JP4252343B2 - Vacuum drying apparatus and vacuum drying method - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に存在する薬液を減圧して乾燥させる技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体基板や液晶用ガラス基板などの製造工程においては、例えば、基板の表面にレジスト液を塗布して薄膜を形成する処理や、基板に洗浄液を吐出して洗浄する処理など、各種薬液を使用した処理が行われる。基板に対して薬液を使用した処理が行われると、処理後の基板の表面から薬液を除去する処理を行う必要があり、従来より、このような除去処理を行う装置として、減圧された雰囲気下に基板を保持し、付着した薬液を揮発させることによって乾燥除去する減圧乾燥装置が提案されている。例えば、このような減圧乾燥装置が特許文献1に記載されている。
【0003】
特許文献1に記載されている減圧乾燥装置では、処理する基板をチャンバなどの部材で密閉された処理空間内に保持し、処理空間内の雰囲気を真空ポンプなどの吸引装置で吸引することにより減圧する。このように基板周辺の雰囲気を減圧することによって、基板の周辺雰囲気中の気体密度が低下することから、基板に付着した薬液を効率よく揮発させることができる。また、揮発した薬液は、真空ポンプによって吸引され、処理空間内から装置外に排気される。なお、このような従来の減圧乾燥装置によって乾燥除去される薬液は、基板に対して使用された処理液そのものであってもよいし、処理液のうちの液体成分(溶剤成分)であってもよい。処理液のうちの溶剤成分が乾燥除去される場合とは、例えば、処理液としてレジスト液を使用した場合などであって、基板の表面にレジスト液の固体成分が薄膜として残留することによってレジスト膜が形成される。
【0004】
このように、基板の表面に薄膜を形成する場合には、未乾燥の基板に気流が当たると、薄膜の表面に気流による流紋や風紋などが形成されてしまい、薄膜の膜厚が不均一になるため、減圧乾燥装置では、雰囲気を吸引する吸引口を基板の表面から比較的遠い位置に設けている。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−263548公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記減圧乾燥装置のように吸引口を基板の表面から遠い位置(主には裏面側)に設けると、基板の表面付近に気流の滞留部分が生じ、その部分においては基板の表面から揮発した薬液の気体成分がすみやかに排気されないという問題があった。すなわち、薬液の気体成分が基板の表面付近に高濃度で残留するという問題があった。このように、基板の周辺雰囲気中に薬液の気体成分が高濃度で残留した場合、以後の薬液の揮発を阻害するために、結果として乾燥処理時間の長期化を招来する。また、残留した気体成分が復圧時に凝縮して基板に再付着する。
【0007】
また、上記減圧乾燥装置では、吸引口の分布状態などにより、処理空間内において気流を均一に発生させることが難しく、特に基板が大型化した場合に、基板の表面付近に気流の滞留ムラを生じるため、基板の乾燥ムラおよび乾燥不良が発生するという問題があった。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板に付着した薬液の乾燥ムラおよび乾燥不良を抑制しつつ、減圧乾燥における処理時間を短縮させることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項1の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、前記処理空間内で基板を保持する保持台と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段とを備え、前記除去手段が、前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、前記攪拌手段が、前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去する。
【0011】
また、請求項の発明は、請求項の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、回転駆動力を生成する回転機構と、前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有する。
【0012】
また、請求項の発明は、請求項の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記攪拌手段が、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有する。
【0013】
また、請求項の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、前記処理空間内で基板を保持する保持台と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段と、を備え、前記除去手段が、前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、前記変更手段が、前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させる。
【0014】
また、請求項の発明は、請求項の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動する。
【0015】
また、請求項の発明は、請求項の発明に係る減圧乾燥装置であって、前記変更手段が、前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構とを有する。
【0018】
また、請求項7の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記処理空間内において物体を動かすことにより気流を発生させ、発生させた気流により、前記保持工程において保持された基板の周辺雰囲気を攪拌させる攪拌工程と、を有する。
また、請求項8の発明は、基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程とを有する。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【0021】
<1. 第1の実施の形態>
図1は、本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置1の構成を示す図である。基板処理装置1は、各装置間で基板を保持しつつ搬送する搬送機構10、図示しない装置外の搬送機構から基板を受け取るインデクサ11、基板にレジスト液を塗布する塗布装置12、塗布されたレジスト液を減圧乾燥させる減圧乾燥装置13、外部の搬送機構に基板を排出するインデクサ19、および制御装置20を備える。なお、図1において、図示および説明の都合上、Z軸方向が鉛直方向を、XY平面が水平面をそれぞれ表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【0022】
本実施の形態において基板処理装置1は、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板90としているが、基板処理装置1は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、半導体ウェハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルタ用基板などの種々の基板を利用することもできる。
【0023】
搬送機構10は、複数の搬送シャトル(図示せず)を備え、X軸方向に基板90を搬送する。なお、本実施の形態における搬送機構10は、いわゆる1軸駆動型の搬送機構であるが、各装置間で基板90を搬送する機構はこれに限られるものではない。例えば、基板90を3次元的に移動させることができる搬送ロボットなどが用いられてもよい。
【0024】
インデクサ11および19は、基板処理装置1と外部の搬送機構との間で基板90を受け渡しするインタフェース機能を有するとともに、図示しない回転機構により基板90を水平面内で回転させることにより、基板90の向きを調整する機能をも有する。
【0025】
塗布装置12は、搬送機構10によりインデクサ11から搬送された基板90を所定の位置に保持しつつ、レジスト液供給部(図示せず)から供給されるレジスト液をスリットノズルから基板90の表面に対して吐出することにより、レジスト液を塗布する、いわゆるスリットコータである。なお、本実施の形態における塗布装置12は、基板90の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板90の表面にレジスト液を塗布する装置として構成されており、レジスト液を吐出するようになっているが、例えばカラーフィルタ用材料などを塗布する装置であってもよい。
【0026】
図2は、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13の概略断面図である。減圧乾燥装置13は、減圧乾燥装置13を構成する各部の基台として機能するベース130、基板90を覆うためのチャンバ131、および基板90を保持するベースプレート133を備えており、チャンバ131によって処理空間132が形成される。なお、図2では、図示を省略しているが、減圧乾燥装置13の各構成は、必要に応じて適宜、制御装置20と接続されており、制御装置20による制御が可能とされている。
【0027】
チャンバ131は、図示しない駆動機構によってZ軸方向に移動する。搬送機構10によって減圧乾燥装置13に基板90が搬出入される場合には、チャンバ131は(+Z)方向に移動することにより搬入位置(図示せず)に移動し、搬送機構10(および搬送されている基板90)と干渉することがないようにされる。また、減圧乾燥装置13が基板90に対して減圧乾燥処理を行う間、チャンバ131は(−Z)方向に移動することにより処理位置(図2に示す位置)に移動し、ベース130と密着することによって、密閉された空間である処理空間132を形成する。
【0028】
ベースプレート133の(+Z)側の面には、Z軸方向に進退する複数の支持ピンが設けられており、当該支持ピンの先端が基板90の裏面に当接することによって基板90を処理空間132の所定の位置に水平保持する。なお、ベースプレート133は、図示しない支持部材によってベース130に対して所定の位置となるように配置されている。
【0029】
減圧乾燥装置13は、これらの構成の他に、さらに、吸引機構14および攪拌機構16を備えている。
【0030】
吸引機構14は、制御装置20からの制御信号に応じて駆動される真空ポンプ140、吸引した雰囲気を導くための流路となる吸引配管141、および吸引配管141が連通接続される吸引口142から構成される。吸引機構14は、真空ポンプ140を駆動することにより処理空間132の雰囲気を吸引配管141を介して吸引口142から吸引する機能を有する。なお、吸引機構14によって吸引された処理空間132内の雰囲気は、さらに図示しない排気配管を介して装置外に排気される。また、図2では、1つの吸引口142のみがベース130の中央部に設けられている状態を図示しているが、本実施の形態における減圧乾燥装置13は複数の吸引口142を有しており、それらの吸引口142はベース130の中央部以外の位置にも配置されている。
【0031】
攪拌機構16は、制御装置20からの制御信号に応じて駆動される回転モータ160、回転モータ160によって生成される回転駆動力を伝播させる駆動軸161、および駆動軸161に取り付けられるファン162を備え、チャンバ131の基板90に対向する位置に取り付けられている。
【0032】
攪拌機構16は、制御装置20からの制御信号に応じて回転モータ160を駆動することにより、駆動軸161に取り付けられているファン162を軸Pを中心に回転させる。ファン162が回転によって処理空間132内には気流が発生するため、これによって処理空間132内の雰囲気が攪拌される。すなわち、攪拌機構16は、基板90の周辺雰囲気を攪拌させることによって、気流の滞留を解消し、処理空間132内の雰囲気を均一化させる機能を有する。なお、本実施の形態における攪拌機構16は、処理空間132を均一に攪拌するために、回転モータ160の回転軸Pの位置がベースプレート133に保持された基板90の中心位置付近になるように配置されている。
【0033】
図1に戻って、制御装置20は、一般的なマイクロコンピュータとしての機能を有する装置であって、主に演算装置(CPU)および記憶装置(RAMおよびROM)などから構成される。また、制御装置20は、基板処理装置1の各装置および各構成との間で信号のやり取りが可能な状態で接続されており、プログラムに基づいて動作することによって、適宜、各構成に対して制御信号を出力し、それらを制御する。なお、図1において、制御装置20を基板処理装置1の外部に図示しているが、実際は制御装置20は基板処理装置1の内部に設けられている。
【0034】
以上が本実施の形態における基板処理装置1の構成および機能の説明である。次に、基板処理装置1における基板処理の動作について説明する。なお、基板処理装置1では、特に断らない限り、以下の動作は制御装置20によって各装置および各構成が制御されることによって実行される。
【0035】
基板処理装置1では、図示しない外部の搬送機構により基板90が搬入されると、インデクサ11によって搬入された基板90の向きが調節された後、搬送機構10によって当該基板90が塗布装置12に搬送される。
【0036】
次に、塗布装置12が、搬送された基板90を所定の位置に保持しつつ、スリットノズルからレジスト液を吐出して当該基板90の主面にレジスト液を塗布する。レジスト液が塗布された基板90は、搬送機構10により塗布装置12から搬出され、減圧乾燥装置13に搬送される。
【0037】
図3は、本実施の形態における減圧乾燥装置13の動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13では、基板90に対する処理に先立って、まず初期設定が行われる(ステップS11)。初期設定では、図示しない駆動機構によりチャンバ131を搬入位置に配置するとともに、ベースプレート133の支持ピンがベースプレート133内に退出した状態とされる。
【0038】
次に、搬送機構10の搬送シャトルによりレジスト液が塗布された基板90が搬入されるまで待機する(ステップS12)。搬送機構10により基板90が搬入されると、ベースプレート133の支持ピンを(+Z)方向に進出させ、支持ピンを基板90の裏面に当接させることにより、基板90を所定の位置に保持する(ステップS13)。基板90がベースプレート133に保持されると、搬送機構10の搬送シャトルは減圧乾燥装置13から退出する。
【0039】
搬送機構10の搬送シャトルが退出すると、減圧乾燥装置13は、チャンバ131を処理位置に移動させて処理空間132を形成し(ステップS14)、吸引機構14による吸引を開始する(ステップS15)。具体的には、吸引機構14が真空ポンプ140を駆動して、処理空間132の雰囲気を吸引口142から吸引配管141を介して吸引する。減圧乾燥装置13では、処理空間132は密閉された空間として形成されているため、吸引機構14が吸引を開始することにより、処理空間132の減圧が開始される(基板90に対する減圧乾燥処理が開始される)。
【0040】
減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過した時点で、攪拌機構16が回転モータ160を駆動してファン162の回転を開始させることにより、攪拌機構16による攪拌を開始する(ステップS16)。
【0041】
このように、減圧乾燥装置13では、減圧乾燥処理の実行中に攪拌機構16によって処理空間132の雰囲気を攪拌することにより、溶剤の気体成分濃度が高い雰囲気を基板の周辺雰囲気から攪拌除去する。すなわち、周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度を低下させることにより、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去されるため、溶剤のさらなる揮発を阻害することがなく、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。
【0042】
また、このような攪拌によって、基板90の周辺雰囲気において、揮発した溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を防止することができる。
【0043】
なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13のように、攪拌機構16による攪拌は、減圧乾燥処理が開始されてから所定の時間が経過し、基板90に塗布されたレジスト液がある程度乾燥した後に開始することが好ましい。これは、攪拌によって発生する気流が未乾燥のレジスト膜に当たると、塗布ムラ(膜圧の不均一)を生じるからである。また、減圧乾燥処理が十分に行われていない状態(所定の時間が経過する前の状態)では、基板90の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分濃度は低く、攪拌する必要性も低いからである。
【0044】
また、攪拌機構16の回転モータ160は、発生する気流によってレジスト膜に塗布ムラを生じさせることのないように、十分に低速回転で駆動される。このように、攪拌機構16の回転モータ160を低速に回転させたとしても、気流の滞留を解消するには十分であり、本実施の形態における減圧乾燥装置13は前述の効果を得ることができる。
【0045】
処理空間132が所定の圧力に減圧されると、吸引機構14による吸引を停止し(ステップS17)、さらに、当該所定の圧力による減圧乾燥処理が所定の時間継続された後、攪拌機構16による攪拌を停止する(ステップS18)。
【0046】
次に、減圧乾燥装置13は、チャンバ131を搬入位置に移動させて(ステップS19)、処理空間132を大気開放し、基板90の減圧乾燥処理を終了する。減圧乾燥装置13では、前述のように、攪拌機構16によって処理空間132内の雰囲気が攪拌されているため、従来の装置に比べて、基板90の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度が低い状態とされている。したがって、減圧乾燥処理の終了に伴う複圧(大気開放)によって、溶剤が凝縮して基板90に再付着することを抑制することができる。
【0047】
