶体であれば、磁歪の外部モードと内部モードとの値がそれぞれの飽和値に対して同一となって都合よいからである。
さらに、本発明は、本発明に基づく内部モードの磁歪係数の計測によって評価した較正用標準試料を利用して較正した電気的測定方式の外部モードの磁歪測定用機器を提供することができる。本発明に基づき評価した較正用標準試料を利用して較正した従来公知の電気的測定方式の磁歪測定機器を使用することにより、放射光施設に測定したい試料を持ち込まずとも、従来通りのいかなる現場に於いても制限なく当発明を使用できる。
(実施例1)
本発明を、磁歪係数計測機器用の1次較正用標準試料の作成に利用する場合について、以下の実施例を用いて説明する。
本発明を、磁歪係数計測機器用の1次較正用標準試料の作成に利用する場合について、以下の実施例を用いて説明する。
この実施例1では、強磁性体、例えば鉄、の単結晶試料を用意し、放射光施設に於いて、本発明に基づくX線回折法により、上記試料の磁歪特性測定を磁化測定と共に行う。すなわち、上記試料の磁歪特性はブラッグ角のシフト量の計測から求め、磁化特性は相対磁化として、磁歪と一緒に得られる共鳴磁気散乱の規格化した非対称度から求める。
測定装置は、図5に示すように、共鳴磁気回折の配置とする。ここで、図中符号1はベンディング磁石からの白色放射光X線、2はビームラインスリット、3は珪素二結晶分光器、4は入射光X線モニタ用電離箱、5は試料スリット、6はπ偏光した入射光単色X線、7は試料、8は回折計、9は回折計の電磁石、10は試料温度制御用冷凍機、11はシュラウド、12は回折計の2θアーム、13は回折光X線、14は受光スリット、15はX線検出器をそれぞれ示す。鉄単結晶試料7に対し、入射光X線6はπ偏光した鉄のK吸収端エネルギーとする。試料7は冷凍機10により、温度Tに設定しておく。試料7の容易磁化[001]方向に電磁石9で磁場を印加し、回折光強度を測定する。
試料7への入射角θは、ロッキング曲線の低角側と高角側の両変曲点付近(図1の点IPは低角側変曲点付近)に固定して設定することが望ましい。両変曲点付近での測定は、磁化の測定と磁歪係数の測定にもっともよい条件を満たし、磁歪係数を最も優れた精度で決定できる。
回折光強度の相対変化の割合δ(H,θ)の測定は、磁場を上昇させながら設定した磁場強度Hと、磁場を下降させながら設定した磁場強度−Hとの1組すなわちδ(H,θ)|0<dH/dt及びδ(−H,θ)|dH/dt<0毎に、充分な光子統計の精度で計測する。このほかに、磁歪係数の絶対値の計測のためには、消磁状態のロッキング曲線の強度プロファイルI(θ)を計測する。特に、δ(θ)の測定で使用した入射角θ付近は、差分をとって求める微分係数dI(θ)/ dθに対し充分な光子統計の精度で計測する。導出法は、数式(6)の通りである。磁歪係数はλ100に限らず、λ111でも、あるいはλγ,2でもλε,2でも構わない。
磁化は共鳴磁気散乱の規格化した非対称度から求める。導出法は、数式(8)の通りである。
飽和磁化に至るまでの磁歪係数の磁化依存性結果は、先に述べた図4に示すようなグラフの形にまとめることができる。本実施例により得られる図4に示す如き測定結果から、磁場を変化させても磁化が変化しないことが確認できる。相対磁化軸(横軸)の最大値の1は規格化してあり、飽和磁化を示す。このときの磁歪軸(縦軸)のとる飽和値が磁歪係数である。
(実施例2)
本発明を、外部モードの磁歪係数計測機器の低温に於ける較正用標準試料の評価に利用する場合について、他の実施例を用いて説明する。
本発明を、外部モードの磁歪係数計測機器の低温に於ける較正用標準試料の評価に利用する場合について、他の実施例を用いて説明する。
