JP4254218B2 - 非対称βジケトン配位子を有する銅錯体及びその製造方法 - Google Patents
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- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 12
- 239000003446 ligand Substances 0.000 title description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 8
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 2
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- -1 perfluorocyclopropyl group Chemical group 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 9
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 9
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 8
- BVPKYBMUQDZTJH-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-5,5-dimethylhexane-2,4-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F BVPKYBMUQDZTJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- NLXLPOBMBOZAIG-UHFFFAOYSA-N copper(1+);ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound [Cu+].C[Si](C)(C)C=C NLXLPOBMBOZAIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 6
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 5
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910004028 SiCU Inorganic materials 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012024 dehydrating agents Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- HXLVDKGPVGFXTH-UHFFFAOYSA-N butyl(dimethyl)silane Chemical compound CCCC[SiH](C)C HXLVDKGPVGFXTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- MWVFCEVNXHTDNF-UHFFFAOYSA-N hexane-2,3-dione Chemical compound CCCC(=O)C(C)=O MWVFCEVNXHTDNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 2-methylheptane-3,5-dione Chemical compound CCC(=O)CC(=O)C(C)C VVALZQWOQKHDIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000102 alkali metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008046 alkali metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960004643 cupric oxide Drugs 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- 125000001047 cyclobutenyl group Chemical group C1(=CCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N iso-pentane Natural products CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005459 perfluorocyclohexyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005804 perfluoroheptyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005008 perfluoropentyl group Chemical group FC(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005009 perfluoropropyl group Chemical group FC(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N potassium hydride Chemical compound [KH] NTTOTNSKUYCDAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000105 potassium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000104 sodium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012312 sodium hydride Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical group FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005425 toluyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅薄膜層の形成に好適な銅錯体及びその製造方法に関するものである。殊に高速高集積回路配線、すなわち、高速演算回路用の銅配線を化学蒸着法により形成させる際に用いるに好適な銅錯体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子産業の集積回路分野の製造技術において、高集積化かつ高速化の要求が高まっている。現在、集積回路の大部分にアルミニウム配線が使用されているが、高集積化及び高速化の要求にともなって、より電気抵抗が低く、マイグレーション耐性のある銅による配線技術が実用化されつつある。
【０００３】
銅配線の形成技術については、０価のＣｕスパッタリング法と二価Ｃｕの溶液メッキ法を組み合わせた方法と主に一価Ｃｕの有機金属錯体を用いた化学蒸着法（以下ＭＯＣＶＤ法と記載）とがある。しかしながら、前者のスパッタ法とメッキ法を組み合わせた方法では、０．０７μｍ以下程度の小さい口径を有する深い溝に対する埋め込みが困難である。これを解決する為にＭＯＣＶＤ法が用いられ、高い深さ／口径比（高アスペクト比）の溝や孔及び段差を凹凸が小さく平滑かつ良好な膜質で被覆することが可能となった。
【０００４】