さらに、減圧乾燥装置13は、搬送機構10の搬送シャトルが基板90の受け取り位置に移動した時点で、ベースプレート133の支持ピンを(−Z)方向に退出させて基板90を当該搬送シャトルに受け渡す。
【0048】
減圧乾燥装置13は、搬送機構10の搬送シャトルにより基板90が搬出されるまで待機した後(ステップS20)、基板90に対する処理を終了する。なお、基板処理装置1では、順次、他の基板90に対して処理を継続するため、減圧乾燥装置13はステップS11に戻って処理を繰り返す。
【0049】
減圧乾燥装置13から搬出された基板90は、インデクサ19に搬送され、図示しない装置外の搬送機構に応じて基板90の向きが調整された後、当該装置外の搬送機構により、基板処理装置1から搬出される。
【0050】
以上のように、本実施の形態における減圧乾燥装置13は、ベースプレート133に保持された基板90の周辺雰囲気から溶剤(薬液)の気体成分を、攪拌機構16によって攪拌除去する。これにより、減圧乾燥処理の実行中に、溶剤の気体成分濃度の高い雰囲気が基板90の表面付近に滞留することを抑制することができるため、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。また、減圧乾燥処理を終了して、処理空間132を大気開放する際に、溶剤が凝縮して基板90に再付着することを抑制することができる。
【0051】
また、攪拌機構16によって基板90の周辺雰囲気における溶剤の気体成分濃度を均一化させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【0052】
さらに、回転モータ160およびファン162からなる平易な攪拌機構16によって基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、減圧乾燥装置13の装置構成を複雑化させることがなく、装置のコストの上昇を抑えることができる。
【0053】
<2. 第2の実施の形態>
第1の実施の形態では、回転モータ160およびファン162から構成される攪拌機構16により、処理空間132内の雰囲気を攪拌させる例について説明したが、攪拌機構16の構成は、このような部材から構成される機構に限られるものではない。すなわち、処理空間132内において物体を可動させることによって気流を発生させ、発生した気流によって基板90の周辺雰囲気を攪拌する機構であれば、どのような周知の機構が用いられてもよい。
【0054】
図4は、このような原理に基づいて構成した第2の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13aを示す部分断面図である。なお、第1の実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0055】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13aを採用する点を除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0056】
減圧乾燥装置13aは、処理空間132内の雰囲気を攪拌する機構として攪拌機構16aを備えている。攪拌機構16aは、回動機構163および複数のルーパー164を備えている。
【0057】
回動機構163は、回転駆動力を生成する回転モータと、回転量を所定量に制限する部材とから構成され(共に図示せず)、各ルーパー164を回動させる機能を有する。
【0058】
各ルーパー164は、矩形の板状部と、円筒状のシャフト部とから構成される。シャフト部は、円筒の中心軸が回転軸となっており、各ルーパー164は、当該回転軸がY軸と平行となる向きに、互いに所定の間隔でチャンバ131に取り付けられている。なお、図4には4つのルーパー164を図示しているが、ルーパーの数はこれに限られるものではない。
【0059】
各ルーパー164は、基板90のY軸方向のほぼ全幅に相当する長さを有しており、回動機構163によってシャフト部の回転軸を中心として、図4に示すように所定の回転量の範囲で回動する。すなわち、回動機構163は、各ルーパー164に対して、各回転軸を中心としたいわゆる首振り運動をさせる。
【0060】
以上のような構成を有する本実施の形態における基板処理装置1の動作は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様である。ただし、図3に示すステップS16において、攪拌機構16aによる攪拌が開始されると、回動機構163が各ルーパー164を回動駆動させ、ステップS18の実行により攪拌機構16aによる攪拌が停止されるまで、各ルーパー164の回動駆動を継続する。
【0061】
このように、ルーパー164が回動駆動されることにより、処理空間132内に気流が発生し、処理空間132内の雰囲気が攪拌され、溶剤の気体成分濃度が均一化される。
【0062】
以上により、本実施の形態における減圧乾燥装置13aのように、回動機構163および複数のルーパー164によって構成される攪拌機構16aによっても、処理空間132内の雰囲気を攪拌することができることから、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0063】
<3. 第3の実施の形態>
上記実施の形態では、基板90の周辺雰囲気を攪拌することによって、周辺雰囲気から溶剤(溶液)の気体成分を除去するよう構成していたが、溶剤の気体成分を除去する手法としては、これに限られるものではない。
【0064】
図5は、このような原理に基づいて構成した第3の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13bを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0065】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13bを採用する点を除いて、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0066】
本実施の形態における減圧乾燥装置13bは、吸引機構15および変更機構17を備えている。
【0067】
吸引機構15は、真空ポンプ150、吸引口151,152、吸引配管153,154を備えており、第1の実施の形態における吸引機構14とほぼ同様の機能を有する。
【0068】
変更機構17は、支柱部材170、固定部材171、ストッパー172、および伸縮部材173を備えている。
【0069】
柱状の部材である支柱部材170は、処理空間132内にZ軸に沿った方向に配置され、その(+Z)側の端部がベースプレート133の裏面(基板90の保持面に対して反対側の面)中央部に取り付けられている。また、支柱部材170はベース130を貫通して、その(−Z)側の端部が固定部材171に固設されている。支柱部材170とベース130との間は、シールされることなく、隙間が設けられており、処理空間132は、後述する伸縮部材173の内部と連通接続されている。
【0070】
固定部材171は、X軸方向の両端部がストッパー172に設けられた空洞部にはめ込まれており、ストッパー172によってそのZ軸方向の移動範囲が制限されている。また、固定部材171には、図示しないバネなどの付勢部材が取り付けられており、常に(−Z)方向に付勢されている。これにより、固定部材171は(+Z)方向の力が作用しない状態では、図5に示すように、(−Z)方向の最端部に配置される。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13bのようにZ軸が鉛直方向とされる場合には、固定部材171には、常に(−Z)方向に重力が作用するため、変更機構17は前述のような付勢部材を設けない構成とされていてもよい。
【0071】
ストッパー172は、固定部材171を挟み込むように配置されており、図示しない部材によりベース130との相対位置が固定されている。ストッパー172は、前述のように、固定部材171のZ軸方向の移動範囲を制限するとともに、固定部材171がX軸およびY軸方向に移動しないように、その移動方向を案内するガイドとしての機能を有している。
【0072】
伸縮部材173は、Z軸方向に伸縮可能であるとともに、伸縮部材173の内部と外部との間で気体の出入りがないように遮断可能な部材で構成されている。また、伸縮部材173の(+Z)側の端部はベース130に固設され、(−Z)側の端部は固定部材171に固設される。
【0073】
これにより、減圧乾燥装置13bでは、ベースプレート133が支柱部材170および固定部材171を介して伸縮部材173に取り付けられた構成となっており、伸縮部材173がZ軸方向に伸縮することにより、ベースプレート133がZ軸方向に移動する。なお、固定部材171が(−Z)方向の最端部にある場合に伸縮部材173は最大伸長状態(図5に示す状態)となり、一方、固定部材171が(+Z)方向の最端部にある場合に伸縮部材173は最大収縮状態となる。
【0074】
図6は、伸縮部材173の最大収縮状態を示す図である。減圧乾燥装置13bでは、伸縮部材173が最大収縮状態にある場合に、ベースプレート133に保持された基板90がチャンバ131と接触しないように、予めストッパー172の配置位置が決定されている。
【0075】
次に、第3の実施の形態における基板処理装置1の動作を説明する。第3の実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13bの動作以外は上記実施の形態における基板処理装置1の動作とほぼ同様の動作を行う。
【0076】
は、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13bにおいても、上記実施の形態における減圧乾燥装置13,13aと同様に、まず、初期設定が行われる(ステップS21)。このとき、チャンバ131は予め搬入位置に配置される。また、伸縮部材173は最大伸長状態となっており、固定部材171に(+Z)方向の力が作用していないため、固定部材171は(−Z)方向の最端部に配置されている(図5)。
【0077】
次に、搬送機構10により減圧乾燥装置13bに基板90が搬入されると(ステップS22においてYes)、ベースプレート133の支持ピンが(+Z)方向に進出し、ベースプレート133が基板90を保持する(ステップS23)。続いて、チャンバ131を処理位置に移動させて(ステップS24)、基板90を外部雰囲気と遮断し、処理空間132を形成する(図5に示す状態となる)。
【0078】
基板90が外部雰囲気と遮断され密閉状態におかれると、吸引機構15が処理空間132の雰囲気の吸引を開始する(ステップS25)。これにより、減圧乾燥装置13bによる減圧乾燥処理が開始される。
【0079】
本実施の形態における減圧乾燥装置13bにおいて減圧乾燥処理が開始されると、処理空間132と伸縮部材173の内部とが連通接続されていることから、伸縮部材173の内部雰囲気が処理空間132に向かって吸引される。すなわち、処理空間132が減圧されるにしたがって伸縮部材173の内部圧が減少し、大気圧の作用によって伸縮部材173が収縮する。
【0080】
伸縮部材173は主にZ軸方向にのみ伸縮可能とされていることから、当該収縮によって生じる力が固定部材171に(+Z)方向の力として作用し、これにより、ベースプレート133が(+Z)方向に移動する。すなわち、減圧乾燥装置13bでは、処理空間132の減圧が進行するにしたがって、ベースプレート133が(+Z)方向に移動する。
【0081】
ここで、基板90の主面とチャンバ131との間の空間を空間Dとすると、空間Dの体積は、基板90とチャンバ131との相対距離(Z軸に沿った方向の距離、以下、「距離T」と称する)と、基板90の面積との積によって決定される。したがって、減圧乾燥装置13bにおいて減圧が進行し、前述のようにベースプレート133が(+Z)方向に移動すると、その移動距離に応じて、距離Tが減少方向に変化するため、空間Dの体積が減少する。すなわち、減圧乾燥処理を開始する時点における空間Dの体積をV0(図5)、減圧乾燥処理が終了する時点における空間Dの体積をV1(図6)とすると、V0>V1の関係となる。
【0082】
空間Dは、基板90の周辺雰囲気が存在する空間であるから、空間Dの体積が減少すると、基板90の周辺雰囲気が基板90の端部全周から押し出されるように流出する。これにより、減圧乾燥装置13bは、気流の滞留を解消させることができるため、乾燥ムラや乾燥不良を抑制することができる。
【0083】
また、このようにして溶剤の気体成分濃度が高い周辺雰囲気(気流の滞留部分の周辺雰囲気)自体が空間Dから流出することにより、周辺雰囲気から溶剤の気体成分が除去される。したがって、溶剤の揮発が阻害されることを抑制することができ、減圧乾燥処理に要する時間を短縮することができる。なお、距離Tを急激に減少させると、その間、空間Dが加圧された状態となり溶剤の揮発が阻害されるなどの問題を生じるが、減圧乾燥装置13bでは、処理空間132の減圧が進行するにしたがって、徐々に距離Tが減少するため、空間Dにおいてそのような現象は生じない。
【0084】
ステップS25により吸引機構15による吸引を開始してから所定の時間が経過すると、吸引機構15による吸引を停止し(ステップS26)、定圧による減圧乾燥処理を行う。その後、さらに所定の時間が経過すると、減圧乾燥装置13bは、チャンバ131を搬入位置に移動させて(ステップS27)、処理空間132を大気開放して、減圧乾燥処理を終了する。
【0085】
減圧乾燥装置13bでは、処理空間132が復圧されると、伸縮部材173の内部と外部との圧力差が解消されるため、伸縮部材173が図示しない付勢部材の付勢力によって伸長する。これによって、固定部材171が(−Z)方向の最端部に移動するため、空間Dの体積が増加する。すなわち、減圧乾燥装置13bは、復圧時に基板90の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート133が移動するため、急激に周辺雰囲気が復圧されることによって溶剤が基板90の表面に凝縮して再付着することを抑制することができる。
【0086】
減圧乾燥処理が終了すると、減圧乾燥装置13bは、搬送機構10の搬送シャトルが基板90の受け取り位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート133の支持ピンを退出させて、基板90を搬送機構10に受け渡す。
【0087】
さらに、搬送機構10が減圧乾燥装置13bから退出するまで待機(ステップS28)した後、基板90に対する処理を終了する。なお、本実施の形態における減圧乾燥装置13bにおいても、さらに他の基板90について処理を行う場合には、ステップS22に戻って処理を繰り返す。
【0088】
以上のように、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bは、基板90に対する減圧乾燥処理を行っている間に、基板90とチャンバ131との間の空間(空間D)の体積を減少させることにより、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去することができるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0089】
また、減圧乾燥装置13bは、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去するための機構として、別途、駆動機構など用いる必要がないことから、装置のコスト上昇を抑制することができる。また、減圧乾燥処理において、そのような駆動機構を制御する必要もないことから、制御装置20の処理が複雑化することもない。
【0090】
また、復圧時に基板90の周辺雰囲気が減圧される方向にベースプレート133が移動することにより、基板90の周辺雰囲気の急激な復圧を緩和することができ、基板90に溶剤が凝縮することをさらに抑制することができる。
【0091】
<4. 第4の実施の形態>
第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bでは、伸縮部材173の内部空間と外部との圧力差によってベースプレート133を移動させることにより、空間Dの体積を減少させて、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する。しかし、減圧乾燥処理中に空間Dの体積を変更する手法はこれに限られるものではない。
【0092】
図8は、このような原理に基づいて構成した第4の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13cを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0093】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13cを採用する点を除いて、第3の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0094】
本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、変更機構17aを備えている。変更機構17aは、固定部材171および伸縮部材173の代わりに、駆動機構174およびシール部材175を有している点が、第3の実施の形態における変更機構17と異なっている。
【0095】
駆動機構174は、制御装置20からの制御信号によって駆動され、支柱部材170を介してベースプレート133をZ軸方向に移動させる機能を有する。このような機能を有する駆動機構174としては、例えば、Z軸に平行に配置されたボールネジと支柱部材170に固定されたナット部材とを組み合わせ、ボールネジを回転モータで回転させることによってナット部材をZ軸方向に移動させる機構などを用いて実現することができる。なお、駆動機構174としては、エアシリンダを用いた機構など、他の周知の手法が用いられてもよい。また、駆動機構174によるベースプレート133の駆動は、第3の実施の形態と同様に、十分低速でおこなわれる。
【0096】
シール部材175は、処理空間132と外部とを密閉するための部材であって、処理空間132が吸引機構15による吸引によって減圧された場合に、処理空間132に外部雰囲気が流入することを防止する機能を有する。
【0097】
制御装置20は、減圧乾燥処理中の駆動機構174の駆動を制御する。例えば、駆動機構174がベースプレート133を移動させる際に、ベースプレート133の位置としてそれぞれ予め設定されている離隔位置や、近接位置を超えて移動させることのないように制御する。なお、離隔位置とは、ベースプレート133が図8において示される位置であって、ベースプレート133によって、ベース130に設けられた吸引口151,152からの吸引が妨げられることのない位置(ベースプレート133とベース130との間隔が十分に存在する位置)である。また、近接位置とは、ベースプレート133が離隔位置から(+Z)方向に所定の距離だけ移動した位置であって、ベースプレート133に保持された基板90がチャンバ131に接触しないだけの十分な間隔が設けられている位置である。