この実施例2では、強磁性体、例えば鉄、の単結晶試料を用意する。内部モードの磁歪係数と外部モードの磁歪係数は、通常異なる値を示すが、鉄の場合、単結晶試料では同じ値を示すという点を利用する。
放射光施設に於いて、本発明に基づくX線回折法により、先に実施例と同様にして、試料の磁歪特性を磁化測定と共に測定する。すなわち、試料の磁歪特性はブラッグ角のシフト量の計測から求める。磁化特性は相対磁化として、磁歪と一緒に得られる共鳴磁気散乱の規格化した非対称度から求める。
試料温度Tを50Kから室温まで変化させたときの、鉄の内部モードの磁歪係数の温度依存性測定結果は、先に述べた図3に示す如きグラフにまとめることができる。
較正に必要な物理量は、標準試料毎に(ti, λ(ti))の2種である。ここで、T=ti(i=1, 2, 3 …)は設定した温度、λ(ti)は本発明に基づき内部モードで温度tiにて計測した磁歪係数である。設定温度Tは、適当に細分されていることが望ましい。磁歪係数は、λ100でもλ111でも、あるいはλγ,2でもλε,2でも構わない。この測定結果を試料用の較正表にまとめる。
(実施例3)
本発明を、低温領域で使用する外部モードの磁歪係数計測機器、例えば歪ゲージを較正する場合の較正表の作成に利用する場合について、さらに他の実施例を用いて説明する。
本発明を、低温領域で使用する外部モードの磁歪係数計測機器、例えば歪ゲージを較正する場合の較正表の作成に利用する場合について、さらに他の実施例を用いて説明する。
この実施例3では、較正用標準試料は、例えば、鉄単結晶試料とする。この鉄の較正用標準試料は低温での特性(ti, λFe(ti))が示されている。ここで、λFe(ti)は、本発明により内部モードで計測した、温度T=ti(i=1, 2, 3 …)に於ける較正用標準試料の磁歪係数である。
評価したい外部モードの磁歪係数計測機器、例えば歪ゲージ、をあらかじめ常温にてこの較正用標準試料に装着しておく。
磁歪特性を内部モードで評価した環境下と同じ条件に、この歪ゲージを装着した較正用標準試料を置く。このとき、設定した温度条件T=ti とともに、歪ゲージの抵抗値を、消磁状態のものr0 Feと、飽和磁化状態でのものrSM Feとについて測定する。
図6は、歪ゲージの較正法及び使用法の原理を説明するために、ある温度T=ti に於ける、鉄の歪ゲージ出力抵抗値の実測値と磁歪係数の較正値との関係を数直線上にまとめたものである。すなわち、図6のr軸は、歪ゲージの出力抵抗を示しており、r軸の下方には出力抵抗値を、上方には対応する磁歪係数を記してある。図中左方に示す磁化0のときの鉄試料に対する歪ゲージの出力抵抗値はr0 Fe(ti)であり、そのときの磁歪係数は0である。また、図中中央部に示す飽和磁化のときの鉄試料に対する歪ゲージの出力抵抗値はrSM Fe(ti)であり、そのときの磁歪係数は、試料の較正表よりλFe(ti)である。
こうして、2種の物理量からなる試料用の較正表に対してこの2種の物理量を追加した合計4種の物理量からなる特定の歪ゲージ用の較正表(ti, λFe(ti), r0 Fe(ti), rSM Fe(λFe, ti))を作成する。上記4種の物理量とは、温度、磁歪定数、消磁状態での歪ゲージの出力抵抗値、及び飽和磁化のときの歪ゲージの出力抵抗値である。温度T=ti は、適当に細分されていることが望ましい。磁歪係数は、λ100あるいはλ111、またはλγ,2もしくはλε,2でも構わない。
(実施例4)
本発明を、低温領域で使用する外部モードの磁歪係数計測機器を較正して使用する場合について、さらに他の実施例を用いて説明する。
本発明を、低温領域で使用する外部モードの磁歪係数計測機器を較正して使用する場合について、さらに他の実施例を用いて説明する。