上記のＭＯＣＶＤ用銅化合物としては既に種々のものが知られている。例えば、特許文献１では、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランを用いることを提案している。本銅化合物は、液状である為、供給量を液体流量計で制御でき、蒸気圧も比較的高く、従来の固体の化合物に比し、ＭＯＣＶＤ材料としては、使い易くなっている。
【０００５】
しかしながら、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランは、気化のための長時間加熱によって徐々に分解し、Ｃｕ（Ｏ）の析出があったり、トリメチルビニルシランのオリゴマー及びポリマーが生成し、装置内の閉塞原因となる場合があった。更にヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランは、弗素含有量が高いことから、これを用いＭＯＣＶＤにより、ＬＳＩ用銅配線を形成した場合、銅配線組成中に弗素が残存し、ＴａＮ，ＴｉＮ等のバリアメタルに対する密着性が、スパッタリング法によるものに比し、極めて劣ることが問題となっている。より、弗素含有量の低い銅化合物が求められている。
【０００６】
この問題点を解決する為に本発明者らは、既に、特許文献２及び特許文献３に示される銅化合物を提案している。しかしながら、これら特許文献で提案した銅化合物の蒸気圧は、高成膜速度を実現する為には、不十分であった。より高い蒸気圧を有する安定な銅化合物が求めらている。
【０００７】
すなわち、市場からは、常に高性能な銅化合物に対する要求があり、特に弗素含有量が低く、高蒸気圧特性を有し、気化温度範囲内で安定であり、２００℃程度の比較的低い温度で分解して、蒸着可能な銅錯体が切望されている。
【０００８】
【特許文献１】
特許第２１３２６９３号
【特許文献２】
特開２００２−１９３９７４号公報
【特許文献３】
特開２００２−１９３９８８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問題を解決すること、すなわち、本発明は、蒸気圧が高く、気化が安定的かつ容易で、その銅薄膜の形成速度が制御可能な低弗素含有量のＭＯＣＶＤ用銅錯体の提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、非対称βジケトン配位子と特定構造のシリル基置換オレフィン配位子との組み合わせを有する銅化合物が熱的に安定であり、蒸気圧が高く、ＭＯＣＶＤ材料として良質の銅薄膜を制御可能な速度で形成可能な銅化合物を見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）
【００１２】
【化４】
（式中、Ｒ1，Ｒ2は、炭素数１乃至２０の炭化水素基であり、Ｒfは、少なくとも一つの弗素原子を有する弗化炭化水素基である。Ｒ1どうし，Ｒ2どうしは、同一でも異なってもよい。ｎは、０乃至２０の整数を表わす。）
で示される銅錯体及びその製造方法を提供することにあり、殊に上記一般式（１）で示される銅錯体は、Ｃｕ−ＭＯＣＶＤ材料として銅薄膜形成に有用である。
【００１３】
以下、本発明の詳細について説明する。
【００１４】
上記一般式（１）おいてＲ1，Ｒ2は、炭素数１乃至２０、好ましくは、銅錯体の蒸気圧を上昇させるために炭素数１乃至１０の炭化水素基であり、Ｒ1どうし、Ｒ2どうしは、同一であっても異なっても良い。
【００１５】
炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。
【００１６】
具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基等をあげることができる。
【００１７】
Ｒfは、少なくとも一つの弗素原子を有する炭素数１〜２０の弗化炭化水素基である。弗化炭化水素基としては、少なくとも一つの弗素原子を有する炭化水素基であれば特に限定されるものではなく、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０の弗化飽和炭化水素基や弗化不飽和炭化水素基等をあげることができる。
【００１８】
弗化飽和炭化水素基としては、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロシクロプロピル基、パーフルオロメチルシクロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロシクロペンチル基、パーフルオロメチルシクロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロ−１，２−ジメチルシクロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基等のパーフルオロカーボン残基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、２−パーフルオロアルキルエチル基のフルオロハイドロカーボン残基等を挙げることができる。
【００１９】
更に弗化不飽和炭化水素基としては、例えば、パーフルオロエテニル基、パーフルオロプロペニル基、パーフルオロ−１，３−ブタジエニル基、シクロブテニル基、パーフルオロ−２−ブチニル基、ペンタフルオロフェニル基、パーフルオロトルイル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、パーフルオロナフタレニル基、パーフルオロインデニル基、パーフルオロフルオレニル基等を挙げることができる。
【００２０】
ｎは、０乃至２０の整数、好ましくは０乃至１０の整数、特に好ましくは０乃至２の整数を表す。
【００２１】
続いて、上記一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体の製造の際に用いることができる原料について説明する。
【００２２】
銅（Ｉ）原料としては、特に限定されるものではないが、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、沃化銅（Ｉ）等のハロゲン化銅（Ｉ）化合物や酸化第一銅を用いることができる。
【００２３】
シリル基置換アルケンとしては、下記一般式（２）のシリル基置換アルケンを用いることができる。
【００２４】
【化５】
（式中、Ｒ2およびｎは、上記に同じ。）
βジケトン成分としては、下記一般式（３）のβジケトン又は下記一般式（４）のβジケトン塩を用いることができる。
【００２５】
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒfは、上記に同じ。））
【００２６】
【化７】
（式中、Ｒ1、Ｒfは、上記に同じ。Ｍは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を表す
一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体の製造方法については、特に限定されるものではないが、一般式（２）のシリル基置換アルケンの共存下、一般式（３）のβジケトンに酸化第一銅を反応させることによって製造することができる。
【００２７】
この際の量論比については、特に限定されないが、β−ジケトン１ｍｏｌに対し、酸化第一銅が０．０１ｍｏｌ乃至１００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至１０ｍｏｌの範囲であり、シリル基置換アルケンが０．０１ｍｏｌ乃至５００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至２５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌの範囲で添加することができる。この範囲を外れた場合、目的物である非対称βジケトン配位銅錯体の収量が低くなったり、精製が困難となる場合がある。