【0098】
次に、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13cの動作以外は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の動作を行う。
【0099】
図9は、減圧乾燥装置13cの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13cは、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13と同様に、予め初期設定(ステップS31)を実行した後に、基板90が搬送機構10により搬入されるまで待機する(ステップS32)。そして、基板90が搬入されると、ベースプレート133が当該基板90を保持し(ステップS33)、チャンバ131を下降させる(ステップS34)ことによって、処理空間132を形成した後、吸引機構15による吸引を開始する(ステップS35)。
【0100】
ステップS35により、減圧乾燥処理が開始されると、制御装置20が駆動機構174に対して制御信号を出力し、ベースプレート133を(+Z)方向に移動させるように制御する。このようにして、駆動機構174がベースプレート133を移動させることにより、基板90とチャンバ131との相対距離Tが減少し、空間Dの体積が減少する。したがって、減圧乾燥装置13cにおいても、第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bと同様に、基板90の周辺雰囲気を除去することができる。
【0101】
次に、減圧乾燥装置13cは、所定の圧力になるまで吸引による減圧を行い、減圧が完了すると吸引機構15による吸引を停止する(ステップS37)。本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、吸引機構15による吸引が停止されて処理空間132が定圧力状態になるとともに、ベースプレート133が近接位置に到達すると、ベースプレート133がZ軸に沿って揺動するように駆動機構174を制御する(ステップS38)。
【0102】
第3の実施の形態における減圧乾燥装置13bでは、処理空間132が定圧力状態になった後は、処理空間132が大気開放されるまで、空間Dの体積は変化せず、その間は気流の滞留を生じるおそれがある。しかし、本実施の形態における減圧乾燥装置13cは、定圧力状態になった後も、ベースプレート133をZ軸に沿って揺動させることにより、空間Dの体積を増減させて、基板90の周辺に気流の滞留が生じることを抑制することができる。
【0103】
所定の処理時間が経過すると、駆動機構174によりベースプレート133を離隔位置に移動させる(ステップS39)。ベースプレート133の離隔位置への移動が完了すると、チャンバ131を(+Z)方向に移動させて処理空間132を大気開放し(ステップS40)、減圧乾燥処理を終了する。さらに、搬送機構10により基板90が搬出されるまで待機した後(ステップS41)、処理を終了する。
【0104】
以上のように、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cにおいても、減圧乾燥処理中に、基板90とチャンバ131との間の空間Dの体積を減少させることができるため、基板90の周辺雰囲気を気流の滞留を抑制しつつ、除去することができる。したがって、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0105】
また、減圧乾燥処理において、定圧力状態となった後にも空間Dの体積変化をさせることができるため、基板90の周辺雰囲気における気流の滞留をさらに減少させることができる。
【0106】
<5. 第5の実施の形態>
上記実施の形態における基板処理装置1では、減圧乾燥中において、基板90の周辺雰囲気に滞留する溶剤の気体成分を、一旦、処理空間132内で移動させることにより基板90の周辺雰囲気中に含まれる溶剤の気体成分濃度の低下を図るものである。しかし、基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を除去する手法としては、直接、周辺雰囲気を吸引除去する手法を用いてもよい。
【0107】
図10は、このような原理に基づいて構成された第5の実施の形態における基板処理装置1の減圧乾燥装置13dを示す部分断面図である。なお、上記実施の形態と同様の機能および構成については同符号を付すとともに、適宜説明を省略する。
【0108】
本実施の形態における基板処理装置1は、基板90に対して減圧乾燥処理を行う装置として減圧乾燥装置13dを採用する点を除いて、上記実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の機能および構成を有している。
【0109】
本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、吸引機構14aおよび補助吸引機構18を備えており、吸引機構14aは、吸引配管141が開閉バルブ143によって開閉制御可能とされている。また、補助吸引機構18は、吸引口181、吸引配管182および開閉バルブ183から構成される。
【0110】
吸引口181は、図10に示すように、ベースプレート133に保持された基板90の中央近傍に対向するようにチャンバ131に設けられる。吸引配管182の一端は吸引口181に連通接続され、他方端は真空ポンプ140に接続される。開閉バルブ183は、吸引配管182の開閉を行う。
【0111】
なお、補助吸引機構18の吸引口181は、複数設けられていてもよい。また、本実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、吸引配管182が真空ポンプ140に接続されることにより、吸引機構14aと補助吸引機構18とが真空ポンプ140を共有する構成とされているが、補助吸引機構18が別途真空ポンプを有する構成としてもよい。
【0112】
本実施の形態における制御装置20は、開閉バルブ143および開閉バルブ183の開閉動作を制御する。
【0113】
次に、第5の実施の形態における減圧乾燥装置13dの動作について説明する。なお、本実施の形態における基板処理装置1は、減圧乾燥装置13dの動作以外は、第1の実施の形態における基板処理装置1とほぼ同様の動作を行うため、説明は省略する。
【0114】
図11は、減圧乾燥装置13dの動作を示す流れ図である。減圧乾燥装置13dは、第1の実施の形態における減圧乾燥装置13と同様に、予め初期設定(ステップS51)を実行した後に、基板90が搬送機構10により搬入されるまで待機する(ステップS52)。そして、基板90が搬入されると、ベースプレート133が当該基板90を保持し(ステップS53)、チャンバ131を(−Z)方向に移動させる(ステップS54)ことによって、処理空間132を形成する。
【0115】
さらに、制御装置20が真空ポンプ140を駆動するとともに、開閉バルブ143を開放状態にすることにより、吸引機構14aによる吸引を開始する(ステップS55)。これによって、基板90に対する減圧乾燥処理が開始される。
【0116】
吸引機構14aによる吸引を開始してから所定の時間が経過すると、制御装置20は、開閉バルブ183を開放状態にして補助吸引機構18による吸引を開始する(ステップS56)。
【0117】
このように、本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、減圧乾燥処理中に補助吸引機構18にる吸引を行うことにより、気流の滞留を解消して、基板90の周辺雰囲気を吸引除去することができる。
【0118】
基板90のレジスト膜が未乾燥の状態で、吸引によって基板90の表面に急激な気流を発生させると、レジスト膜が当該気流の影響により不均一になる。したがって、本実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、制御装置20が開閉バルブ143と開閉バルブ183との開閉タイミングに時間差を設けており、処理空間132の減圧が進行し、レジスト膜が十分乾燥してから補助吸引機構18による吸引を行うようにしている。しかし、補助吸引機構18による吸引は、吸引機構14aによる吸引の後に開始されることに限定されるものではなく、例えばレジスト膜に影響を与えない程度の緩やかな吸引を行う場合には、補助吸引機構18による吸引を吸引機構14aによる吸引に先立って開始するようにしてもよい。
【0119】
処理空間132内の圧力が所定値となると、制御装置20は開閉バルブ143を閉鎖状態にして、吸引機構14aによる吸引を停止する(ステップS57)。さらに、所定の時間が経過するまで減圧乾燥処理を継続した後、開閉バルブ183を閉鎖状態にして、補助吸引機構18による吸引を停止する(ステップS58)。また、チャンバ131を(−Z)方向に移動させる(ステップS59)ことにより、処理空間132が大気開放され、減圧乾燥処理が終了する。
【0120】
本実施の形態における減圧乾燥装置13dは、減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構18によって基板90の周辺雰囲気から溶剤の気体成分を高濃度に含む雰囲気を除去するため、上記実施の形態と同様に、処理空間132が大気開放される際の溶剤の再付着を抑制することができる。
【0121】
次に、減圧乾燥装置13dは、搬送機構10の搬送シャトルが所定の位置に配置されるまで待機した後、ベースプレート133の支持ピンを基板90から離間させて基板90を搬送シャトルに受け渡す。さらに、搬送シャトルが減圧乾燥装置13dから退出するまで待機(ステップS60)した後、基板90に対する処理を終了する。
【0122】
以上のように、第5の実施の形態における減圧乾燥装置13dでは、基板90に対する減圧乾燥処理の実行中に、補助吸引機構18が基板90の周辺雰囲気を吸引することにより、基板90の周辺雰囲気中の溶剤の気体成分を除去する。これにより、本実施の形態における減圧乾燥装置13dにおいても上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0123】
また、補助吸引機構18が吸引機構14aが備える真空ポンプ140を兼用することにより、装置のコストを削減することができる。
【0124】
<6. 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【0125】
例えば、上記実施の形態では、減圧乾燥装置に搬送される基板は、塗布装置12によってスリットコートが行われた基板であったが、減圧乾燥装置が処理する基板は、これに限られるものではなく、スピンコートにより薬液が塗布された基板であってもよいし、エッジリンス後の基板などであってもよい。
【0126】
また、基板処理装置1における動作順序は、上記実施の形態に示す順次に限られるものではなく、同様の効果が得られる順序であればよい。
【0127】
また、上記実施の形態における制御装置20による制御は、CPUがプログラムによって動作するソフトウェア制御として実現されると説明したが、これらの全部または一部が専用の回路によってハードウェア制御として実現されてもよい。
【0128】
また、第4の実施の形態における減圧乾燥装置13cでは、減圧乾燥処理の実行中にベースプレート133をZ軸方向に移動させるために、駆動機構174を設けると説明したが、例えば、減圧乾燥装置13cが基板90を搬出入する際に、ベースプレート133のZ軸方向の位置調整を行う調整機構を有している場合には、これらの調整機構が駆動機構174として兼用されてもよい。
【0129】
【発明の効果】
請求項1ないしに記載の発明では、保持台に保持された基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することにより、薬液が基板に再付着することを抑制することができる。また、薬液の揮発が阻害されることを抑制することができる。
【0130】
請求項に記載の発明では、基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を攪拌除去することにより、基板の周辺雰囲気における薬液の気体成分濃度を均一化させることができる。したがって、周辺雰囲気中の薬液濃度を低下させることによって、周辺雰囲気から薬液を除去することができる。
【0131】
請求項に記載の発明では、回転駆動力を生成する回転機構と回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンとを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【0132】
請求項に記載の発明では、所定の回動軸を中心に回動する板状部材と板状部材を所定の回動軸を中心に回動させる回動機構とを有することにより、周辺雰囲気を容易に攪拌させることができる。
【0133】
請求項に記載の発明では、基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、基板と減圧チャンバとの間の空間体積が減少する方向に、基板と減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【0134】
請求項に記載の発明では、保持台が処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材に取り付けられており、伸縮部材が収縮することにより、保持台が基板と減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に移動することにより、駆動機構を別途設ける必要がなく、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【0135】
請求項に記載の発明では、吸引手段によって処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、基板と減圧チャンバとの相対距離を減少させる方向に移動機構を駆動制御することにより、容易に周辺雰囲気を移動させることができる。
【0138】
請求項7に記載の発明では、基板の周辺雰囲気から薬液の気体成分を攪拌除去することにより、基板の周辺雰囲気における薬液の気体成分濃度を均一化させることができる。従って、薬液が基板に再付着することを抑制することができ、また、薬液の揮発が阻害されることを抑制することができる。
請求項に記載の発明では、基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、基板と減圧チャンバとを相対的に移動させることにより、薬液の気体成分濃度の高い雰囲気を基板の周辺から移動させることができ、周辺雰囲気から薬液の気体成分を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る減圧乾燥装置を搭載した基板処理装置1の構成を示す図である。
【図2】第1の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図3】第2の実施の形態における減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図4】第2の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図5】第3の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図6】伸縮部材の最大収縮状態を示す図である。
【図7】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図8】第4の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図9】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【図10】第5の実施の形態における減圧乾燥装置を示す部分断面図である。
【図11】減圧乾燥装置の動作を示す流れ図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置
13,13a,13b,13c,13d 減圧乾燥装置
131 チャンバ
132 処理空間
133 ベースプレート(保持台)
14,14a,15 吸引機構
16,16a 攪拌機構
160 回転モータ(回転機構)
162 ファン
163 回動機構
164 ルーパー(板状部材)
17,17a 変更機構
173 伸縮部材
174 駆動機構(移動機構)
18 補助吸引機構
20 制御装置
90 基板
D 空間
T 距離
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a technique for drying by reducing the pressure of a chemical solution present on a substrate.
[0002]
[Prior art]
In manufacturing processes such as semiconductor substrates and glass substrates for liquid crystals, various chemical solutions were used, such as a process of forming a thin film by applying a resist solution to the surface of the substrate, and a process of discharging and cleaning the substrate. Processing is performed. When a process using a chemical solution is performed on a substrate, it is necessary to perform a process of removing the chemical solution from the surface of the substrate after processing. Conventionally, as an apparatus for performing such a removal process, an atmosphere under a reduced pressure is used. There has been proposed a reduced-pressure drying apparatus that holds a substrate on the substrate and volatilizes the adhering chemical solution to dry it. For example, Patent Document 1 discloses such a vacuum drying apparatus.