この実施例4では、任意の元素の製品に対して、上記の較正表を有する歪ゲージを装着し、温度T=ti に於ける、製品の磁歪係数λX(ti)を測定する場合について記す。
低温領域での磁歪係数計測機器の較正の際には、室温で設定した条件からの変化に対する補正、例えば熱収縮に伴う熱膨張係数の考慮などを施す必要がある。このため、低温に於ける歪ゲージの較正には、較正値(ti, λ(ti))が明らかとされた、同じ元素ではない最低2種類の較正用標準試料を準備しなければならない。例えば、鉄のほか、コバルトあるいはニッケルなどの強磁性を示す単結晶体の標準試料がその候補となる。これらを含む合金や酸化物等でも構わない。
例えばここでは、ある温度にて得られた鉄(Fe)とニッケル(Ni)の単結晶体較正用標準試料の容易磁化方向の磁歪係数が温度毎に既知であるとして得られた4種の物理量からなる2組の較正値、(ti, λFe, r0 Fe, rSM Fe)(後述する図7(b)のL1参照)および(ti, λNi, r0 Ni, rSM Ni)(後述する図7(b)のL3参照)を用いる。ここで、磁歪係数λFeまたはλNiは、λ100あるいはλ111、またはλγ,2もしくはλε,2でも構わない。
較正する歪ゲージを、評価対象の、磁歪係数が未知の被測定体Xにあらかじめ常温で装着しておく。被測定体Xは、例えば、較正用2次標準試料候補となる試料をはじめ、従来歪ゲージが計測してきた製品全般とし得る。
ここで、図7(a),(b)は、歪ゲージの較正法及び使用法の原理を説明するために、ある温度ti に於ける、歪ゲージの出力抵抗の実測値と磁歪係数の関係を、その出力抵抗をr軸とした数直線上にまとめたものである。r軸の下方には出力抵抗値を、上方には対応する磁歪係数を記してある。図7(a)は、ある温度ti に於ける較正表にある歪ゲージの出力抵抗値および磁歪係数の既知の値と被測定体Xに対する値の全てをまとめたものである。また図7(b)は、図7(a)の記載のうち鉄に関する較正表の部分(L1)と、被測定体Xの磁歪係数を求める際の考え方の部分(L2)と、(a)の記載のうちニッケルに関する較正表の部分(L3)とを示す説明図である。
ある温度ti にて、この較正した歪ゲージの消磁状態および飽和磁化状態で実測される抵抗値がそれぞれr0 X(ti)およびrSM X(ti)であるとする(図7(a),(b)のL2参照)。このとき、温度ti に於けるこの製品の磁歪係数λX(ti)は、次のように求めることができる。まず、熱膨張係数に関する補正のために、実測値の鉄とニッケルとに対する熱膨張係数に関する割合
を考慮する。r0 Xは、r0 Feとr0 Niとのm対nの内分点である(図7(b)のL2は図7(b)のL1とL3との間をm対nに内分する位置に記載してある)。ここで、m及びnは、温度ti に於ける測定値r0 Xの、r0 Feに対するr0 Niの占める割合及び測定値r0 Xの、r0 Niに対するr0 Feの占める割合である。
を考慮する。r0 Xは、r0 Feとr0 Niとのm対nの内分点である(図7(b)のL2は図7(b)のL1とL3との間をm対nに内分する位置に記載してある)。ここで、m及びnは、温度ti に於ける測定値r0 Xの、r0 Feに対するr0 Niの占める割合及び測定値r0 Xの、r0 Niに対するr0 Feの占める割合である。
この割合で重みを持たせた比の計算(図7(b)のL1〜L3)から、被測定体Xによる歪ゲージの出力抵抗値が例えばrTemp(図7(b)のL2中央部参照)を示すときの磁歪係数の暫定値λTemp(図7(b)のL2中央部参照)は、鉄とニッケルの磁歪係数の較正結果(図7(b)L1,L3参照)を利用して