【００２８】
一般式（２）のシリル基置換アルケンの共存下、一般式（３）のβジケトンに酸化第一銅を反応させる場合、副生する水をモレキュラーシーブ、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の脱水剤を共存させて除去することが好ましい。脱水剤を共存させることにより、目的物の非対称βジケトン配位銅錯体の収率が向上する場合がある。
【００２９】
また、一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体は、一般式（２）のシリル基置換アルケン共存下、一般式（４）のβ−ジケトン塩にハロゲン化銅（Ｉ）化合物を反応させることによっても製造することができる。
【００３０】
この際の量論比については、特に限定されないが、βジケトン塩１ｍｏｌに対し、ハロゲン化銅（Ｉ）化合物が０．０１ｍｏｌ乃至１００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至１０ｍｏｌの範囲であり、シリル基置換アルケンが０．０１ｍｏｌ乃至５００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至２５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌの範囲で添加することができる。この範囲を外れた場合、目的物である非対称βジケトン配位銅錯体の収量が低くなったり、精製が困難となる場合がある。
【００３１】
一般式（４）で示されるβジケトン塩の製造方法としては、βジケトンと水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属とを反応させるか、又はβジケトンと水素化カルシウム等の水素化アルカリ土類金属とを反応させることにより製造することができる。また、βジケトンと水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属とを反応させるか、又はβジケトンと水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化アルカリ土類金属とを反応させることによっても製造できる。この際、副生する水をモレキュラーシーブ、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の脱水剤を共存させて除去することが望ましい。脱水剤を共存させることにより、目的物の非対称βジケトン配位銅錯体の収率が向上する場合がある。
【００３２】
Ｍであるアルカリ金属及びアルカリ土類金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ等が挙げられる。
【００３３】
非対称βジケトン配位銅錯体を製造する際、溶媒非存在下、又は溶媒存在下で反応を行うことができる。溶媒の種類は、当該技術分野で使用されるものであれば特に限定されるものではない。例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−デカン等の飽和炭化水素類、トルエン、キシレン、デセン−１等の不飽和炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類を挙げることができる。
【００３４】
しかしながら、溶媒希釈しない製造法を用いることにより、非対称βジケトン配位銅錯体の顕著な収率向上及び反応器当りの収量向上が観られる場合がある。
【００３５】
銅錯体を製造する際の反応温度については、特に限定されないが、生成する銅錯体が分解しない様な温度範囲で行うことが好ましい。通常、工業的に使用されている温度である−７８〜２００℃の範囲、好ましくは、−５０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応の圧力条件は、加圧下、常圧下、減圧下いずれであっても可能である。
【００３６】
製造された非対称βジケトン配位銅錯体の精製法については特に限定されないが、減圧蒸留及びシリカ、アルミナ、高分子ゲルを用いたカラム分離精製を使用することができる。この際の操作は、当該有機金属化合物合成分野での方法に従えばよい。すなわち、例えば、脱水及び脱酸素された窒素又はアルゴン雰囲気下で行い、使用する溶媒及び精製用のカラム充填剤等は、予め脱水操作を施しておくことが好ましい。この操作により、生成する銅錯体の収量及び純度が向上する場合がある。
【００３７】
以下に実施例を示すが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００３８】
【実施例】
実施例１
［非対称βジケトンアルカリ金属塩の製造］
窒素気流下、攪拌装置を有する５００ｍｌのガラス製反応器に、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン２８．１ｇ（１４３ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン４００ｍｌに希釈し、８５％純度の水酸化カリウム９．４６ｇ（１４３ｍｍｏｌ）及びモレキュラーシーブ２００ｍｌを添加し、室温で４時間攪拌し１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩溶液を得た。反応後、モレキュラーシーブをガラスフィルターで除去し、得られた濾液からテトラヒドロフランを減圧留去し、ｎ−ペンタンでスラリー化し、ガラスフィルターで目的物である１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩２０．５ｇ（８７．４ｍｍｏｌ）を得た。収率は、６１．０％であった。
［非対称βジケトン配位銅（Ｉ）錯体の製造］
窒素気流下、攪拌装置を有する２００ｍｌのシュレンク管に１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩７．０３ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅３．５６ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、ビニルトリメチルシラン１５．０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を仕込み、これに乾燥ｎ−ペンタン１５０ｍｌを加え、反応を開始した。室温で２７時間反応させた後、未反応物及び副生物である塩化カリウムをガラスフィルターで除去し、得られた濾液からｎ−ペンタンを留去し、目的物である（１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体８．４３ｇ（２３．５ｍｏｌ）を得た。収率は、７８．３％（カリウム塩基準）に相当した。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００３９】
目的物の元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ22Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４３．２，Ｈ：６．２，Ｆ：１６．３，Ｃｕ：１７．４，Ｓｉ：７．９，Ｋ：検出されず）
計算値（Ｃ：４３．５，Ｈ：６．１，Ｆ：１５．９，Ｃｕ：１７．７，Ｓｉ：７．８，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９６ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．０９ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１１ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１８ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で１９９Ｐａであり、ＭＯＣＶＤ材料として十分な蒸気圧を有していることが判明した。