[0003]
In the reduced pressure drying apparatus described in Patent Document 1, a substrate to be processed is held in a processing space sealed by a member such as a chamber, and the atmosphere in the processing space is sucked by a suction device such as a vacuum pump. To do. By reducing the atmosphere around the substrate in this way, the gas density in the atmosphere around the substrate is lowered, so that the chemical solution attached to the substrate can be volatilized efficiently. The volatilized chemical solution is sucked by a vacuum pump and exhausted from the processing space to the outside of the apparatus. The chemical liquid dried and removed by such a conventional vacuum drying apparatus may be the processing liquid itself used for the substrate, or may be a liquid component (solvent component) of the processing liquid. Good. The case where the solvent component of the processing liquid is removed by drying is, for example, when a resist liquid is used as the processing liquid, and the resist film is formed by the solid component of the resist liquid remaining on the surface of the substrate as a thin film. Is formed.
[0004]
In this way, when forming a thin film on the surface of the substrate, if an air stream hits an undried substrate, a flow pattern or a wind pattern due to the air current is formed on the surface of the thin film, and the film thickness is not uniform. Therefore, in the vacuum drying apparatus, a suction port for sucking the atmosphere is provided at a position relatively far from the surface of the substrate.
[0005]
[Patent Document 1]
JP 2002-263548 A
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the suction port is provided at a position far from the surface of the substrate (mainly on the back surface side) as in the above-described vacuum drying apparatus, a portion of the airflow stays near the surface of the substrate, and the portion volatilizes from the surface of the substrate. There was a problem that the gas component of the chemical solution was not exhausted immediately. That is, there is a problem that the gas component of the chemical solution remains at a high concentration near the surface of the substrate. As described above, when the gas component of the chemical solution remains in a high concentration in the ambient atmosphere of the substrate, the subsequent volatilization of the chemical solution is inhibited, resulting in an increase in the drying process time. Further, the remaining gas component is condensed at the time of return pressure and reattached to the substrate.
[0007]
Further, in the above-described reduced-pressure drying apparatus, it is difficult to uniformly generate an air flow in the processing space due to the distribution state of the suction ports, etc. Especially when the substrate is enlarged, the air flow stays uneven near the surface of the substrate. For this reason, there has been a problem that uneven drying of the substrate and poor drying occur.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce processing time in reduced-pressure drying while suppressing unevenness in drying and poor drying of a chemical solution attached to a substrate.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
  In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a vacuum drying apparatus for drying a chemical solution existing on a substrate by decompression, wherein the decompression chamber forms a processing space for decompressing and drying the substrate, A holding table for holding the substrate in the processing space; suction means for sucking an atmosphere in the processing space; and a removing means for removing a gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate held on the holding table.The removing unit includes a stirring unit that generates an air flow in the processing space, and the stirring unit stirs and removes the gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate.
[0011]
  Claims2The invention of claim1In the reduced-pressure drying apparatus according to the invention, the stirring unit includes a rotation mechanism that generates a rotational driving force, and a fan that is rotated by the rotational driving force and generates an air flow in the processing space.
[0012]
  Claims3The invention of claim1In the vacuum drying apparatus according to the invention, the stirring unit rotates a plate-shaped member that rotates about a predetermined rotation axis, and a rotation that rotates the plate-shaped member about the predetermined rotation axis. Moving mechanism.
[0013]
  Claims4The invention ofA reduced-pressure drying apparatus that dries a chemical solution existing on a substrate under reduced pressure, a reduced-pressure chamber that forms a processing space for drying the substrate under reduced pressure, a holding table that holds the substrate in the processing space, and the processing space A suction means for sucking the atmosphere inside, and a removal means for removing a gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate held by the holding table,The removing means has changing means for changing a spatial volume between the main surface of the substrate and the decompression chamber by changing a relative distance between the substrate and the decompression chamber, and the changing means comprises: While the vacuum drying process is performed on the substrate, the relative distance is changed in a direction in which the space volume decreases.
[0014]
  Claims5The invention of claim4In the vacuum drying apparatus according to the invention, the changing means has an elastic member that expands and contracts according to the pressure in the processing space, the holding base is attached to the elastic member, and the elastic member is By contracting, the holding table moves in the direction of decreasing the space volume.
[0015]
  Claims6The invention of claim4In the vacuum drying apparatus according to the invention, the changing unit moves the substrate relative to the vacuum chamber, and the suction unit sucks the atmosphere in the processing space. And a control mechanism that drives and controls the moving mechanism in a direction to decrease the relative distance.
[0018]
  The invention of claim 7 is a vacuum drying method for drying a chemical solution existing on a substrate under reduced pressure, a holding step for holding the substrate in a processing space formed by a vacuum chamber, A suction process for sucking the atmosphere and in the processing space;The air flow is generated by moving the object in theAnd a stirring step of stirring the ambient atmosphere of the substrate held in the holding step.
  The invention of claim 8 is a reduced-pressure drying method for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure, a holding step for holding the substrate in a processing space formed by a reduced-pressure chamber, A suction step of sucking an atmosphere, and a moving step of relatively moving the substrate and the decompression chamber in a direction to reduce the space volume between the main surface of the substrate held in the holding step and the decompression chamber And have.
[0020]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0021]
<1. First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 equipped with a reduced-pressure drying apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 includes a transport mechanism 10 that transports a substrate while holding the substrate, an indexer 11 that receives a substrate from a transport mechanism (not shown), a coating device 12 that applies a resist solution to the substrate, and a coated resist. A vacuum drying device 13 for drying the liquid under reduced pressure, an indexer 19 for discharging the substrate to an external transport mechanism, and a control device 20 are provided. In FIG. 1, for convenience of illustration and explanation, the Z-axis direction is defined as the vertical direction, and the XY plane is defined as the horizontal plane, but these are defined for convenience in order to grasp the positional relationship. The direction is not limited. The same applies to the following figures.