と求めることができる。
今度は、歪ゲージの暫定値rTemp(図7(b)L2の中央部参照)と実測値r0 X(図7(b)のL2左側参照)及び実測値rSM X(図7(b)のL2右側参照)のそれぞれとの差
から、比の計算をもう一度行うことにより(図7(b)のL3の下方 参照)、被測定体Xに関する知りたい磁歪係数λX(図7(b)のL2右側参照)を、外分
によって求めることができる(図7(b)のL2右側参照)。
と求めることができる。
今度は、歪ゲージの暫定値rTemp(図7(b)L2の中央部参照)と実測値r0 X(図7(b)のL2左側参照)及び実測値rSM X(図7(b)のL2右側参照)のそれぞれとの差
から、比の計算をもう一度行うことにより(図7(b)のL3の下方 参照)、被測定体Xに関する知りたい磁歪係数λX(図7(b)のL2右側参照)を、外分
によって求めることができる(図7(b)のL2右側参照)。
もしも、被測定体Xが2次較正試料ならば、2次較正試料用の較正表に掲載すべき物理量は、(ti, λX(ti))の2種である。ここで、温度T=ti は設定した温度、λX(ti)は歪ゲージのある抵抗値に対応した磁歪の大きさである。温度T は適当に細分されていることが望ましい。
かくして本発明によれば、磁歪と磁化とを厳密な意味で同領域にて観測することができ、また、本発明の方法で求めた内部モードの磁歪係数を外部モードの磁歪係数計測装置に適応することができ、さらに、本発明の方法を利用して評価された較正用標準試料などの製品、並びに本発明の方法によって評価された較正用標準試料を使って較正したセンサ等の機器を提供することができる。
1 ベンディング磁石からの白色放射光X線
2 ビームラインスリット
3 珪素二結晶分光器
4 入射光X線モニタ用電離箱
5 試料スリット
6 π偏光した入射光単色X線
7 試料
8 回折計
9 電磁石
10 試料温度制御用冷凍機
11 シュラウド
12 回折計の2θアーム
13 回折光X線
14 受光スリット
15 X線検出器
2 ビームラインスリット
3 珪素二結晶分光器
4 入射光X線モニタ用電離箱
5 試料スリット
6 π偏光した入射光単色X線
7 試料
8 回折計
9 電磁石
10 試料温度制御用冷凍機
11 シュラウド
12 回折計の2θアーム
13 回折光X線
14 受光スリット
15 X線検出器
Claims (5)
- 前記磁場内での回折光強度はX線磁気回折により求めることを特徴とする、請求項1記載の磁歪と磁化との同時測定方法。
- 磁歪と磁化とが同領域について判明した、磁歪計測用機器の較正用標準試料を作成するに際し、
前記試料の前記領域についての磁場内での回折光強度の相対変化(δ)を磁場上昇時および磁場下降時のそれぞれで計測して、それらから磁場(H)に対し反対称な成分(δA)と対称な成分(δS)とを求め、
前記対称な成分(δS)に基づき前記試料の前記領域の磁歪係数(λ100)を求めるとともに、
前記反対称な成分(δA)と対称な成分(δS)とを以下の式(16)
を用いて再合成して得られる量(R’a)に基づき前記試料の前記領域の相対磁化(M/MS)を求めることで作成することを特徴とする、磁歪計測用機器の較正用標準試料の作成方法。 - 前記磁場内での回折光強度の相対変化はX線磁気回折により求めることを特徴とする、請求項3記載の磁歪計測用機器の較正用標準試料の作成方法。
- 請求項3または4記載の方法で作成した較正用標準試料を使用して磁歪計測用機器を較正することを特徴とする、磁歪計測用機器の較正方法。
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