【００４０】
実施例２
実施例１において、ビニルトリメチルシランに変えて、ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシラン２１．３ｇ（１５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様にして、目的物である（１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシランの製造を行った。結果は、目的物の濃青色液体を収率６９．１％で得た。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００４１】
元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は、以下の通りであった。
Ｃ16Ｈ28Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４７．１，Ｈ：６．８，Ｆ：１４．４，Ｃｕ：１５．７，Ｓｉ：７．１，Ｋ：検出されず）
計算値（Ｃ：４７．９，Ｈ：７．０，Ｆ：１４．２，Ｃｕ：１５．９，Ｓｉ：７．０，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９５ｐｐｍ（６Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ０．８００ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉtＢｕ）、δ１．０７ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１７ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で２４．７Ｐａであり、ＭＯＣＶＤ材料として十分な蒸気圧を有していることが判明した。
【００４２】
実施例３
窒素気流下、攪拌装置を有する１００ｍｌのシュレンク管に１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン５．８９ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、酸化第一銅５．１５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、ビニルトリメチルシラン１５．０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブ３０ｍｌを仕込み、室温で２２時間攪拌反応させた。モレキュラーシーブ及び未反応の酸化第一銅をガラスフィルターで除去し、濾液から、未反応の１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン及びビニルトリメチルシランを減圧条件下留去し、目的物である１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体１０．０５ｇ（２８．０ｍｏｌ）を得た。収率は、９３．３％（ヘキサンジオン基準）に相当し、極めて高収率であり、無溶媒での製造の効果が確認された。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００４３】
目的物の元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ22Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４３．２，Ｈ：６．２，Ｆ：１６．３，Ｃｕ：１７．４，Ｓｉ：７．９）
計算値（Ｃ：４３．５，Ｈ：６．１，Ｆ：１５．９，Ｃｕ：１７．７，Ｓｉ：７．８）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０８８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．０８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１６ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
比較例１
実施例１において、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンに変えて、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン用いたこと以外は、実施例１と同様にして１，１，１−トリフルオロアセチルアセトンのカリウム塩を得、目的物である（１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体を得た。収率は、５７．３％であった。本濃青色液体の1Ｈ−ＮＭＲは、以下の通りである。
【００４４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０６８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．７４ｐｐｍ（３Ｈ，ｓ，ＣＨ3（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１２ｐｐｍ（３Ｈ，ｂｒｏａｄ，ＣＨ2＝ＣＨ−）、δ５．７３ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
しかしながら、本１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体を窒素雰囲気下、室温にて３時間放置したところ、緑色固体及び黄金色の金属銅が析出し、目的物の液体がすべて固化した。すなわち、室温で本銅錯体が不安定で分解し易く、ＭＯＣＶＤ材料としては不適であることが認められた。
【００４５】
比較例２
実施例１において、ビニルトリメチルシランに変えて、ビニルトリエトキシシラン２８．５ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして非対称βジケトン銅（Ｉ）錯体を製造したが、青緑色の固体が得られたのみであった。元素分析を行ったところＣｕ含有量が３．４ｗｔ％であった。計算値の１４．２ｗｔ％とはかけ離れており、目的の錯体が合成されていないことが判明した。
比較例３
実施例１において、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンにかえて、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン２９．８ｇ（１４３ｍｍｏｌ）とし、ビニルトリメチルシランにかえて、ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシラン２１．３ｇ（１５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様にして、目的物である（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシランを製造した。結果は、目的物の濃緑色液体を収率８３．０％で得た。目的物を室温にて保存したが、その分解は無く、安定であった。
【００４６】
元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は、以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ19Ｏ2Ｆ6ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：３７．４，Ｈ：４．６，Ｆ：２８．０，Ｃｕ：１５．２，Ｓｉ：６．７，Ｋ検出されず）