[0022]
In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 uses a rectangular glass substrate for manufacturing a screen panel of a liquid crystal display device as the substrate to be processed 90, but the substrate processing apparatus 1 is not limited to a glass substrate for a liquid crystal display device. In general, various substrates such as a semiconductor wafer, a film liquid crystal flexible substrate, a photomask substrate, and a color filter substrate can be used.
[0023]
The transport mechanism 10 includes a plurality of transport shuttles (not shown) and transports the substrate 90 in the X-axis direction. Note that the transport mechanism 10 in the present embodiment is a so-called single-axis drive type transport mechanism, but the mechanism for transporting the substrate 90 between the apparatuses is not limited to this. For example, a transfer robot that can move the substrate 90 three-dimensionally may be used.
[0024]
The indexers 11 and 19 have an interface function for delivering the substrate 90 between the substrate processing apparatus 1 and an external transport mechanism, and rotate the substrate 90 in a horizontal plane by a rotation mechanism (not shown), thereby It also has a function to adjust
[0025]
The coating apparatus 12 holds the resist solution supplied from a resist solution supply unit (not shown) from the slit nozzle onto the surface of the substrate 90 while holding the substrate 90 transported from the indexer 11 by the transport mechanism 10 at a predetermined position. On the other hand, it is a so-called slit coater that applies a resist solution by discharging. The coating apparatus 12 in the present embodiment is configured as an apparatus for applying a resist solution to the surface of the substrate 90 in a process of selectively etching an electrode layer or the like formed on the surface of the substrate 90. Although a liquid is discharged, for example, a device for applying a color filter material or the like may be used.
[0026]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the reduced pressure drying apparatus 13 in the first embodiment. The reduced-pressure drying apparatus 13 includes a base 130 that functions as a base of each part constituting the reduced-pressure drying apparatus 13, a chamber 131 for covering the substrate 90, and a base plate 133 that holds the substrate 90. 132 is formed. In addition, although illustration is abbreviate | omitted in FIG. 2, each structure of the reduced pressure drying apparatus 13 is suitably connected with the control apparatus 20 as needed, and control by the control apparatus 20 is enabled.
[0027]
The chamber 131 is moved in the Z-axis direction by a drive mechanism (not shown). When the substrate 90 is carried in and out of the vacuum drying apparatus 13 by the transport mechanism 10, the chamber 131 moves to the transport position (not shown) by moving in the (+ Z) direction, and the transport mechanism 10 (and the transport mechanism 10) is transported. So as not to interfere with the substrate 90). Further, while the vacuum drying apparatus 13 performs the vacuum drying process on the substrate 90, the chamber 131 moves to the processing position (position shown in FIG. 2) by moving in the (−Z) direction and is in close contact with the base 130. Thus, the processing space 132 which is a sealed space is formed.
[0028]
A plurality of support pins that advance and retreat in the Z-axis direction are provided on the (+ Z) side surface of the base plate 133, and the substrate 90 is placed in the processing space 132 by the tips of the support pins coming into contact with the back surface of the substrate 90. Hold horizontally in place. Note that the base plate 133 is disposed at a predetermined position with respect to the base 130 by a support member (not shown).
[0029]
In addition to these configurations, the vacuum drying apparatus 13 further includes a suction mechanism 14 and a stirring mechanism 16.
[0030]
The suction mechanism 14 includes a vacuum pump 140 that is driven according to a control signal from the control device 20, a suction pipe 141 that serves as a flow path for guiding the sucked atmosphere, and a suction port 142 that is connected to the suction pipe 141. Composed. The suction mechanism 14 has a function of sucking the atmosphere of the processing space 132 from the suction port 142 via the suction pipe 141 by driving the vacuum pump 140. The atmosphere in the processing space 132 sucked by the suction mechanism 14 is further exhausted outside the apparatus through an exhaust pipe (not shown). 2 shows a state in which only one suction port 142 is provided in the central portion of the base 130, the vacuum drying apparatus 13 in the present embodiment has a plurality of suction ports 142. These suction ports 142 are also arranged at positions other than the central portion of the base 130.
[0031]
The agitation mechanism 16 includes a rotation motor 160 driven in accordance with a control signal from the control device 20, a drive shaft 161 that propagates a rotational driving force generated by the rotation motor 160, and a fan 162 attached to the drive shaft 161. The chamber 131 is attached at a position facing the substrate 90.
[0032]
The stirring mechanism 16 rotates the fan 162 attached to the drive shaft 161 around the axis P by driving the rotation motor 160 in accordance with a control signal from the control device 20. Since the air flow is generated in the processing space 132 due to the rotation of the fan 162, the atmosphere in the processing space 132 is agitated. In other words, the stirring mechanism 16 has a function of eliminating the stagnation of the air flow and uniformizing the atmosphere in the processing space 132 by stirring the surrounding atmosphere of the substrate 90. The stirring mechanism 16 in the present embodiment is arranged so that the position of the rotation axis P of the rotary motor 160 is near the center position of the substrate 90 held by the base plate 133 in order to uniformly stir the processing space 132. Has been.
[0033]
Returning to FIG. 1, the control device 20 is a device having a function as a general microcomputer, and mainly includes an arithmetic device (CPU), a storage device (RAM and ROM), and the like. In addition, the control device 20 is connected in a state where signals can be exchanged between each device and each component of the substrate processing apparatus 1, and operates according to a program, so that each component can be appropriately selected. Output control signals and control them. In FIG. 1, the control device 20 is illustrated outside the substrate processing apparatus 1, but the control device 20 is actually provided inside the substrate processing apparatus 1.
[0034]
The above is description of the structure and function of the substrate processing apparatus 1 in this Embodiment. Next, the operation of the substrate processing in the substrate processing apparatus 1 will be described. In the substrate processing apparatus 1, unless otherwise specified, the following operations are executed by the control device 20 controlling each device and each component.
[0035]
In the substrate processing apparatus 1, when the substrate 90 is loaded by an external conveyance mechanism (not shown), the orientation of the substrate 90 loaded by the indexer 11 is adjusted, and then the substrate 90 is conveyed to the coating apparatus 12 by the conveyance mechanism 10. Is done.
[0036]
Next, the coating device 12 applies the resist solution to the main surface of the substrate 90 by discharging the resist solution from the slit nozzle while holding the transported substrate 90 at a predetermined position. The substrate 90 coated with the resist solution is unloaded from the coating device 12 by the transport mechanism 10 and transported to the vacuum drying device 13.
[0037]
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the reduced pressure drying apparatus 13 in the present embodiment. In the vacuum drying apparatus 13, prior to the processing for the substrate 90, initial setting is first performed (step S11). In the initial setting, the chamber 131 is arranged at the loading position by a driving mechanism (not shown), and the support pins of the base plate 133 are in a state of being retracted into the base plate 133.
[0038]
Next, the process waits until the substrate 90 coated with the resist solution is loaded by the transport shuttle of the transport mechanism 10 (step S12). When the substrate 90 is carried in by the transport mechanism 10, the support pin of the base plate 133 is advanced in the (+ Z) direction, and the support pin is brought into contact with the back surface of the substrate 90, thereby holding the substrate 90 in a predetermined position ( Step S13). When the substrate 90 is held on the base plate 133, the transport shuttle of the transport mechanism 10 leaves the reduced pressure drying device 13.
[0039]
When the transport shuttle of the transport mechanism 10 is withdrawn, the reduced pressure drying apparatus 13 moves the chamber 131 to the processing position to form the processing space 132 (Step S14), and starts suction by the suction mechanism 14 (Step S15). Specifically, the suction mechanism 14 drives the vacuum pump 140 to suck the atmosphere of the processing space 132 from the suction port 142 through the suction pipe 141. In the reduced-pressure drying apparatus 13, the processing space 132 is formed as a sealed space, and thus the decompression of the processing space 132 is started when the suction mechanism 14 starts suction (the reduced-pressure drying processing on the substrate 90 is started). )
[0040]
When a predetermined time has elapsed since the start of the vacuum drying process, the stirring mechanism 16 drives the rotary motor 160 to start the rotation of the fan 162, thereby starting stirring by the stirring mechanism 16 (step S16). .
[0041]
As described above, in the reduced pressure drying apparatus 13, the atmosphere in the processing space 132 is stirred by the stirring mechanism 16 during the execution of the reduced pressure drying process, whereby the atmosphere having a high solvent gas component concentration is removed from the ambient atmosphere of the substrate. That is, since the gaseous component of the solvent is removed from the ambient atmosphere of the substrate 90 by reducing the concentration of the gaseous component of the solvent in the ambient atmosphere, the time required for the reduced-pressure drying process without hindering further volatilization of the solvent. Can be shortened.
[0042]
In addition, by such agitation, the gas component concentration of the volatilized solvent can be made uniform in the atmosphere around the substrate 90, so that drying unevenness and poor drying can be prevented.
[0043]
In addition, as with the vacuum drying apparatus 13 in the present embodiment, the stirring by the stirring mechanism 16 is performed after a predetermined time has elapsed from the start of the vacuum drying process and the resist solution applied to the substrate 90 has been dried to some extent. It is preferable to start. This is because coating unevenness (non-uniform film pressure) occurs when the air flow generated by stirring hits the undried resist film. In addition, in a state where the drying under reduced pressure is not sufficiently performed (a state before a predetermined time elapses), the gas component concentration of the solvent in the ambient atmosphere of the substrate 90 is low, and the necessity for stirring is low. .
[0044]
In addition, the rotation motor 160 of the stirring mechanism 16 is driven at a sufficiently low speed so as not to cause uneven coating on the resist film due to the generated airflow. Thus, even if the rotary motor 160 of the stirring mechanism 16 is rotated at a low speed, it is sufficient to eliminate the stagnation of the air current, and the vacuum drying apparatus 13 in the present embodiment can obtain the above-described effects. .
[0045]
When the processing space 132 is depressurized to a predetermined pressure, suction by the suction mechanism 14 is stopped (step S17), and further, the decompression drying process by the predetermined pressure is continued for a predetermined time, and then the stirring by the stirring mechanism 16 is performed. Is stopped (step S18).
[0046]
Next, the reduced pressure drying apparatus 13 moves the chamber 131 to the loading position (step S19), opens the processing space 132 to the atmosphere, and ends the reduced pressure drying processing of the substrate 90. In the reduced-pressure drying apparatus 13, as described above, the atmosphere in the processing space 132 is agitated by the agitation mechanism 16, so that the gas component concentration of the solvent in the ambient atmosphere of the substrate 90 is lower than that in the conventional apparatus. Has been. Therefore, it is possible to prevent the solvent from condensing and reattaching to the substrate 90 due to the double pressure (atmospheric release) accompanying the completion of the reduced pressure drying process.
[0047]
Further, when the transport shuttle of the transport mechanism 10 moves to the receiving position of the substrate 90, the reduced pressure drying apparatus 13 retracts the support pins of the base plate 133 in the (−Z) direction and delivers the substrate 90 to the transport shuttle. .
[0048]
The vacuum drying apparatus 13 waits until the substrate 90 is unloaded by the transport shuttle of the transport mechanism 10 (step S20), and then ends the processing for the substrate 90. In addition, in the substrate processing apparatus 1, in order to continue processing with respect to the other board | substrate 90 sequentially, the reduced pressure drying apparatus 13 returns to step S11, and repeats a process.
[0049]
The substrate 90 carried out from the reduced-pressure drying apparatus 13 is transferred to the indexer 19 and the orientation of the substrate 90 is adjusted according to a transfer mechanism outside the apparatus (not shown), and then the substrate processing apparatus 1 is transferred by the transfer mechanism outside the apparatus. It is carried out from.
[0050]
As described above, the vacuum drying apparatus 13 in the present embodiment stirs and removes the gaseous component of the solvent (chemical solution) from the ambient atmosphere of the substrate 90 held on the base plate 133 by the stirring mechanism 16. Accordingly, it is possible to suppress an atmosphere having a high concentration of gas components of the solvent from staying in the vicinity of the surface of the substrate 90 during execution of the reduced pressure drying process, so that the time required for the reduced pressure drying process can be shortened. In addition, when the decompression drying process is finished and the processing space 132 is opened to the atmosphere, it is possible to prevent the solvent from condensing and reattaching to the substrate 90.
[0051]
Moreover, since the gas component concentration of the solvent in the ambient atmosphere of the substrate 90 can be made uniform by the stirring mechanism 16, uneven drying and poor drying can be suppressed.
[0052]
Furthermore, since the gas component of the solvent can be removed from the ambient atmosphere of the substrate 90 by the simple stirring mechanism 16 including the rotary motor 160 and the fan 162, the apparatus configuration of the vacuum drying apparatus 13 is not complicated. The increase in cost can be suppressed.
[0053]
<2. Second Embodiment>
In the first embodiment, the example in which the atmosphere in the processing space 132 is stirred by the stirring mechanism 16 including the rotation motor 160 and the fan 162 has been described. However, the configuration of the stirring mechanism 16 includes such a member. It is not limited to the mechanism that is configured. That is, any known mechanism may be used as long as an air flow is generated by moving an object in the processing space 132 and the atmosphere around the substrate 90 is stirred by the generated air flow.
[0054]
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a vacuum drying apparatus 13a of the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment configured based on such a principle. The same functions and configurations as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
[0055]
Substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is substantially the same as substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, except that reduced-pressure drying apparatus 13a is employed as an apparatus for performing reduced-pressure drying processing on substrate 90. Has function and configuration.
[0056]
The vacuum drying apparatus 13a includes a stirring mechanism 16a as a mechanism for stirring the atmosphere in the processing space 132. The stirring mechanism 16a includes a rotation mechanism 163 and a plurality of loopers 164.
[0057]
The rotation mechanism 163 includes a rotation motor that generates a rotational driving force and a member that limits the rotation amount to a predetermined amount (both not shown), and has a function of rotating each looper 164.
[0058]
Each looper 164 includes a rectangular plate-shaped portion and a cylindrical shaft portion. The shaft portion has a cylindrical central axis as a rotation axis, and each looper 164 is attached to the chamber 131 at a predetermined interval so that the rotation axis is parallel to the Y axis. 4 shows four loopers 164, the number of loopers is not limited to this.
[0059]
Each looper 164 has a length corresponding to almost the entire width of the substrate 90 in the Y-axis direction, and has a predetermined rotation amount around the rotation axis of the shaft portion by the rotation mechanism 163 as shown in FIG. Rotate in range. That is, the rotation mechanism 163 causes each looper 164 to perform a so-called swinging motion around each rotation axis.
[0060]
The operation of the substrate processing apparatus 1 in the present embodiment having the above configuration is substantially the same as that of the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment. However, in step S16 shown in FIG. 3, when the stirring by the stirring mechanism 16a is started, the rotation mechanism 163 rotates each looper 164 until the stirring by the stirring mechanism 16a is stopped by executing step S18. The rotation drive of each looper 164 is continued.
[0061]
As described above, when the looper 164 is rotationally driven, an air flow is generated in the processing space 132, the atmosphere in the processing space 132 is stirred, and the gas component concentration of the solvent is made uniform.
[0062]
As described above, since the atmosphere in the processing space 132 can be agitated also by the agitation mechanism 16a constituted by the rotation mechanism 163 and the plurality of loopers 164 as in the reduced pressure drying apparatus 13a in the present embodiment, The same effect as that of the first embodiment can be obtained.
[0063]
<3. Third Embodiment>
In the above embodiment, the ambient atmosphere of the substrate 90 is stirred to remove the gas component of the solvent (solution) from the ambient atmosphere. However, as a technique for removing the solvent gas component, It is not limited.
[0064]
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a vacuum drying apparatus 13b of the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment configured based on such a principle. Note that functions and configurations similar to those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.
[0065]
Substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is substantially the same as substrate processing apparatus 1 in the first embodiment, except that reduced-pressure drying apparatus 13b is employed as an apparatus for performing reduced-pressure drying processing on substrate 90. Has function and configuration.
[0066]
The reduced pressure drying apparatus 13 b in the present embodiment includes a suction mechanism 15 and a change mechanism 17.
[0067]
The suction mechanism 15 includes a vacuum pump 150, suction ports 151 and 152, and suction pipes 153 and 154, and has substantially the same function as the suction mechanism 14 in the first embodiment.
[0068]
The change mechanism 17 includes a support member 170, a fixing member 171, a stopper 172, and a telescopic member 173.
[0069]
The column member 170, which is a columnar member, is disposed in the processing space 132 in the direction along the Z axis, and its (+ Z) side end is on the back surface of the base plate 133 (opposite to the holding surface of the substrate 90). Surface) It is attached to the center. Further, the column member 170 penetrates the base 130, and an end portion on the (−Z) side is fixed to the fixing member 171. A gap is provided between the support member 170 and the base 130 without being sealed, and the processing space 132 is connected to the inside of an elastic member 173 described later.
[0070]
The fixing member 171 is fitted in a hollow portion provided in the stopper 172 at both ends in the X-axis direction, and the movement range in the Z-axis direction is limited by the stopper 172. Further, a biasing member such as a spring (not shown) is attached to the fixing member 171 and is always biased in the (−Z) direction. As a result, the fixing member 171 is disposed at the extreme end in the (−Z) direction as shown in FIG. 5 in a state where the force in the (+ Z) direction does not act. Note that when the Z-axis is in the vertical direction as in the reduced pressure drying apparatus 13b in the present embodiment, gravity is always applied to the fixed member 171 in the (−Z) direction, so the change mechanism 17 is Such a configuration may not be provided.
[0071]
The stopper 172 is disposed so as to sandwich the fixing member 171, and the relative position to the base 130 is fixed by a member (not shown). As described above, the stopper 172 functions as a guide for restricting the movement range of the fixing member 171 in the Z-axis direction and guiding the movement direction so that the fixing member 171 does not move in the X-axis and Y-axis directions. have.
[0072]
The expansion / contraction member 173 is configured by a member that can be expanded and contracted in the Z-axis direction and blocked so that gas does not enter and exit between the inside and the outside of the expansion / contraction member 173. In addition, the (+ Z) side end of the elastic member 173 is fixed to the base 130, and the (−Z) side end is fixed to the fixing member 171.
[0073]
Thereby, in the reduced pressure drying apparatus 13b, the base plate 133 is attached to the expansion / contraction member 173 via the support member 170 and the fixing member 171, and the expansion / contraction member 173 expands / contracts in the Z-axis direction. Moves in the Z-axis direction. In addition, when the fixing member 171 is at the extreme end in the (−Z) direction, the expansion / contraction member 173 is in the maximum extension state (the state shown in FIG. 5), while the fixing member 171 is at the extreme end in the (+ Z) direction. In some cases, the elastic member 173 is in a maximum contracted state.
[0074]
FIG. 6 is a diagram showing the maximum contraction state of the elastic member 173. In the vacuum drying apparatus 13b, the position of the stopper 172 is determined in advance so that the substrate 90 held by the base plate 133 does not come into contact with the chamber 131 when the elastic member 173 is in the maximum contracted state.
[0075]
Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 in the third embodiment will be described. The substrate processing apparatus 1 in the third embodiment performs substantially the same operation as the operation of the substrate processing apparatus 1 in the above embodiment except for the operation of the reduced pressure drying device 13b.
[0076]
  Figure7These are flowcharts which show operation | movement of the reduced pressure drying apparatus 13b in 3rd Embodiment. Also in the vacuum drying apparatus 13b, initial setting is first performed (step S21), similarly to the vacuum drying apparatuses 13 and 13a in the above embodiment. At this time, the chamber 131 is previously arranged at the loading position. Moreover, since the expansion / contraction member 173 is in the maximum extension state and no force in the (+ Z) direction acts on the fixing member 171, the fixing member 171 is disposed at the extreme end in the (−Z) direction ( FIG. 5).
[0077]
Next, when the substrate 90 is carried into the reduced pressure drying apparatus 13b by the transport mechanism 10 (Yes in step S22), the support pins of the base plate 133 advance in the (+ Z) direction, and the base plate 133 holds the substrate 90 (step). S23). Subsequently, the chamber 131 is moved to the processing position (step S24), the substrate 90 is shut off from the external atmosphere, and the processing space 132 is formed (the state shown in FIG. 5 is obtained).
[0078]
When the substrate 90 is shut off from the external atmosphere and placed in a sealed state, the suction mechanism 15 starts to suck the atmosphere of the processing space 132 (step S25). Thereby, the vacuum drying process by the vacuum dryer 13b is started.
[0079]
When the reduced-pressure drying process is started in the reduced-pressure drying apparatus 13b in the present embodiment, the processing space 132 and the inside of the expansion / contraction member 173 are connected to each other, so that the internal atmosphere of the expansion / contraction member 173 is directed toward the processing space 132. Sucked. That is, as the processing space 132 is depressurized, the internal pressure of the elastic member 173 decreases, and the elastic member 173 contracts due to the action of atmospheric pressure.
[0080]
Since the expansion / contraction member 173 can be expanded / contracted mainly in the Z-axis direction, the force generated by the contraction acts on the fixed member 171 as a force in the (+ Z) direction, thereby causing the base plate 133 to move in the (+ Z) direction. Move to. That is, in the vacuum drying apparatus 13b, the base plate 133 moves in the (+ Z) direction as the processing space 132 is depressurized.
[0081]
Here, when the space between the main surface of the substrate 90 and the chamber 131 is a space D, the volume of the space D is the relative distance between the substrate 90 and the chamber 131 (the distance in the direction along the Z axis, hereinafter “ (Referred to as “distance T”) and the area of the substrate 90. Accordingly, when the decompression proceeds in the decompression drying apparatus 13b and the base plate 133 moves in the (+ Z) direction as described above, the distance T changes in the decreasing direction according to the movement distance, so the volume of the space D decreases. To do. That is, assuming that the volume of the space D at the time of starting the vacuum drying process is V0 (FIG. 5) and the volume of the space D at the time of completing the vacuum drying process is V1 (FIG. 6), V0> V1.
[0082]
Since the space D is a space in which the ambient atmosphere of the substrate 90 exists, when the volume of the space D decreases, the ambient atmosphere of the substrate 90 flows out so as to be pushed out from the entire periphery of the end portion of the substrate 90. Thereby, since the reduced pressure drying device 13b can eliminate the stay of the air current, it is possible to suppress uneven drying and poor drying.
[0083]
In addition, the ambient atmosphere having a high concentration of the gaseous component of the solvent (the ambient atmosphere in the portion where the airflow is retained) itself flows out of the space D, whereby the gaseous component of the solvent is removed from the ambient atmosphere. Therefore, inhibition of volatilization of the solvent can be suppressed, and the time required for the reduced pressure drying process can be shortened. If the distance T is suddenly reduced, the space D is in a pressurized state during that time, causing a problem such as volatilization of the solvent. However, in the reduced pressure drying apparatus 13b, the pressure reduction in the processing space 132 proceeds. Accordingly, since the distance T gradually decreases, such a phenomenon does not occur in the space D.
[0084]
When a predetermined time elapses after the suction mechanism 15 starts suctioning in step S25, suction by the suction mechanism 15 is stopped (step S26), and a reduced-pressure drying process with a constant pressure is performed. Thereafter, when a predetermined time further elapses, the reduced pressure drying apparatus 13b moves the chamber 131 to the loading position (step S27), opens the processing space 132 to the atmosphere, and ends the reduced pressure drying process.
[0085]
In the reduced pressure drying apparatus 13b, when the processing space 132 is restored, the pressure difference between the inside and the outside of the expansion / contraction member 173 is eliminated, so that the expansion / contraction member 173 is extended by the urging force of the urging member (not shown). As a result, the fixing member 171 moves to the extreme end in the (−Z) direction, so that the volume of the space D increases. That is, since the base plate 133 moves in the direction in which the ambient atmosphere of the substrate 90 is depressurized during decompression, the solvent is condensed on the surface of the substrate 90 when the ambient atmosphere is suddenly decompressed. Reattachment can be suppressed.