計算値（Ｃ：３７．８，Ｈ：４．６，Ｆ：２７．６，Ｃｕ：１５．４，Ｓｉ：６．８，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９２ｐｐｍ（６Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ０．７９ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，Ｓｉ−ｔＢｕ）、δ４．２０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．２１ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で２．２Ｐａであり、実施例１乃至３で製造したＣｕ（Ｉ）錯体よりも低い蒸気圧を有していた。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の顕著な効果が奏される。
【００４８】
本発明の第一の効果としては、従来の弗素含有βジケトン銅（Ｉ）ビニルシラン錯体よりも弗素含有量が低く、安定であり、蒸気圧が高い新規な銅錯体を提供することが可能となった。殊に本錯体は、銅配線用ＭＯＣＶＤ材料として好適である。
【００４９】
第二の効果としては、非対称β−ジケトンを配位子として有する銅（Ｉ）錯体を製造するにあたり、極めて効率的で、経済的な合成処方を提供することが可能となった。
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅薄膜層の形成に好適な銅錯体及びその製造方法に関するものである。殊に高速高集積回路配線、すなわち、高速演算回路用の銅配線を化学蒸着法により形成させる際に用いるに好適な銅錯体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子産業の集積回路分野の製造技術において、高集積化かつ高速化の要求が高まっている。現在、集積回路の大部分にアルミニウム配線が使用されているが、高集積化及び高速化の要求にともなって、より電気抵抗が低く、マイグレーション耐性のある銅による配線技術が実用化されつつある。
【０００３】
銅配線の形成技術については、０価のＣｕスパッタリング法と二価Ｃｕの溶液メッキ法を組み合わせた方法と主に一価Ｃｕの有機金属錯体を用いた化学蒸着法（以下ＭＯＣＶＤ法と記載）とがある。しかしながら、前者のスパッタ法とメッキ法を組み合わせた方法では、０．０７μｍ以下程度の小さい口径を有する深い溝に対する埋め込みが困難である。これを解決する為にＭＯＣＶＤ法が用いられ、高い深さ／口径比（高アスペクト比）の溝や孔及び段差を凹凸が小さく平滑かつ良好な膜質で被覆することが可能となった。
【０００４】
上記のＭＯＣＶＤ用銅化合物としては既に種々のものが知られている。例えば、特許文献１では、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランを用いることを提案している。本銅化合物は、液状である為、供給量を液体流量計で制御でき、蒸気圧も比較的高く、従来の固体の化合物に比し、ＭＯＣＶＤ材料としては、使い易くなっている。
【０００５】
しかしながら、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランは、気化のための長時間加熱によって徐々に分解し、Ｃｕ（Ｏ）の析出があったり、トリメチルビニルシランのオリゴマー及びポリマーが生成し、装置内の閉塞原因となる場合があった。更にヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランは、弗素含有量が高いことから、これを用いＭＯＣＶＤにより、ＬＳＩ用銅配線を形成した場合、銅配線組成中に弗素が残存し、ＴａＮ，ＴｉＮ等のバリアメタルに対する密着性が、スパッタリング法によるものに比し、極めて劣ることが問題となっている。より、弗素含有量の低い銅化合物が求められている。
【０００６】
この問題点を解決する為に本発明者らは、既に、特許文献２及び特許文献３に示される銅化合物を提案している。しかしながら、これら特許文献で提案した銅化合物の蒸気圧は、高成膜速度を実現する為には、不十分であった。より高い蒸気圧を有する安定な銅化合物が求めらている。
【０００７】
すなわち、市場からは、常に高性能な銅化合物に対する要求があり、特に弗素含有量が低く、高蒸気圧特性を有し、気化温度範囲内で安定であり、２００℃程度の比較的低い温度で分解して、蒸着可能な銅錯体が切望されている。
【０００８】
【特許文献１】
特許第２１３２６９３号
【特許文献２】
特開２００２−１９３９７４号公報
【特許文献３】
特開２００２−１９３９８８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来技術の問題を解決すること、すなわち、本発明は、蒸気圧が高く、気化が安定的かつ容易で、その銅薄膜の形成速度が制御可能な低弗素含有量のＭＯＣＶＤ用銅錯体の提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、非対称βジケトン配位子と特定構造のシリル基置換オレフィン配位子との組み合わせを有する銅化合物が熱的に安定であり、蒸気圧が高く、ＭＯＣＶＤ材料として良質の銅薄膜を制御可能な速度で形成可能な銅化合物を見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）
【００１２】
【化４】
で示される銅錯体及びその製造方法を提供することにあり、殊に上記一般式（１）で示される銅錯体は、Ｃｕ−ＭＯＣＶＤ材料として銅薄膜形成に有用である。
【００１３】
以下、本発明の詳細について説明する。
【００１４】
上記一般式（１）おいてＲ1，Ｒ2は、炭素数１乃至２０、好ましくは、銅錯体の蒸気圧を上昇させるために炭素数１乃至１０の炭化水素基であり、Ｒ1どうし、Ｒ2どうしは、同一であっても異なっても良い。
【００１５】
炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアリール基を挙げることができる。
【００１６】
具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ．−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔｅｒｔ．−アミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル、トルイル基等をあげることができる。
【００１７】
Ｒfは、少なくとも一つの弗素原子を有する炭素数１〜２０の弗化炭化水素基である。弗化炭化水素基としては、少なくとも一つの弗素原子を有する炭化水素基であれば特に限定されるものではなく、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０の弗化飽和炭化水素基や弗化不飽和炭化水素基等をあげることができる。
【００１８】
弗化飽和炭化水素基としては、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロシクロプロピル基、パーフルオロメチルシクロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロシクロペンチル基、パーフルオロメチルシクロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロ−１，２−ジメチルシクロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基等のパーフルオロカーボン残基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、２−パーフルオロアルキルエチル基のフルオロハイドロカーボン残基等を挙げることができる。