[0086]
When the decompression drying process is completed, the decompression drying apparatus 13b waits until the transport shuttle of the transport mechanism 10 is arranged at the receiving position of the substrate 90, and then retracts the support pins of the base plate 133 to transfer the substrate 90 to the transport mechanism 10. Pass to.
[0087]
Further, after waiting for the transport mechanism 10 to leave the reduced-pressure drying apparatus 13b (step S28), the processing for the substrate 90 is terminated. In the vacuum drying apparatus 13b in the present embodiment, when processing is performed on another substrate 90, the process returns to step S22 and is repeated.
[0088]
As described above, the vacuum drying apparatus 13b according to the third embodiment reduces the volume of the space (space D) between the substrate 90 and the chamber 131 while the vacuum drying process is performed on the substrate 90. As a result, the gaseous component of the solvent can be removed from the ambient atmosphere of the substrate 90, so that the same effect as in the above embodiment can be obtained.
[0089]
Further, since the vacuum drying apparatus 13b does not need to use a separate drive mechanism as a mechanism for removing the gaseous component of the solvent from the ambient atmosphere of the substrate 90, an increase in the cost of the apparatus can be suppressed. Further, since it is not necessary to control such a drive mechanism in the reduced-pressure drying process, the process of the control device 20 is not complicated.
[0090]
In addition, when the base plate 133 moves in a direction in which the ambient atmosphere around the substrate 90 is reduced during the decompression, the rapid decompression of the ambient atmosphere around the substrate 90 can be alleviated and the solvent is condensed on the substrate 90. Further suppression can be achieved.
[0091]
<4. Fourth Embodiment>
In the vacuum drying apparatus 13b according to the third embodiment, the volume of the space D is reduced by moving the base plate 133 due to the pressure difference between the internal space of the elastic member 173 and the outside, and the solvent is removed from the ambient atmosphere of the substrate 90. The gaseous component of is removed. However, the method of changing the volume of the space D during the vacuum drying process is not limited to this.
[0092]
FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a vacuum drying apparatus 13c of the substrate processing apparatus 1 according to the fourth embodiment configured based on such a principle. Note that functions and configurations similar to those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.
[0093]
Substrate processing apparatus 1 in the present embodiment is substantially the same as substrate processing apparatus 1 in the third embodiment, except that reduced-pressure drying apparatus 13c is employed as an apparatus for performing reduced-pressure drying processing on substrate 90. Has function and configuration.
[0094]
The reduced pressure drying apparatus 13c in the present embodiment includes a changing mechanism 17a. The change mechanism 17a is different from the change mechanism 17 in the third embodiment in that it has a drive mechanism 174 and a seal member 175 instead of the fixing member 171 and the expansion / contraction member 173.
[0095]
The drive mechanism 174 is driven by a control signal from the control device 20 and has a function of moving the base plate 133 in the Z-axis direction via the support member 170. As the drive mechanism 174 having such a function, for example, a ball screw arranged in parallel to the Z axis and a nut member fixed to the support member 170 are combined, and the ball member is rotated by a rotary motor so that the nut member is moved to Z. It can be realized using a mechanism that moves in the axial direction. As the drive mechanism 174, other known methods such as a mechanism using an air cylinder may be used. Further, the driving of the base plate 133 by the driving mechanism 174 is performed at a sufficiently low speed as in the third embodiment.
[0096]
The seal member 175 is a member for sealing the processing space 132 and the outside, and prevents the external atmosphere from flowing into the processing space 132 when the processing space 132 is decompressed by suction by the suction mechanism 15. It has a function.
[0097]
The control device 20 controls the drive of the drive mechanism 174 during the vacuum drying process. For example, when the drive mechanism 174 moves the base plate 133, control is performed so that the drive mechanism 174 does not move beyond a separation position or a proximity position preset as the position of the base plate 133. Note that the separation position is a position where the base plate 133 is shown in FIG. 8, and the position where the suction from the suction ports 151 and 152 provided in the base 130 is not hindered by the base plate 133 (the base plate 133 and the base position). 130). The proximity position is a position where the base plate 133 is moved by a predetermined distance in the (+ Z) direction from the separation position, and a sufficient interval is provided so that the substrate 90 held on the base plate 133 does not contact the chamber 131. It is a position that has been.
[0098]
Next, the operation of the reduced pressure drying device 13c in the fourth embodiment will be described. In addition, the substrate processing apparatus 1 in this Embodiment performs the operation | movement substantially the same as the substrate processing apparatus 1 in 1st Embodiment except operation | movement of the reduced pressure drying apparatus 13c.
[0099]
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus 13c. The vacuum drying apparatus 13c, like the vacuum drying apparatus 13 in the first embodiment, waits until the substrate 90 is carried in by the transport mechanism 10 after executing the initial setting (step S31) in advance (step S32). . When the substrate 90 is carried in, the base plate 133 holds the substrate 90 (step S33), and lowers the chamber 131 (step S34) to form the processing space 132, and then the suction by the suction mechanism 15 is performed. Start (step S35).
[0100]
When the reduced-pressure drying process is started in step S35, the control device 20 outputs a control signal to the drive mechanism 174 and controls the base plate 133 to move in the (+ Z) direction. Thus, when the drive mechanism 174 moves the base plate 133, the relative distance T between the substrate 90 and the chamber 131 decreases, and the volume of the space D decreases. Therefore, the atmosphere around the substrate 90 can be removed also in the vacuum drying apparatus 13c, as in the vacuum drying apparatus 13b in the third embodiment.
[0101]
Next, the reduced pressure drying device 13c performs pressure reduction by suction until a predetermined pressure is reached, and stops suction by the suction mechanism 15 when the pressure reduction is completed (step S37). In the vacuum drying apparatus 13c according to the present embodiment, when the suction by the suction mechanism 15 is stopped and the processing space 132 is in a constant pressure state, the base plate 133 swings along the Z axis when the base plate 133 reaches a close position. The drive mechanism 174 is controlled to do so (step S38).
[0102]
In the vacuum drying apparatus 13b according to the third embodiment, after the processing space 132 is in a constant pressure state, the volume of the space D does not change until the processing space 132 is opened to the atmosphere, and the airflow is retained during that time. May occur. However, the vacuum drying apparatus 13c according to the present embodiment increases or decreases the volume of the space D by swinging the base plate 133 along the Z axis even after the constant pressure state is reached, so that the substrate 90 is moved around the substrate 90. It is possible to suppress the stagnation of the airflow.
[0103]
When the predetermined processing time has elapsed, the drive mechanism 174 moves the base plate 133 to the separation position (step S39). When the movement of the base plate 133 to the separation position is completed, the chamber 131 is moved in the (+ Z) direction to release the processing space 132 to the atmosphere (step S40), and the decompression drying process is terminated. Further, after waiting for the substrate 90 to be carried out by the transport mechanism 10 (step S41), the processing is terminated.
[0104]
As described above, also in the vacuum drying apparatus 13c according to the fourth embodiment, the volume of the space D between the substrate 90 and the chamber 131 can be reduced during the vacuum drying process. The atmosphere can be removed while suppressing the stay of airflow. Therefore, the same effect as the above embodiment can be obtained.
[0105]
Further, since the volume of the space D can be changed even after the constant pressure state in the reduced pressure drying process, the stagnation of the airflow in the atmosphere around the substrate 90 can be further reduced.
[0106]
<5. Fifth embodiment>
In the substrate processing apparatus 1 in the above-described embodiment, the gas component of the solvent staying in the surrounding atmosphere of the substrate 90 is once moved in the processing space 132 during the reduced-pressure drying, and is included in the surrounding atmosphere of the substrate 90. This is intended to reduce the gas component concentration of the solvent. However, as a method for removing the gaseous component of the solvent from the ambient atmosphere of the substrate 90, a method for directly removing the ambient atmosphere by suction may be used.
[0107]
FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a reduced-pressure drying device 13d of the substrate processing apparatus 1 according to the fifth embodiment configured based on such a principle. Note that functions and configurations similar to those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted as appropriate.
[0108]
The substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment has substantially the same functions and functions as those of the substrate processing apparatus 1 according to the above-described embodiment, except that the reduced-pressure drying apparatus 13d is used as an apparatus for performing a reduced-pressure drying process on the substrate 90. It has a configuration.
[0109]
The reduced-pressure drying apparatus 13d in the present embodiment includes a suction mechanism 14a and an auxiliary suction mechanism 18, and the suction mechanism 14a can be controlled to open and close the suction pipe 141 by an opening / closing valve 143. The auxiliary suction mechanism 18 includes a suction port 181, a suction pipe 182, and an opening / closing valve 183.
[0110]
As shown in FIG. 10, the suction port 181 is provided in the chamber 131 so as to face the vicinity of the center of the substrate 90 held by the base plate 133. One end of the suction pipe 182 is connected to the suction port 181 and the other end is connected to the vacuum pump 140. The opening / closing valve 183 opens and closes the suction pipe 182.
[0111]
A plurality of suction ports 181 of the auxiliary suction mechanism 18 may be provided. Further, in the reduced pressure drying apparatus 13d in the present embodiment, the suction pipe 182 is connected to the vacuum pump 140, so that the suction mechanism 14a and the auxiliary suction mechanism 18 share the vacuum pump 140. The auxiliary suction mechanism 18 may have a separate vacuum pump.
[0112]
The control device 20 in the present embodiment controls the opening / closing operation of the opening / closing valve 143 and the opening / closing valve 183.
[0113]
Next, the operation of the reduced pressure drying apparatus 13d in the fifth embodiment will be described. The substrate processing apparatus 1 in the present embodiment performs substantially the same operation as the substrate processing apparatus 1 in the first embodiment except for the operation of the reduced-pressure drying apparatus 13d, and thus the description thereof is omitted.
[0114]
FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus 13d. The vacuum drying apparatus 13d, like the vacuum drying apparatus 13 in the first embodiment, waits until the substrate 90 is carried in by the transport mechanism 10 after executing the initial setting (step S51) in advance (step S52). . When the substrate 90 is loaded, the base plate 133 holds the substrate 90 (step S53), and the chamber 131 is moved in the (−Z) direction (step S54), thereby forming the processing space 132.
[0115]
Further, the controller 20 drives the vacuum pump 140 and opens the open / close valve 143 to start suction by the suction mechanism 14a (step S55). Thereby, the reduced-pressure drying process for the substrate 90 is started.
[0116]
When a predetermined time elapses after the suction by the suction mechanism 14a is started, the control device 20 opens the open / close valve 183 and starts the suction by the auxiliary suction mechanism 18 (step S56).
[0117]
As described above, the reduced-pressure drying device 13d according to the present embodiment performs suction by the auxiliary suction mechanism 18 during the reduced-pressure drying process, thereby eliminating the stagnation of the air current and sucking and removing the ambient atmosphere of the substrate 90. Can do.
[0118]
If an abrupt air flow is generated on the surface of the substrate 90 by suction while the resist film of the substrate 90 is undried, the resist film becomes non-uniform due to the influence of the air flow. Therefore, in the reduced-pressure drying apparatus 13d in the present embodiment, the control device 20 provides a time difference in the opening / closing timing of the opening / closing valve 143 and the opening / closing valve 183, the pressure reduction in the processing space 132 proceeds, and the resist film is sufficiently dried. After that, suction by the auxiliary suction mechanism 18 is performed. However, the suction by the auxiliary suction mechanism 18 is not limited to being started after the suction by the suction mechanism 14a. For example, in the case of performing gentle suction that does not affect the resist film, the auxiliary suction is performed. The suction by the mechanism 18 may be started prior to the suction by the suction mechanism 14a.