【００１９】
更に弗化不飽和炭化水素基としては、例えば、パーフルオロエテニル基、パーフルオロプロペニル基、パーフルオロ−１，３−ブタジエニル基、シクロブテニル基、パーフルオロ−２−ブチニル基、ペンタフルオロフェニル基、パーフルオロトルイル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、パーフルオロナフタレニル基、パーフルオロインデニル基、パーフルオロフルオレニル基等を挙げることができる。
【００２０】
ｎは、０乃至２０の整数、好ましくは０乃至１０の整数、特に好ましくは０乃至２の整数を表す。
【００２１】
続いて、上記一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体の製造の際に用いることができる原料について説明する。
【００２２】
銅（Ｉ）原料としては、特に限定されるものではないが、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、沃化銅（Ｉ）等のハロゲン化銅（Ｉ）化合物や酸化第一銅を用いることができる。
【００２３】
シリル基置換アルケンとしては、下記一般式（２）のシリル基置換アルケンを用いることができる。
【００２４】
【化５】
βジケトン成分としては、下記一般式（３）のβジケトン又は下記一般式（４）のβジケトン塩を用いることができる。
【００２５】
【化６】
【００２６】
【化７】
一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体の製造方法については、特に限定されるものではないが、一般式（２）のシリル基置換アルケンの共存下、一般式（３）のβジケトンに酸化第一銅を反応させることによって製造することができる。
【００２７】
この際の量論比については、特に限定されないが、β−ジケトン１ｍｏｌに対し、酸化第一銅が０．０１ｍｏｌ乃至１００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至１０ｍｏｌの範囲であり、シリル基置換アルケンが０．０１ｍｏｌ乃至５００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至２５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌの範囲で添加することができる。この範囲を外れた場合、目的物である非対称βジケトン配位銅錯体の収量が低くなったり、精製が困難となる場合がある。
【００２８】
一般式（２）のシリル基置換アルケンの共存下、一般式（３）のβジケトンに酸化第一銅を反応させる場合、副生する水をモレキュラーシーブ、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の脱水剤を共存させて除去することが好ましい。脱水剤を共存させることにより、目的物の非対称βジケトン配位銅錯体の収率が向上する場合がある。
【００２９】
また、一般式（１）の非対称βジケトン配位銅錯体は、一般式（２）のシリル基置換アルケン共存下、一般式（４）のβ−ジケトン塩にハロゲン化銅（Ｉ）化合物を反応させることによっても製造することができる。
【００３０】
この際の量論比については、特に限定されないが、βジケトン塩１ｍｏｌに対し、ハロゲン化銅（Ｉ）化合物が０．０１ｍｏｌ乃至１００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至１０ｍｏｌの範囲であり、シリル基置換アルケンが０．０１ｍｏｌ乃至５００ｍｏｌ、好ましくは、０．５ｍｏｌ乃至２５０ｍｏｌ、特に好ましくは、０．１ｍｏｌ乃至５０ｍｏｌの範囲で添加することができる。この範囲を外れた場合、目的物である非対称βジケトン配位銅錯体の収量が低くなったり、精製が困難となる場合がある。
【００３１】
一般式（４）で示されるβジケトン塩の製造方法としては、βジケトンと水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属とを反応させるか、又はβジケトンと水素化カルシウム等の水素化アルカリ土類金属とを反応させることにより製造することができる。また、βジケトンと水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属とを反応させるか、又はβジケトンと水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化アルカリ土類金属とを反応させることによっても製造できる。この際、副生する水をモレキュラーシーブ、硫酸マグネシウム、硫酸ナトリウム、炭酸ナトリウム等の脱水剤を共存させて除去することが望ましい。脱水剤を共存させることにより、目的物の非対称βジケトン配位銅錯体の収率が向上する場合がある。
【００３２】
Ｍであるアルカリ金属及びアルカリ土類金属としては、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ等が挙げられる。
【００３３】
非対称βジケトン配位銅錯体を製造する際、溶媒非存在下、又は溶媒存在下で反応を行うことができる。溶媒の種類は、当該技術分野で使用されるものであれば特に限定されるものではない。例えば、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−デカン等の飽和炭化水素類、トルエン、キシレン、デセン−１等の不飽和炭化水素類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類を挙げることができる。
【００３４】
しかしながら、溶媒希釈しない製造法を用いることにより、非対称βジケトン配位銅錯体の顕著な収率向上及び反応器当りの収量向上が観られる場合がある。
【００３５】
銅錯体を製造する際の反応温度については、特に限定されないが、生成する銅錯体が分解しない様な温度範囲で行うことが好ましい。通常、工業的に使用されている温度である−７８〜２００℃の範囲、好ましくは、−５０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。反応の圧力条件は、加圧下、常圧下、減圧下いずれであっても可能である。
【００３６】
製造された非対称βジケトン配位銅錯体の精製法については特に限定されないが、減圧蒸留及びシリカ、アルミナ、高分子ゲルを用いたカラム分離精製を使用することができる。この際の操作は、当該有機金属化合物合成分野での方法に従えばよい。すなわち、例えば、脱水及び脱酸素された窒素又はアルゴン雰囲気下で行い、使用する溶媒及び精製用のカラム充填剤等は、予め脱水操作を施しておくことが好ましい。この操作により、生成する銅錯体の収量及び純度が向上する場合がある。
【００３７】
以下に実施例を示すが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００３８】
【実施例】
実施例１
［非対称βジケトンアルカリ金属塩の製造］
窒素気流下、攪拌装置を有する５００ｍｌのガラス製反応器に、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン２８．１ｇ（１４３ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン４００ｍｌに希釈し、８５％純度の水酸化カリウム９．４６ｇ（１４３ｍｍｏｌ）及びモレキュラーシーブ２００ｍｌを添加し、室温で４時間攪拌し１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩溶液を得た。反応後、モレキュラーシーブをガラスフィルターで除去し、得られた濾液からテトラヒドロフランを減圧留去し、ｎ−ペンタンでスラリー化し、ガラスフィルターで目的物である１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩２０．５ｇ（８７．４ｍｍｏｌ）を得た。収率は、６１．０％であった。
［非対称βジケトン配位銅（Ｉ）錯体の製造］
窒素気流下、攪拌装置を有する２００ｍｌのシュレンク管に１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンのカリウム塩７．０３ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、塩化第一銅３．５６ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、ビニルトリメチルシラン１５．０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を仕込み、これに乾燥ｎ−ペンタン１５０ｍｌを加え、反応を開始した。室温で２７時間反応させた後、未反応物及び副生物である塩化カリウムをガラスフィルターで除去し、得られた濾液からｎ−ペンタンを留去し、目的物である（１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体８．４３ｇ（２３．５ｍｏｌ）を得た。収率は、７８．３％（カリウム塩基準）に相当した。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００３９】
目的物の元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ22Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４３．２，Ｈ：６．２，Ｆ：１６．３，Ｃｕ：１７．４，Ｓｉ：７．９，Ｋ：検出されず）
計算値（Ｃ：４３．５，Ｈ：６．１，Ｆ：１５．９，Ｃｕ：１７．７，Ｓｉ：７．８，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９６ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．０９ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１１ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１８ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で１９９Ｐａであり、ＭＯＣＶＤ材料として十分な蒸気圧を有していることが判明した。
【００４０】
実施例２
実施例１において、ビニルトリメチルシランに変えて、ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシラン２１．３ｇ（１５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様にして、目的物である（１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシランの製造を行った。結果は、目的物の濃青色液体を収率６９．１％で得た。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００４１】
元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は、以下の通りであった。
Ｃ16Ｈ28Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４７．１，Ｈ：６．８，Ｆ：１４．４，Ｃｕ：１５．７，Ｓｉ：７．１，Ｋ：検出されず）
計算値（Ｃ：４７．９，Ｈ：７．０，Ｆ：１４．２，Ｃｕ：１５．９，Ｓｉ：７．０，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９５ｐｐｍ（６Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ０．８００ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉtＢｕ）、δ１．０７ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１７ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で２４．７Ｐａであり、ＭＯＣＶＤ材料として十分な蒸気圧を有していることが判明した。
【００４２】
実施例３
窒素気流下、攪拌装置を有する１００ｍｌのシュレンク管に１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン５．８９ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、酸化第一銅５．１５ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、ビニルトリメチルシラン１５．０ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブ３０ｍｌを仕込み、室温で２２時間攪拌反応させた。モレキュラーシーブ及び未反応の酸化第一銅をガラスフィルターで除去し、濾液から、未反応の１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオン及びビニルトリメチルシランを減圧条件下留去し、目的物である１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体１０．０５ｇ（２８．０ｍｏｌ）を得た。収率は、９３．３％（ヘキサンジオン基準）に相当し、極めて高収率であり、無溶媒での製造の効果が確認された。目的物を室温にて保存したがその分解は無く、安定であった。
【００４３】
目的物の元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ22Ｏ2Ｆ3ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：４３．２，Ｈ：６．２，Ｆ：１６．３，Ｃｕ：１７．４，Ｓｉ：７．９）
計算値（Ｃ：４３．５，Ｈ：６．１，Ｆ：１５．９，Ｃｕ：１７．７，Ｓｉ：７．８）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０８８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．０８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，tＢｕ（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．１６ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
比較例１
実施例１において、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンに変えて、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトン用いたこと以外は、実施例１と同様にして１，１，１−トリフルオロアセチルアセトンのカリウム塩を得、目的物である（１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体を得た。収率は、５７．３％であった。本濃青色液体の1Ｈ−ＮＭＲは、以下の通りである。