[0119]
When the pressure in the processing space 132 reaches a predetermined value, the control device 20 closes the open / close valve 143 and stops the suction by the suction mechanism 14a (step S57). Further, after the vacuum drying process is continued until a predetermined time elapses, the open / close valve 183 is closed, and the suction by the auxiliary suction mechanism 18 is stopped (step S58). Further, by moving the chamber 131 in the (−Z) direction (step S59), the processing space 132 is opened to the atmosphere, and the reduced-pressure drying process ends.
[0120]
The vacuum drying apparatus 13d in the present embodiment removes the atmosphere containing the solvent gas component at a high concentration from the ambient atmosphere of the substrate 90 by the auxiliary suction mechanism 18 during execution of the vacuum drying process. Similarly, reattachment of the solvent when the processing space 132 is opened to the atmosphere can be suppressed.
[0121]
Next, the reduced-pressure drying device 13d waits until the transport shuttle of the transport mechanism 10 is disposed at a predetermined position, and then separates the support pins of the base plate 133 from the substrate 90 and transfers the substrate 90 to the transport shuttle. Further, after waiting for the transport shuttle to leave the reduced-pressure drying device 13d (step S60), the processing for the substrate 90 is terminated.
[0122]
As described above, in the reduced pressure drying apparatus 13d according to the fifth embodiment, the auxiliary suction mechanism 18 sucks the ambient atmosphere of the substrate 90 during the execution of the reduced pressure drying process on the substrate 90, whereby the ambient atmosphere of the substrate 90 is obtained. Remove the gaseous component of the solvent. Thereby, also in the reduced pressure drying apparatus 13d in this Embodiment, the effect similar to the said embodiment can be acquired.
[0123]
Further, the auxiliary suction mechanism 18 also serves as the vacuum pump 140 provided in the suction mechanism 14a, whereby the cost of the apparatus can be reduced.
[0124]
<6. Modification>
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made.
[0125]
For example, in the above embodiment, the substrate transported to the vacuum drying apparatus is a substrate on which slit coating has been performed by the coating apparatus 12, but the substrate processed by the vacuum drying apparatus is not limited to this. Further, it may be a substrate coated with a chemical solution by spin coating, or a substrate after edge rinsing.
[0126]
In addition, the operation order in the substrate processing apparatus 1 is not limited to the order shown in the above-described embodiment, and may be any order as long as the same effect can be obtained.
[0127]
Further, the control by the control device 20 in the above embodiment has been described as being realized as software control in which the CPU operates by a program. However, all or a part of these may be realized as hardware control by a dedicated circuit. Good.
[0128]
Further, in the vacuum drying apparatus 13c according to the fourth embodiment, it has been described that the drive mechanism 174 is provided to move the base plate 133 in the Z-axis direction during the execution of the vacuum drying process, but for example, the vacuum drying apparatus 13c May have an adjustment mechanism for adjusting the position of the base plate 133 in the Z-axis direction when the substrate 90 is carried in and out, these adjustment mechanisms may also be used as the drive mechanism 174.
[0129]
【The invention's effect】
  Claim 1 to6In the invention described in (2), it is possible to suppress the chemical solution from reattaching to the substrate by removing the gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate held on the holding table. Moreover, it can suppress that volatilization of a chemical | medical solution is inhibited.
[0130]
  Claim1In the invention described in (1), the gas component concentration of the chemical solution in the ambient atmosphere of the substrate can be made uniform by stirring and removing the gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate. Therefore, the chemical solution can be removed from the surrounding atmosphere by reducing the concentration of the chemical solution in the surrounding atmosphere.
[0131]
  Claim2In the invention described in (1), the surrounding atmosphere can be easily agitated by including the rotation mechanism that generates the rotation driving force and the fan that rotates by the rotation driving force and generates the airflow in the processing space.
[0132]
  Claim3In the invention described in (1), the surrounding atmosphere is facilitated by having a plate-like member that rotates about a predetermined rotation axis and a rotation mechanism that rotates the plate-shaped member about the predetermined rotation axis. Can be stirred.
[0133]
  Claim4In the invention described in the above, the chemical solution is changed by changing the relative distance between the substrate and the decompression chamber in a direction in which the space volume between the substrate and the decompression chamber decreases while the decompression drying process is performed on the substrate. The atmosphere having a high gas component concentration can be moved from the periphery of the substrate, and the gas component of the chemical solution can be removed from the ambient atmosphere.
[0134]
  Claim5In the invention described in (1), the holding table is attached to an elastic member that expands and contracts according to the pressure in the processing space, and the elastic member contracts to reduce the space volume between the substrate and the decompression chamber. By moving in the direction to be moved, it is not necessary to separately provide a drive mechanism, and the surrounding atmosphere can be easily moved.
[0135]
  Claim6In the invention described in the above, as the atmosphere in the processing space is sucked by the suction means, the surrounding atmosphere is easily moved by driving and controlling the moving mechanism in a direction that reduces the relative distance between the substrate and the decompression chamber. be able to.
[0138]
  According to the seventh aspect of the present invention, the gas component concentration of the chemical solution in the ambient atmosphere of the substrate can be made uniform by stirring and removing the gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate. Therefore, it is possible to suppress the chemical liquid from reattaching to the substrate, and it is possible to suppress the volatilization of the chemical liquid from being inhibited.
  Claim8In the invention described in the above, an atmosphere having a high gas component concentration of the chemical solution is obtained by relatively moving the substrate and the decompression chamber in a direction to reduce the space volume between the main surface of the substrate and the decompression chamber. The gas component of the chemical solution can be removed from the ambient atmosphere.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 equipped with a reduced-pressure drying apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a vacuum drying apparatus according to the first embodiment.
FIG. 3 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus according to the second embodiment.
FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing a reduced pressure drying apparatus according to a second embodiment.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing a reduced pressure drying apparatus according to a third embodiment.
FIG. 6 is a diagram showing a maximum contracted state of the elastic member.
FIG. 7 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus.
FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a reduced pressure drying apparatus according to a fourth embodiment.
FIG. 9 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus.
FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a reduced pressure drying apparatus according to a fifth embodiment.
FIG. 11 is a flowchart showing the operation of the vacuum drying apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Substrate processing equipment
13, 13a, 13b, 13c, 13d Vacuum dryer
131 chamber
132 processing space
133 Base plate (holding base)
14, 14a, 15 Suction mechanism
16, 16a stirring mechanism
160 Rotating motor (Rotating mechanism)
162 fans
163 Rotating mechanism
164 Looper (plate member)
17, 17a Change mechanism
173 Elastic member
174 Drive mechanism (moving mechanism)
18 Auxiliary suction mechanism
20 Control device
90 substrates
D space
T distance

Claims (8)

基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、
基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、
前記処理空間内で基板を保持する保持台と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、
前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段と、
を備え
前記除去手段が、
前記処理空間内に気流を発生させる攪拌手段を有し、
前記攪拌手段が、
前記基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を攪拌除去することを特徴とする減圧乾燥装置。
A vacuum drying apparatus for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure,
A decompression chamber that forms a processing space for drying the substrate under reduced pressure;
A holding table for holding a substrate in the processing space;
Suction means for sucking the atmosphere in the processing space;
Removing means for removing a gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate held by the holding table;
Equipped with a,
The removing means is
A stirring means for generating an air flow in the processing space;
The stirring means is
A reduced-pressure drying apparatus that stirs and removes the gas component of the chemical solution from the atmosphere around the substrate .
請求項1に記載の減圧乾燥装置であって、The vacuum drying apparatus according to claim 1,
前記攪拌手段が、The stirring means is
回転駆動力を生成する回転機構と、A rotation mechanism that generates a rotational driving force;
前記回転駆動力によって回転し、前記処理空間内に気流を発生させるファンと、A fan that rotates by the rotational driving force and generates an air flow in the processing space;
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。A reduced-pressure drying apparatus comprising:
請求項1に記載の減圧乾燥装置であって、The vacuum drying apparatus according to claim 1,
前記攪拌手段が、The stirring means is
所定の回動軸を中心に回動する板状部材と、A plate-like member that rotates about a predetermined rotation axis;
前記板状部材を前記所定の回動軸を中心に回動させる回動機構と、A rotation mechanism for rotating the plate-shaped member around the predetermined rotation axis;
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。A reduced-pressure drying apparatus comprising:
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥装置であって、A vacuum drying apparatus for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure,
基板を減圧乾燥させるための処理空間を形成する減圧チャンバと、A decompression chamber that forms a processing space for drying the substrate under reduced pressure;
前記処理空間内で基板を保持する保持台と、A holding table for holding a substrate in the processing space;
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引手段と、Suction means for sucking the atmosphere in the processing space;
前記保持台に保持された基板の周辺雰囲気から前記薬液の気体成分を除去する除去手段と、Removing means for removing a gas component of the chemical solution from the ambient atmosphere of the substrate held by the holding table;
を備え、With
前記除去手段が、The removing means is
前記基板と前記減圧チャンバとの相対距離を変化させることにより、前記基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を変化させる変更手段を有し、Changing means for changing a spatial volume between the main surface of the substrate and the decompression chamber by changing a relative distance between the substrate and the decompression chamber;
前記変更手段が、The changing means is
前記基板に対する減圧乾燥処理が行われている間に、前記空間体積が減少する方向に前記相対距離を変化させることを特徴とする減圧乾燥装置。A reduced-pressure drying apparatus that changes the relative distance in a direction in which the space volume decreases while a reduced-pressure drying process is performed on the substrate.
請求項4に記載の減圧乾燥装置であって、The vacuum drying apparatus according to claim 4,
前記変更手段が、The changing means is
前記処理空間内の圧力に応じて伸縮する伸縮部材を有し、It has an elastic member that expands and contracts according to the pressure in the processing space,
前記保持台が前記伸縮部材に取り付けられており、前記伸縮部材が収縮することにより、前記保持台が前記空間体積を減少させる方向に移動することを特徴とする減圧乾燥装置。The reduced-pressure drying apparatus, wherein the holding table is attached to the elastic member, and the holding table moves in a direction to reduce the space volume when the elastic member contracts.
請求項4に記載の減圧乾燥装置であって、The vacuum drying apparatus according to claim 4,
前記変更手段が、The changing means is
前記基板を前記減圧チャンバに対して相対的に移動させる移動機構と、A moving mechanism for moving the substrate relative to the decompression chamber;
前記吸引手段によって前記処理空間内の雰囲気が吸引されるにしたがって、前記相対距離を減少させる方向に前記移動機構を駆動制御する制御機構と、A control mechanism that drives and controls the moving mechanism in a direction that reduces the relative distance as the atmosphere in the processing space is sucked by the suction means;
を有することを特徴とする減圧乾燥装置。A reduced-pressure drying apparatus comprising:
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、
減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、
前記処理空間内において物体を動かすことにより気流を発生させ、発生させた気流により、前記保持工程において保持された基板の周辺雰囲気を攪拌させる攪拌工程と、
を有することを特徴とする減圧乾燥方法。
A vacuum drying method for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure,
A holding step of holding the substrate in a processing space formed by the decompression chamber;
A suction step of sucking the atmosphere in the processing space;
Said processing to generate an airflow by moving the Oite object in the space, the air stream which is generated, a stirring step of stirring the atmosphere around the substrate held in said holding step,
A reduced-pressure drying method comprising:
基板上に存在する薬液を減圧により乾燥させる減圧乾燥方法であって、A vacuum drying method for drying a chemical solution present on a substrate under reduced pressure,
減圧チャンバによって形成される処理空間内に基板を保持する保持工程と、A holding step of holding the substrate in a processing space formed by the decompression chamber;
前記処理空間内の雰囲気を吸引する吸引工程と、A suction step of sucking the atmosphere in the processing space;
前記保持工程において保持された基板の主面と前記減圧チャンバとの間の空間体積を減少させる方向に、前記基板と前記減圧チャンバとを相対的に移動させる移動工程と、A moving step of relatively moving the substrate and the decompression chamber in a direction to reduce a space volume between the main surface of the substrate held in the holding step and the decompression chamber;
を有することを特徴とする減圧乾燥方法。A reduced-pressure drying method comprising:
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