【００４４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０６８ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ１．７４ｐｐｍ（３Ｈ，ｓ，ＣＨ3（Ｃ＝Ｏ））、δ４．１２ｐｐｍ（３Ｈ，ｂｒｏａｄ，ＣＨ2＝ＣＨ−）、δ５．７３ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
しかしながら、本１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニルトリメチルシランの濃青色液体を窒素雰囲気下、室温にて３時間放置したところ、緑色固体及び黄金色の金属銅が析出し、目的物の液体がすべて固化した。すなわち、室温で本銅錯体が不安定で分解し易く、ＭＯＣＶＤ材料としては不適であることが認められた。
【００４５】
比較例２
実施例１において、ビニルトリメチルシランに変えて、ビニルトリエトキシシラン２８．５ｇ（１５０ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして非対称βジケトン銅（Ｉ）錯体を製造したが、青緑色の固体が得られたのみであった。元素分析を行ったところＣｕ含有量が３．４ｗｔ％であった。計算値の１４．２ｗｔ％とはかけ離れており、目的の錯体が合成されていないことが判明した。
比較例３
実施例１において、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオンにかえて、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン２９．８ｇ（１４３ｍｍｏｌ）とし、ビニルトリメチルシランにかえて、ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシラン２１．３ｇ（１５０ｍｍｏｌ）としたこと以外は、実施例１と同様にして、目的物である（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト）銅（Ｉ）ビニル−ｔｅｒｔ．−ブチルジメチルシランを製造した。結果は、目的物の濃緑色液体を収率８３．０％で得た。目的物を室温にて保存したが、その分解は無く、安定であった。
【００４６】
元素分析及び1Ｈ−ＮＭＲの結果は、以下の通りであった。
Ｃ13Ｈ19Ｏ2Ｆ6ＳｉＣｕ （ｗｔ％）
測定値（Ｃ：３７．４，Ｈ：４．６，Ｆ：２８．０，Ｃｕ：１５．２，Ｓｉ：６．７，Ｋ検出されず）
計算値（Ｃ：３７．８，Ｈ：４．６，Ｆ：２７．６，Ｃｕ：１５．４，Ｓｉ：６．８，Ｋ：０．０）
1Ｈ−ＮＭＲ（ｉｎ Ｃ6Ｄ6） δ０．０９２ｐｐｍ（６Ｈ，ｓ，ＳｉＣＨ3）、δ０．７９ｐｐｍ（９Ｈ，ｓ，Ｓｉ−ｔＢｕ）、δ４．２０ｐｐｍ（３Ｈ，ｍ，ＣＨ2ＣＨ−）、δ６．２１ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ，（Ｃ＝Ｏ）ＣＨ（Ｃ＝Ｏ））
隔膜式蒸気圧測定装置により、本錯体の蒸気圧測定を行ったところ、５０℃で２．２Ｐａであり、実施例１乃至３で製造したＣｕ（Ｉ）錯体よりも低い蒸気圧を有していた。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の顕著な効果が奏される。
【００４８】
本発明の第一の効果としては、従来の弗素含有βジケトン銅（Ｉ）ビニルシラン錯体よりも弗素含有量が低く、安定であり、蒸気圧が高い新規な銅錯体を提供することが可能となった。殊に本錯体は、銅配線用ＭＯＣＶＤ材料として好適である。
【００４９】
第二の効果としては、非対称β−ジケトンを配位子として有する銅（Ｉ）錯体を製造するにあたり、極めて効率的で、経済的な合成処方を提供することが可能となった。
Claims (3)
- 下記一般式（５）
- 下記一般式（６）のシリル基置換アルケン共存下、
下記一般式（７）のβジケトンと
酸化第一銅を反応させることを特徴とする、下記一般式（５）
- 溶媒を添加することなしに、下記一般式（２）のシリル基置換アルケン共存下、
下記一般式（３）のβジケトンと
酸化第一銅を反応させることを特徴とする、下記一般式（１）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346224A JP4254218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 非対称βジケトン配位子を有する銅錯体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002346224A JP4254218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 非対称βジケトン配位子を有する銅錯体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004175755A JP2004175755A (ja) | 2004-06-24 |
| JP4254218B2 true JP4254218B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=32707200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002346224A Expired - Fee Related JP4254218B2 (ja) | 2002-11-28 | 2002-11-28 | 非対称βジケトン配位子を有する銅錯体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4254218B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4529434B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-08-25 | 東ソー株式会社 | 多置換ビニルシラン化合物を含んで成る銅錯体及び銅錯体組成物 |
| JP5561192B2 (ja) | 2010-02-26 | 2014-07-30 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法 |
| JP5505371B2 (ja) | 2010-06-01 | 2014-05-28 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
| JP5278406B2 (ja) | 2010-11-02 | 2013-09-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP5601309B2 (ja) | 2010-11-29 | 2014-10-08 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5708522B2 (ja) | 2011-02-15 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
| JP5601286B2 (ja) | 2011-07-25 | 2014-10-08 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
-
2002
- 2002-11-28 JP JP2002346224A patent/JP4254218B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004175755A (ja) | 2004-06-24 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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